电压测试方法与流程

本公开涉及半导体，尤其涉及一种电压测试方法。

背景技术：

1、目前，芯片在测试的过程中，需要测试其内部的各基准电压，来确定芯片是否正常。但是，芯片内部的各基准电压需要测试人员逐一进行测试，导致基准电压测试的效率低。

技术实现思路

1、以下是对本公开详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。

2、本公开提供一种电压测试方法，待测电压为待测芯片内部的至少一个基准电压，所述电压测试方法包括：

3、确定至少一个第一参考电压信号；

4、将待测电压信号与各所述第一参考电压信号进行比较，得到第一电压比较结果；

5、确定与所述至少一个第一参考电压信号对应的第二参考电压信号；

6、将所述待测电压信号与各所述第二参考电压信号进行比较，得到第二电压比较结果；

7、当所述第一电压比较结果和所述第二电压比较结果不同时，确定针对所述待测电压的电压测试结果。

8、根据本公开的一些实施例，所述电压测试方法还包括：

9、当所述第一电压比较结果和所述第二电压比较结果相同时，对各所述第二参考电压信号进行调节后，继续与所述待测电压信号比较，更新所述第二电压比较结果，直至所述第二电压比较结果与所述第一电压比较结果不同。

10、根据本公开的一些实施例，所述至少一个第一参考电压信号包括第一电压信号和第二电压信号，所述第一电压信号的第一电压大于所述第二电压信号的第二电压；

11、所述将所述待测电压信号与各所述第一参考电压信号进行比较，得到第一电压比较结果，包括：

12、将所述待测电压信号分别与所述第一电压信号和所述第二电压信号进行比较；

13、当所述待测电压大于所述第一电压时，得到所述第一电压比较结果为第一结果；

14、当所述待测电压小于所述第二电压时，得到所述第一电压比较结果为第二结果，所述第二结果与所述第一结果不同；

15、所述至少一个第二参考电压信号包括与所述第一电压信号对应的第三电压信号以及与所述第二电压信号对应的第四电压信号，所述第三电压信号的第三电压大于所述第四电压信号的第四电压；

16、所述将所述待测电压信号与各所述第二参考电压信号进行比较，得到第二电压比较结果，包括：

17、将所述待测电压信号分别与所述第三电压信号和所述第四电压信号进行比较；

18、当所述待测电压大于所述第三电压时，得到所述第二电压比较结果为所述第一结果；

19、当所述待测电压小于所述第四电压时，得到所述第二电压比较结果为所述第二结果。

20、根据本公开的一些实施例，所述对各所述第二参考电压信号进行调节，包括：

21、当所述第二电压比较结果为所述第一结果时，将所述第三电压以及所述第四电压调高；

22、当所述第二电压比较结果为所述第二结果时，将所述第三电压以及所述第四电压调低。

23、根据本公开的一些实施例，所述将所述第三电压以及所述第四电压调高，包括：

24、确定所述第三电压与预设电压的和为中间电压；

25、确定所述中间电压与第一系数的乘积为调高后的所述第三电压；

26、确定所述中间电压与第二系数的乘积为调高后的所述第四电压；

27、其中，所述第一系数大于所述第二系数；

28、和/或，

29、所述将所述第三电压以及所述第四电压调低，包括：

30、确定所述第三电压与第三系数的乘积为调低后的所述第三电压；

31、确定所述第四电压与第四系数的乘积为调低后的所述第四电压；

32、其中，所述第三系数大于所述第四系数。

33、根据本公开的一些实施例，所述预设电压为所述待测芯片的输入输出引脚的最大电压。

34、根据本公开的一些实施例，所述确定针对所述待测电压的电压测试结果，包括：

35、当所述第一电压比较结果为第一结果时，确定所述待测电压为当前的所述第三电压一次调节前的电压；

36、当所述第一电压比较结果为第二结果时，确定所述待测电压为当前的所述第四电压一次调节前的电压。

37、根据本公开的一些实施例，所述确定针对所述待测电压的电压测试结果，包括：

38、确定所述待测电压正常；

39、所述电压测试方法还包括：

40、当所述第一电压比较结果和所述第二电压比较结果相同时，确定所述待测电压异常。

41、根据本公开的一些实施例，所述第一参考电压信号包括第五电压信号和第六电压信号，所述第五电压信号的第五电压大于所述第六电压信号的第六电压；所述确定至少一个第一参考电压信号，包括：

42、获取目标电压；

43、根据所述目标电压，确定所述第五电压和所述第六电压；

44、其中，所述第五电压小于所述目标电压；

45、所述第二参考电压信号包括第七电压信号和第八电压信号，所述第七电压信号的第七电压大于所述第八电压信号的第八电压；所述确定与所述至少一个第一参考电压信号对应的第二参考电压信号，包括：

46、根据所述目标电压，确定所述第七电压和所述第八电压；

47、其中，所述第八电压大于所述目标电压。

48、根据本公开的一些实施例，所述将所述待测电压信号与各所述第一参考电压信号进行比较，以及所述将所述待测电压信号与各所述第二参考电压信号进行比较，是通过与所述待测芯片连接的测试机台内部的至少一个比较器实现。

49、本公开实施例所提供的电压测试方法中，在测试待测芯片内部的基准电压时，确定作为参考的第一参考电压信号和与第一参考电压信号对应的第二参考电压信号，将待测芯片的待测电压信号分别与第一参考电压信号和第二参考电压信号进行比较，得到第一电压比较结果和第二电压比较结果。当第一电压比较结果和第二电压比较结果不同时，第二参考电压信号相对于第一参考电压信号的变化引起了第二电压比较结果的不同，待测电压信号位于第一参考电压信号和第二参考电压信号之间。通过以待测电压信号与第一参考电压信号和第二参考电压信号比较的方式，自动地在第一电压比较结果和第二电压比较结果不同时确定出待测电压，从而提高了基准电压测试的效率。并且，由于第二参考电压信号是与第一参考电压信号对应确定的，电压测试的精度能够控制在预期的范围内。通过自动地比较确定待测电压，能够降低电压测试的误差，从而提高了基准电压测试的精度。同时，由于能够自动地确定待测电压的大小，可以验证待测芯片内部的基准电压是否正常，从而提高了基准电压验证的效率。

50、在阅读并理解了附图和详细描述后，可以明白其他方面。

技术特征：

1.一种电压测试方法，待测电压为待测芯片内部的至少一个基准电压，其特征在于，所述电压测试方法包括：

2.根据权利要求1所述的电压测试方法，其特征在于，所述电压测试方法还包括：

3.根据权利要求2所述的电压测试方法，其特征在于，所述至少一个第一参考电压信号包括第一电压信号和第二电压信号，所述第一电压信号的第一电压大于所述第二电压信号的第二电压；

4.根据权利要求3所述的电压测试方法，其特征在于，所述对各所述第二参考电压信号进行调节，包括：

5.根据权利要求4所述的电压测试方法，其特征在于，所述将所述第三电压以及所述第四电压调高，包括：

6.根据权利要求5所述的电压测试方法，其特征在于，所述预设电压为所述待测芯片的输入输出引脚的最大电压。

7.根据权利要求3至6任一项所述的电压测试方法，其特征在于，所述确定针对所述待测电压的电压测试结果，包括：

8.根据权利要求1所述的电压测试方法，其特征在于，所述确定针对所述待测电压的电压测试结果，包括：

9.根据权利要求8所述的电压测试方法，其特征在于，所述第一参考电压信号包括第五电压信号和第六电压信号，所述第五电压信号的第五电压大于所述第六电压信号的第六电压；所述确定至少一个第一参考电压信号，包括：

10.根据权利要求1至6任一项所述的电压测试方法，其特征在于，所述将所述待测电压信号与各所述第一参考电压信号进行比较，以及所述将所述待测电压信号与各所述第二参考电压信号进行比较，是通过与所述待测芯片连接的测试机台内部的至少一个比较器实现。

技术总结
本公开提供一种电压测试方法，待测电压为待测芯片内部的至少一个基准电压，电压测试方法包括：确定至少一个第一参考电压信号；将待测电压信号与各第一参考电压信号进行比较，得到第一电压比较结果；确定与至少一个第一参考电压信号对应的第二参考电压信号；将待测电压信号与各第二参考电压信号进行比较，得到第二电压比较结果；当第一电压比较结果和第二电压比较结果不同时，确定针对待测电压的电压测试结果。在本公开中，通过以待测电压信号与第一参考电压信号和第二参考电压信号比较的方式，自动地在第一电压比较结果和第二电压比较结果不同时确定出待测电压，从而提高了基准电压测试的效率。

技术研发人员：周成功,黄建钦,柯卫宝
受保护的技术使用者：长鑫存储技术有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15