一种基于浅层叠加建模的横波静校正方法及装置与流程

文档序号:24050795发布日期:2021-02-23 21:48阅读:89来源:国知局
一种基于浅层叠加建模的横波静校正方法及装置与流程

[0001]
本申请属于地震数据处理技术领域,具体地讲,涉及一种基于浅层叠加建模的横波静校正方法及装置。


背景技术:

[0002]
柴达木盆地是中国西部天然气勘探的重要气源区域。随着勘探的深入,常规的纵波勘探在气云区成像精度受到限制,采用横波勘探技术揭示天然气藏规律成为另一种手段。横波相对纵波来说,具有更低的速度,受地表条件影响,横波静校正问题更为严重,横波表层速度变化难以控制,横波静校正产生的时移量更大。目前,针对横波静校正问题通常采用横波初至反演技术和横波表层调查技术来解决。但是,横波勘探基本上采用横波可控震源激发地震横波,受地表条件和横波震源机械影响,横波初至质量不高,难以有效拾取;传统的横波表层调查方式精度不高,调查深度有限,且横波表层调查成本高昂,难以大量的实施,给横波模型和横波静校正精度带来影响,进一步影响横波地震剖面资料品质。


技术实现要素:

[0003]
本申请提供了一种基于浅层叠加建模的横波静校正方法及装置,以至少解决当前由于横波表层调查方式精度不高、调查深度有限、且横波表层调查成本高昂难以大量的实施,从而给横波模型和横波静校正精度带来影响的问题。
[0004]
根据本申请的一个方面,提供了一种基于浅层叠加建模的横波静校正方法,包括:
[0005]
在横波地震叠加剖面上选取浅层叠加反射同相轴并根据浅层叠加反射同相轴获取若干个浅层叠加速度控制点;
[0006]
读取浅层叠加速度控制点的基本数据,基本数据包括:叠加速度、反射双程旅行时;
[0007]
根据基本数据计算横波浅层控制点的表层平均速度、厚度和最高速度;
[0008]
通过横波浅层控制点构建横波模型并计算横波的静校正量。
[0009]
在一实施例中,在横波地震叠加剖面上选取浅层叠加反射同相轴并根据浅层叠加反射同相轴获取若干个浅层叠加速度控制点,包括:
[0010]
在横波地震叠加剖面上选取可连续追踪的浅层叠加反射同相轴;
[0011]
对浅层叠加反射同相轴按照预设的cmp间隔选取浅层叠加速度控制点。
[0012]
在一实施例中,根据基本数据计算横波浅层控制点的表层平均速度、厚度和最高速度,包括:
[0013]
根据叠加速度获得表层平均速度和最高速度;
[0014]
根据叠加速度和反射双程旅行时计算获得厚度。
[0015]
在一实施例中,通过横波浅层控制点构建横波模型并计算横波的静校正量,包括:
[0016]
对横波浅层控制点进行插值处理;
[0017]
根据插值处理后的所有横波浅层控制点构建横波模型;
[0018]
利用横波模型计算横波的静校正量。
[0019]
根据本申请的另一方面,还提供了一种基于浅层叠加建模的横波静校正装置,包括:
[0020]
浅层叠加速度控制点获取单元,用于在横波地震叠加剖面上选取浅层叠加反射同相轴并根据浅层叠加反射同相轴获取若干个浅层叠加速度控制点;
[0021]
基本数据读取单元,用于读取浅层叠加速度控制点的基本数据,基本数据包括:叠加速度、反射双程旅行时;
[0022]
计算单元,用于根据基本数据计算横波浅层控制点的表层平均速度、厚度和最高速度;
[0023]
模型构建及静校正量计算单元,用于通过横波浅层控制点构建横波模型并计算横波的静校正量。
[0024]
在一实施例中,浅层叠加速度控制点获取单元包括:
[0025]
浅层叠加反射同相轴选取模块,用于在横波地震叠加剖面上选取可连续追踪的浅层叠加反射同相轴;
[0026]
浅层叠加速度控制点选取模块,用于对浅层叠加反射同相轴按照预设的cmp间隔选取浅层叠加速度控制点。
[0027]
在一实施例中,计算单元包括:
[0028]
第一计算模块,用于根据叠加速度获得表层平均速度和最高速度;
[0029]
第二计算模块,用于根据叠加速度和反射双程旅行时计算获得厚度。
[0030]
在一实施例中,模型构建及静校正量计算单元包括:
[0031]
插值处理模块,用于对横波浅层控制点进行插值处理;
[0032]
模型构建模块,用于根据插值处理后的所有横波浅层控制点构建横波模型;
[0033]
静校正量计算模块,用于利用横波模型计算横波的静校正量。
附图说明
[0034]
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0035]
图1为本申请提供的一种横波静校正方法流程图。
[0036]
图2为本申请实施例中获取浅层叠加速度控制点的流程图。
[0037]
图3为本申请实施例中横波浅层控制点的计算流程图。
[0038]
图4为本申请实施例中构建横波模型并计算横波的静校正量的流程图。
[0039]
图5为本申请提供的横波地震叠加剖面。
[0040]
图6为本申请提供的cmp间隔设置示意图。
[0041]
图7为本申请提供的一种横波静校正装置的结构框图。
[0042]
图8为本申请实施例中浅层叠加速度控制点获取单元的结构框图。
[0043]
图9为本申请实施例中计算单元的结构框图。
[0044]
图10为本申请实施例中模型构建及静校正量计算单元的结构框图。
[0045]
图11为本申请实施例中一种电子设备的具体实施方式。
具体实施方式
[0046]
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
[0047]
目前,针对横波静校正问题通常采用横波初至反演技术和横波表层调查技术来解决。但是,横波勘探基本上采用横波可控震源激发地震横波,受地表条件和横波震源机械影响,横波初至质量不高,难以有效拾取;传统的横波表层调查方式精度不高,调查深度有限,且横波表层调查成本高昂,难以大量的实施,给横波模型和横波静校正精度带来影响,进一步影响横波地震剖面资料品质。本申请不依赖于横波初至数据和表层调查资料,直接利用浅层叠加同相轴的叠加速度与反射旅行时间的相对变化关系,通过选取合理的速度、时间控制点,在速度谱上读取叠加速度及反射旅行时,通过编辑、内插建立浅层的相对横波模型,为横波地震资料处理建模及静校正计算提供参考。
[0048]
如图1所示,为本申请提供的一种基于浅层叠加建模的横波静校正方法,包括:
[0049]
s101:在横波地震叠加剖面上选取浅层叠加反射同相轴并根据浅层叠加反射同相轴获取若干个浅层叠加速度控制点。
[0050]
在一实施例中,在横波地震叠加剖面上选取浅层叠加反射同相轴并根据浅层叠加反射同相轴获取若干个浅层叠加速度控制点,如图2所示,包括:
[0051]
s201:在横波地震叠加剖面上选取可连续追踪的浅层叠加反射同相轴。
[0052]
s202:对浅层叠加反射同相轴按照预设的cmp间隔选取浅层叠加速度控制点。
[0053]
在一具体实施例中,在横波地震叠加剖面上选择相对可连续追踪的浅层叠加反射同相轴(如图5箭头所示浅层叠加同相轴)。对所选浅层叠加反射轴按一定cmp间隔读取该处的叠加速度及反射双程旅行时,并作为一个速度、时间控制点(即浅层叠加速度控制点)。
[0054]
cmp间隔基本上按横波叠加同相轴扭曲幅度的大小进行设置(如图6所示),主要是控制同相轴的低频变化,cmp间隔设置可以由专业数据处理软件实现。
[0055]
s102:读取浅层叠加速度控制点的基本数据,基本数据包括:叠加速度、反射双程旅行时。
[0056]
在一具体实施例中,读取浅层叠加速度控制点的叠加速度和反射双程旅行时,并将每个控制点的叠加速度和反射双程旅行时输出成文本格式,文本中包括:cmp桩号(坐标)、叠加速度和反射双程旅行时。
[0057]
s103:根据基本数据计算横波浅层控制点的表层平均速度、厚度和最高速度。
[0058]
在一实施例中,根据基本数据计算横波浅层控制点的表层平均速度、厚度和最高速度,如图3所示,包括:
[0059]
s301:根据叠加速度获得表层平均速度和最高速度。
[0060]
s302:根据叠加速度和反射双程旅行时计算获得厚度。
[0061]
在一具体实施例中,将叠加速度值看作表层平均速度v0;
[0062]
对应的厚度h0为:叠加速度值x反射双程旅行时;
[0063]
对应的高速v1为:纵横波速度比x叠加速度值;纵横波速度比根据该区认识选取平均值即可,可为一常数。
[0064]
编辑后形成与常规表层调查控制点相同的格式:桩号、v0、h0、v1。
[0065]
s104:通过横波浅层控制点构建横波模型并计算横波的静校正量。
[0066]
在一实施例中,通过横波浅层控制点构建横波模型并计算横波的静校正量,如图4所示,包括:
[0067]
s401:对横波浅层控制点进行插值处理。
[0068]
s402:根据插值处理后的所有横波浅层控制点构建横波模型。
[0069]
s403:利用横波模型计算横波的静校正量。
[0070]
在具体实施例中,对横波浅层控制点之间进行插值处理,建立该浅层叠加同相轴对应的横波模型并计算静校正量,计算静校正量可利用专业计算软件实现。
[0071]
本申请涉及横波静校正方法,是一种基于浅层叠加建模计算横波静校正的方法。本申请不依赖于横波初至数据和表层调查资料,直接利用浅层叠加同相轴的叠加速度与反射旅行时间的相对变化关系,通过选取合理的速度、时间控制点,在速度谱上读取叠加速度及反射旅行时,通过编辑、内插建立浅层的相对横波模型,为横波地震资料处理建模及静校正计算提供参考。
[0072]
基于同一发明构思,本申请实施例还提供了一种基于浅层叠加建模的横波静校正装置,可以用于实现上述实施例中所描述的方法,如下面实施例所述。由于该基于浅层叠加建模的横波静校正装置解决问题的原理与基于浅层叠加建模的横波静校正方法相似,因此基于浅层叠加建模的横波静校正装置的实施可以参见基于浅层叠加建模的横波静校正方法的实施,重复之处不再赘述。以下所使用的,术语“单元”或者“模块”可以实现预定功能的软件和/或硬件的组合。尽管以下实施例所描述的系统较佳地以软件来实现,但是硬件,或者软件和硬件的组合的实现也是可能并被构想的。
[0073]
一种基于浅层叠加建模的横波静校正装置,如图7所示,包括:
[0074]
浅层叠加速度控制点获取单元701,用于在横波地震叠加剖面上选取浅层叠加反射同相轴并根据浅层叠加反射同相轴获取若干个浅层叠加速度控制点;
[0075]
基本数据读取单元702,用于读取浅层叠加速度控制点的基本数据,基本数据包括:叠加速度、反射双程旅行时;
[0076]
计算单元703,用于根据基本数据计算横波浅层控制点的表层平均速度、厚度和最高速度;
[0077]
模型构建及静校正量计算单元704,用于通过横波浅层控制点构建横波模型并计算横波的静校正量。
[0078]
在一实施例中,如图8所示,浅层叠加速度控制点获取单元701包括:
[0079]
浅层叠加反射同相轴选取模块801,用于在横波地震叠加剖面上选取可连续追踪的浅层叠加反射同相轴;
[0080]
浅层叠加速度控制点选取模块802,用于对浅层叠加反射同相轴按照预设的cmp间隔选取浅层叠加速度控制点。
[0081]
在一实施例中,如图9所示,计算单元703包括:
[0082]
第一计算模块901,用于根据叠加速度获得表层平均速度和最高速度;
[0083]
第二计算模块902,用于根据叠加速度和反射双程旅行时计算获得厚度。
[0084]
在一实施例中,如图10所示,模型构建及静校正量计算单元704包括:
[0085]
插值处理模块1001,用于对横波浅层控制点进行插值处理;
[0086]
模型构建模块1002,用于根据插值处理后的所有横波浅层控制点构建横波模型;
[0087]
静校正量计算模块1003,用于利用横波模型计算横波的静校正量。
[0088]
本申请适用于横波地震勘探项目,通过基于浅层叠加建模,快速直接对横波静校正量进行计算,简单有效,减少了对横波初至、横波表层调查的依赖,降低了勘探成本。
[0089]
本领域内的技术人员应明白,本发明的实施例可提供为方法、系统、或计算机程序产品。因此,本发明可采用完全硬件实施例、完全软件实施例、或结合软件和硬件方面的实施例的形式。而且,本发明可采用在一个或多个其中包含有计算机可用程序代码的计算机可用存储介质(包括但不限于磁盘存储器、cd-rom、光学存储器等)上实施的计算机程序产品的形式。
[0090]
本发明是参照根据本发明实施例的方法、设备(系统)、和计算机程序产品的流程图和/或方框图来描述的。应理解可由计算机程序指令实现流程图和/或方框图中的每一流程和/或方框、以及流程图和/或方框图中的流程和/或方框的结合。可提供这些计算机程序指令到通用计算机、专用计算机、嵌入式处理机或其他可编程数据处理设备的处理器以产生一个机器,使得通过计算机或其他可编程数据处理设备的处理器执行的指令产生用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的装置。
[0091]
这些计算机程序指令也可存储在能引导计算机或其他可编程数据处理设备以特定方式工作的计算机可读存储器中,使得存储在该计算机可读存储器中的指令产生包括指令装置的制造品,该指令装置实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能。
[0092]
这些计算机程序指令也可装载到计算机或其他可编程数据处理设备上,使得在计算机或其他可编程设备上执行一系列操作步骤以产生计算机实现的处理,从而在计算机或其他可编程设备上执行的指令提供用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的步骤。
[0093]
本发明中应用了具体实施例对本发明的原理及实施方式进行了阐述,以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想;同时,对于本领域的一般技术人员,依据本发明的思想,在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处,综上所述,本说明书内容不应理解为对本发明的限制。
[0094]
本申请的实施例还提供能够实现上述实施例中的方法中全部步骤的一种电子设备的具体实施方式,参见图11,所述电子设备具体包括如下内容:
[0095]
处理器(processor)1101、内存1102、通信接口(communications interface)1103、总线1104和非易失性存储器1105;
[0096]
其中,所述处理器1101、内存1102、通信接口1103通过所述总线1104完成相互间的通信;
[0097]
所述处理器1101用于调用所述内存1102和非易失性存储器1105中的计算机程序,
所述处理器执行所述计算机程序时实现上述实施例中的方法中的全部步骤,例如,所述处理器执行所述计算机程序时实现下述步骤:
[0098]
s101:在横波地震叠加剖面上选取浅层叠加反射同相轴并根据浅层叠加反射同相轴获取若干个浅层叠加速度控制点。
[0099]
s102:读取浅层叠加速度控制点的基本数据,基本数据包括:叠加速度、反射双程旅行时。
[0100]
s103:根据基本数据计算横波浅层控制点的表层平均速度、厚度和最高速度。
[0101]
s104:通过横波浅层控制点构建横波模型并计算横波的静校正量。
[0102]
本申请的实施例还提供能够实现上述实施例中的方法中全部步骤的一种计算机可读存储介质,所述计算机可读存储介质上存储有计算机程序,该计算机程序被处理器执行时实现上述实施例中的方法的全部步骤,例如,所述处理器执行所述计算机程序时实现下述步骤:
[0103]
s101:在横波地震叠加剖面上选取浅层叠加反射同相轴并根据浅层叠加反射同相轴获取若干个浅层叠加速度控制点。
[0104]
s102:读取浅层叠加速度控制点的基本数据,基本数据包括:叠加速度、反射双程旅行时。
[0105]
s103:根据基本数据计算横波浅层控制点的表层平均速度、厚度和最高速度。
[0106]
s104:通过横波浅层控制点构建横波模型并计算横波的静校正量。
[0107]
本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述,各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可,每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处。尤其,对于硬件+程序类实施例而言,由于其基本相似于方法实施例,所以描述的比较简单,相关之处参见方法实施例的部分说明即可。虽然本说明书实施例提供了如实施例或流程图所述的方法操作步骤,但基于常规或者无创造性的手段可以包括更多或者更少的操作步骤。实施例中列举的步骤顺序仅仅为众多步骤执行顺序中的一种方式,不代表唯一的执行顺序。在实际中的装置或终端产品执行时,可以按照实施例或者附图所示的方法顺序执行或者并行执行(例如并行处理器或者多线程处理的环境,甚至为分布式数据处理环境)。术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含,从而使得包括一系列要素的过程、方法、产品或者设备不仅包括那些要素,而且还包括没有明确列出的其他要素,或者是还包括为这种过程、方法、产品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下,并不排除在包括所述要素的过程、方法、产品或者设备中还存在另外的相同或等同要素。为了描述的方便,描述以上装置时以功能分为各种模块分别描述。当然,在实施本说明书实施例时可以把各模块的功能在同一个或多个软件和/或硬件中实现,也可以将实现同一功能的模块由多个子模块或子单元的组合实现等。以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的,例如,所述单元的划分,仅仅为一种逻辑功能划分,实际实现时可以有另外的划分方式,例如多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个系统,或一些特征可以忽略,或不执行。另一点,所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些接口,装置或单元的间接耦合或通信连接,可以是电性,机械或其它的形式。本发明是参照根据本发明实施例的方法、设备(系统)、和计算机程序产品的流程图和/或方框图来描述的。应理解可由计算机程序指令实现流程图和/或方框图中的每一流程和/或方框、以及流程图和/或方框图中的流程和/
或方框的结合。可提供这些计算机程序指令到通用计算机、专用计算机、嵌入式处理机或其他可编程数据处理设备的处理器以产生一个机器,使得通过计算机或其他可编程数据处理设备的处理器执行的指令产生用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的装置。
[0108]
本领域技术人员应明白,本说明书的实施例可提供为方法、系统或计算机程序产品。因此,本说明书实施例可采用完全硬件实施例、完全软件实施例或结合软件和硬件方面的实施例的形式。而且,本说明书实施例可采用在一个或多个其中包含有计算机可用程序代码的计算机可用存储介质(包括但不限于磁盘存储器、cd-rom、光学存储器等)上实施的计算机程序产品的形式。本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述,各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可,每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处。尤其,对于系统实施例而言,由于其基本相似于方法实施例,所以描述的比较简单,相关之处参见方法实施例的部分说明即可。在本说明书的描述中,参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本说明书实施例的至少一个实施例或示例中。
[0109]
在本说明书中,对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。此外,在不相互矛盾的情况下,本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。以上所述仅为本说明书实施例的实施例而已,并不用于限制本说明书实施例。对于本领域技术人员来说,本说明书实施例可以有各种更改和变化。凡在本说明书实施例的精神和原理之内所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本说明书实施例的权利要求范围之内。
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