全桥MOSFET测试座的制作方法

本发明涉及半导体器件测试设备，尤其涉及一种全桥mosfet测试座。

背景技术：

1、mosfet作为一种半导体器件，在制作完成后需要进行通过具体的测试装置来进行测试，以确定检测的mosfet功率模块是否合格。

2、如公开号cn213482374u的中国实用新型专利公开了“一种高性能mosfet测试装置”，该装置在使用时，首先将导线的端部插合在插孔的内部，插合后通过柔性杆发生形变将紧压板紧压在紧固套的表面，紧压后将卡销卡合在卡槽的内部使得紧压板与连接块紧固安装，通过在柔性杆的端部设计紧压板和在连接块的端部设计卡销的配合，避免了测试装置在使用过程中导线端部与装置插合时不易紧固，拉紧时易松动，造成接触不良的问题，同时为了解决在长时间检测使用时内部产生大量的热量，而在内部安装有风扇。

3、但该装置为了解决上述问题导致该测试装置构成部件较多，而构成部件较多会在长时间的使用过程中相互磨损导致各部件配合度不高，从而影响测试效率，并且磨损严重会降低使用寿命，间接地提高了使用成本。

技术实现思路

1、针对现有技术中所存在的不足，本发明提供了一种全桥mosfet测试座，其解决了现有技术中存在的传统的测试装置构成部件较多，而构成部件较多会在长时间的使用过程中相互磨损导致各部件配合度不高，从而影响测试效率，并且磨损严重会降低使用寿命，间接地提高了使用成本的问题。

2、根据本发明的实施例，一种全桥mosfet测试座，其包括：底座，其上开设有安装槽；测试模块，设于安装槽内，用于芯片测试；定位盖，其上形成容纳芯片的通孔，定位盖设置在底座顶端，其用于保护测试模块。

3、本发明的技术原理为：测试前先将测试模块放置在底座的安装槽内，盖上定位盖，然后将mosfet芯片经过通孔放置在测试模块上进行测试，测试完成后再将mosfet芯片从过通孔内取出，重复该步骤即可检测的mosfet功率模块是否合格。

4、相比于现有技术，本发明具有如下有益效果：通过底座、测试模块以及定位盖的配合即可对芯片进行检测，有效减少了测试座的组成部件，降低了制造成本，并且在测试过程中，直接将芯片经过定位盖的通孔放置在试模块上进行测试即可，并不需要频繁是对所组成的测试座进行拆卸，降低了底座、测试模块以及定位盖相互间的磨损，能保证测试座长时间的工作可靠性，提高了测试芯片工作效率。

5、优选的，安装槽包括第一沉槽、第二沉槽以及第三沉槽，第一沉槽、第二沉槽以及第三沉槽分别依次排列在底座上。

6、优选的，测试模块包括第一测试块、第二测试块以及第三测试块；

7、其中，第一测试块位于第一沉槽内，第二测试块位于第二沉槽内，第三测试块位于所以第三沉槽内。

8、优选的，第一测试块、第二测试块以及第三测试块均包括销轴、多组夹板以及多组pin针，多组夹板抵接并通过销轴穿插固定，多组夹板两两抵接面均开设有收纳槽，每一收纳槽内均设置有受力时回收的pin针，每一pin针18均由两组探针组成且均自带弹性，每一pin针的触端均位于夹板外。

9、优选的，通孔内壁对应两侧有齿状凸起，齿状凸起间形成避空槽，避空槽用于防止在测试过程中mosfet芯片发生短路。

10、优选的，定位盖顶部设置有至少一个取料槽，每一取料槽的一端均与通孔连通。

11、优选的，底座与所述定位盖上均开设有多组相对应的螺纹孔与安装定位孔。

12、优选的，沿通孔轴线方向向下凹陷形成间隙槽，间隙槽位于定位盖底侧。

13、优选的，间隙槽深度为0～1mm。

14、优选的，定位盖2上开设有多组定位插孔12，底座1上设置有多组可拆卸的定位轴4，多组定位轴4分别位于多组定位插孔12内。

技术特征：

1.一种全桥mosfet测试座，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的一种全桥mosfet测试座，其特征在于：所述安装槽包括第一沉槽(9)、第二沉槽(10)以及第三沉槽(11)，所述第一沉槽(9)、所述第二沉槽(10)以及所述第三沉槽(11)分别依次排列在所述底座(1)上。

3.根据权利要求2所述的一种全桥mosfet测试座，其特征在于：所述测试模块包括第一测试块(6)、第二测试块(7)以及第三测试块(8)；

4.根据权利要求3所述的一种全桥mosfet测试座，其特征在于：所述第一测试块(6)、所述第二测试块(7)以及所述第三测试块(8)均包括销轴(20)、多组夹板(19)以及多组pin针(18)，多组所述夹板(19)抵接并通过所述销轴(20)穿插固定，多组所述夹板(19)两两抵接面均开设有收纳槽(21)，每一所述收纳槽(21)内均设置有受力时会回收的pin针(18)，每一所述pin针(18)均由两组探针组成且均自带弹性，每一所述pin针(18)的触端均位于所述夹板(19)外。

5.根据权利要求1所述的一种全桥mosfet测试座，其特征在于：所述通孔(3)内壁对应两侧有齿状凸起，齿状凸起间形成避空槽(15)，所述避空槽(15)用于防止在测试过程中mosfet芯片发生短路。

6.根据权利要求1或5所述的一种全桥mosfet测试座，其特征在于：所述定位盖(2)顶部设置有至少一个取料槽(16)，每一所述取料槽(16)的一端均与所述通孔(3)连通。

7.根据权利要求1所述的一种全桥mosfet测试座，其特征在于：所述底座(1)与所述定位盖(2)上均开设有多组相对应的螺纹孔(13)与安装定位孔(14)。

8.根据权利要求1所述的一种全桥mosfet测试座，其特征在于：沿所述通孔(3)轴线方向向下凹陷形成间隙槽(17)，所述间隙槽(17)位于所述定位盖(2)底侧。

9.根据权利要求8所述的一种全桥mosfet测试座，其特征在于：所述间隙槽(17)深度为0～1mm。

10.根据权利要求1或7所述的一种全桥mosfet测试座，其特征在于：所述定位盖(2)上开设有多组定位插孔(12)，所述底座(1)上设置有多组可拆卸的定位轴(4)，多组所述定位轴(4)分别位于多组所述定位插孔(12)内。

技术总结
本发明提供了一种全桥MOSFET测试座，包括：底座，其上开设有安装槽；测试模块，设于安装槽内，用于芯片测试；定位盖，其上形成容纳芯片的通孔，定位盖设置在底座顶端，其用于保护测试模块。通过底座、测试模块以及定位盖的配合即可对芯片进行检测，有效减少了测试座的组成部件，降低了制造成本，并且在测试过程中，直接将芯片经过定位盖的通孔放置在试模块上进行测试即可，并不需要频繁是对所组成的测试座进行拆卸，降低了底座、测试模块以及定位盖相互间的磨损，能保证测试座长时间的工作可靠性，解决了测试芯片工作效率低的问题，并且定位盖相应的位置上还设置了避空槽，避免了MOSFET芯片两侧的第一触电端和第三触电端与定位盖接触，引起MOSFET芯片短路。

技术研发人员：陈尧,廖光朝
受保护的技术使用者：重庆云潼车芯电子科技有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/13