其中该抗反射构件20是连续的，且围绕着该光电检测层12的面对着该闪烁体层18的表面上的这些像素区域16(见图1)的情况。该抗反射构件20仅需要设置在该光电检测层12的面对着该闪烁体层18的表面上的像素之间，且不限于图1中所示出的实施例。
[0086]图13是示出了本修改示例的一种光电检测器1A的示意图。如图13中所示出的，可在该光电检测层12的面对着该闪烁体层18的表面上的像素之间、在沿该表面的方向中以不连续方式来设置该抗反射构件20。除了在像素间的抗反射构件20的设置不同，该光电检测器1A与图1中所示的光电检测器10相同。
[0087]修改示例2
[0088]在图2所示出的示例中，描述了其中该抗反射构件20具有与像素之间距离相等的宽度的情况。然而，该抗反射构件20，可具有小于像素间距离的宽度。
[0089]图14是示出了本修改示例的一种光电检测器1B的示意图。如图14所示,该抗反射构件20可具有小于像素间距离(见图14中的宽度W5)的宽度(见图14中的宽度W4)。除了在像素间的该抗反射构件20的位置不同外，该光电检测器1A与图2所示的光电检测器10相同。
[0090]修改示例3
[0091]在图2所示的示例中，描述了其中在该光电检测器10的厚度方向(箭头H的方向)该抗反射构件20的位置和剖面形状使得该抗反射构件20包括对应这些APD 14的光接收表面的位置且使得剖面形状是从该位置向该闪烁体层18的矩形突起的情况。然而，在该光电检测器10的厚度的方向(见图2中箭头H的方向)该抗反射构件20的位置和剖面形状，可以是任何位置和形状，以使该抗反射构件20包括对应这些APD 14的光接收表面的区域，且不限于图2所示出的实施例。
[0092]图15是示出了本修改示例的一种光电检测器1C的示意图。如图15所示，在厚度方向(见图15中的箭头H的方向)该抗反射构件20可具有从该中间层25的一端到另一端连续的矩形形状。特定地，该抗反射构件20的厚度(见图15中在箭头H的方向的长度以及厚度H2)与该中间层25的厚度(见图14中的厚度Hl)可彼此相等。因此，该光电检测层12的第一表面与该抗反射构件20接触，且该抗反射构件20穿过该中间层25。除了在厚度方向该抗反射构件20的位置和剖面形状不同外，该光电检测器1C与图2中示出的光电检测器10相同。
[0093]图16是示出了本修改示例的光电检测器1D的示意图。如图16所示,该光电检测器1D的抗反射构件20在厚度方向(见图16中的箭头H的方向)的位置和剖面形状使得该抗反射构件20包括对应这些APD 14的光接收表面的位置，且其剖面形状是同时向该闪烁体层18和向该闪烁体层18相反的方向延伸的矩形。特定地,该光电检测层12的第一表面横穿该抗反射构件20，并由该中间层25覆盖。除了在厚度方向该抗反射构件20的位置和剖面形状不同外，该光电检测器1D与图2中所示的光电检测器10相同。
[0094]根据上面要求的至少一个实施例的光电检测器，该光电检测器包括闪烁体层、光电检测层、抗反射构件、以及中间层。该闪烁体层被配置为将辐射转换为光。该光电检测层具有面对该闪烁体层的第一表面。该光电检测层包括像素区域和以及围绕该像素区域的外围区域，该像素区域包括配置为检测光的多个光电检测设备。该像素区域以及外围区域设置在该第一表面上。该抗反射构件设置在该闪烁体层和光电检测层之间，并且与该外围区域的至少一部分相对。该抗反射构件配置为防止处于这些光电检测设备的敏感波长区域内的至少一部分光的反射。该中间层设置在该闪烁体层和光电检测层之间的该抗反射构件之外的区域内。因此，可以减少像素间的光学串扰。
[0095]虽然已经描述了特定实施例，这些实施例仅以示例的方式提出，而非为了限制本发明的范围。实际上，在此描述的新颖实施例可以各种其他形式体现；进一步地，对在此描述的实施例的形式可进行各种省略、替换和变化，而不离开本发明的精神。附随的权利要求及其等同是为了覆盖这样的，将属于本发明的范围和精神的形式或修改。
【主权项】
1.一种光电检测器，包括: 闪烁体层，被配置为将辐射转换为光； 光电检测层，具有面对所述闪烁体层的第一表面，所述光电检测层包括像素区域和围绕所述像素区域的外围区域，所述像素区域包括被配置为检测光的多个光电检测设备，所述像素区域以及所述外围区域设置在所述第一表面上； 抗反射构件，设置在所述闪烁体层和光电检测层之间，并且与所述外围区域的至少一部分相对，所述抗反射构件被配置为防止处于所述光电检测设备的敏感波长区域内的至少一部分光的反射；以及 中间层，设置在所述闪烁体层和光电检测层之间的所述抗反射构件外的区域内。
2.如权利要求1所述的光电检测器，其特征在于，所述第一表面与所述抗反射构件接触，或横穿所述抗反射构件。
3.如权利要求1所述的光电检测器，其特征在于，所述第一表面与所述抗反射构件接触，并由所述中间层覆盖。
4.如权利要求1所述的光电检测器，其特征在于 所述第一表面与所述抗反射构件接触，并且 所述抗反射构件穿过所述中间层。
5.如权利要求1所述的光电检测器，其特征在于 所述第一表面横穿所述抗反射构件，并且 所述抗反射构件由所述中间层覆盖。
6.如权利要求1所述的光电检测器，其特征在于 所述中间层包括设置为在所述闪烁体层的一侧与所述抗反射构件接触的绝缘层，并且 所述抗反射构件具有与所述绝缘层不同的折射率。
7.如权利要求6所述的光电检测器，其特征在于，所述抗反射构件具有高于所述绝缘层的折射率。
8.如权利要求1所述的光电检测器，其特征在于，所述抗反射构件相消并干涉入射到所述抗反射构件上的光。
9.如权利要求8所述的光电检测器，其特征在于，所述抗反射构件具有的光程为入射到所述抗反射构件上的光波长的1/4。
10.如权利要求1所述的光电检测器，其特征在于，所述抗反射构件吸收处于所述光电检测设备的敏感波长区域内的至少一部分光。
11.如权利要求1至10中任一的光电检测器，其特征在于 由反射构件将所述闪烁体层分为分别对应像素的区域，并且 所述抗反射构件设置在所述光电检测层的面对所述闪烁体层的表面上、与所述反射构件相对的区域内。
【专利摘要】本发明提供了一种光电检测器。根据一个实施例，一种光电检测器包括闪烁体层、光电检测层、抗反射构件、以及中间层。该闪烁体层被配置为将辐射转换为光。该光电检测层具有面对该闪烁体层的第一表面。该光电检测层包括像素区域，该像素区域包括配置为检测光的多个光电检测设备、以及围绕该像素区域的外围区域。该像素区域以及外围区域设置在该第一表面上。该抗反射构件设置在该闪烁体层和光电检测层之间，并且与该外围区域的至少一部分相对。该抗反射构件被配置为防止处于光电检测设备的敏感波长区域内的至少一部分光的反射。该中间层设置在该闪烁体层和光电检测层之间的该抗反射构件之外的区域内。
【IPC分类】G01T1-20
【公开号】CN104570041
【申请号】CN201410448591
【发明人】佐佐木启太, 长谷川励
【申请人】株式会社东芝
【公开日】2015年4月29日
【申请日】2014年9月4日
【公告号】EP2866055A1, US20150108358