仪器化衬底设备的制作方法

仪器化衬底设备
1.相关申请案的交叉参考
2.本技术案根据35u.s.c.
§
119(e)主张2020年2月24日申请的第62/980,764号美国临时申请案的权益，所述案的全文以引用的方式并入本文中。
技术领域
3.本发明大体上涉及沿着半导体工艺线监测晶片，且特定来说涉及测量仪器化晶片上的极紫外光辐照度。


背景技术：

4.随着半导体装置处理环境中的工艺条件的容限变窄，对改进式工艺监测系统的需求增加。处理系统内的照明辐射，且特别是紫外线(uv)及极紫外线(euv)的均匀性是一种此状况。当前方法检测超过硅中的1ev带隙的光子。在一些情况下，采用滤波来抑制宽波长响应空间中的灵敏度。当前基于硅的检测器相对于超过带隙的光子能量是无差别的，且因此不提供波长分辨的euv测量信息。
5.因此，提供一种解决上文所描述的缺点的装置将是有利的。


技术实现要素：

6.根据本公开的一或多个说明性实施例，公开一种仪器化衬底设备。在一个说明性实施例中，所述仪器化衬底设备包含衬底。在另一说明性实施例中，所述仪器化衬底设备包含安置在所述衬底上的多个光电传感器。在另一说明性实施例中，每一光电传感器包含光发射材料、光电子收集器及一或多个测量电路。在另一说明性实施例中，所述光发射材料经配置以吸收多个光子且响应于吸收所述多个光子而发射多个光电子。在另一说明性实施例中，所述光电子收集器经配置以接收所述多个光电子中的至少一些且响应于接收所述多个光电子中的所述至少一些而产生一或多个电信号。在另一说明性实施例中，所述一或多个测量电路至少电耦合到所述光电子收集器。在另一说明性实施例中，所述一或多个测量电路经配置以测量来自所述光电子收集器的所述一或多个电信号。
7.根据本公开的一或多个说明性实施例，公开一种方法。所述方法可包含用光发射材料吸收工艺工具内的多个光子。所述方法还可包含响应于吸收所述多个光子而从所述光发射材料发射多个光电子。所述方法还可包含收集从所述光发射材料发射的所述光电子中的至少一些。所述方法还可包含响应于收集所述光电子中的所述至少一些而产生一或多个电信号。所述方法还可包含测量所述一或多个电信号。所述方法还可包含基于所述一或多个电信号确定来自所述工艺工具的照明的波长分辨信息。
8.根据本公开的一或多个实施例，公开一种制造经配置以确定工艺工具的波长分辨信息的仪器化衬底设备的方法。所述方法可包含形成衬底，所述衬底包含具有直径的硅晶片。所述方法可进一步包含通过微机电系统(mems)制造在所述衬底上形成至少一个传感器，所述至少一个传感器包含光发射材料、光电子收集器及一或多个测量电路。
level spectrometer)”且在2018年5月8日发布的第9,964,440号美国专利；标题为“用于沿着制造工艺线测量波的辐射及温度暴露的方法及系统(method and system for measuring radiation and temperature exposure of wavers along a fabrication process line)”且在2019年2月26日发布的第10,215,626号美国专利；标题为“用于在高温工艺应用中获取测量参数的囊封仪器化衬底设备(encapsulated instrumented substrate apparatus for acquiring measurement parameters in high temperature process applications)”且在2019年10月29日发布的第10,460,966号美国专利；标题为“用于等离子体室的工艺条件感测装置及方法(process condition sensing device and method for plasma chamber)”且在2020年9月15日发布的第10,777,393号美国专利；作为第2011/0074341号公开案公开，标题为“非接触式接口系统(non-contact interface system)”且在2009年9月25日申请的第12/567,664号美国专利申请案；作为第2017/0219437号公开案公开，标题为“用于在高温工艺应用中获取测量参数的仪器化衬底设备(instrumented substrate apparatus for acquiring measurement parameters in high temperature process applications)”的第15/277,753号美国专利申请案；作为第2019/0295874号公开案公开，标题为“具有集成计量的样品运输装置(sample transport device with integrated metrology)”且在2019年2月20日申请的第16/280,145号美国专利申请案；所有所述专利及申请案的全文以引用的方式并入本文中。
17.大体上参考图1到4，公开根据本公开的一或多个实施例的仪器化衬底设备100、系统300及方法400。
18.图1描绘根据本公开的一或多个实施例的用于在工艺室中测量euv光条件的仪器化衬底设备100的俯视图。
19.仪器化衬底设备100可包含衬底102。衬底102可包含任何合适材料，例如但不限于硅。例如，衬底102可由与生产衬底相同或类似的材料制成。特定来说，可使用经掺杂(例如，n型或p型)硅衬底。此外，衬底102可具有与生产晶片类似的尺寸。就这一点来说，衬底102可具有从25mm到450mm的直径，例如但不限于25mm、50mm、75mm、100mm、125mm、150mm、200mm、300mm或450mm。
20.衬底102可包含顶部平坦表面。仪器化衬底设备100的一或多个组件可经附接到顶部平坦表面。例如，仪器化衬底设备100可包含安置在衬底102的顶部平坦表面上的光电传感器103。光电传感器103可经配置以响应于接收到照明而产生电流。照明可包含含有频带内(例如，13.5nm euv频带)照明及频带外照明两者的光谱。光电传感器103可响应于在所述光电传感器上接收到照明而通过光电效应产生电流。接着可使用此电流来确定照明的波长分辨信息，如本文中进一步描述。波长分辨信息可指示在某个时间点的照明光谱(例如，频带内波长及频带外波长)。
21.在实施例中，波长分辨信息可经存储在存储器中(例如，参见图3)。波长分辨信息可指示在某个时间点的照明光谱。通过将照明的波长分辨信息存储在存储器中，系统100可建构包含在一系列时间获取的测量的数据集。在实施例中，时间分辨信息可包含一系列光谱，借此在(或跨)唯一时间获取每一光谱。
22.在实施例中，光电传感器103可经安置在衬底102上。光电传感器103可经安置在衬底102上的一或多个位置处。应注意，所描绘的光电传感器103的布置及数目是非限制性的
且仅仅出于说明目的而提供。而是，应认识到，光电传感器103可经配置为数个图案、形状及数量。
23.照射在仪器化衬底设备100上的照明可包含在跨仪器化衬底设备100的各个位置处变动的光谱。在实施例中，光电传感器103可经安置在衬底102上的多个位置处，以用于产生指示所述位置中的每一者处的照明光谱的电流。接着可基于经产生电流确定空间分辨euv测量信息。例如，空间分辨euv测量信息可包含在光电传感器103位置处收集的波长分辨信息(例如，照明光谱)。这可能是有利的，因为可收集此信息而无需调整仪器化衬底设备100的位置。在实施例中，空间分辨信息可经存储在存储器中用于确定时间分辨信息(例如，在光电传感器103位置中的每一者处)。
24.在实施例中，在硅衬底的情况下，可经由微机电系统(mems)制造(例如但不限于湿式蚀刻、干式蚀刻或放电加工)在衬底102上形成光电传感器103。
25.在实施例中，仪器化衬底设备100可包含控制器101。光电传感器103可与控制器101通信地耦合。就这一点来说，控制器101可从光电传感器103获取一或多个测量。在另一实施例中，控制器101与工厂自动化系统(参见图3，工厂自动化系统302)通信地耦合。控制器101可将从光电传感器103获取的一或多个测量传输到工厂自动化系统。
26.光电传感器103可经由一或多根缆线通信地耦合到控制器101。例如，光电传感器103可经由一或多根铜线通信地耦合到控制器101。在实施例中，可密封(例如，气密密封)将所述控制器与所述传感器耦合的缆线。
27.图2a到2d描绘说明根据一或多个实施例的仪器化衬底设备100的至少一部分的截面图。
28.在实施例中，光电传感器103包含光发射材料104、光电子收集器106及测量电路108。测量电路108可电耦合到光电子收集器106。在实施例中，测量电路108可将光电子收集器106与光发射材料104电耦合。测量电路108可进一步包含电压源110及电流计112。
29.现在参考图2b，描绘说明根据本公开的一或多个实施例的仪器化衬底设备100的至少一部分的截面图。光子114可由照明源(未描绘)产生。照明源可经配置以将光子114引导到光电子传感器103(例如，经由照明源的一或多个照明光学器件)。照明源可包含任何合适照明源，例如但不限于极紫外线(euv)照明源。极紫外线(euv)照明源可经配置以产生具有在1ev到100ev的范围内的能量的光子114。例如，照明可包含近似13.5nm的频带内辐射以及频带外照明。
30.在实施例中，光发射材料104可经配置以吸收光子114。光发射材料104可包含导体、半导体或导体及半导体材料的组合。光发射材料104可具有经改质或涂覆表面。举例来说，光发射材料104可包含但不限于金、铂、钌、钯、钛、钽、钨、钼、钴、锌、锡或镓。例如，光发射材料104可基于所述材料的功函数来选择。此外，光发射材料104可包含无氧化物形成或具有自终止的稳定氧化物形成的金属。
31.现在参考图2c，描绘说明根据本公开的一或多个实施例的仪器化衬底设备100的一部分的截面图。
32.在实施例中，光发射材料104可经配置以发射光电子116。可由光发射材料104响应于吸收光子114而发射光电子116。例如，当光子114具有由e
photon
＝h*f定义、超过光发射材料104的功函数(w)的能量(e
photon
)时，可发射光电子116。当从光发射材料104发射光电子
116时，光电子116可具有等于光子的能量(e
photon
)减去光发射材料的功函数(w)的动能(k
max
)(例如，k
max
＝e
photon-w)。在其中光子114具有小于或等于光发射材料104的功函数的能量的情况下，将不发射光电子116。
33.现在参考图2d，描绘说明根据本公开的一或多个实施例的仪器化衬底设备100的一部分的截面图。
34.光电子收集器106可接收从光发射材料104发射的一些光电子116(例如，光电子116a及光电子116d)。例如，光电子收集器106可包含但不限于定位在光发射材料104上方的环结构。就这一点来说，光电子收集器106允许照明从工艺室的环境传递且到光发射材料104上，但经定位以捕获从光发射材料104发射的电子。此外，可排空光发射材料104与光电子收集器106之间的区域以改进光电子116从光发射材料104到光电子收集器106的传输。
35.光电子收集器106可响应于接收到一些光电子116而产生一或多个电信号。一或多个电信号可包含电流118。光电子收集器106可包含经配置以接收光电子116且产生电流118的任何合适材料。例如，光电子收集器106可包含但不限于金或铂。
36.在实施例中，测量电路108可测量电信号。例如，测量电路108可通过电流计112测量电流118。就这一点来说，测量电路108可将电流118从光电子收集器106移动到电流计112。电流计112可包含用于测量由光电子收集器106产生的电流118的任何合适传感器，例如但不限于分流电阻器或霍尔效应传感器。
37.在实施例中，光发射材料104及光电子收集器106可包含电势差(例如，电压差)。电势差可能至少部分地是由于电压源110。电压源110可包含任何合适电压源，例如安置在衬底102上的电池(例如，电容器)或到工厂自动化系统(参见图3，工厂自动化系统302)的连接件。在实施例中，电压源110可在多个电压之间配置。
38.随着光电子收集器106与光发射材料104之间的电势差减小(例如，由于电压源110的电压增加)，光电子116可经历来自光电子收集器106的更高排斥力。就这一点来说，当未测量到电流118时，光电子收集器106具有足够力来防止光电子116传输到光电子收集器106。来自电压源110用以停止光电子116的传输所需的电压量是停止电压(v0)。通过防止光电子116的传输来完成的功等于电子的电荷(e)乘以停止电压(v0)。在从光发射材料104发射光电子116时，这个功等于光电子116的动能(k
max
)(例如，e*v0＝k
max
)。
39.因此，可通过调整光电子收集器106与光发射材料104之间的(例如，电压源110的)电势差来确定光子114的频率(及类似地波长)直到未测量到电流118(例如，通过代入以上公式来求解：f＝(e*v0+w0)/h)。
40.在实施例中，光子114可包含多个波长。例如，一些光子114可在13.5nm euv频带中且一些光子114可在13.5nm euv频带外。在调整光电子收集器106与光发射材料104之间的电势差时，可类似地调整及测量由光电子收集器106产生的电流118。可依据来自电压源110的电压存储电流118。通过取得经测量电流118相对于来自电压源110的电压的导数，可依据所述电压确定照明的辐照度。通过减去功函数且凭借普朗克方程式进行转换，可将所述电压校准为波长单位。因此，仪器化衬底设备100可用来确定照明源的波长分辨euv测量信息。
41.图3描绘根据本公开的一或多个实施例的系统300。
42.在实施例中，系统300包含仪器化衬底设备100及工厂自动化系统302。工厂自动化系统302可与仪器化衬底设备100通信地耦合。通过通信耦合，工厂自动化系统302可控制电
压源110的电压。工厂自动化系统302还可通过通信耦合(例如，电流118)接收一或多个电信号。
43.工厂自动化系统302可包含控制器304。控制器304(及类似地仪器化衬底设备100的控制器101)可包含一或多个处理器306及存储器308。处理器306可执行贯穿本公开所描述的各种工艺步骤中的任一者，例如但不限于确定波长分辨euv测量信息、时间分辨信息及/或空间分辨euv测量信息。例如，存储器308可经配置以存储经测量电信号(例如，经测量电流118)用于确定时间分辨信息。
44.一或多个处理器306可包含所属领域中已知的任何处理器或处理元件。出于本公开的目的，术语“处理器”或“处理元件”可被广义地定义为涵盖具有一或多个处理或逻辑元件(例如，一或多个微处理器装置、一或多个专用集成电路(asic)装置、一或多个现场可编程门阵列(fpga)或一或多个数字信号处理器(dsp))的任何装置。在这个意义上，一或多个处理器306可包含经配置以执行算法及/或指令(例如，存储在存储器中的程序指令)的任何装置。在实施例中，一或多个处理器306可被体现为台式计算机、大型计算机系统、工作站、图像计算机、并行处理器、联网计算机或经配置以执行经配置以操作仪器化衬底设备100或结合仪器化衬底设备100操作的程序的任何其它计算机系统，如贯穿本公开所描述。因此，以上描述不应被解释为对本公开的实施例的限制而仅仅作为说明。此外，贯穿本公开所描述的步骤可由单个控制器或替代地多个控制器来实行。另外，控制器304可包含容纳在共同壳体中或多个壳体内的一或多个控制器。以这种方式，任何控制器或控制器组合可单独地封装为适合于集成到系统300中的模块。此外，控制器304可分析从仪器化衬底设备100接收的数据且将所述数据馈送到系统300内或系统300外部的额外组件。
45.存储器308可包含所属领域中已知的适合于存储可由相关联的一或多个处理器306执行的程序指令的任何存储媒体。例如，存储器308可包含非暂时性存储器。作为另一实例，存储器308可包含但不限于只读存储器(rom)、随机存取存储器(ram)、磁性或光学存储器装置(例如，磁盘)、磁带、固态硬盘等。进一步应注意，存储器308可与一或多个处理器306一起容纳在共同控制器壳体中。在实施例中，存储器308可相对于一或多个处理器306及控制器304的物理位置远程地定位。例如，控制器304的一或多个处理器306可存取可透过网络(例如，因特网、内联网等)存取的远程存储器(例如，服务器)。
46.在实施例中，仪器化衬底设备100的控制器101通过有线通信以通信方式耦合到工厂自动化系统302。通过有线通信，控制器101可将一或多个值传达到工厂自动化系统302。此外，工厂自动化系统302可通过有线通信将电压提供到光电子收集器106。
47.在实施例中，仪器化衬底设备100的控制器101通过无线通信以通信方式耦合到工厂自动化系统302。控制器101可以任何合适方式无线通信地耦合到工厂自动化系统302。例如，仪器化衬底设备100可包含通信电路系统(未描绘)。通信电路系统可包含通信技术中已知的任何通信电路系统及/或通信装置。例如，通信电路系统可包含但不限于一或多个通信天线(例如，通信线圈)。在实施例中，通信电路系统经配置以在控制器101与工厂自动化系统302之间建立通信链路。通过通信链路，可将一或多个信号(例如，测量参数)发送到工厂自动化系统302。在实施例中，工厂自动化系统302包含适合于建立通信链路的通信电路系统。例如，通信链路可包含使用射频(rf)信号。如本文中进一步论述，可由控制器101及/或工厂自动化系统302计算与光电传感器103测量相关联的值。在控制器101与工厂自动化系
统302无线地耦合的情况下，可由仪器化衬底设备100的电池提供到光电子收集器106的电压源。
48.在实施例中，控制器101基于由光电传感器103获取的测量参数计算一或多个值。例如，控制器101可计算光子114的波长分辨、时间分辨或空间分辨euv测量信息中的一或多者。继而，控制器101可将经计算值传输到工厂自动化系统302。
49.在实施例中，工厂自动化系统302从控制器101接收测量参数且基于由光电传感器103获取的测量参数计算一或多个值。就这一点来说，控制器101将测量参数传输到工厂自动化系统302。继而，工厂自动化系统302可计算光子114的波长分辨、时间分辨或空间分辨euv测量信息中的一或多者。
50.在实施例中，工厂自动化系统302将一或多个值报告到用户接口。例如，工厂自动化系统302可将光子114的波长分辨、时间分辨或空间分辨euv测量信息报告到台式计算机、膝上型计算机、平板计算机、手持型装置、存储器或服务器。
51.在实施例中，仪器化衬底设备100可经配置以容纳在前开式晶圆传送盒(foup)(未描绘)内。foup可包含经配置以与工厂自动化系统302集成在一起的标准衬底载体。foup可提供用于存储及运输仪器化衬底设备100的环境。另外，工厂自动化系统302可经配置以从foup移除仪器化衬底设备100且将仪器化衬底设备100放置在光子114的路径内。
52.图4描绘根据本公开的一或多个实施例的方法400。本文先前在仪器化衬底设备100及系统300的背景下所描述的实施例及赋能技术应被解释为扩展到方法400。然而，应进一步认识到，方法400不限于仪器化衬底设备100及系统300。
53.在步骤402中，方法400用光发射材料吸收工艺工具内的光子。光子可在具有介于1与100ev之间的能量的euv光谱范围内。例如，光谱范围可包含13.5nm频带中的频带内辐射及频带外辐射。
54.在步骤404中，方法400响应于吸收光子而从光发射材料发射光电子。
55.在步骤406中，方法400收集从光发射材料发射的光电子中的至少一些。可由光电子收集器收集从光发射材料发射的光电子中的至少一些。
56.在步骤408中，方法400响应于收集光电子中的至少一些而产生一或多个电信号。可响应于由光电子收集器收集光电子中的至少一些而产生一或多个电信号。一或多个电信号可包含电流。
57.在步骤410中，方法400测量一或多个电信号。可由电流计测量一或多个电信号，例如但不限于分流电阻器或霍尔效应传感器。
58.在步骤412中，方法400基于一或多个电信号确定来自工艺工具的照明的波长分辨euv测量信息。确定波长分辨euv测量信息可包含取得电流相对于电压源的电压的导数。电压源可至少与光电子收集器电耦合用于调整光电子收集器的停止电压。在实施例中，可确定空间分辨euv测量信息。
59.在步骤414中，方法400将波长分辨euv测量信息存储在存储器中且基于存储在存储器中的波长分辨euv测量信息确定时间分辨信息。
60.本文中所描述的所有方法可包含将方法实施例的一或多个步骤的结果存储在存储器中。所述结果可包含本文中所描述的任何结果且可以所属领域中已知的任何方式存储。所述存储器可包含本文中所描述的任何存储器或所属领域中已知的任何其它合适存储
媒体。在所述结果已存储之后，所述结果可在存储器中存取且由本文中所描述的任何方法或系统实施例使用，经格式化用于显示给用户，由另一软件模块、方法或系统使用等。此外，所述结果可“永久地”、“半永久地”、“暂时”或在某个时间周期内存储。例如，所述存储器可为随机存取存储器(ram)，且所述结果可能不一定无限期地保留在所述存储器中。
61.进一步经考虑，上文所描述的方法的实施例中的每一者可包含本文中所描述的(若干)任何其它方法的(若干)任何其它步骤。另外，上文所描述的方法的实施例中的每一者可由本文中所描述的系统中的任一者来执行。
62.所属领域的技术人员将认识到，本文中所描述的组件、操作、装置、对象及伴随其的论述为了概念清楚起见而用作实例且考虑各种配置修改。因此，如本文中所使用，所阐述的特定实例及随附论述意在表示其更一般类别。通常，使用任何特定实例意在表示其类别，且不包含特定组件、操作、装置及对象不应被视为限制性。
63.如本文中所使用，方向性术语，例如“顶部”、“底部”、“正面”、“背面”、“上方”、“下方”、“上”、“向上”、“下”、“下面”及“向下”意在出于描述目的而提供相对位置，且并非意在指定绝对参考系。对所描述实施例的各种修改对于所属领域的技术人员来说将是显而易见的，且本文中所定义的一般原理可应用于其它实施例。
64.关于本文中的基本上任何复数及/或单数术语的使用，所属领域的技术人员可视背景及/或应用需要从复数转换为单数及/或从单数转换为复数。为了清楚起见，本文未明确地阐述各种单数/复数排列。
65.本文中所描述的主题有时说明其它组件内所含或与其它组件连接的不同组件。应理解，此类所描绘的架构仅仅是实例性的，且实际上可实施实现相同功能性的许多其它架构。在概念意义上，实现相同功能性的组件的任何布置有效地“相关联”，使得实现期望功能性。因此，本文中经组合以实现特定功能性的任何两个组件可被视为彼此“相关联”，使得实现期望功能性，而与架构或中间组件无关。同样地，如此相关联的任何两个组件还可被视为彼此“连接”或“耦合”以实现期望功能性，且能够如此相关联的任何两个组件还可被视为彼此“可耦合”以实现期望功能性。可耦合的特定实例包含但不限于物理上可配合及/或物理上互动的组件及/或无线可互动及/或无线互动的组件及/或逻辑上互动及/或逻辑上可互动的组件。
66.此外，应理解，本发明由随附权利要求书定义。所属领域的技术人员将理解，一般来说，本文中及尤其随附权利要求书(例如，随附权利要求书的主体)中所使用的术语通常意图作为“开放”术语(例如，术语“包含(including)”应被解释为“包含但不限于”，术语“具有”应被解释为“至少具有”，术语“包含(includes)”应被解释为“包含但不限于”等)。所属领域的技术人员将进一步理解，如果意图特定数目个所介绍权利要求叙述，那么将在权利要求书中明确地叙述此意图，且在无此叙述的情况下，不存在此意图。例如，为了辅助理解，以下随附权利要求书可含有介绍性短语“至少一个”及“一或多个”的使用以介绍权利要求叙述。然而，此类短语的使用不应被解释为暗示由不定冠词“一”或“一个”介绍权利要求叙述将任何特定权利要求含有此所介绍权利要求叙述限于本发明仅含有一个此叙述，即使在同一权利要求包含介绍性短语“一或多个”或“至少一个”及不定冠词，例如“一”或“一个”(例如，“一”及/或“一个”通常应被解释为意指“至少一个”或“一或多个”)时也是如此；用来介绍权利要求叙述的定冠词的使用也是如此。另外，即使明确地叙述特定数目个所介绍权
利要求叙述，所属领域的技术人员仍将认识到，此叙述通常应被解释为意指至少所叙述数目(例如，“两个叙述”的纯粹叙述而没有其它修饰词通常意指至少两个叙述，或两个或更多个叙述)。此外，在其中使用与“a、b及c中的至少一者等”类似的惯例的那些例子中，一般来说，此构造意图具有所属领域的技术人员将理解所述惯例的意义(例如，“具有a、b及c中的至少一者的系统”将包含但不限于仅具有a，仅具有b，仅具有c，一起具有a及b，一起具有a及c，一起具有b及c及/或一起具有a、b及c等的系统)。在其中使用与“a、b或c中的至少一者等”类似的惯例的那些例子中，一般来说，此构造意图具有所属领域的技术人员将理解所述惯例的意义(例如，“具有a、b或c中的至少一者的系统”将包含但不限于仅具有a，仅具有b，仅具有c，一起具有a及b，一起具有a及c，一起具有b及c及/或一起具有a、b及c等的系统)。所属领域的技术人员将进一步理解，实际上无论在本描述、权利要求书或附图中，呈现两个或更多个替代术语的任何转折词及/或短语应被理解为考虑包含所述术语中的一者、所述术语中的任一者或两个术语的可能性。例如，短语“a或b”将被理解为包含“a”或“b”或“a及b”的可能性。
67.据信本公开及许多其伴随优点将通过前文描述来理解，且将显而易见的是，在不脱离所公开主题的情况下或在不牺牲所有其重大优势的情况下，可对组件的形式、构造及布置进行各种改变。所描述形式仅仅是解释性的，且随附权利要求书意在涵盖及包含此类改变。此外，应理解，本发明由随附权利要求书定义。