压力传感器及其成型方法和电子设备与流程

本申请属于传感，具体地，本申请涉及一种压力传感器及其成型方法和电子设备。

背景技术：

1、压阻式压力传感器具有结构尺寸小、重量轻和易集成的特点，并且拥有超高的灵敏度和分辨率。

2、而压阻式压力传感器中的压阻存在漏电的风险，压阻的漏电现象会造成压力传感器在测量时的输出发生漂移，严重影响了压力传感器的灵敏度以及测量精度。

技术实现思路

1、本申请实施例的一个目的是提供一种压力传感器及其成型方法和电子设备的新技术方案。

2、根据本申请实施例的第一方面，提供了一种压力传感器，包括：

3、支撑层；

4、敏感层，所述敏感层设置于所述支撑层的第一表面；

5、压阻件和隔离层，所述压阻件设置于所述敏感层中，所述隔离层包裹在所述压阻件上，以将所述压阻件与所述敏感层隔开。

6、可选地，所述隔离层为氧化硅隔离层。

7、可选地，所述压阻件包括多个子压阻件，多个所述子压阻件设置于所述敏感层中并形成环形结构。

8、可选地，还包括电导通件，所述电导通件连通多个所述子压阻件，所述隔离层包括多个子隔离层，每个所述子隔离层对应包裹在一个所述子压阻件上。

9、可选地，所述电导通件包括重掺引线和金属引线，所述子压阻件包括至少一个压阻；

10、所述重掺引线设置于所述子隔离层内并且连接于所述压阻的两端，所述金属引线穿设于所述子隔离层并且连接相邻所述重掺引线。

11、可选地，所述敏感层包括第一氧化硅层、单晶硅层、第二氧化硅层和氮化硅层，所述第一氧化硅层、所述单晶硅层、所述第二氧化硅层和所述氮化硅层依次贴合设置于所述支撑层的第一表面；

12、所述第一氧化硅层与所述隔离层一体成型；和/或，所述第二氧化硅层与所述隔离层一体成型。

13、可选地，所述支撑层包括支撑本体和第一空腔，所述压阻件与所述第一空腔的边缘相对；

14、所述第一空腔设置于所述支撑本体中，并具有朝向所述支撑层的第二表面的开口，所述第二表面为所述支撑层上远离所述第一表面的一侧；

15、或者，所述第一空腔贯穿所述支撑本体。

16、可选地，所述支撑层包括支撑本体和第二空腔，所述压阻件与所述第二空腔的边缘相对；

17、所述第二空腔设置于所述支撑本体内并形成真空腔体；

18、或者，所述第二空腔设置于所述支撑层中并具有位于所述支撑层的第一表面的开口。

19、根据本申请实施例的第二方面，提供了一种压力传感器的成型方法，应用于第一方面所述的压力传感器，包括：

20、在支撑层的第一表面成型第一部分敏感层；

21、在所述第一部分敏感层上设置隔离层，并且所述隔离层内围成容纳空间；

22、在所述容纳空间中成型压阻件；

23、在所述隔离层远离所述第一部分敏感层的一侧设置第二部分敏感层。

24、根据本申请实施例的第三方面，提供了一种电子设备，包括第一方面所述的压力传感器。

25、本申请的一个技术效果在于：

26、本申请实施例提供了一种压力传感器，该压力传感器包括支撑层；敏感层，敏感层设置于支撑层的第一表面；压阻件和隔离层，压阻件设置于敏感层中，隔离层包裹在压阻件上，以将压阻件与敏感层隔开，使得压阻件与敏感层和支撑层之间不会存在漏电的问题，减小了压力传感器在测量时的上电漂移，实现压力传感器对压力的准确测量。

27、通过以下参照附图对本申请的示例性实施例的详细描述，本申请的其它特征及其优点将会变得清楚。

技术特征：

1.一种压力传感器，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的压力传感器，其特征在于，所述隔离层(4)为氧化硅隔离层。

3.根据权利要求1所述的压力传感器，其特征在于，所述压阻件(3)包括多个子压阻件(31)，多个所述子压阻件(31)设置于所述敏感层(2)中并形成环形结构。

4.根据权利要求3所述的压力传感器，其特征在于，还包括电导通件(5)，所述电导通件(5)连通多个所述子压阻件(31)，所述隔离层(4)包括多个子隔离层(41)，每个所述子隔离层(41)对应包裹在一个所述子压阻件(31)上。

5.根据权利要求4所述的压力传感器，其特征在于，所述电导通件(5)包括重掺引线(51)和金属引线(52)，所述子压阻件(31)包括至少一个压阻；

6.根据权利要求1所述的压力传感器，其特征在于，所述敏感层(2)包括第一氧化硅层(21)、单晶硅层(22)、第二氧化硅层(23)和氮化硅层(24)，所述第一氧化硅层(21)、所述单晶硅层(22)、所述第二氧化硅层(23)和所述氮化硅层(24)依次贴合设置于所述支撑层(1)的第一表面；

7.根据权利要求1所述的压力传感器，其特征在于，所述支撑层(1)包括支撑本体(11)和第一空腔(12)，所述压阻件(3)与所述第一空腔(12)的边缘相对；

8.根据权利要求1所述的压力传感器，其特征在于，所述支撑层(1)包括支撑本体(11)和第二空腔(13)，所述压阻件(3)与所述第二空腔(13)的边缘相对；

9.一种压力传感器的成型方法，应用于权利要求1-8任一项所述的压力传感器，其特征在于，包括：

10.一种电子设备，其特征在于，包括权利要求1-8任一项所述的压力传感器。

技术总结
本申请提供了一种压力传感器及其成型方法和电子设备，该压力传感器包括支撑层；敏感层，敏感层设置于支撑层的第一表面；压阻件和隔离层，压阻件设置于敏感层中，隔离层包裹在压阻件上，以将压阻件与敏感层隔开，使得压阻件与敏感层和支撑层之间不会存在漏电的问题，减小了压力传感器在测量时的上电漂移，实现压力传感器对压力的准确测量。

技术研发人员：张强,陈磊,王栋杰,胡洪,周汪洋,周志健
受保护的技术使用者：歌尔微电子股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/5/16