一种改善测量镭射距离的装置的制作方法

本实用新型与镭射制程工艺有关；具体设计一种改善测量镭射距离的装置。

背景技术：

为了使硅片的供、需双方便于交流和对硅片能进行有效跟踪，需对硅片做统一标识。常采用镭射刻码技术在硅片表面进行刻码，刻码内容根据客户的要求进行镭射刻码。客户对镭射刻码的间距及字符大小有其特定要求，故需对镭射距离进行测量。

一般测量内容包括字符宽度、字符高度、字符间距、字符离中垂线距/字符离倒角转角距、字符离平口距/字符离圆周距、字符dot直径、字符深度，字符编码原则、字符数量、字符x*y，lm正反面等，其中字符间距的测量，单点均采用字符单圆点中心为边界量测，双点均采用字符双圆点之间的中心为边界量测。字符离边距离的量测：均采用字符圆点最上缘/最下缘为边界量测最大/最小距离，量测离边距离包含倒角部分。测量一般借助显微镜进行量测，选择合适的放大倍数，先将待测量点相邻的晶片表面聚焦清晰，记录下此时显微镜旋钮刻度值，再调整显微镜，使待测量点的底部出现清洗的亮点，再记录下此时的刻度值，两个刻度值之间的调整幅度为待测量点的深度使用显微镜量测深度，选择合适的放大倍数，先将待测量点相邻的芯片表面聚焦清晰，记录下此时显微镜旋钮刻度值，再调整显微镜，使待测量点的底部出现清晰的亮点，再记录下此时的刻度值，两个刻度值之间的调整幅度为待测量点的深度。当测量范围超出显微镜的量程范围时，一般测量晶片镭射字符与晶片平口中垂线的距离会超出显微镜测量的范围时，则使用尺子进行测量，测量出的数值误差大。

技术实现要素：

为了改善上述情况，本实用新型的目的在于提供一种改善测量镭射距离的装置，可以测量在无参照物的情况下，测量距离大于显微镜的最大量程时，使用该测量装置，提高测量数据的精确度，扩大测量镭射字符的距离。

本实用新型所采用的技术方案：所述装置包括一测量平台与两卡尺治具；所述测量平台用以放置需测量的硅晶片；所述测量平台两侧有两条凹槽，用来放置卡尺治具；所述测量平台中间有一镂空位置，用以移动需测量的硅晶片，便于测量；所述卡尺治具放置于测量平台上方凹槽中，用以固定测量工具进行测量硅晶片镭射距离。在测量无参照物且测量距离大于显微镜最大量程的情况下，此装置可以精确测量，达到0.01mm的精确度，从而提高测量范围。

本实用新型所采用的技术方案：测量装置有两长方形凹槽，用来固定卡尺治具1和卡尺治具2；

本实用新型所采用的技术方案：为了移动需测量的晶片，在测量装置的测量平台底部设置了一块长方形镂空区域，提高便捷度；

本实用新型所采用的技术方案：为了固定测量工具，在测量装置的测量平台两侧分别放置了卡尺治具1和卡尺治具2，卡尺治具1根据测量工具的头部进行设计，卡尺治具2根据测量工具的尾部进行设计，从而可以固定测量工具，使得测量工具与晶片保持同一水平位置；

基于上述，本实用新型的优点与特点是在显微镜无法测量晶片字符与晶片平口中垂线的距离，使用尺子测量时，该测量装置在测量晶片字符与晶片平口中垂线的距离，能够精确测量，达到0.01mm，缩小误差值。

附图说明

图1为改善测量镭射距离的装置的俯视图。

图2为改善测量镭射距离的装置的正视图。

图3为卡尺治具1的俯视图。

图4为卡尺治具2的俯视图。

附图标号说明：

1卡尺治具1

2卡尺治具2

3测量平台

具体实施方式

半导体镭射刻码工艺中，为达到不同客户对刻码内容的要求，需对晶片进行镭射字符的测量。当在测量晶片字符与晶片中垂线的距离时，显微镜一般无法满足测试要求，超出了显微镜的最大测量量程，这时一般采用普通量测工具尺子进行人工测量，存在较大误差，精度度不高。为改善这一问题，故设计此测量装置。

本实用新型结合工艺需要，对现有镭射刻码的方式进行改进，通过测量装置，可以在显微镜无法测量时，由原先单一的借助尺子测量，改善为使用该测量装置。下面结合附图对本实用新型的具体实施方式做详细的说明。

所述测量镭射字符的装置包括一测量平台及两卡尺治具；

所述测量平台两侧有两与卡尺治具同款的长方形凹槽，顶部有一连接两侧凹槽的窄边凹槽；

所述卡尺治具根据测量工具进行设计；

将卡尺治具1和卡尺治具2放在测量平台3两侧，从而固定测量工具；将需测量的晶片放置于测量平台的中央区域，测量时必须使得测量工具与待测量晶片保持同一水平位置，当位置有偏差时，可通过测量平台的中间镂空区域来调整待测量晶片的位置；最后读取测量工具得到的数据。

本实用新型的测量装置结合现有工艺需要，解决了现有测量镭射字符的工具精度度的问题，同时还具有使用便捷的优点，提高了测量晶片字符与晶片平口中垂线的距离的精确度，达到0.01mm，缩小误差值，扩大了测量范围。