星载抗干扰PMOS阈值电压信号读出电路和方法与流程

技术特征：

1.星载抗干扰pmos阈值电压信号读出电路，其特征在于，读出电路(1)包括电压跟随器一(2)、电压跟随器二(3)、电压跟随器三(4)、多路开关(5)、信号处理电子学(6)、模数转换器(7)和控制器(8)；

2.根据权利要求1所述的星载抗干扰pmos阈值电压信号读出电路，其特征在于，所述电压跟随器一(2)、电压跟随器二(3)和电压跟随器三(4)的输出端口分别与多路开关(5)的输入端口x1、x2和x3相连，所述电压跟随器一(2)、电压跟随器二(3)和电压跟随器三(4)用运算放大器a1(9)制作。

3.根据权利要求2所述的星载抗干扰pmos阈值电压信号读出电路，其特征在于，所述多路开关(5)可在控制器(8)的控制下将输入端口x1、x2和x3中的任意一个与输出端口y1电连接。

4.根据权利要求3所述的星载抗干扰pmos阈值电压信号读出电路，其特征在于，所述模数转换器(7)在控制器(8)的控制下，将信号处理电子学(6)输出的模拟电压信号转换为数字信号，数字信号被送入控制器(8)。

5.根据权利要求4所述的星载抗干扰pmos阈值电压信号读出电路，其特征在于，所述读出电路(1)输入端v1连接测温二极管d的正极，输入端v2连接测温二极管d的负极，输入端sgnd连接pmos管q的漏极，测温二极管d和pmos管q两者串联，测温二极管d的负极与pmos管q的源极连接，pmos管q的漏极与参考地连接。

6.根据权利要求5所述的星载抗干扰pmos阈值电压信号读出电路，其特征在于，所述信号处理电子学(6)包括电阻器r1(10)、电阻器r2(11)、电阻器r3(12)、电阻器r4(13)、运算放大器a2(14)、运算放大器a3(15)、电容器c1(16)和电容器c2(17)，所述运算放大器a2(14)、电阻器r1(10)和电阻器r2(11)组成同相比例放大电路，所述运算放大器a3(15)、电阻器r3(12)、电阻器r4(13)、电容器c1(16)和电容器c2(17)组成低通滤波电路。

7.根据权利要求6所述的星载抗干扰pmos阈值电压信号读出电路的方法，其特征在于，包括以下步骤：

技术总结
本发明公开了星载抗干扰PMOS阈值电压信号读出电路和方法，读出电路包括电压跟随器一、电压跟随器二、电压跟随器三、多路开关、信号处理电子学、模数转换器和控制器。本发明中，通过提出一种新的抗干扰能力强、温漂误差小的星载PMOS阈值电压信号读出电路，以及使用这种电路实现PMOS阈值电压测量的方法，可为卫星等航天器的电离辐射总剂量效应的精确探测提供基础。该读出电路和方法，采用一种“伪差分”的方式测量PMOS阈值电压，能够有效抑制PMOS两端电压信号中的干扰；全部被测信号分时使用同一电路进行处理，减少了信号处理电路温漂引入的误差；并且，信号处理电路通道减少，有利于减小电子学的体积和重量。

技术研发人员：李昊,葛丽丽,刘业楠,刘庆海,唐振宇,李芳勇,王浩
受保护的技术使用者：北京卫星环境工程研究所
技术研发日：
技术公布日：2024/1/16