测针的制作方法

文档序号:33893883发布日期:2023-04-21 03:31阅读:132来源:国知局
测针的制作方法

本申请涉及电子测试领域,具体涉及一种测针。


背景技术:

1、由于通信行业快速全面的多领域发展,通信设备对于电子元器件的使用要求也愈发精益求精,不仅使用频率越来越高,电性精度及可靠性要求也随之提高。

2、电子元器件使用频率、电性范围及可靠性,除与设计和前端工艺相关外,也与电性测试分选过程密不可分,高精度且稳定的测试过程可保证电子元器件应用时的匹配度与可靠性。因此,对电性测试分选过程的稳定性及可靠性进行改善,是十分必要的。

3、现有电性测试过程所使用的测针,在硬度、导电性、尺寸适配度方面均有各类产品,具有多种不同特性的测针,然而,目前的电性测试所使用的测针的震动以及应力较大,容易对待测试电极造成损伤。


技术实现思路

1、鉴于此,本申请提供一种测针,能够降低目前电性测试所使用的测针的震动以及应力较大而易对待测试电极造成损伤的技术问题。

2、一种测针,包括固定部和延伸部,固定部和延伸部均为金属薄片结构,延伸部从固定部的一端面中的预设区域延伸而出;

3、延伸部的顶部设置有接触部,接触部的表面用于与待测试电极进行接触以进行测试,接触部的表面设置有多条沟槽。

4、在一个实施例中,沟槽为微纳米沟槽结构,沟槽的宽度为100nm~1000nm。

5、在一个实施例中,沟槽的数量为2~10条。

6、在一个实施例中,接触部的表面为方形。

7、在一个实施例中,沟槽的纵向截面包括矩形、梯形、三角形以及弧形中的至少一种。

8、在一个实施例中,固定部和延伸部为一体化成型结构。

9、在一个实施例中,固定部和延伸部均为长方体结构,延伸部的宽度小于固定部的宽度。

10、在一个实施例中,沟槽的深度大于或等于50nm。

11、在一个实施例中,固定部的金属薄片结构设置有连接孔,连接孔用于与对应的测试底座进行适配连接以进行固定。

12、在一个实施例中,连接孔的形状为圆形。

13、上述测针包括固定部和延伸部,固定部和延伸部均为金属薄片结构,延伸部从固定部的一端面中的预设区域延伸而出,延伸部的宽度小于固定部的宽度,延伸部的顶部设置有接触部,接触部的表面用于与待测试电极进行接触以进行测试,接触部的表面设置有多条沟槽,通过对测针中的延伸部中的顶部结构进行改进,在延伸部的顶部设置有接触部并在接触部的表面设置多条沟槽,当上述测针中的接触部与待测试电子元器件接触时,接触部的表面设置有多条沟槽,此时待测试电子器件的电极与接触部中的多条沟槽的底面以及凸起产生摩擦(一般待测试电极的表面是凹凸不平的),上述沟槽的设置会使得整个测针的弹性储能呈现周期性的变化,即在同一周期内测针将出现两条高低、相位和宽度不同的弹性储能变化曲线,即能够自主消耗部分弹性储能以维持自身在测试过程中的稳定性,从而使得电子元器件的电极端受到的反向作用应力减少,降低待测试的电子元器件的电极受损风险。



技术特征:

1.一种测针,其特征在于,包括固定部和延伸部,所述固定部和所述延伸部均为金属薄片结构,所述延伸部从所述固定部的一端面中的预设区域延伸而出;

2.根据权利要求1所述的测针,其特征在于,所述沟槽为微纳米沟槽结构,所述沟槽的宽度为100nm~1000nm。

3.根据权利要求1所述的测针,其特征在于,所述沟槽的深度大于或等于50nm。

4.根据权利要求1所述的测针,其特征在于,所述接触部的表面为方形。

5.根据权利要求1所述的测针,其特征在于,所述沟槽的纵向截面包括矩形、梯形、三角形以及弧形中的至少一种。

6.根据权利要求1所述的测针,其特征在于,所述固定部和所述延伸部为一体化成型结构。

7.根据权利要求1所述的测针,其特征在于,所述固定部和所述延伸部均为长方体结构,所述延伸部的宽度小于所述固定部的宽度。

8.根据权利要求1所述的测针,其特征在于,所述沟槽的数量为2~10条。

9.根据权利要求1所述的测针,其特征在于,所述固定部的金属薄片结构设置有连接孔,所述连接孔用于与对应的测试底座进行适配连接以进行固定。

10.根据权利要求9所述的测针,其特征在于,所述连接孔的形状为圆形。


技术总结
本申请涉及一种测针,测针包括固定部和延伸部,固定部和延伸部均为金属薄片结构,延伸部从固定部的一端面中的预设区域延伸而出,延伸部的顶部设置有接触部,接触部的表面用于与待测试电极进行接触以进行测试,接触部的表面设置有多条沟槽,通过对测针中的延伸部中的顶部结构进行改进,在延伸部的顶部设置有接触部并在接触部的表面设置多条沟槽,当上述测针中的接触部与待测试电子元器件接触时,能够使得测针自主消耗部分弹性储能以维持自身在测试过程中的稳定性,从而使得电子元器件的电极端受到的反向作用应力减少,降低待测试的电子元器件的电极受损风险。

技术研发人员:徐银辉,姚斌,戴春雷,曾向东
受保护的技术使用者:深圳顺络电子股份有限公司
技术研发日:
技术公布日:2024/1/11
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