技术特征：
1.一种mems气体传感器，其特征在于，包括：衬底，介质层，形成于所述衬底上；绝缘层，形成于所述介质层上；气敏电极，所述气敏电极嵌入至所述绝缘层中，且所述气敏电极的上表面与所述绝缘层的上表面处于同一水平面。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述气敏电极包括气敏叉指电极；所述传感器还包括：气敏膜，形成于所述气敏叉指电极上。3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述衬底中设有空腔，所述空腔设置在所述气敏叉指电极对应的区域中。4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述传感器还包括：释放通孔，所述释放通孔形成在所述气敏叉指电极外，贯穿所述介质层和所述绝缘层且连通所述空腔。5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述传感器还包括：加热电极，所述加热电极设置在所述绝缘层中。6.一种mems气体传感器的制作方法，其特征在于，包括：在衬底上形成介质层；在所述介质层上形成绝缘层；在所述绝缘层中，形成气敏电极凹槽；在所述气敏电极凹槽内，形成嵌入在所述绝缘层中的气敏电极，其中，所述气敏电极的上表面与所述绝缘层的上表面处于同一水平面。7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述气敏电极包括气敏叉指电极；在所述形成嵌入在所述绝缘层中的气敏电极之后，还包括：通过气敏电极硬掩膜版，在所述气敏叉指电极上形成气敏膜。8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，在所述形成嵌入在所述绝缘层中的气敏电极之后，还包括：通过将厚光刻胶作掩膜及干法刻蚀工艺，在所述气敏叉指电极外形成释放通孔；将腐蚀液通过所述释放通孔流入所述衬底中，形成空腔；其中，所述释放通孔贯穿所述介质层和所述绝缘层且连通所述空腔。9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述衬底上形成介质层之后，还包括：通过将厚光刻胶作掩膜及干法刻蚀工艺，在所述介质层上方形成加热电极。10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，所述在所述介质层上形成绝缘层，包括：在所述加热电极上形成所述绝缘层，其中，所述加热电极设置在所述绝缘层中。
技术总结
本发明涉及气体传感器技术领域，尤其涉及一种MEMS气体传感器及制作方法，该方法包括：衬底，介质层，形成于所述衬底上；绝缘层，形成于所述介质层上；气敏电极，所述气敏电极嵌入至所述绝缘层中，且所述气敏电极的上表面与所述绝缘层的上表面处于同一水平面。本发明使气敏电极下沉至绝缘层中，使绝缘层上表面是平坦的；在后续沉积气敏膜时，使得气敏膜厚均和密度均能均匀分布，还会导致形成的气敏膜的膜表面积增大，提高气体传感器的敏感度。提高气体传感器的敏感度。提高气体传感器的敏感度。
技术研发人员：陈学志 杨云春 郭鹏飞 陆原
受保护的技术使用者：赛莱克斯微系统科技（北京）有限公司
技术研发日：2021.07.20
技术公布日：2021/9/17