一种温度检测装置的制作方法

本实用新型实施例涉及温度检测技术领域，尤其涉及一种温度检测装置。

背景技术：

非接触测温传感器在冶金、医疗、电力、汽车等各种行业的应用极为广泛。

现有技术中，非接触测温传感器中的大部分为点测温传感器，不能全面反映目标物体表面温度和热流变化情况，造成温度测量不准确，温度探测灵敏度低。非接触测温传感器还包括少部分面测温传感器，例如焦平面阵列传感器，但是现有面测温传感器制备工艺复杂，制备成本高。

技术实现要素：

本实用新型提供一种温度检测装置，以实现简化制备工艺，降低成本，提高温度检测装置的检测精度和灵敏度。

本实用新型实施例提供了一种温度检测装置，包括：信号读取处理芯片、以及包括至少一个传感像素单元的温度传感芯片，信号读取处理芯片和温度传感芯片通过键合层键合。

其中，传感像素单元包括第一温度吸收子单元、第一温度敏感子单元和第一传导子单元，第一温度敏感子单元与第一温度吸收子单元接触，第一温度敏感子单元依次通过第一传导子单元和键合层与信号读取处理芯片电连接。

其中，第一温度吸收子单元包括第一上层金属、第一下层金属以及第一介质层，第一下层金属设置于第一介质层和信号读取处理芯片之间；第一上层金属阵列排布于第一介质层面向或背离第一下层金属一侧的表面，或者第一上层金属嵌入第一介质层中，并在第一介质层中阵列排布。

其中，第一介质层包括由氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳化硅中的一种或多种形成的至少一层第一子介质层。

其中，第一介质层还包括真空介质形成的第二子介质层，第二子介质层设置于第一子介质层与第一下层金属之间。

其中，第一温度敏感子单元与第一上层金属设置于第一子介质层的同侧或异侧，或者第一温度敏感子单元嵌入到第一子介质层中，第一上层金属包围第一温度敏感子单元。

其中，温度传感芯片还包括参考像素单元，参考像素单元包括第二温度吸收子单元、第二传导子单元和第二温度敏感子单元，第二温度敏感子单元与第二温度吸收子单元接触，第二温度敏感子单元依次通过第二传导子单元和键合层与信号读取处理芯片电连接；

其中，第二温度吸收子单元的热吸收率小于第一温度吸收子单元的热吸收率。

其中，第二温度吸收子单元包括第二介质层，第二温度敏感子单元设置于第二介质层的面向或背离信号读取处理芯片一侧的表面，或者第二温度敏感子单元嵌入在第二介质层中。

其中，第二介质层中沉积有金属层。

其中，第二介质层背离信号读取处理芯片一侧表面的面积小于第一介质层背离信号读取处理芯片一侧表面的面积。

其中，第二温度吸收子单元还包括第二上层金属，

第二上层金属阵列排布于第二介质层面向或背离信号读取处理芯片一侧的表面；

或者第二上层金属为面状，平铺于第二介质层面向或背离信号读取处理芯片一侧的表面。

其中，第二温度吸收子单元还包括第二下层金属，第二下层金属设置于第二介质层和信号读取处理芯片之间。

其中，第一温度敏感子单元包括第一端和第二端，第一传导子单元至少包括与第一温度敏感子单元第一端电连接的第一传导梁和与第一温度敏感子单元第二端电连接的第二传导梁，第一传导梁和第二传导梁通过键合层与信号读取处理芯片键合；

第二温度敏感子单元包括第三端和第四端，第二传导子单元至少包括与第二温度敏感子单元第三端电连接的第三传导梁和与第二温度敏感子单元第四端电连接的第四传导梁，第三传导梁和第四传导梁通过键合层与信号读取处理芯片键合。

其中，第一传导梁、第二传导梁、第三传导梁和第四传导梁包括导线以及包覆导线的热传导介质。

其中，第一传导梁和第二传导梁设置于传感像素单元的第一介质层和键合层之间，第三传导梁和第四传到梁设置于参考像素单元的第二介质层和键合层之间。

其中，第一传导梁和第二传导梁从传感像素单元的第一介质层背离信号读取处理芯片的一侧延伸至第一介质层和键合层之间；

以及第三传导梁和第四传导梁从参考像素单元的第二介质层背离信号读取处理芯片的一侧延伸至第二介质层和键合层之间。

其中，第一传导子单元还包括至少两个第五传导梁，第二传导子单元还包括至少两个第六传导梁，第五传导梁热连接第一温度吸收子单元和信号读取处理芯片，第六传导梁热连接第二温度吸收子单元和信号读取处理芯片。

其中，第一传导梁、第二传导梁、第三传导梁、第四传导梁、第五传导梁和第六传导梁为包括至少一折的条状、柱状或S形等结构。

本实用新型实施例提供了一种温度传感装置，包括：信号读取处理芯片、以及包括至少一个传感像素单元的温度传感芯片，信号读取处理芯片和温度传感芯片通过键合层键合；通过将信号读取处理芯片和温度传感芯片键合层进行键合，使得温度检测装置的制备工艺更加简单，具有批量化生产、成本低、成品率高的优点。

附图说明

图1为本实用新型实施例提供的一种温度检测装置的结构示意图；

图2时本实用新型实施例提供的一种传感像素单元的结构示意图；

图3是本实用新型实施例提供的另一种温度检测装置的结构示意图；

图4是本实用新型实施例提供的一种参考像素单元的结构示意图；

图5是本实用新型实施例提供的另一种参考单元的结构示意图；

图6是本实用新型实施例提供的另一种参考像素单元的结构示意图；

图7是本实用新型实施例提供的另一种参考像素单元的结构示意图；

图8是本实用新型实施例提供的另一种参考像素单元的结构示意图；

图9是本实用新型实施例提供的另一种传感像素单元的俯视图；

图10是本实用新型实施例提供的另一种传感像素单元的结构示意图；

图11是本实用新型实施例提供的另一种参考像素单元的结构示意图；

图12是本实用新型实施例提供的另一种温度检测装置的结构示意图。

图13是本实用新型实施例提供的另一种温度检测装置的结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本实用新型作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本实用新型，而非对本实用新型的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本实用新型相关的部分而非全部结构。

图1为本实用新型实施例提供的一种温度检测装置的结构示意图，该温度检测装置可以用于非接触式温度检测以及热成像，参考图1，该温度检测装置包括：信号读取处理芯片100、以及包括至少一个传感像素单元210的温度传感芯片200，信号读取处理芯片100和温度传感芯片200通过键合层300键合。

其中，该温度检测装置可以是非接触式温度传感器。图1示意性地温度检测装置为阵列式面测温传感器的情形，参考图1，以温度传感芯片包括9个阵列排布的传感像素单元210为例进行示意。任何物体在高于绝对温度一般都具有热辐射，温度传感芯片200可以对物体的热辐射进行收集和感知，并将收集到的热辐射转化为电信号。信号读取处理芯片100可以对电信号进行读取、处理和输出，进而得到被测量物体的温度。

需要说明的是，本领域技术人员也可基于本实用新型利用温度传感芯片200将收集到的热辐射转化为电学、光学、或力学等信号，并利用电学信号读取装置、光学信号读取装置或力学信号读取装置等信号读取装置对电学、光学信号或力学等信号进行读取，进而得到被测量物体的温度。

本实施例提供的温度传感装置，将温度传感芯片200与信号读取芯片通过键合层300键合，例如可以基于CIS(cmos image sensor)键合减薄工艺平台，将温度传感芯片200与信号读取处理芯片100直接通过键合结合起来，相比于现有技术温度检测装置整体结构基于CMOS工艺和/或MEMS工艺，可以使得温度检测装置的制备工艺更加简单，具有批量化生产、成本低、成品率高的优点。

本实施例提供的温度传感装置包括信号读取处理芯片、以及包括至少一个传感像素单元的温度传感芯片，通过将信号读取处理芯片和温度传感芯片键合层进行键合，使得温度检测装置的制备工艺更加简单，具有批量化生产、成本低、成品率高的优点。

图2是本实用新型实施例提供的一种传感像素单元的结构示意图，参考图2，可选的传感像素单元210包括第一温度吸收子单元211、第一温度敏感子单元212和第一传导子单元213，第一温度敏感子单元212与第一温度吸收子单元211接触，第一温度敏感子单元212依次通过第一传导子单元213和键合层300与信号读取处理芯片100电连接。

参考图1和图2，使用温度检测装置检测被测物体温度时，被测物体辐射的热量到达温度检测装置表面时，传感像素单元210的第一温度吸收子单元211可以吸收被测物体辐射的热量发生温度变化，第一温度敏感子单元212与第一温度吸收子单元211接触，可以感测到第一温度吸收子单元211的温度变化，并将感测到的温度变化情况转化为电信号，通过第一传导子单元213和键合层300传导至信号读取处理芯片100，信号读取处理芯片100可以对电信号进行读取、处理和输出，进而得到被测量物体的温度，进而实现对温度的测量。

继续参考图2，在上述方案的基础上，可选的，第一温度吸收子单元211包括第一上层金属2111、第一下层金属2113和第一介质层2112，第一下层金属2113设置于第一介质层2112和信号读取处理芯片100之间；第一上层金属2111阵列排布于第一介质层2112面向或背离第一下层金属2113一侧的表面，或者第一上层金属2111嵌入第一介质层2112中，并在第一介质层2112中阵列排布。

其中，第一上层金属2111可以为块状、十字状或圆环状。当第一上层金属2111为块状时，俯视图可以为正方形，也可以是矩形，本实用新型在此不做具体限定。

图2以第一上层金属2111为块状，阵列排布于第一介质层2112背离第一下层金属2113一侧的表面为例进行了示意性说明。参考图2，具体的，第一上层金属2111和第一下层金属2113可以是金、银、铜、铝、镍铬合金、钨、钛等。第一上层金属2111、第一下层金属2113和第一介质层2112组成的第一温度吸收子单元211可以对被测物体辐射的热量进行有效地吸收，吸收的热量集中在第一介质层2112中，然后传导至信号读取处理芯片100，信号读取处理芯片100的厚度通常较厚，可以起到热沉作用，进而可以使得温度检测装置进行一次温度检测后，第一温度吸收子单元211从外界吸收的热量被及时传导出去，进而不影响下一次的温度检测，保证温度检测装置的检测准确性。第一下层金属2112还可以对信号读取处理芯片100工作所散发出的热量起到反射作用，减小第一温度吸收子单元211吸收信号读取处理芯片100工作散发热量带来的测量误差。

参考图2，第一上层金属2111阵列排布于第一介质层2112背离第一下层金属2113一侧的表面，进而使得第一上层金属2111、第一介质层2112和第一下层金属2113形成超材料结构，提高第一温度吸收子单元211吸收的热辐射吸收率和吸收带宽，进而提高温度检测装置的灵敏度和分辨率。需要说明的是，图2只示意性地示出了第一上层金属2111阵列排布于第一介质层2112背离第一下层金属2113一侧的表面的情况，第一上层金属2111阵列设置在第一介质层2112面向第一下层金属2113一侧的表面或嵌入在第一介质层2112中的情况未示出，但是第一上层金属2111阵列设置在第一介质层2112面向第一下层金属2113一侧的表面或嵌入在第一介质层2112中同样可使得第一上层金属2111、第一介质层2112和第一下层金属2113形成超材料结构，并具有上述超材料结构所带来的有益效果。

其中，第一下层金属2113可以与信号读取处理芯片100接触，也可不与信号读取处理芯片100接触，本实用新型在此不做具体限定。

可选的，第一介质层2112包括由氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳化硅中的一种或多种形成的至少一层第一子介质层21121。

具体的，第一子介质层21121可用于承载第一上层金属2111和第一温度敏感子单元212，并采用绝缘材料，避免影响第一温度敏感子单元212和信号读取处理芯片100之间电信号的传输。

继续参考图2，可选的，第一介质层2112还包括真空介质形成的第二子介质层21122，第二子介质层21122设置于第一子介质层21121与第一下层金属2113之间。

具体的，设置第一介质层2112为包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳化硅中的一种或多种形成的至少一层第一子介质层21121和真空介质形成的第二子介质层21122的结构，可以使得第一温度吸收子单元211的第一介质层2112与第一下层金属2113形成谐振腔结构，有利于提高对被测物体热辐射的吸收率。

需要说明是，第一温度吸收子单元211也可只包括一层或多层第一子介质层21121，第一子介质层21121背离信号读取处理芯片100和面向信号读取处理芯片100的两个表面分别承载第一上层金属2111和接触第一下层金属2113，形成介质层结构，本实用新型在此不做具体限定。

在上述方案的基础上，可选的，第一温度敏感子单元212与第一上层金属2111设置于第一子介质层21121的同侧或异侧，或者第一温度敏感子单元212与嵌入到第一子介质层21121中，第一上层金属2111包围第一温度敏感子单元212。

图2示出了第一温度敏感子单元212与第一上层金属2111设置于第一子介质层21121同侧的情况，第一上层金属2111包围第一温度敏感子单元212，更有利于第一温度敏感子单元212感测第一上层金属2111吸收的被测物体辐射的热量。可选的，第一温度敏感子单元212位于第一子介质层21121的中心位置，进而使得第一温度敏感子单元212感测到各个位置的第一温度吸收子单元211所吸收的热量均等，使得温度检测装置检测温度更加准确。

需要说明的是，第一温度敏感子单元212与第一上层金属2111设置于第一子介质层21121的异侧以及第一温度敏感子单元212与嵌入到第一子介质层21121的情况未示出，第一温度敏感子单元212与第一上层金属2111设置于第一子介质层21121的异侧以及第一温度敏感子单元212嵌入到第一子介质层21121时，第一上层金属2111在信号读取处理芯片100上的垂直投影可以包围第一温度敏感子单元212在信号读取处理芯片100上的垂直投影，更有利于第一温度敏感子单元212感测第一上层金属2111吸收的被测物体辐射的热量，并可选为第一温度敏感子单元212位于第一子介质层21121表面或者内部的中心位置。

图3是本实用新型实施例提供的另一种温度检测装置的结构示意图，参考图3，可选的，温度传感芯片200还包括参考像素单元220，图4是本实用新型实施例提供的一种参考像素单元的结构示意图，参考图3和图4，参考像素单元220包括第二温度吸收子单元221、第二传导子单元223和第二温度敏感子单元222，第二温度敏感子单元222与第二温度吸收子单元221接触，第二温度敏感子单元222依次通过第二传导子单元223和键合层300与信号读取处理芯片100电连接；

其中，第二温度吸收子单元221的热吸收率小于第一温度吸收子单元211的热吸收率。

具体的，参考像素单元220的第二温度吸收子单元221对被测物体的热辐射吸收率远远小于传感像素单元210的第一温度吸收子单元211对被测物体的热辐射吸收率，参考像素单元220可用于排除温度检测装置在检测被测物体温度过程中自身发热对测量结果的影响，理想情况下，参考像素单元220不吸收被测物体所辐射的热量，只吸收温度检测装置自身工作所散发的热量，信号读取处理芯片100可分别读取传感像素单元210的第一温度敏感子单元212所传输的电信号以及参考像素单元220的第二温度敏感子单元222的电信号，并进行处理，例如将第一温度敏感子单元212传输的电信号对应的温度和第二温度敏感子单元222传输的电信号对应的温度进行做差，进而排除传感像素单元210自身热扰动和信号读取处理芯片100电路偏压带来的温升等因素的影响。

可选的，第二温度吸收子单元221包括第二介质层，第二温度敏感子单元222设置于第二介质层的面向或背离信号读取处理芯片100一侧的表面，或者第二温度敏感子单元222嵌入在第二介质层中。

图4示出了第二温度敏感子单元222设置于第二介质层2212背离信号读取处理芯片100一侧的表面的情况，可选的，第二温度敏感子单元222设置于第二温度敏感子单元222设置于第二介质层2212的面向或背离信号读取处理芯片100一侧的表面的中心位置，或者第二温度敏感子单元222嵌入在第二介质层2212的中心位置，进而使得第二温度敏感子单元222可以均匀地接收第二介质层2212所吸收的热量。

图5是本实用新型实施例提供的另一种参考单元的结构示意图，参考图5，可选的，第二介质层2212中沉积有金属层22112。

具体的，在第二介质层2212中沉积的金属层22112可以是整面状金属层，该整面状金属层为完整的整面金属层，该金属层可以起到反射作用，进而使得参考像素单元220的第二温度吸收子单元221尽量少得吸收外界物体所辐射出的热量，使得参考像素单元220可以作为排除温度传感器自身热扰动的参考基准。参考图5，第二介质层2212中沉积的金属层22112可以设置于绝缘介质形成的两层子介质层22111和22113之间。

可选的，第二介质层2212背离信号读取处理芯片100一侧表面的面积小于第一介质层2112背离信号读取处理芯片100一侧表面的面积。具体的，因第二介质层2212对外界的热辐射可能起到一定的吸收作用，将参考像素单元220的第二介质层2212的表面积设置于小于传感像素单元210的第一介质层2112的表面积，可以进一步降低参考像素单元220对外界物体的热辐射的吸收率，使得参考像素单元220所检测到的温度更接近于温度传感芯片200自身发热所带来的温升，进而在信号读取处理芯片100对传感像素单元210和参考像素单元220的信号进行差分计算后，更加接近被测物体的实际温度，提高温度检测装置检测温度的准确度。

图6是本实用新型实施例提供的另一种参考像素单元的结构示意图，图7是本实用新型实施例提供的另一种参考像素单元的结构示意图，参考图6和图7，第二温度吸收子单元221还包括第二上层金属2211，

第二上层金属2211阵列排布于第二介质层2212面向或背离信号读取处理芯片100一侧的表面，具体可参考图6所示的参考像素单元220；

或者第二上层金属2211为面状，平铺于第二介质层2212面向或背离信号读取处理芯片100一侧的表面，具体可参考图7所示的参考像素单元220。

另外，第二上层金属2211也可嵌入到第二介质层2212中。其中，第二上层金属2211阵列排布于第二介质层2212面向或背离信号读取处理芯片100一侧的表面，或者第二上层金属2211嵌入到第二介质层2212中时，第二上层金属2211可以为块状、十字状或圆环状。当第一上层金属2111为块状时，俯视图可以为正方形，也可以是矩形，本实用新型在此不做具体限定。需要说明的是，第二上层金属2211的形状优选与第一上层金属2111的形状相同。

图6以第二上层金属2211为块状，阵列排布于第二介质层2212背离信号读取处理芯片100一侧的表面为例进行了示意性说明。

参考图6和图7，所述第二温度吸收子单元221包括第二上层金属2211和第二介质层2212，与传感像素单元210相比，不具有下层金属层，因而使得参考像素单元220不能形成超材料结构，使参考像素单元220尽量少地吸收外界物体所辐射的热量。并且，图7所示参考像素单元220的第二上层金属2211为面状，可以反射外界物体所散发的热量，使参考像素单元220更少地吸收外界物体所散发的热量。

图8是本实用新型实施例提供的另一种参考像素单元的结构示意图，参考图8，参考像素单元220还包括第二下层金属2213，第二下层金属2213设置于第二介质层2212和信号读取处理芯片100之间。

参考图8，参考像素单元220包括第二介质层2212和第二下层金属2213，与传感像素单元210相比，不具有上层金属层，因而使得参考像素单元220不能形成超材料结构，使参考像素单元220尽量少地吸收外界物体所辐射的热量。

参考图2-图8，可选的，第一温度敏感子单元212包括第一端和第二端，第一传导子单元213至少包括与第一温度敏感子单元212第一端电连接的第一传导梁2131和与第一温度敏感子单元212第二端电连接的第二传导梁2132，第一传导梁2131和第二传导梁2132通过键合层300与信号读取处理芯片100键合；

第二温度敏感子单元222包括第三端和第四端，第二传导子单元223至少包括与第二温度敏感子单元222第三端电连接的第三传导梁2231和与第二温度敏感子单元222第四端电连接的第四传导梁2232，第三传导梁2231和第四传导梁2232通过键合层300与信号读取处理芯片100键合。

其中，第一温度敏感子单元212和第二温度敏感子单元222可以是二端元件，以下统称第一温度敏感子单元212和第二温度敏感子单元222为敏感子单元，敏感子单元可以是将温度变化转化成电压变化的功能部件，如温度敏感二极管、场效应管、热电偶、热电堆等；可以是将温度变化转化成材料的电阻变化的功能部件，如非晶硅、氧化钒、氧化钛等；可以是将温度变化转化成材料的电荷变化，如锆钛酸铅、热释电材料等。

当敏感子单元为温度敏感二极管时，温度敏感二极管是pn结型二极管，可以是pn结、np结，也可以是二合一的npn结和pnp结；二极管可以是硅二极管、锗二极管、多晶硅二极管；二极管可以是一个，也可以是多个同种类型或不同种类型的串联。

第一温度敏感子单元212的两端分别与第一传导梁2131和第二传导梁2132电连接，第一传导梁2131和信号读取处理芯片100之间的键合层300，以及第二传导梁2132与信号读取处理芯片100之间的键合层300也为可以导电的材料，例如金属，进而使得第一温度敏感子单元212输出的电信号可通过第一传导梁2131、第二传导梁2132和键合层300传导至信号读取处理芯片100。

第二温度敏感子单元222的两端分别与第三传导梁2231和第四传导梁2232电连接，第三传导梁2231和信号读取处理芯片100之间的键合层300，以及第四传导梁2232与信号读取处理芯片100之间的键合层300也为可以导电的材料，例如金属，进而使得第二温度敏感子单元222输出的电信号可通过第三传导梁2231、第四传导梁2232和键合层300传导至信号读取处理芯片100。

可选的，第一传导梁2131、第二传导梁2132、第三传导梁2231和第四传导梁2232包括导线以及包覆导线的热传导介质。

具体的，金属导线可用于传导第一温度敏感子单元212和第二温度敏感子单元222输出的电信号，热传导介质可以将第一温度吸收子单元211和第二温度吸收子单元221在外界吸收的热量传导至信号读取处理芯片100，信号读取处理芯片100可起到热沉作用。可选的，导线的材质可以是铜、铝、钨、poly等，热传导介质可以是氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳化硅等。

继续参考图2-图8，可选的，第一传导梁2131和第二传导梁2132设置于传感像素单元210的第一介质层2112和键合层300之间，第三传导梁2231和第四传导梁2232设置于参考像素单元220的第二介质层2212和键合层300之间。

具体的，第一传导梁2131、第二传导梁2132、第三传导梁2231和第四传导梁2232起到传导电信号和传导热量的作用，将第一传导梁2131和第二传导梁2132设置于传感像素单元210的第一介质层2112和键合层300之间，第三传导梁2231和第四传导梁2232设置于参考像素单元220的第二介质层2212和键合层300之间，在保证第一传导梁2131、第二传导梁2132、第三传导梁2231和第四传导梁2232正常传导电信号和热量的前提下，可以缩短传导梁的长度，节省材料。

图9是本实用新型实施例提供的另一种传感像素单元的俯视图，其可以对应传感像素单元210的俯视图。图9示出了第一传导梁2131和第二传导梁2132在第一介质层2112背离信号读取处理芯片100一侧的结构。第一传导梁2131和第二传导梁2132从传感像素单元210的第一介质层2112背离信号读取处理芯片100的一侧延伸至第一介质层2112和键合层300之间。需要说明的是，参考像素单元的俯视图也可对应图9所示情况，在此不再赘述。

需要说明的是，本实用新型实施例提供的第一传导梁、第二传导梁、第三传导梁和第四传导梁并不限于上述各实施例所提供的结构和位置，本领域技术人员基于本实用新型构思提出的其他改进同样在本实用新型的保护范围之内。

图10是本实用新型实施例提供的另一种传感像素单元的结构示意图，图11是本实用新型实施例提供的另一种参考像素单元的结构示意图，参考图10和图11，可选的，第一传导子单元213还包括至少两个第五传导梁2133，第二传导子单元223还包括至少两个第六传导梁2233，第五传导梁2133热连接第一温度吸收子单元211和信号读取处理芯片100，第六传导梁2233热连接第二温度吸收子单元221和信号读取处理芯片100。

可选的，第一传导梁2131、第二传导梁2132、第三传导梁2231、第四传导梁2232、第五传导梁2133和第六传导梁2233为包括至少一折的条状或柱状结构。其中，图2-图8，以及图10-图11以各传导梁为包括一折的柱状结构为例进行了示意性说明，图9中示意性地了传导梁为多折结构的情形。各传导梁的折数，本领域技术人员可以根据实际需要自行制备，本实用新型在此不做具体限制。并且，本实用新型实施例中的第一传导梁2131在垂直于该第一传导梁2131长轴方向的截面周长可以相等，也可以不等，本实用新型在此不做具体限定，对于其他传导梁在垂直于该传导梁长轴方向的截面周长也可以相等，可以不等。

图12是本实用新型实施例提供的另一种温度检测装置的结构示意图，其对应第一上层金属2111为十字状的结构。

图13是本实用新型实施例提供的另一种温度检测装置的结构示意图，其对应第一上层金属2111为圆环状的结构。

注意，上述仅为本实用新型的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本实用新型不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本实用新型的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本实用新型进行了较为详细的说明，但是本实用新型不仅仅限于以上实施例，在不脱离本实用新型构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本实用新型的范围由所附的权利要求范围决定。