1.一种隧道磁阻(tmr)传感器装置，包括：
第一电阻器，所述第一电阻器包括具有第一电阻面积的第一多个tmr结构；和
第二电阻器，所述第二电阻器包括具有第二电阻面积的第二多个tmr结构，其中所述第一电阻面积大于所述第二电阻面积。
2.根据权利要求1所述的tmr传感器装置，其中所述第一多个tmr结构中的所述tmr结构彼此相同。
3.根据权利要求2所述的tmr传感器装置，其中所述第二多个tmr结构中的所述tmr结构彼此相同。
4.根据权利要求3所述的tmr传感器装置，其中所述第一多个tmr结构中的所述tmr结构不同于所述第二多个tmr结构中的所述tmr结构。
5.根据权利要求1所述的tmr传感器装置，还包括：
第三电阻器，所述第三电阻器包括具有第三电阻面积的第三多个tmr结构；和
第四电阻器，所述第四电阻器包括具有第四电阻面积的第四多个tmr结构。
6.根据权利要求5所述的tmr传感器装置，其中所述第三电阻面积大于所述第四电阻面积。
7.根据权利要求6所述的tmr传感器装置，其中所述第三电阻面积等于所述第一电阻面积。
8.根据权利要求7所述的tmr传感器装置，其中所述第四电阻面积等于所述第二电阻面积。
9.根据权利要求8所述的tmr传感器装置，其中所述第三多个tmr结构中的所述tmr结构彼此相同。
10.根据权利要求9所述的tmr传感器装置，其中所述第四多个tmr结构中的所述tmr结构彼此相同。
11.根据权利要求10所述的tmr传感器装置，其中所述第三多个tmr结构中的所述tmr结构与所述第一多个tmr结构中的所述tmr结构相同。
12.根据权利要求11所述的tmr传感器装置，其中所述第四多个tmr结构中的所述tmr结构与所述第二多个tmr结构中的所述tmr结构相同。
13.一种tmr传感器装置，包括：
多个电阻器，所述多个电阻器各自包含多个tmr结构，其中所述多个电阻器中的至少两个电阻器包含不同电阻面积，并且其中所述至少两个电阻器的所述tmr结构不同。
14.根据权利要求13所述的tmr传感器装置，其中所述多个电阻器具有相同数量的tmr结构。
15.根据权利要求13所述的tmr传感器装置，其中所述tmr传感器装置具有小于0oe的偏置点。
16.根据权利要求13所述的tmr传感器装置，其中至少一个tmr结构包含合成反铁磁结构。
17.根据权利要求16所述的tmr传感器装置，其中包含所述合成反铁磁结构的tmr结构多于不包含所述合成反铁磁结构的tmr结构。
18.一种制造tmr传感器装置的方法，所述方法包括：形成第一电阻器，所述第一电阻器包括第一多个tmr结构和第一电阻面积；
形成第二电阻器，所述第二电阻器包括第二多个tmr结构和第二电阻面积；
形成第三电阻器，所述第三电阻器包括所述第一多个tmr结构和所述第一电阻面积；和
形成第四电阻器，所述第四电阻器包括所述第二多个tmr结构和所述第二电阻面积，其中所述第一多个tmr结构不同于所述第二多个tmr结构。
19.根据权利要求18所述的方法，其中所述第三电阻器和所述第一电阻器基本上相同。
20.根据权利要求18所述的方法，其中所述第一电阻面积是所述第二电阻面积的两倍以上。