监控清洗试剂有效刻蚀的方法与流程

本申请涉及半导体，特别是涉及一种监控清洗试剂有效刻蚀的方法。

背景技术：

1、芯片的制造过程中对于铜制程的刻蚀采用的是干法刻蚀，由于刻蚀后会有聚合物或者金属氧化物的残留，需要使用清洗液对残留物质进行清洗。通常使用的清洗液的主要成分为三乙醇胺、三乙醇胺乙酸盐、氟化铵和水。该清洗液作用于芯片干法刻蚀后的清洗的效果较好，能够在较短的时间内将干法刻蚀过程中侧壁形成的聚合物有效的清洗干净，同时能够将氧化膜层清洗干净。然而，在该清洗液的使用中，需要对其刻蚀速率进行控制，防止在清洗过程中由于清洗液的刻蚀速率过快导致过度刻蚀以影响芯片中孔洞的形貌，进而对芯片的性能造成负面影响。

技术实现思路

1、基于此，有必要提供一种监控清洗试剂有效刻蚀的方法。该监控清洗试剂有效刻蚀的方法能够对不同含水量的清洗液的刻蚀速率进行监控，进而对清洗液的刻蚀速率和清洗效果进行准确有效的监控。

2、本申请提供一种监控清洗试剂有效刻蚀的方法，其特征在于，包括：

3、配置不同含水量的清洗液，所述清洗液包括三乙醇胺、三乙醇胺乙酸盐、氟化铵和水；

4、于相同的刻蚀温度下，采用所述不同含水量的清洗液与teos制品接触以对teos制品的表面进行刻蚀；

5、检测所述不同含水量的清洗液对所述teos制品的表面的刻蚀速率；

6、建立所述刻蚀速率随所述清洗液的含水量的变化曲线。

7、在一些实施例中，建立所述刻蚀速率随所述清洗液的含水量的变化曲线后还包括：

8、以预设刻蚀速率和预设清洗液含水量之间的变化曲线作为目标曲线。

9、在一些实施例中，所述预设刻蚀速率为0.1a/min~1a/min。

10、在一些实施例中，所述预设含水量为36%~40%。

11、在一些实施例中，检测所述不同含水量的清洗液对所述teos制品的表面的刻蚀速率包括：

12、使用清洗液对teos制品进行刻蚀，取刻蚀稳定区间的刻蚀速率作为预设刻蚀速率，所述刻蚀稳定区间满足：在所述刻蚀稳定区间内刻蚀速率的最大值和最小值之间的差值小于0.2a/min，所述刻蚀稳定区间的长度为100s~200s。

13、在一些实施例中，所述刻蚀稳定区间的起点与所述刻蚀的起点之间的时间差为300s~500s。

14、在一些实施例中，所述预设刻蚀速率是所述刻蚀稳定区间内刻蚀速率的平均值。

15、在一些实施例中，其特征在于，所述刻蚀温度为35℃~40℃。

16、在一些实施例中，其特征在于，所述清洗液的含水量为20%~60%。

17、在一些实施例中，其特征在于，所述清洗液还包括螯合物抑制剂。

18、上述监控清洗试剂有效刻蚀的方法中，使用不同含水量的清洗液对teos制品进行刻蚀，并检测其刻蚀速率，以得到不同含水量的清洗液对teos制品的刻蚀速率与含水量的对应关系。清洗液包括三乙醇胺、三乙醇胺乙酸盐、氟化铵和水，该清洗液对teos制品在含水量的有效范围内具有明显较低的刻蚀速率，且在含水量的有效范围外的刻蚀速率明显提升。根据该清洗液对teos制品刻蚀速率变化的特点，在有效范围内，能够降低其他方面的误差带来的刻蚀速率的波动对刻蚀液的含水量的判断的影响。该监控清洗试剂有效刻蚀的方法能够对清洗液的刻蚀速率和清洗效果进行准确有效的监控。

技术特征：

1.一种监控清洗试剂有效刻蚀的方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的监控清洗剂有效刻蚀的方法，其特征在于，建立所述刻蚀速率随所述清洗液的含水量的变化曲线后还包括：

3.根据权利要求2所述的监控清洗试剂有效刻蚀的方法，其特征在于，所述预设刻蚀速率为0.1a/min~1a/min。

4.根据权利要求2所述的监控清洗试剂有效刻蚀的方法，其特征在于，所述预设含水量为36%~40%。

5.根据权利要求1所述的监控清洗试剂有效刻蚀的方法，其特征在于，检测所述不同含水量的清洗液对所述teos制品的表面的刻蚀速率包括：

6.根据权利要求5所述的监控清洗试剂有效刻蚀的方法，其特征在于，所述刻蚀稳定区间的起点与所述刻蚀的起点之间的时间差为300s~500s。

7.根据权利要求5所述的监控清洗试剂有效刻蚀的方法，其特征在于，所述预设刻蚀速率是所述刻蚀稳定区间内刻蚀速率的平均值。

8.根据权利要求1~7任一项所述的监控清洗试剂有效刻蚀的方法，其特征在于，所述刻蚀温度为35℃~40℃。

9.根据权利要求1~7任一项所述的监控清洗试剂有效刻蚀的方法，其特征在于，所述清洗液的含水量为20%~60%。

10.根据权利要求1~7任一项所述的监控清洗试剂有效刻蚀的方法，其特征在于，所述清洗液还包括螯合物抑制剂。

技术总结
本申请涉及一种监控清洗试剂有效刻蚀的方法，包括：配置不同含水量的清洗液，清洗液包括三乙醇胺、三乙醇胺乙酸盐、氟化铵和水；于相同的刻蚀温度下，采用不同含水量的清洗液与TEOS制品接触以对TEOS制品的表面进行刻蚀；检测不同含水量的清洗液对TEOS制品的表面的刻蚀速率；建立刻蚀速率随清洗液的含水量的变化曲线。该监控清洗试剂有效刻蚀的方法能够对清洗液的刻蚀速率和清洗效果进行准确有效的监控。

技术研发人员：欧阳文森,张扬,王胜林
受保护的技术使用者：粤芯半导体技术股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15