一种半导体激光器波长测量方法、装置、芯片及终端与流程

本发明涉及半导体激光器，特别是涉及一种半导体激光器波长测量方法、装置、芯片及存储介质。

背景技术：

1、在光通信、激光测量等半导体激光器应用领域，对激光器产品的参数性能要求越来越高，对应的激光器参数测试要求也越来越严格，例如，半导体激光器的波长测量，需要先提供一个将温度持续保持在特定温度的环境再进行波长测量。

2、目前，通常采用的恒定温度控制方法是将激光器置于恒温箱中，或者在激光器中加设制冷器，两种方式均对测试设备提出了较高的要求，且需要较长的时间进行温度平衡，提高了测量难度，降低了测量效率。

技术实现思路

1、基于此，本发明提供一种半导体激光器波长测量方法、装置、芯片及存储介质，可以降低测量难度，提高测量效率。

2、第一方面，提供一种半导体激光器波长测量方法，包括：

3、一种半导体激光器波长测量方法，其特征在于，所述半导体激光器包括热敏电阻，半导体激光器波长测量方法包括：

4、获取测量指令；所述测量指令包括待测半导体激光器在预设工作电流及预设温度下的波长；

5、执行所述测量指令，包括：

6、通过第一预热电流对待测半导体激光器进行一次预热；

7、一次预热完成后在所述预设工作电流下测试待测半导体激光器的第一波长值和热敏电阻第一阻值，并根据所述热敏电阻第一阻值计算第一温度值；

8、通过第二预热电流对待测半导体激光器进行二次预热；

9、二次预热完成后在所述预设工作电流下测试待测半导体激光器第二波长值和热敏电阻第二阻值，并根据所述热敏电阻第二阻值计算第二温度值；

10、输出测量结果，包括根据所述第一波长值、所述第一温度值、所述第二波长值、所述第二温度值计算待测半导体激光器在所述预设工作电流及所述预设温度下的波长值。

11、可选地，根据所述第一波长值、所述第一温度值、所述第二波长值、所述第二温度值获得待测半导体激光器在所述预设工作电流及所述预设温度下的波长值，包括：

12、

13、或者

14、其中，λ1为第一波长值，λ2为第二波长值，t1为第一温度值，t2为第二温度值，t为预设温度。

15、可选地，根据所述热敏电阻第一阻值计算第一温度值，包括：

16、

17、根据所述热敏电阻第二阻值计算第二温度值，包括：

18、

19、其中，r1为热敏电阻第一阻值，r2为热敏电阻第二阻值，r0为热敏电阻在温度为t0时的电阻值，t0＝25℃，b为热敏电阻材料常数。

20、可选地，若所述第一温度值和所述第二温度值小于散热阈值，则半导体激光器为普通的半导体激光器结构。

21、可选地，若所述第一温度值和所述第二温度值大于散热阈值，则半导体激光器为加设低导热系数热沉的半导体激光器结构。

22、可选地，一次预热完成后到第一波长值和热敏电阻第一阻值测试结束测试的时间间隔小于预设时间；

23、二次预热完成后到第二波长值和热敏电阻第二阻值测试结束的时间间隔小于预设时间。

24、可选地，若一次预热完成后到第一波长值和热敏电阻第一阻值结束测试的时间间隔大于预设时间，返回通过第一预热电流对待测半导体激光器进行一次预热；

25、若二次预热完成后到第二波长值和热敏电阻第二阻值结束测试的时间间隔大于预设时间，返回通过第二预热电流对待测半导体激光器进行二次预热。

26、第二方面，提供一种半导体激光器波长测量装置，所述半导体激光器包括热敏电阻，半导体激光器波长测量装置包括：

27、指令获取模块，用于获取测量指令；所述测量指令包括待测半导体激光器在预设工作电流及预设温度下的波长；

28、指令执行模块，用于执行所述测量指令；

29、指令执行模块包括：

30、第一预热单元，用于通过第一预热电流对待测半导体激光器进行一次预热；

31、第一数据获取单元，用于一次预热完成后在所述预设工作电流下测试待测半导体激光器的第一波长值和热敏电阻第一阻值，并根据所述热敏电阻第一阻值计算第一温度值；

32、第二预热单元，用于通过第二预热电流对待测半导体激光器进行二次预热；

33、第二数据获取单元，用于二次预热完成后在所述预设工作电流下测试待测半导体激光器第二波长值和热敏电阻第二阻值，并根据所述热敏电阻第二阻值计算第二温度值；

34、测量结果计算输出模块，用于输出测量结果，包括根据所述第一波长值、所述第一温度值、所述第二波长值、所述第二温度值计算待测半导体激光器在所述预设工作电流及所述预设温度下的波长值。

35、第三方面，提供一种芯片，包括第一处理器，用于从第一存储器中调用并运行计算机程序，使得安装有所述芯片的设备执行如权利要求1至7任一项所述的半导体激光器波长测量方法的各个步骤。

36、第四方面，提供一种终端，包括第二存储器、第二处理器以及存储在所述第二存储器中并可在所述第二处理器上运行的计算机程序，第二处理器执行所述计算机程序时实现如上介绍的半导体激光器波长测量方法的各个步骤。

37、上述半导体激光器波长测量方法、装置、芯片及存储介质，应用于包括热敏电阻的半导体激光器，在获取测量指令后，读取预设温度及预设工作电流，然后通过两次预热，测量待测半导体激光器在预设工作电流下的第一波长值、热敏电阻第一阻值、第二波长值、热敏电阻第二阻值，并据此计算待测半导体激光器在所述预设工作电流及所述预设温度下的波长值，从而输出测量结果，完成待测半导体激光器的波长测量。在上述过程中，无需在如恒温箱提供的温控状态下进行，因此本发明实施例提供的半导体激光器波长测量方法，在非控温状态下测量其特定温度的波长，降低了测量难度，提高了测量效率。

技术特征：

1.一种半导体激光器波长测量方法，其特征在于，所述半导体激光器包括热敏电阻，半导体激光器波长测量方法包括：

2.如权利要求1所述的半导体激光器波长测量方法，其特征在于，根据所述第一波长值、所述第一温度值、所述第二波长值、所述第二温度值获得待测半导体激光器在所述预设工作电流及所述预设温度下的波长值，包括：

3.如权利要求1或2所述的半导体激光器波长测量方法，其特征在于，根据所述热敏电阻第一阻值计算第一温度值，包括：

4.如权利要求1所述的半导体激光器波长测量方法，其特征在于，若所述第一温度值和所述第二温度值小于散热阈值，则半导体激光器为普通的半导体激光器结构。

5.如权利要求1所述的半导体激光器波长测量方法，其特征在于，若所述第一温度值和所述第二温度值大于散热阈值，则半导体激光器为加设低导热系数热沉的半导体激光器结构。

6.如权利要求1所述的半导体激光器波长测量方法，其特征在于，一次预热完成后到第一波长值和热敏电阻第一阻值测试结束的时间间隔小于预设时间；

7.如权利要求6所述的半导体激光器波长测量方法，其特征在于，若一次预热完成后到第一波长值和热敏电阻第一阻值结束测试的时间间隔大于预设时间，返回通过第一预热电流对待测半导体激光器进行一次预热；

8.一种半导体激光器波长测量装置，其特征在于，所述半导体激光器包括热敏电阻，半导体激光器波长测量装置包括：

9.一种芯片，其特征在于，包括：第一处理器，用于从第一存储器中调用并运行计算机程序，使得安装有所述芯片的设备执行如权利要求1至7任一项所述的半导体激光器波长测量方法的各个步骤。

10.一种终端，其特征在于，包括第二存储器、第二处理器以及存储在所述第二存储器中并可在所述第二处理器上运行的计算机程序，其特征在于，所述第二处理器执行所述计算机程序时实现如权利要求1至7中任一项所述的半导体激光器波长测量方法的步骤。

技术总结
本发明实施例公开了一种半导体激光器波长测量方法、装置及终端，半导体激光器包括热敏电阻，方法包括：获取测量指令；测量指令包括待测半导体激光器在预设工作电流及预设温度下的波长；通过两次预热和两次测试获得两次测量数据，包括第一波长值、第一温度值、第二波长值、第二温度值，根据两次测量数据计算待测半导体激光器在预设工作电流及预设温度下的波长值输出测量结果。该方法无需在如恒温箱提供的温控状态下进行，降低了半导体激光器波长测量的测量难度，提高了测量效率。

技术研发人员：许诚,钟程,黄文飞
受保护的技术使用者：重庆航伟光电科技有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/25