拟时间曲线图400也沿采样序号轴312呈现数据并且交叉参考幅度轴314。SEE采样410呈现一系列数据点，其中参考在一时间段上的一系列测量值中获得的声发射晶体110的输出的幅度绘制所述数据点。采样之间的时间段是一致的。声发射晶体自测电路100的输出具有O和50之间的一般幅度。
[0066]应注意的是，低的1us脉冲导致类似的输出，并且从而被认为是用于评估声发射晶体110到轴承、轴承外壳或机器的附接的标称测试配置。
[0067]在第三试验中，声发射晶体自测电路100将单个480us脉冲施加到声发射晶体110。声发射晶体110根据标准耦接或附接程序耦接到测试轴承。系统记录了一系列数据点的每一个的输出幅度，其中结合线性时间空间关系记下每个数据点。所述数据被测量、记录并且然后绘制在如图6中所示的模拟时间曲线图500上。类似于模拟时间曲线图300、400，模拟时间曲线图500也沿采样序号轴312呈现数据并且交叉参考幅度轴314。SEE采样510呈现一系列数据点，其中参考在一时间段上的一系列测量值中获得的声发射晶体110的输出的幅度绘制所述数据点。采样之间的时间段是一致的。声发射晶体自测电路100的输出具有在5800和8000之间的一般幅度，其中平均值大约为6500。
[0068]在第四试验中，声发射晶体自测电路100将单个480us脉冲施加到声发射晶体110。声发射晶体110被置于开路电路中。术语开路电路指声发射晶体110从模拟采集电路100断开的情况。系统记录了一系列数据点的每一个的输出幅度，其中结合线性时间空间关系记下每个数据点。所述数据被测量、记录并且然后绘制在如图7所示的模拟时间曲线图600上。类似于模拟时间曲线图300、400、500，模拟时间曲线图600也沿采样序号轴312呈现数据并且交叉参考幅度轴314。SEE采样610呈现一系列数据点，其中参考在一时间段上的一系列测量值中获得的声发射晶体110的输出的幅度绘制所述数据点。采样之间的时间段是一致的。声发射晶体自测电路100的输出具有在O附近浮动并且稍高于O的一般幅度，其中平均值大约为600。
[0069]在第五试验中，声发射晶体自测电路100将单个480us脉冲施加到声发射晶体110。声发射晶体110被连接到电路，但是不附接于测试轴承。系统记录了一系列数据点的每一个的输出幅度，其中结合线性时间空间关系记下每个数据点。所述数据被测量、记录并且然后绘制在如图8中所示的模拟时间曲线图700上。类似于模拟时间曲线图300、400、500、600，模拟时间曲线图700也沿采样序号轴312呈现数据并且交叉参考幅度轴314。SEE采样710呈现一系列数据点，其中参考在一时间段上的一系列测量值中获得的声发射晶体110的输出的幅度绘制所述数据点。采样之间的时间段是一致的。声发射晶体自测电路100的输出具有在1300和1700之间的一般幅度，其中平均值大约为1400。
[0070]应注意的是，480us脉冲导致明显不同的输出，并且从而可以被认为是用于评估声发射晶体110到轴承、轴承外壳或机器的附接的可接受的测试配置。
[0071]使用Wilconxon SEE传感器进行相似的测试，其中在图9到11中呈现的图表中示出所述输出。
[0072]在第六试验中，声发射晶体自测电路100将单个480us脉冲施加到声发射晶体110。声发射晶体110根据标准耦接或附接程序耦接到测试轴承。系统记录了一系列数据点的每一个的输出幅度，其中结合线性时间空间关系记下每个数据点。所述数据被测量、记录并且然后绘制在如图9中所示的模拟时间曲线图800上。类似于模拟时间曲线图300、400、500、600、700，模拟时间曲线图800也沿采样序号轴312呈现数据并且交叉参考幅度轴314。SEE采样810呈现一系列数据点，其中参考在一时间段上的一系列测量值中获得的声发射晶体110的输出的幅度绘制所述数据点。采样之间的时间段是一致的。声发射晶体自测电路100的输出具有大约200的一般幅度。
[0073]在第七试验中，声发射晶体自测电路100将单个480us脉冲施加到声发射晶体110。声发射晶体110被置于开路电路中。术语开路电路指声发射晶体110从模拟采集电路100断开的情况。系统记录了一系列数据点的每一个的输出幅度，其中结合线性时间空间关系记下每个数据点。数据被测量、记录并且然后被绘制在如在图10中所示的模拟时间曲线图900上。类似于模拟时间曲线图300、400、500、600、700、800，模拟时间曲线图900也沿采样序号轴312呈现数据并且交叉参考幅度轴314。SEE采样910呈现一系列数据点，其中参考在一时间段上的一系列测量值中获得的声发射晶体110的输出的幅度绘制所述数据点。采样之间的时间段是一致的。声发射晶体自测电路100的输出具有大约200的一般幅度。
[0074]在第八试验中，声发射晶体自测电路100将单个480us脉冲施加到声发射晶体110。声发射晶体110被连接到电路，但是不附接于测试轴承。系统记录了一系列数据点的每一个的输出幅度，其中结合线性时间空间关系记下每个数据点。所述数据被测量、记录并且然后绘制在如图11中所示的模拟时间曲线图1000上。类似于模拟时间曲线图300、400、500、600、700、800、900，模拟时间曲线图1000也沿采样序号轴312呈现数据并且交叉参考幅度轴314。SEE米样1010呈现一系列数据点，其中参考在一时间段上的一系列测量值中获得的声发射晶体110的输出的幅度绘制所述数据点。采样之间的时间段是一致的。声发射晶体自测电路100的输出具有大约500的一般幅度。
[0075]尽管差别不像在第三到第五个试验中明显，但是第六到第八个试验仍然表达了对使用声发射晶体自测电路100作为合适的测试过程的支持。
[0076]总之，声发射晶体自测电路100提供了当测试嵌入的声发射晶体110时的显著的益处。声发射晶体自测电路100可以检测声发射晶体110是否从轴承连接、断开或者从模拟采集电路100完全断开。数据支持声发射晶体110的安装可以使用声发射晶体自测电路100验证的益处，这消除了使用具有信号产生器的单独的晶体或者嵌入的晶体的需要，或是对通过用含金属的物体敲击轴承、轴承固定器或机器来激励它的要求。
[0077]实验暗示了振动晶体自测电路200的结果将类似于声发射晶体自测电路100的结果。应理解的是，可以根据应用调整施加脉冲的时间段以获得合适的自测结果。
[0078]由于可以对本发明的所描述的优选实施例作出许多细节上的修改、变化和改变，所意欲的是在前述说明和在附图中所示出的所有事项被理解为示意性的而不是限制的含义。因此，本发明的范围应该由所附权利要求及其法律效力等同物确定。
[0079]参考标号描述
[0080]100声发射晶体自测电路
[0081]102电路控制器
[0082]110声发射晶体
[0083]120多工器 IC
[0084]122晶体自测输入
[0085]124前置放大增益
[0086]126信号输出
[0087]130声发射晶体获得的信号放大器
[0088]150轴承
[0089]152轴承内圈
[0090]154轴承外圈
[0091]160轴承外壳
[0092]170机器外壳
[0093]200振动晶体自测电路
[0094]202电路控制器
[0095]211振动晶体
[0096]220多工器 IC
[0097]222晶体自测输入
[0098]224前置放大增益
[0099]226信号输出
[0100]231振动晶体获得的信号放大器
[0101]250轴承
[0102]252轴承内圈
[0103]254轴承外圈
[0104]260轴承外壳
[0105]270机器外壳
[0106]300模拟时间曲线图