1.一种用于等离子体合成射流阵列激励促进凹腔掺混增强的凹腔实验模型，该模型整体外观呈矩形体，在凹腔的上游布置有nx×ny个等离子体合成射流激励器组成的矩阵，该矩阵沿凹腔上表面的中心线方向对称布置，nx和ny分别为行数和列数；等离子体合成射流激励器埋在凹腔内部，通过靠近凹腔上表面的一个射流小孔向超音速来流施加强扰动；其特征在于，等离子体合成射流激励器射流的方向不做限制；并且
2.如权利要求1所述的用于等离子体合成射流阵列激励促进凹腔掺混增强的凹腔实验模型，其特征在于，射流的方向是垂直方向射流，或者是具有一定倾角和偏转角的射流。
3.如权利要求1所述的用于等离子体合成射流阵列激励促进凹腔掺混增强的凹腔实验模型，其特征在于，
4.如权利要求3所述的用于等离子体合成射流阵列激励促进凹腔掺混增强的凹腔实验模型，其特征在于，
5.一种基于等离子体合成射流行波驻波激励的凹腔掺混增强方法，其基于如权利要求1至4任一项所述的用于等离子体合成射流阵列激励促进凹腔掺混增强的凹腔实验模型，其特征在于，该方法原理如下：
6.如权利要求5所述的基于等离子体合成射流行波驻波激励的凹腔掺混增强方法，其特征在于，阵列内部的每一个等离子体合成射流激励器均为单独供电，放电能量、频率和相位均能够任意调节；当放电频率和能量相同时，通过对阵列不同行或者不同列的激励器施加相位调制，即可实现等离子体合成射流行波激励；具体而言，假定放电周期为td，将相邻两列激励器的相位差设置为t＝td/n，即能够实现沿流向传播的等离子体合成射流行波激励；如果将相邻两行激励器的相位差设置为δt＝td/n，即能够实现沿展向传播的等离子体合成射流行波激励；此外，还能够固定等离子体合成射流激励器的放电频率和相位，对不同行或者不同列的激励器进行放电能量调制，实现等离子体合成射流驻波激励；此时，假定最大的射流速度幅值为up，第i列或者第i行激励器的射流速度应设置为ui,max＝upsin(π·i/n)。
7.如权利要求5所述的基于等离子体合成射流行波驻波激励的凹腔掺混增强方法，其特征在于，在超音速凹腔流动控制中，智能等离子体合成射流阵列激励的自适应调整过程如下：
8.如权利要求7所述的基于等离子体合成射流行波驻波激励的凹腔掺混增强方法，其特征在于，如果要实现指定频率和指定速度的等离子体合成射流行波激励，需要首先根据放电能量计算出脉冲宽度，再根据激励器列数和放电周期计算出各列激励器的放电相位差；有了脉宽、相位差和频率后即得到电源系统每一个控制端口所应该施加的重频脉冲信号。