一种基于高性能宽量程带温敏型薄膜压敏芯片的制作方法

[0001]
本发明涉及芯片技术领域，尤其涉及一种基于高性能宽量程带温敏型薄膜压敏芯片。


背景技术：

[0002]
目前全球传感器市场规模达到1700亿美元，其中压力传感器市场规模达到320亿美元，并以每年20％以上的速度持续高速增长。压敏芯片是压力传感器的核心部件，目前主要的压敏芯片生产厂家集中在欧美国家，我国的压敏芯片绝大部分依靠进口。
[0003]
现有的压敏芯片采用传统的集成电路工艺，在硅基上制作电路，压敏芯片做为压力传感器的核心部件，用来测量各种环境下的气体、液体、流体等介质的压力，压敏芯片一般都是安装在集成板内，而有些集成板上会连接敏感元件，使得压敏芯片受到干扰，进而会影响压敏芯片工作，另外，目前的压敏芯片存在安装后的稳定性差和不能准确测量介质温度等缺点。


技术实现要素：

[0004]
为此，本发明提供一种基于高性能宽量程带温敏型薄膜压敏芯片，用以克服现有技术中压敏芯片抗干扰性差的问题。
[0005]
本发明提供一种基于高性能宽量程带温敏型薄膜压敏芯片，包括：基板、基体、防干扰罩体和卡扣机构，其中，所述基体固定连接在基板的上部，所述防干扰罩体套设在基体的外部，且防干扰罩体通过卡扣机构与基板固定连接；所述卡扣机构包括上卡接杆和下卡接杆，所述上卡接杆的上部从上到下依次固定连接有第一限位杆和第二限位杆，所述防干扰罩体的侧部开设有限位孔，所述第一限位杆和第二限位杆贯穿于限位孔，所述第一限位杆和第二限位杆位于防干扰罩体的右侧套设有第一弹簧，所述第一限位杆和第二限位杆远离上卡接杆的一端固定连接有按压头，所述下卡接杆与基板固定连接，所述上卡接杆的下部和下卡接杆的上部均固定连接有卡头；所述基体包括硅片和硅衬底，所述硅片的底部和硅衬底的上表面键合,所述硅片的上部从下到上依次设有绝缘薄膜层、导电薄膜层和保护薄膜层,所述绝缘薄膜层通过氟化锂材料制作，所述导电薄膜层通过氧化铟锡材料制作；所述基板的上部固定连接有多组辅助立杆，所述防干扰罩体的外侧开设有辅助槽口，所述辅助立杆与辅助槽口的位置对应；所述防干扰罩体内部设有防干扰层，所述防干扰罩体内腔的上端通过第二弹簧固定连接有固定板，所述固定板的底部固定连接有橡胶垫；压敏芯片通过无线连接中控模块，所述中控模块用以控制压敏芯片的工作过程，其内设置有矩阵；当所述压敏芯片承受压力时，所述中控模块根据承受压力的大小确定对应的电信号，再根据周边温度的大小选取对应的电信号调节系数对电信号进行调节，所述中控模块根据
调节后电信号的大小得到对应的显示压力。
[0006]
进一步地，所述中控模块设置有预设电信号矩阵v0和预设承受压力矩阵g0；对于所述预设电信号矩阵v0，设定v0（v1，v2，v3，v4），其中，v1为第一预设电信号，v2为第二预设电信号，v3为第三预设电信号，v4为第四预设电信号，各预设电信号按照顺序逐渐增加；对于所述预设承受压力矩阵g0，设定g0（g1，g2，g3，g4），其中，g1为第一预设承受压力，g2为第二预设承受压力，g3为第三预设承受压力，g4为第四预设承受压力，各预设承受压力按照顺序逐渐增加；当所述压敏芯片承受到压力时，所述中控模块将实际承受压力g与承受压力矩阵g0中的参数进行比对，并根据比对结果从v0矩阵中选取对应的电信号：当g≤g1时，所述中控模块选用电信号v1；当g1＜g≤g2时，所述中控模块选用电信号v2；当g2＜g≤g3时，所述中控模块选用电信号v3；当g3＜g≤g4时，所述中控模块选用电信号v4。
[0007]
进一步地，所述中控模块还设置有电信号调节系数矩阵a0和周边温度矩阵t0；对于所述电信号调节系数矩阵a0，设定a0（a1,a2,a3,a4），其中，a1为第一预设电信号调节系数，a2为第二预设电信号调节系数，a3为第三预设电信号调节系数，a4为第四预设电信号调节系数，各预设电信号调节系数按照顺序逐渐增加；对于所述周边温度矩阵t0，设定t0（t1，t2，t3，t4），其中，t1为第一预设周边温度，t2为第二预设周边温度，t3为第三预设周边温度，t4为第四预设周边温度，各预设周边温度按照顺序逐渐增加；当所述中控模块针对预先选定的电信号vi进行调节时，i=1，2，3，4，中控模块将实际周边温度t与周边温度矩阵t0中的参数进行比对，并根据比对结果从a0矩阵中选取对应的预设调节系数对vi进行调节：当t≤t1时，所述中控模块选用a1对vi进行调节；当t1＜t≤t2时，所述中控模块选用a2对vi进行调节；当t2＜t≤t3时，所述中控模块选用a3对vi进行调节；当t3＜t≤t4时，所述中控模块选用a4对vi进行调节；当所述中控模块选用aj对预先选定的vi进行调节时，j=1，2，3，4，调节后的电信号为vi
’
，vi
’
=vi
×
aj。
[0008]
进一步地，所述中控模块还设置有预设显示压力矩阵f0，对于所述预设显示压力矩阵f0，设定f0（f1，f2，f3，f4），其中，f1为第一预设显示压力，f2为第二预设显示压力，f3为第三预设显示压力，f4为第四预设显示压力，各预设显示压力按照顺序逐渐增加；当所述中控模块选用显示压力时，根据选定的电信号来确定显示压力：当所述调节后的电信号为vi
’
时，i=1,2,3,4，所述中控模块将所述显示压力预设为fi。
[0009]
进一步地，所述中控模块还设置有预设电信号干扰种类矩阵组r0和预设显示压力调节系数矩阵组k0；对于所述预设电信号干扰种类矩阵组r0，设定r0（rw0，rx0，ry0，rz0），其中，rw0为预设电信号第一类干扰程度矩阵，rx0为预设电信号第二类干扰程度矩阵，ry0为预设电信号第
三类干扰程度矩阵，rz0为预设电信号第四类干扰程度矩阵；对于所述预设显示压力调节系数矩阵组k0，设定k0（kw0，kx0，ky0，kz0），其中，kw0为预设第一类显示压力调节系数矩阵，kx0为预设第二类显示压力调节系数矩阵，ky0为预设第三类显示压力调节系数矩阵，kz0为预设第四类显示压力调节系数矩阵；当所述中控模块在选用显示压力调节系数时，根据实际电信号干扰种类选用显示压力调节系数：当所述电信号干扰种类为ri时，i=1,2,3,4，所述中控模块将所述显示压力调节系数预设为ki。
[0010]
进一步地，所述中控模块中还设置有预设卡扣摩擦力矩阵f0和预设显示压力调节系数的修正系数矩阵j0；对于所述电信号第一类干扰程度矩阵rw0，设定rw0（rw1，rw2，rw3，rw4），其中，rw1为第一预设电信号第一类干扰程度，rw2为第二预设电信号第一类干扰程度，rw3为第三预设电信号第一类干扰程度，rw4为第四预设电信号第一类干扰程度，各预设电信号第一类干扰程度按照顺序逐渐增加；对于所述预设第一类显示压力调节系数矩阵kw0，设定kw0（kw1，kw2，kw3，kw4），其中，kw1为第一预设第一类显示压力调节系数，kw2为第二预设第一类显示压力调节系数，kw3为第三预设第一类显示压力调节系数，kw4为第四预设第一类显示压力调节系数，各预设第一类显示压力调节系数按照顺序逐渐增加；当所述中控模块针对预先选定的显示压力fi进行调节时，i=1，2，3，4，中控模块将实际电信号第一类干扰程度rw与电信号第一类干扰程度矩阵rw0中的参数进行比对，并根据比对结果从kw0矩阵中选取对应的预设调节系数对fi进行调节：当rw≤rw1时，所述中控模块选用kw1对fi进行调节；当rw1＜rw≤rw2时，所述中控模块选用kw2对fi进行调节；当rw2＜rw≤rw3时，所述中控模块选用kw3对fi进行调节；当rw3＜rw≤rw4时，所述中控模块选用kw4对fi进行调节；当所述中控模块选用kwj对预先选定的fi进行调节时，j=1，2，3，4，调节后的显示压力为fi
’
，fi
’
=fi
×
kwj；对于所述预设卡扣摩擦力矩阵f0，设定f0（f1，f2，f3，f4），其中，f1为第一预设卡扣摩擦力，f2为第二预设卡扣摩擦力，f3为第三预设卡扣摩擦力，f4为第四预设卡扣摩擦力，各预设卡扣摩擦力按照顺序逐渐增加；对于所述预设显示压力调节系数的修正系数矩阵j0，设定j0（j1，j2，j3，j4），其中，j1为第一预设显示压力调节系数的修正系数， j2为第二预设显示压力调节系数的修正系数，j3为第三预设显示压力调节系数的修正系数，j4为第四预设显示压力调节系数的修正系数，各预设显示压力调节系数的修正系数按照顺序逐渐增加；当所述中控模块选用显示压力调节系数的修正系数对第一类显示压力调节系数kwj进行修正时，所述中控模块将实际卡扣摩擦力f与卡扣摩擦力矩阵f0中的参数进行比对，并根据比对结果从j0矩阵中选取对应的显示压力调节系数的修正系数对kwj进行修正：当f≤f1时，所述中控模块选用j1对kwj进行修正；当f1＜f≤f2时，所述中控模块选用j2对kwj进行修正；
当f2＜f≤f3时，所述中控模块选用j3对kwj进行修正；当f3＜f≤f4时，所述中控模块选用j4对kwj进行修正；当所述中控模块选用jk对预先选定的kwi进行调节时，k=1，2，3，4，调节后的第一类显示压力调节系数为kwi
’
，kwi
’
=kwi
×
jk。
[0011]
进一步地，对于所述电信号第二类干扰程度矩阵rx0，设定rx0（rx1，rx2，rx3，rx4），其中，rx1为第一预设电信号第二类干扰程度，rx2为第二预设电信号第二类干扰程度，rx3为第三预设电信号第二类干扰程度，rx4为第四预设电信号第二类干扰程度，各预设电信号第二类干扰程度按照顺序逐渐增加；对于所述预设第二类显示压力调节系数矩阵kx0，设定kx0（kx1，kx2，kx3，kx4），其中，kx1为第一预设第二类显示压力调节系数，kx2为第二预设第二类显示压力调节系数，kx3为第三预设第二类显示压力调节系数，kx4为第四预设第二类显示压力调节系数，各预设第二类显示压力调节系数按照顺序逐渐增加；当所述中控模块针对预先选定的显示压力fi进行调节时，中控模块将实际电信号第二类干扰程度rx与电信号第二类干扰程度矩阵rx0中的参数进行比对，并根据比对结果从kx0矩阵中选取对应的预设调节系数对fi进行调节：当rx≤rx1时，所述中控模块选用kx1对fi进行调节；当rx1＜rx≤rx2时，所述中控模块选用kx2对fi进行调节；当rx2＜rx≤rx3时，所述中控模块选用kx3对fi进行调节；当rx3＜rx≤rx4时，所述中控模块选用kx4对fi进行调节；当所述中控模块选用kxj对预先选定的fi进行调节时，j=1，2，3，4，调节后的显示压力为fi
’
，fi
’
=fi
×
kxj；当所述中控模块针对预先选定的第二类显示压力调节系数kxj进行修正时，所述中控模块将实际卡扣摩擦力f与卡扣摩擦力矩阵f0中的参数进行比对，并根据比对结果从j0矩阵中选取对应的显示压力调节系数的修正系数对kxj进行修正：当f≤f1时，所述中控模块选用j1对kxj进行修正；当f1＜f≤f2时，所述中控模块选用j2对kxj进行修正；当f2＜f≤f3时，所述中控模块选用j3对kxj进行修正；当f3＜f≤f4时，所述中控模块选用j4对kxj进行修正；当所述中控模块选用jk对预先选定的kxj进行调节时，调节后的第二类显示压力调节系数为kxj
’
，kxj
’
=kxj
×
jk。
[0012]
进一步地，对于所述电信号第三类干扰程度矩阵ry0，设定ry0（ry1，ry2，ry3，ry4），其中，ry1为第一预设电信号第三类干扰程度，ry2为第二预设电信号第三类干扰程度，ry3为第三预设电信号第三类干扰程度，ry4为第四预设电信号第三类干扰程度，各预设电信号第三类干扰程度按照顺序逐渐增加；对于所述预设第三类显示压力调节系数矩阵ky0，设定ky0（ky1，ky2，ky3，ky4），其中，ky1为第一预设第三类显示压力调节系数，ky2为第二预设第三类显示压力调节系数，ky3为第三预设第三类显示压力调节系数，ky4为第四预设第三类显示压力调节系数，各预设第三类显示压力调节系数按照顺序逐渐增加；当所述中控模块针对预先选定的显示压力fi进行调节时，中控模块将实际电信号第三
类干扰程度ry与电信号第三类干扰程度矩阵ry0中的参数进行比对，并根据比对结果从ky0矩阵中选取对应的预设调节系数对fi进行调节：当ry≤ry1时，所述中控模块选用ky1对fi进行调节；当ry1＜ry≤ry2时，所述中控模块选用ky2对fi进行调节；当ry2＜ry≤ry3时，所述中控模块选用ky3对fi进行调节；当ry3＜ry≤ry4时，所述中控模块选用ky4对fi进行调节；当所述中控模块选用kyj对预先选定的fi进行调节时，j=1，2，3，4，调节后的显示压力为fi
’
，fi
’
=fi
×
kyj；当所述中控模块针对预先选定的第三类显示压力调节系数kyj进行修正时,所述中控模块将实际卡扣摩擦力f与卡扣摩擦力矩阵f0中的参数进行比对，并根据比对结果从j0矩阵中选取对应的显示压力调节系数的修正系数对kyj进行修正：当f≤f1时，所述中控模块选用j1对kyj进行修正；当f1＜f≤f2时，所述中控模块选用j2对kyj进行修正；当f2＜f≤f3时，所述中控模块选用j3对kyj进行修正；当f3＜f≤f4时，所述中控模块选用j4对kyj进行修正；当所述中控模块选用jk对预先选定的kyj进行调节时，k=1，2，3，4，调节后的第三类显示压力调节系数为kyj
’
，kyj
’
=kyj
×
jk。
[0013]
进一步地，对于所述电信号第四类干扰程度矩阵rz0，设定rz0（rz1，rz2，rz3，rz4），其中，rz1为第一预设电信号第四类干扰程度，rz2为第二预设电信号第四类干扰程度，rz3为第三预设电信号第四类干扰程度，rz4为第四预设电信号第四类干扰程度，各预设电信号第四类干扰程度按照顺序逐渐增加；对于所述预设第四类显示压力调节系数矩阵kz0，设定kz0（kz1，kz2，kz3，kz4），其中，kz1为第一预设第四类显示压力调节系数，kz2为第二预设第四类显示压力调节系数，kz3为第三预设第四类显示压力调节系数，kz4为第四预设第四类显示压力调节系数，各预设第四类显示压力调节系数按照顺序逐渐增加；当所述中控模块针对预先选定的显示压力fi进行调节时，中控模块将实际电信号第四类干扰程度rz与电信号第四类干扰程度矩阵rz0中的参数进行比对，并根据比对结果从kz0矩阵中选取对应的预设调节系数对fi进行调节：当rz≤rz1时，所述中控模块选用kz1对fi进行调节；当rz1＜rz≤rz2时，所述中控模块选用kz2对fi进行调节；当rz2＜rz≤rz3时，所述中控模块选用kz3对fi进行调节；当rz3＜rz≤rz4时，所述中控模块选用kz4对fi进行调节；当所述中控模块选用kzj对预先选定的fi进行调节时，j=1，2，3，4，调节后的显示压力为fi
’
，fi
’
=fi
×
kzj；当所述中控模块针对预先选定的第四类显示压力调节系数kzj进行修正时,所述中控模块将实际卡扣摩擦力f与卡扣摩擦力矩阵f0中的参数进行比对，并根据比对结果从j0矩阵中选取对应的显示压力调节系数的修正系数对kzj进行修正：当f≤f1时，所述中控模块选用j1对kzj进行修正；当f1＜f≤f2时，所述中控模块选用j2对kzj进行修正；
当f2＜f≤f3时，所述中控模块选用j3对kzj进行修正；当f3＜f≤f4时，所述中控模块选用j4对kzj进行修正；当所述中控模块选用jk对预先选定的kzj进行调节时，k=1，2，3，4，调节后的第四类显示压力调节系数为kzj
’
，kzj
’
=kzj
×
jk。
[0014]
进一步地，所述中控模块设置有预设显示介质温度矩阵h0和预设显示介质温度调节系数矩阵h0；对于所述预设显示介质温度矩阵h0，设定h0（h1，h2，h3，h4），其中，h1为第一预设显示介质温度，h2为第二预设显示介质温度，h3为第三预设显示介质温度，h4为第四预设显示介质温度，各预设显示介质温度按照顺序逐渐增加；当所述压敏芯片承受到压力时，所述中控模块将接受到的电信号v与电信号矩阵v0中的参数进行比对，并根据比对结果从h0矩阵中选取对应的显示介质温度：当v≤v1时，所述中控模块选用显示介质温度h1；当v1＜v≤v2时，所述中控模块选用显示介质温度h2；当v2＜v≤v3时，所述中控模块选用显示介质温度h3；当v3＜v≤v4时，所述中控模块选用显示介质温度h4；对于所述预设显示介质温度调节系数矩阵h0,设定h0(h1, h2, h3, h4)，其中，h1为第一预设显示介质温度调节系数，h2为第二预设显示介质温度调节系数，h3为第三预设显示介质温度调节系数，h4为第四预设显示介质温度调节系数，各预设显示介质温度调节系数按照顺序逐渐增加；当所述中控模块针对预先选定的显示介质温度hi进行调节时，i=1，2，3，4，中控模块将实际周边温度t与周边温度矩阵t0中的参数进行比对，并根据比对结果从h0矩阵中选取对应的预设调节系数对hi进行调节：当t≤t1时，所述中控模块选用h1对hi进行调节；当t1＜t≤t2时，所述中控模块选用h2对hi进行调节；当t2＜t≤t3时，所述中控模块选用h3对hi进行调节；当t3＜t≤t4时，所述中控模块选用h4对hi进行调节；当所述中控模块选用hj对预先选定的hi进行调节时，j=1，2，3，4，调节后的显示介质温度为hi
’
，hi
’
=hi
×
hj。
[0015]
与现有技术相比，本发明的有益效果在于，防干扰罩体与基板固定，防干扰罩体内部的有防干扰层阻挡外界的干扰，防干扰罩体除了隔绝外界信号干扰的功能外，还可用于排除静电，使基体正常工作，通过按动按压头，上卡接杆和下卡接杆上的卡头相互分离，可抽出防干扰罩体，防干扰罩体结构简单，便于拆卸，抗干扰能力好，同时，防干扰罩体内部的固定板通过第二弹簧的弹力作用稳定基体，可防止基体晃动，增强稳定性。
[0016]
进一步地，所述中控模块根据实际承受压力g的大小即可确定对应的电信号v，从而根据电信号得到显示压力，防干扰罩体隔绝了外界信号的干扰，使电信号的传播更加稳定，进一步提高了压敏芯片的抗干扰性能。
[0017]
进一步地，所述中控模块根据周边温度t的大小可确定电信号调节系数a，并根据电信号调节系数a对电信号v进行调节，从而得到更精确的电信号，进一步提高了显示压力的准确度，增加了压敏芯片的抗干扰性。
[0018]
进一步地，所述中控模块根据压敏芯片周围不同的电信号干扰种类r选择不同的显示压力调节系数k对显示压力进行调节，从而使得到的显示压力更为精确，进一步提高了压敏芯片的抗干扰性能。
[0019]
进一步地，所述中控模块根据工作时卡扣摩擦力f的大小确定显示压力调节系数的修正系数j，并对显示压力调节系数进行修正，进而使得到的显示压力更加精确，进一步提高了压敏芯片的抗干扰性能。
[0020]
进一步地，所述中控模块分别设有不同种类电信号干扰程度矩阵和与之对应的显示压力调节系数矩阵，所述中控模块根据卡扣摩擦力f选取显示压力调节系数对显示压力进行调节，使得显示压力更为精确，从而进一步提高了压敏芯片的抗干扰性能。
[0021]
进一步地，所述中控模块根据电信号v确定显示介质温度h，再根据周边温度t选取对应的显示介质温度调节系数h，所述中控模块根据显示介质温度调节系数h对显示介质温度h进行调节，进而可以达到准确测量介质温度。
[0022]
附图说明
[0023]
图1为本发明所述基于高性能宽量程带温敏型薄膜压敏芯片的结构剖视图；图2为本发明所述基于高性能宽量程带温敏型薄膜压敏芯片的结构俯视图；图3为本发明所述基于高性能宽量程带温敏型薄膜压敏芯片的基体的结构剖视图；图4为本发明所述基于高性能宽量程带温敏型薄膜压敏芯片的局部放大图。
[0024]
具体实施方式
[0025]
为了使本发明的目的和优点更加清楚明白，下面结合实施例对本发明作进一步描述；应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，并不用于限定本发明。
[0026]
下面参照附图来描述本发明的优选实施方式。本领域技术人员应当理解的是，这些实施方式仅仅用于解释本发明的技术原理，并非在限制本发明的保护范围。
[0027]
需要说明的是，在本发明的描述中，术语“上”、“下”、“左”、“右”、“内”、“外”等指示的方向或位置关系的术语是基于附图所示的方向或位置关系，这仅仅是为了便于描述，而不是指示或暗示所述装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
[0028]
此外，还需要说明的是，在本发明的描述中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域技术人员而言，可根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
[0029]
请参阅图1所示，其为本发明所述基于高性能宽量程带温敏型薄膜压敏芯片的结构剖视图。
[0030]
本发明提供一种基于高性能宽量程带温敏型薄膜压敏芯片，包括：基板1、基体2、防干扰罩体3和卡扣机构4，其中，所述基体2固定连接在基板1的上部，所
述防干扰罩体3套设在基体2的外部，且防干扰罩体3通过卡扣机构4与基板1固定连接；具体而言，请参阅图4所示，本发明所述卡扣机构4包括上卡接杆41和下卡接杆42，所述上卡接杆41的上部从上到下依次固定连接有第一限位杆43和第二限位杆44，所述防干扰罩体3的侧部开设有限位孔31，所述第一限位杆43和第二限位杆44贯穿于限位孔31，所述第一限位杆43和第二限位杆44位于防干扰罩体3的右侧套设有第一弹簧45，所述第一限位杆43和第二限位杆44远离上卡接杆41的一端固定连接有按压头46，所述下卡接杆42与基板1固定连接，所述上卡接杆41的下部和下卡接杆42的上部均固定连接有卡头47；具体而言，请参阅图3所示，本发明所述基体2包括硅片21和硅衬底22，所述硅片21的底部和硅衬底22的上表面键合；所述硅片21的上部从下到上依次设有绝缘薄膜层23、导电薄膜层24和保护薄膜层25；所述绝缘薄膜层23通过氟化锂材料制作，所述导电薄膜层24通过氧化铟锡材料制作；具体而言，请参阅图2所示，本发明所述基板1的上部固定连接有多组辅助立杆11，所述防干扰罩体3的外侧开设有辅助槽口32，所述辅助立杆11与辅助槽口32的位置对应；具体而言，请继续参阅图1所示，本发明所述防干扰罩体3内部设有防干扰层33，所述防干扰罩体3内腔的上端通过第二弹簧34固定连接有固定板35，所述固定板35的底部固定连接有橡胶垫36；压敏芯片通过无线连接中控模块，所述中控模块用以控制压敏芯片的工作过程，其内设置有矩阵；当所述压敏芯片承受压力时，所述中控模块根据承受压力的大小确定对应的电信号，再根据周边温度的大小选取对应的电信号调节系数对电信号进行调节，所述中控模块根据调节后电信号的大小得到对应的显示压力。
[0031]
具体而言，所述中控模块设置有预设电信号矩阵v0和预设承受压力矩阵g0；对于所述预设电信号矩阵v0，设定v0（v1，v2，v3，v4），其中，v1为第一预设电信号，v2为第二预设电信号，v3为第三预设电信号，v4为第四预设电信号，各预设电信号按照顺序逐渐增加；对于所述预设承受压力矩阵g0，设定g0（g1，g2，g3，g4），其中，g1为第一预设承受压力，g2为第二预设承受压力，g3为第三预设承受压力，g4为第四预设承受压力，各预设承受压力按照顺序逐渐增加；当所述压敏芯片承受到压力时，所述中控模块将实际承受压力g与承受压力矩阵g0中的参数进行比对，并根据比对结果从v0矩阵中选取对应的电信号：当g≤g1时，所述中控模块选用电信号v1；当g1＜g≤g2时，所述中控模块选用电信号v2；当g2＜g≤g3时，所述中控模块选用电信号v3；当g3＜g≤g4时，所述中控模块选用电信号v4。
[0032]
所述中控模块根据实际承受压力g的大小即可确定对应的电信号v，从而根据电信号得到显示压力，防干扰罩体隔绝了外界信号的干扰，使电信号的传播更加稳定，进一步提高了压敏芯片的抗干扰性能。
[0033]
具体而言，所述中控模块还设置有电信号调节系数矩阵a0和周边温度矩阵t0；对于所述电信号调节系数矩阵a0，设定a0（a1,a2,a3,a4），其中，a1为第一预设电信号
调节系数，a2为第二预设电信号调节系数，a3为第三预设电信号调节系数，a4为第四预设电信号调节系数，各预设电信号调节系数按照顺序逐渐增加；对于所述周边温度矩阵t0，设定t0（t1，t2，t3，t4），其中，t1为第一预设周边温度，t2为第二预设周边温度，t3为第三预设周边温度，t4为第四预设周边温度，各预设周边温度按照顺序逐渐增加；当所述中控模块针对预先选定的电信号vi进行调节时，i=1，2，3，4，中控模块将实际周边温度t与周边温度矩阵t0中的参数进行比对，并根据比对结果从a0矩阵中选取对应的预设调节系数对vi进行调节：当t≤t1时，所述中控模块选用a1对vi进行调节；当t1＜t≤t2时，所述中控模块选用a2对vi进行调节；当t2＜t≤t3时，所述中控模块选用a3对vi进行调节；当t3＜t≤t4时，所述中控模块选用a4对vi进行调节；当所述中控模块选用aj对预先选定的vi进行调节时，j=1，2，3，4，调节后的电信号为vi
’
，vi
’
=vi
×
aj。
[0034]
所述中控模块根据周边温度t的大小可确定电信号调节系数a，并根据电信号调节系数a对电信号v进行调节，从而得到更精确的电信号，进一步提高了显示压力的准确度，增加了压敏芯片的抗干扰性。
[0035]
具体而言，所述中控模块还设置有预设显示压力矩阵f0，对于所述预设显示压力矩阵f0，设定f0（f1，f2，f3，f4），其中，f1为第一预设显示压力，f2为第二预设显示压力，f3为第三预设显示压力，f4为第四预设显示压力，各预设显示压力按照顺序逐渐增加；当所述中控模块选用显示压力时，根据选定的电信号来确定显示压力：当所述调节后的电信号为vi
’
时，i=1,2,3,4，所述中控模块将所述显示压力预设为fi。
[0036]
具体而言，所述中控模块还设置有预设电信号干扰种类矩阵组r0和预设显示压力调节系数矩阵组k0；对于所述预设电信号干扰种类矩阵组r0，设定r0（rw0，rx0，ry0，rz0），其中，rw0为预设电信号第一类干扰程度矩阵，rx0为预设电信号第二类干扰程度矩阵，ry0为预设电信号第三类干扰程度矩阵，rz0为预设电信号第四类干扰程度矩阵；对于所述预设显示压力调节系数矩阵组k0，设定k0（kw0，kx0，ky0，kz0），其中，kw0为预设第一类显示压力调节系数矩阵，kx0为预设第二类显示压力调节系数矩阵，ky0为预设第三类显示压力调节系数矩阵，kz0为预设第四类显示压力调节系数矩阵；当所述中控模块在选用显示压力调节系数时，根据实际电信号干扰种类选用显示压力调节系数：当所述电信号干扰种类为ri时，i=1,2,3,4，所述中控模块将所述显示压力调节系数预设为ki。
[0037]
所述中控模块根据压敏芯片周围不同的电信号干扰种类r选择不同的显示压力调节系数k对显示压力进行调节，从而使得到的显示压力更为精确，进一步提高了压敏芯片的抗干扰性能。
[0038]
具体而言，所述中控模块中还设置有预设卡扣摩擦力矩阵f0和预设显示压力调节系数的修正系数矩阵j0；
对于所述电信号第一类干扰程度矩阵rw0，设定rw0（rw1，rw2，rw3，rw4），其中，rw1为第一预设电信号第一类干扰程度，rw2为第二预设电信号第一类干扰程度，rw3为第三预设电信号第一类干扰程度，rw4为第四预设电信号第一类干扰程度，各预设电信号第一类干扰程度按照顺序逐渐增加；对于所述预设第一类显示压力调节系数矩阵kw0，设定kw0（kw1，kw2，kw3，kw4），其中，kw1为第一预设第一类显示压力调节系数，kw2为第二预设第一类显示压力调节系数，kw3为第三预设第一类显示压力调节系数，kw4为第四预设第一类显示压力调节系数，各预设第一类显示压力调节系数按照顺序逐渐增加；当所述中控模块针对预先选定的显示压力fi进行调节时，i=1，2，3，4，中控模块将实际电信号第一类干扰程度rw与电信号第一类干扰程度矩阵rw0中的参数进行比对，并根据比对结果从kw0矩阵中选取对应的预设调节系数对fi进行调节：当rw≤rw1时，所述中控模块选用kw1对fi进行调节；当rw1＜rw≤rw2时，所述中控模块选用kw2对fi进行调节；当rw2＜rw≤rw3时，所述中控模块选用kw3对fi进行调节；当rw3＜rw≤rw4时，所述中控模块选用kw4对fi进行调节；当所述中控模块选用kwj对预先选定的fi进行调节时，j=1，2，3，4，调节后的显示压力为fi
’
，fi
’
=fi
×
kwj；对于所述预设卡扣摩擦力矩阵f0，设定f0（f1，f2，f3，f4），其中，f1为第一预设卡扣摩擦力，f2为第二预设卡扣摩擦力，f3为第三预设卡扣摩擦力，f4为第四预设卡扣摩擦力，各预设卡扣摩擦力按照顺序逐渐增加；对于所述预设显示压力调节系数的修正系数矩阵j0，设定j0（j1，j2，j3，j4），其中，j1为第一预设显示压力调节系数的修正系数， j2为第二预设显示压力调节系数的修正系数，j3为第三预设显示压力调节系数的修正系数，j4为第四预设显示压力调节系数的修正系数，各预设显示压力调节系数的修正系数按照顺序逐渐增加；当所述中控模块选用显示压力调节系数的修正系数对第一类显示压力调节系数kwj进行修正时，所述中控模块将实际卡扣摩擦力f与卡扣摩擦力矩阵f0中的参数进行比对，并根据比对结果从j0矩阵中选取对应的显示压力调节系数的修正系数对kwj进行修正：当f≤f1时，所述中控模块选用j1对kwj进行修正；当f1＜f≤f2时，所述中控模块选用j2对kwj进行修正；当f2＜f≤f3时，所述中控模块选用j3对kwj进行修正；当f3＜f≤f4时，所述中控模块选用j4对kwj进行修正；当所述中控模块选用jk对预先选定的kwi进行调节时，k=1，2，3，4，调节后的第一类显示压力调节系数为kwi
’
，kwi
’
=kwi
×
jk。
[0039]
具体而言，对于所述电信号第二类干扰程度矩阵rx0，设定rx0（rx1，rx2，rx3，rx4），其中，rx1为第一预设电信号第二类干扰程度，rx2为第二预设电信号第二类干扰程度，rx3为第三预设电信号第二类干扰程度，rx4为第四预设电信号第二类干扰程度，各预设电信号第二类干扰程度按照顺序逐渐增加；对于所述预设第二类显示压力调节系数矩阵kx0，设定kx0（kx1，kx2，kx3，kx4），其中，kx1为第一预设第二类显示压力调节系数，kx2为第二预设第二类显示压力调节系数，kx3为
第三预设第二类显示压力调节系数，kx4为第四预设第二类显示压力调节系数，各预设第二类显示压力调节系数按照顺序逐渐增加；当所述中控模块针对预先选定的显示压力fi进行调节时，中控模块将实际电信号第二类干扰程度rx与电信号第二类干扰程度矩阵rx0中的参数进行比对，并根据比对结果从kx0矩阵中选取对应的预设调节系数对fi进行调节：当rx≤rx1时，所述中控模块选用kx1对fi进行调节；当rx1＜rx≤rx2时，所述中控模块选用kx2对fi进行调节；当rx2＜rx≤rx3时，所述中控模块选用kx3对fi进行调节；当rx3＜rx≤rx4时，所述中控模块选用kx4对fi进行调节；当所述中控模块选用kxj对预先选定的fi进行调节时，j=1，2，3，4，调节后的显示压力为fi
’
，fi
’
=fi
×
kxj；当所述中控模块针对预先选定的第二类显示压力调节系数kxj进行修正时，所述中控模块将实际卡扣摩擦力f与卡扣摩擦力矩阵f0中的参数进行比对，并根据比对结果从j0矩阵中选取对应的显示压力调节系数的修正系数对kxj进行修正：当f≤f1时，所述中控模块选用j1对kxj进行修正；当f1＜f≤f2时，所述中控模块选用j2对kxj进行修正；当f2＜f≤f3时，所述中控模块选用j3对kxj进行修正；当f3＜f≤f4时，所述中控模块选用j4对kxj进行修正；当所述中控模块选用jk对预先选定的kxj进行调节时，调节后的第二类显示压力调节系数为kxj
’
，kxj
’
=kxj
×
jk。
[0040]
具体而言，对于所述电信号第三类干扰程度矩阵ry0，设定ry0（ry1，ry2，ry3，ry4），其中，ry1为第一预设电信号第三类干扰程度，ry2为第二预设电信号第三类干扰程度，ry3为第三预设电信号第三类干扰程度，ry4为第四预设电信号第三类干扰程度，各预设电信号第三类干扰程度按照顺序逐渐增加；对于所述预设第三类显示压力调节系数矩阵ky0，设定ky0（ky1，ky2，ky3，ky4），其中，ky1为第一预设第三类显示压力调节系数，ky2为第二预设第三类显示压力调节系数，ky3为第三预设第三类显示压力调节系数，ky4为第四预设第三类显示压力调节系数，各预设第三类显示压力调节系数按照顺序逐渐增加；当所述中控模块针对预先选定的显示压力fi进行调节时，中控模块将实际电信号第三类干扰程度ry与电信号第三类干扰程度矩阵ry0中的参数进行比对，并根据比对结果从ky0矩阵中选取对应的预设调节系数对fi进行调节：当ry≤ry1时，所述中控模块选用ky1对fi进行调节；当ry1＜ry≤ry2时，所述中控模块选用ky2对fi进行调节；当ry2＜ry≤ry3时，所述中控模块选用ky3对fi进行调节；当ry3＜ry≤ry4时，所述中控模块选用ky4对fi进行调节；当所述中控模块选用kyj对预先选定的fi进行调节时，j=1，2，3，4，调节后的显示压力为fi
’
，fi
’
=fi
×
kyj；当所述中控模块针对预先选定的第三类显示压力调节系数kyj进行修正时,所述中控模块将实际卡扣摩擦力f与卡扣摩擦力矩阵f0中的参数进行比对，并根据比对结果从j0矩
阵中选取对应的显示压力调节系数的修正系数对kyj进行修正：当f≤f1时，所述中控模块选用j1对kyj进行修正；当f1＜f≤f2时，所述中控模块选用j2对kyj进行修正；当f2＜f≤f3时，所述中控模块选用j3对kyj进行修正；当f3＜f≤f4时，所述中控模块选用j4对kyj进行修正；当所述中控模块选用jk对预先选定的kyj进行调节时，k=1，2，3，4，调节后的第三类显示压力调节系数为kyj
’
，kyj
’
=kyj
×
jk。
[0041]
具体而言，对于所述电信号第四类干扰程度矩阵rz0，设定rz0（rz1，rz2，rz3，rz4），其中，rz1为第一预设电信号第四类干扰程度，rz2为第二预设电信号第四类干扰程度，rz3为第三预设电信号第四类干扰程度，rz4为第四预设电信号第四类干扰程度，各预设电信号第四类干扰程度按照顺序逐渐增加；对于所述预设第四类显示压力调节系数矩阵kz0，设定kz0（kz1，kz2，kz3，kz4），其中，kz1为第一预设第四类显示压力调节系数，kz2为第二预设第四类显示压力调节系数，kz3为第三预设第四类显示压力调节系数，kz4为第四预设第四类显示压力调节系数，各预设第四类显示压力调节系数按照顺序逐渐增加；当所述中控模块针对预先选定的显示压力fi进行调节时，中控模块将实际电信号第四类干扰程度rz与电信号第四类干扰程度矩阵rz0中的参数进行比对，并根据比对结果从kz0矩阵中选取对应的预设调节系数对fi进行调节：当rz≤rz1时，所述中控模块选用kz1对fi进行调节；当rz1＜rz≤rz2时，所述中控模块选用kz2对fi进行调节；当rz2＜rz≤rz3时，所述中控模块选用kz3对fi进行调节；当rz3＜rz≤rz4时，所述中控模块选用kz4对fi进行调节；当所述中控模块选用kzj对预先选定的fi进行调节时，j=1，2，3，4，调节后的显示压力为fi
’
，fi
’
=fi
×
kzj；当所述中控模块针对预先选定的第四类显示压力调节系数kzj进行修正时,所述中控模块将实际卡扣摩擦力f与卡扣摩擦力矩阵f0中的参数进行比对，并根据比对结果从j0矩阵中选取对应的显示压力调节系数的修正系数对kzj进行修正：当f≤f1时，所述中控模块选用j1对kzj进行修正；当f1＜f≤f2时，所述中控模块选用j2对kzj进行修正；当f2＜f≤f3时，所述中控模块选用j3对kzj进行修正；当f3＜f≤f4时，所述中控模块选用j4对kzj进行修正；当所述中控模块选用jk对预先选定的kzj进行调节时，k=1，2，3，4，调节后的第四类显示压力调节系数为kzj
’
，kzj
’
=kzj
×
jk。
[0042]
具体而言，所述中控模块设置有预设显示介质温度矩阵h0和预设显示介质温度调节系数矩阵h0；对于所述预设显示介质温度矩阵h0，设定h0（h1，h2，h3，h4），其中，h1为第一预设显示介质温度，h2为第二预设显示介质温度，h3为第三预设显示介质温度，h4为第四预设显示介质温度，各预设显示介质温度按照顺序逐渐增加；当所述压敏芯片承受到压力时，所述中控模块将接受到的电信号v与电信号矩阵v0中
的参数进行比对，并根据比对结果从h0矩阵中选取对应的显示介质温度：当v≤v1时，所述中控模块选用显示介质温度h1；当v1＜v≤v2时，所述中控模块选用显示介质温度h2；当v2＜v≤v3时，所述中控模块选用显示介质温度h3；当v3＜v≤v4时，所述中控模块选用显示介质温度h4；对于所述预设显示介质温度调节系数矩阵h0,设定h0(h1, h2, h3, h4)，其中，h1为第一预设显示介质温度调节系数，h2为第二预设显示介质温度调节系数，h3为第三预设显示介质温度调节系数，h4为第四预设显示介质温度调节系数，各预设显示介质温度调节系数按照顺序逐渐增加；当所述中控模块针对预先选定的显示介质温度hi进行调节时，i=1，2，3，4，中控模块将实际周边温度t与周边温度矩阵t0中的参数进行比对，并根据比对结果从h0矩阵中选取对应的预设调节系数对hi进行调节：当t≤t1时，所述中控模块选用h1对hi进行调节；当t1＜t≤t2时，所述中控模块选用h2对hi进行调节；当t2＜t≤t3时，所述中控模块选用h3对hi进行调节；当t3＜t≤t4时，所述中控模块选用h4对hi进行调节；当所述中控模块选用hj对预先选定的hi进行调节时，j=1，2，3，4，调节后的显示介质温度为hi
’
，hi
’
=hi
×
hj。
[0043]
所述中控模块根据电信号v确定显示介质温度h，再根据周边温度t选取对应的显示介质温度调节系数h，所述中控模块根据显示介质温度调节系数h对显示介质温度h进行调节，进而可以达到准确测量介质温度。
[0044]
至此，已经结合附图所示的优选实施方式描述了本发明的技术方案，但是，本领域技术人员容易理解的是，本发明的保护范围显然不局限于这些具体实施方式。在不偏离本发明的原理的前提下，本领域技术人员可以对相关技术特征做出等同的更改或替换，这些更改或替换之后的技术方案都将落入本发明的保护范围之内。
[0045]
以上所述仅为本发明的优选实施例，并不用于限制本发明；对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。 凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。