一种超声波传感器的制作方法

本实用新型属于超声波传感器技术领域，具体涉及一种超声波传感器。

背景技术：

超声波传感器是目前常用的传感器，可以用于探测特定的方向是否有障碍物，并且也可以用于检测与障碍物之间的距离。

基于TL851芯片和TL852芯片的超声波传感器是利用TL851芯片控制超声波换能器发出超声波信号、利用TL852芯片接收并识别回波信号的超声波传感器。现有技术基于TL851芯片和TL852芯片的超声波传感器中，用于控制逆变器的三极管电流能力差，而用于驱动超声波换能器的逆变器在使用过程中需要承受较大的电流，造成超声波传感器容易出现故障，可靠性较差。

技术实现要素：

本实用新型提供一种超声波传感器，用于解决现有技术中超声波传感器容易出现事故、可靠性较差的问题。

一种超声波传感器，该超声波传感器为基于TL851芯片和TL852芯片的超声波传感器，包括TL851芯片、TL852芯片、逆变器、超声波换能器和三极管，所述逆变器包括逆变变压器，所述逆变变压器原边的一端用于连接电源，另一端连接三极管的集电极，三极管的发射极接地；所述逆变变压器的副边连接所述超声波换能器；所述TL851芯片的信号输出端连接三极管的基极；

所述三极管的型号为ZXTN2010ZTA，所述TL851芯片的信号输出端连接三极管基极的线路上设置有限流电阻。

本实用新型提供的技术方案，采用电流承受能力较强的ZXTN2010ZTA三极管，并在其基极设置有限流电阻，从而减小超声波传感器三极管所承受的电流，能够解决现有技术中超声波传感器容易出现事故、可靠性较差的问题。

附图说明

图1为本实用新型实施例中超声波传感器的结构原理图。

具体实施方式

本实施例提供一种超声波传感器，其结构原理如图1所示，包括TL852芯片、TL851芯片、限流电阻R5、三极管Q、逆变器和超声波换能器S。

本实施了中的逆变器为高频逆变器，其中包括逆变变压器T，通过脉冲波控制逆变变压器T原边的电流，可在其副边产生高频震荡脉冲信号。

本实施例所提供的超声波传感器是基于TL851芯片和TL852芯片的超声波传感器，电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、可变电阻RP、电容C1、电容C和电感L为TL852芯片的外围电路，电容C4、电容C2和晶振X为TL851芯片的外围电路，TL851芯片和TL852芯片的外围电路属于现有技术，这里不多做说明；

TL851芯片的GCD端连接TL852芯片的GCD端，TL851芯片的GCC端连接TL852芯片的GCC端，TL851芯片的GCB端连接TL852芯片的GCB端，TL851芯片的GCA端连接TL852芯片的GCA端。

TL851芯片的XMIT端为其信号输出端，三极管Q采用的是型号为ZXTN2010ZTA的三极管Q，该三极管Q能够承受较大的电流，保证超声波传感器的可靠性；三极管1的基极与TL851芯片的信号输出端，发射极接地，集电极连接逆变变压器T原边的一侧；逆变变压器T的另一端连接5V电源；逆变变压器T的副边连接超声波换能器S的电源端。限流电阻R5串联设置在TL851芯片信号输出端连接三极管Q基极的线路上。

实施例所提供的超声波传感器的工作原理为：

TL851芯片向三极管Q的基极发送一个16脉冲的方波信号；

三极管Q按照TL851芯片所发出的脉冲波的时序导通；

逆变变压器T的原边按照三极管Q的导通时序，逆变变压器T的副边产生一个16脉冲的270V高压震荡脉冲信号；

逆变变压器T副边的高压震荡脉冲信号推动声波换能器S的薄膜产生超声震荡波，形成并发出超声波，设此时为时间a；

超声波接触到物体后反射回波信号；

反射回波信号返回到换能器S薄膜表面，声波换能器S薄膜震动引起电容量变化，将反射回波信号转化为电信号；

TL852芯片对回波信号进行采集放大转换，形成脉冲信号并发送给TL851芯片，设此时为时间b；

根据时间b与时间a之间的时差以及声波在标准环境下的传播速度，结合环境温度等因素的影响，即可求解出与物体之间的距离。

本实用新型提供的技术方案，增大了驱动逆变器的三极管功率，减小了三极管的驱动电流，能够解决现有技术中超声波传感器容易出现故障、可靠性较差的问题。