一种传感器及其电路的制作方法

本发明涉及一种传感器技术领域，特别涉及传感器的电路。

背景技术：

在热释电红外传感器等传感器领域，传感芯片的输出阻抗非常高，不能直接与放大电路连接，必须连接jfet(结型场效应管)等有源器件构成的阻抗变换器，才能与后面的信号处理电路相连接。现有技术通常是jfet与传感芯片封装在一体构成一个完整的传感器；而传感器的一个关键性能参数是传感器的输出信号强度，在现有的jfet阻抗变换器中，对传感芯片的输出信号没有放大能力，现有技术要提高传感器输出信号的强度，只能从传感芯片材料配方及制备工艺技术方面着手，而现实情况是几十年来材料的性能提高是非常困难的；另外现在技术在应用时传感器壳体外部源极与地之间需要接一个适当的电阻提取传感器的输出信号。

技术实现要素：

本发明提供在正常实现对热释电红外传感器阻抗变换作用的同时还可以对热释电红外传感器的输出信号进行放大，而且在生产过程中可以根据客户需求设定所需要的放大倍数；同时本发明把原在外部连接于源极与地之间提取输出信号的电阻集成到传感器壳体内部。

为了实现上述目的，本发明提供以下技术方案：

一种传感器的电路，包括：传感芯片，传感芯片的信号输出第一端和结型场效应晶体管的栅极相连接，电源正极与结型场效应晶体管的漏极相连接，结型场效应晶体管的源极分别与传感器的输出端和第一电阻的一端相连接，传感芯片的信号输出第二端分别与第一电阻的另一端和第二电阻的一端相连接，第二电阻的另一端与公共接地点相连接。

一种传感器，包括上述的传感器的电路。

优选地，所述传感芯片、第一电阻、第二电阻和结型场效应晶体管均设置在传感器壳体内部。

优选地，所述第一电阻和第二电阻和结型场效应晶体管均集成设置在传感器壳体内部。

优选地，所述第一电阻和结型场效应晶体管均集成设置在传感器壳体内部。

优选地，所述传感芯片和结型场效应晶体管均设置在传感器壳体内部，所述第一电阻和第二电阻设置在传感器壳体外部。

优选地，所述传感芯片、第一电阻和结型场效应晶体管均设置在传感器壳体内部，第二电阻设置在传感器壳体外部。

优选地，所述第一电阻和结型场效应晶体管均集成设置在传感器壳体内部。

优选地，所述第二电阻和结型场效应晶体管均设置在传感器壳体内部，所述第一电阻设置在传感器壳体外部。

优选地，所述第二电阻和结型场效应晶体管均设置在传感器壳体内部，所述第一电阻设置在传感器壳体外部。

优选地，所述传感器为热释点红外传感器、电容式驻极体话筒、电容式振动传感器、压电式振动传感器、压电式压力传感器或压电晶体式传声器。

通过实施以上技术方案，具有以下技术效果：本发明提供在正常实现对热释电红外传感器阻抗变换作用的同时还可以对热释电红外传感器的输出信号进行放大，而且在生产过程中可以根据客户需求设定所需要的放大倍数；同时本发明把原在外部连接于源极与地之间提取输出信号的电阻集成到传感器壳体内部。应用本发明制作的传感器，经过实际测试，输出信号放大的效果与理论一致，安装成感应产品成品测试感应距离，感应效果确实有与设计的放大倍数及实际信号输出强度直接相关，性能提升明显，使用方便灵活；本发明电路可与jfet一起集成于传感器壳体内部在进行阻抗变换的同时对信号进行放大输出；本发明放大倍数设置极其简单方便，与外部电路配合使用，可减小外部电路的放大倍数使电路更稳定，也可以简化外部电路结构，也可以降低对传感器信号处理电路的要求。对传感器本身来讲，提升了性能，提高了集成度；对于整个应用系统来讲，其在提升性能的同时还可以简化电路构架，降低成本。

附图说明

图1为本发明提供感应器的电路元件图。

具体实施方式

为了更好的理解本发明的技术方案，下面结合附图详细描述本发明提供的实施例。

本发明实施例提供一种传感器的电路，如图1所示，一种传感器的电路，其特征在于，包括：传感芯片s1，传感芯片s1的信号输出第一端4和结型场效应晶体管q1的栅极2相连接，电源正极6与结型场效应晶体管q1的漏极1相连接，结型场效应晶体管q1的源极3分别与传感器的输出端7和第一电阻r1的一端相连接，传感芯片s1的信号输出第二端5分别与第一电阻r1的另一端和第二电阻r2的一端相连接，第二电阻r2的另一端与公共接地点8相连接,图1中电阻rg为传感芯片s1的等效电阻。

一种传感器，包括上述电路的传感器，所述传感器可以是热释电红外传感器。

具体地，所述传感芯片s1、第一电阻r1、第二电阻r2和结型场效应晶体管q1均设置在传感器壳体内部；作为可选地，所述第一电阻r1和结型场效应晶体管q1均集成设置在传感器内；作为可选地，所述第一电阻r1和第二电阻r2和结型场效应晶体管q1均集成设置在传感器壳体内部。

具体地，所述传感芯片s1和结型场效应晶体管q1均设置在传感器壳体内部，所述第一电阻r1和第二电阻r2设置在传感器壳体外部；

具体地，所述传感芯片s1、第一电阻r1和结型场效应晶体管q1均设置在传感器壳体内部，第二电阻r2设置在传感器壳体外部；可以选地，所述第一电阻r1和结型场效应晶体管q1均集成设置在传感器壳体内部。

具体地，所述第二电阻r2和结型场效应晶体管q1均设置在传感器壳体内部，所述第一电阻r1设置在传感器壳体外部。

在上述实施例中，优选地，所述传感器为热释点红外传感器、电容式驻极体话筒、电容式振动传感器、压电式振动传感器、压电式压力传感器或压电晶体式传声器等。

在上述实施例中，所述第一电阻r1取值为30k,第二电阻r2取值为10k，经过实测对比，实际测试信号比只有第一电阻r1值为30k的时候增加了约30％左右，感应距离也增加了近30％。

以上对本发明实施例所提供的一种传感器及其电路进行了详细介绍，对于本领域的一般技术人员，依据本发明实施例的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。

技术特征：

技术总结
本发明提供一种传感器及其电路，包括：传感芯片S1，传感芯片S1的信号输出第一端和结型场效应晶体管的栅极相连接，电源正极与结型场效应晶体管的漏极相连接，结型场效应晶体管的源极分别与传感器的输出端和第一电阻的一端相连接，传感芯片的信号输出第二端分别与第一电阻的另一端和第二电阻的一端相连接，第二电阻的另一端与公共接地点相连接。本发明之阻抗变换效果与现在应用方案基本一致，能满足应用要求；本发明能对传感芯片的信号进行放大输出，在很大范围内可以比较灵活的调整放大倍数。

技术研发人员：吴华民;刘财伟
受保护的技术使用者：深圳市华三探感科技有限公司
技术研发日：2019.06.10
技术公布日：2019.08.16