一种半导体晶圆传送精度监测装置的制作方法

本发明涉及半导体晶圆传输，尤其涉及一种半导体晶圆传送精度监测装置。

背景技术：

1、在半导体晶圆传输领域，晶圆通常是等间距的存放在传输腔体盒内。在半导体芯片的制程中晶圆的尺寸是有多种的，当制造芯片的晶圆传输设备将对应多种尺寸的晶圆精准传送到工艺腔体内进行处理时，需要检测晶圆是否有偏移现象。

2、请参阅图1，图1所示为现有技术中常规一个真空传输腔体需要配备6个面的传感器扫描位置的示意图。如图1所示，真空传输腔体的每一个面预留三个传感器安装位置。

3、请参阅图2，图2所示为所示为现有技术半导体晶圆传送精度监测装置的结构示意图，如图2所示，真空传输腔体的每一个面上直接安装三个传感器，全部接入检测系统。针对实际需求安装无缝切换传感器的扫描位置，即可实现200mm和300mm晶圆的偏移检测。然而，该设计的缺点是增加了传感器的使用数量，设备成本高。

4、请参阅图3，图3所示为现有技术中另一个半导体晶圆传送精度监测装置的结构示意图。如图3所示，在真空传输腔体的每一个面上虽然预留三个传感器安装位置，实际只使用两个位置，如果当前是300mm，切换成200mm，需要拆装传感器移位到中间位置即可。因此，该设计缺点是不能无缝切换，即当切换检测晶圆大小的时候，必须停机维护，占用时间长，调试效率低。

技术实现思路

1、本发明的目的在于提供一种半导体晶圆传送精度监测装置，用于解决晶圆在在真空传输腔体传输的整个过程中，在保留无缝切换效率的同时，还可以节约设备成本，即在保留图2传感器数量的同时，直接省去停机维护时间，节约维护成本，提高不同晶圆片的识别效率。

2、为了实现上述目的，本申请采用如下技术方案：

3、一种半导体晶圆传送精度监测装置，用于在真空传输腔体的每一个面上进行晶圆的偏移检测，其特征在于，所述在真空传输腔体的每一个面上预留m个传感器安装位置，包括两个安装底座、由m块反射板组成的第一反射板组、由m-1块反射板组成的第二反射板组、第一awc传感器、第二awc传感器、一块可移动反射板和转动机构；所述第一awc传感器和第二awc传感器通过安装支架安装在m个所述传感器安装位置中首尾的两个所述安装底座上；其中，所述第一反射板组和第二反射板组相对设置，所述第一反射板组与m个所述传感器安装位置相对设置，所述第二反射板组和所述可移动反射板安装于m个所述传感器安装位置侧；所述可移动反射板位于所述第二awc传感器和所述相对的位置，所述可移动反射板在所述转动机构的带动下进行0～90度的转动，所述第二反射板组中的反射板安装成与所述可移动反射板的转动角度相同，以适应传输到所述真空传输腔体不同规格尺寸晶圆的偏移检测。

4、进一步地，所述转动机构包括气缸和连杆机构。

5、进一步地，所述m为3；所述第一awc传感器和第二awc传感器安装在第一个传感器安装位置和第三传感器安装位置上。

6、进一步地，当晶圆为300mm时，所述第二反射板组中的那个反射板垂直。

7、进一步地，当晶圆为200mm时，所述第二反射板组中的反射板在转动45度角。

8、本发明实施例提供的上述技术方案与现有技术相比具有如下优点：

9、1、本发明在确保证对应多种尺寸的晶圆的精准传送的前提下，不需要根据不同尺寸晶圆传送的位置安装激光传感器，其仅通过气缸连杆机构调节反光板的角度来进行光线反射来实现一个传感器来进行两种尺寸晶圆的传送精度监测；

10、2、通过气缸连杆来调节反光板角度实现了自动化，相对于人工来调节的话更高效，更方便快捷。

11、3、通过反光板来反射光线来进行另一种尺寸晶圆传送精度的监测减少了传感器的安装数量，节省了成本。

技术特征：

1.一种半导体晶圆传送精度监测装置，用于在真空传输腔体的每一个面上进行晶圆的偏移检测，其特征在于，所述在真空传输腔体的每一个面上预留m个传感器安装位置，包括两个安装底座、由m块反射板组成的第一反射板组、由m-1块反射板组成的第二反射板组、第一awc传感器、第二awc传感器、一块可移动反射板和转动机构；所述第一awc传感器和第二awc传感器通过安装支架安装在m个所述传感器安装位置中首尾的两个所述安装底座上；其中，所述第一反射板组和第二反射板组相对设置，所述第一反射板组与m个所述传感器安装位置相对设置，所述第二反射板组和所述可移动反射板安装于m个所述传感器安装位置侧；所述可移动反射板位于所述第二awc传感器和所述相对的位置，所述可移动反射板在所述转动机构的带动下进行0～90度的转动，所述第二反射板组中的反射板安装成与所述可移动反射板的转动角度相同，以适应传输到所述真空传输腔体不同规格尺寸晶圆的偏移检测。

2.根据权利要求1所述的半导体晶圆传送精度监测装置，其特征在于，所述转动机构包括气缸和连杆机构。

3.根据权利要求1所述的半导体晶圆传送精度监测装置，其特征在于，所述m为3；所述第一awc传感器和第二awc传感器安装在第一个传感器安装位置和第三传感器安装位置上。

4.根据权利要求3所述的半导体晶圆传送精度监测装置，其特征在于，当晶圆为300mm时，所述第二反射板组中的那个反射板垂直。

5.根据权利要求3所述的半导体晶圆传送精度监测装置，其特征在于，当晶圆为200mm时，所述第二反射板组中的反射板在转动45度角。

技术总结
一种半导体晶圆传送精度监测装置，包括两个安装底座、由M块反射板组成的第一反射板组、由M‑1块反射板组成的第二反射板组、第一AWC传感器、第二AWC传感器、一块可移动反射板和转动机构；第一AWC传感器和第二AWC传感器通过安装支架安装在M个传感器安装位置中首尾的两个安装底座上；其中，第一反射板组和第二反射板组相对设置，第一反射板组与M个所述传感器安装位置相对设置，第二反射板组和可移动反射板安装于M个所述传感器安装位置侧；可移动反射板位于第二AWC传感器的位置，可移动反射板在转动机构的带动下进行0～90度的转动，第二反射板组中的反射板安装成与可移动反射板的转动角度相同，以适应传输到真空传输腔体不同规格尺寸晶圆的偏移检测。

技术研发人员：毛丰富,刘锐,赵鹏程,方恺,王申
受保护的技术使用者：上海广川科技有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15