1.一种自适应温度芯片量产校准方法，其特征在于，包括：
步骤s1：温度芯片在量产时仅测量偏置电压v1，参考电压v2，偏置电流i1，静态工作电流i2；
步骤s2：从预设的自适应表格中寻找相匹配的数据，得到温度的校准值trimt，同时将此值写入温度芯片中；如果没有找到相匹配的数据，则根据相同工艺条件下对应的温度偏差统计δtinit＝f(v1，v2，i1，i2)，从而得到温度偏差的校准值δtinit；
步骤s3：从nt颗芯片中，选择一颗芯片传送到温度检验腔室，重新测量v1，v2，i1，i2以及实际的温度误差δtpost，将这5个参数记录到预设的自适应的数据表中，如果v1，v2，i1，i2所定位的δtinit＞δtpost，此数据表所对应的温度误差将得到修正。
2.根据权利1所述的自适应温度芯片量产校准方法，其特征在于，所述温度偏差统计函数f(v1，v2，i1，i2)＝∑f(i)；
计算出参数的平均值，其对应的调节函数是f(i)＝ki*{avg(i)-i}+bi；
ki表示关于参数i的线性关系的系数；
bi表示关于参数i的线性关系的偏移。
3.根据权利1所述的自适应温度芯片量产校准方法，其特征在于，所述的温度检验腔室：
是固定的温度点，不受外界的环境影响的密闭腔室，接受外界的已测试的芯片，用于纠正温度的偏差。
4.根据权利1所述的自适应温度芯片量产校准方法，其特征在于，所述自适应的数据表的内容包括：
偏置电压v1、参考电压v2、偏置电流i1、静态工作电流i2以及温度偏差的校准值δtinit；
温度腔室测量后添加在自适应的数据表后，在测试站测试出前四个参数后，测试系统将从自适应表中寻找和已测试参数相接近的数据，从而找到δtinit的值；
如果没有接近的数据，则使用调节函数是f(i)计算出δtinit。
5.根据权利4所述的自适应温度芯片量产校准方法，其特征在于，所述相接近的数据指误差小于预设误差范围。
6.一种自适应温度芯片量产校准系统，其特征在于，包括：
模块s1：温度芯片在量产时仅测量偏置电压v1，参考电压v2，偏置电流i1，静态工作电流i2；
模块s2：从预设的自适应表格中寻找相匹配的数据，得到温度的校准值trimt，同时将此值写入温度芯片中；如果没有找到相匹配的数据，则根据相同工艺条件下对应的温度偏差统计δtinit＝f(v1，v2，i1，i2)，从而得到温度偏差的校准值δtinit；
模块s3：从nt颗芯片中，选择一颗芯片传送到温度检验腔室，重新测量v1，v2，i1，i2以及实际的温度误差δtpost，将这5个参数记录到预设的自适应的数据表中，如果v1，v2，i1，i2所定位的δtinit＞δtpost，此数据表所对应的温度误差将得到修正。
7.根据权利6所述的自适应温度芯片量产校准系统，其特征在于，所述温度偏差统计函数f(v1，v2，i1，i2)＝∑f(i)；
计算出参数的平均值，其对应的调节函数是f(i)＝kf*{avg(i)-i}+bi；
ki表示关于参数i的线性关系的系数；
bi表示关于参数i的线性关系的偏移。
8.根据权利6所述的自适应温度芯片量产校准系统，其特征在于，所述的温度检验腔室：
是固定的温度点，不受外界的环境影响的密闭腔室，接受外界的已测试的芯片，用于纠正温度的偏差。
9.根据权利6所述的自适应温度芯片量产校准系统，其特征在于，所述自适应的数据表的内容包括：
偏置电压v1、参考电压v2、偏置电流i1、静态工作电流i2以及温度偏差的校准值δtinit；
温度腔室测量后添加在自适应的数据表后，在测试站测试出前四个参数后，测试系统将从自适应表中寻找和已测试参数相接近的数据，从而找到δtinit的值；
如果没有接近的数据，则使用调节函数是f(i)计算出δtinit。
10.根据权利9所述的自适应温度芯片量产校准系统，其特征在于，所述相接近的数据指误差小于预设误差范围。