一种耐腐蚀温度传感器的制造方法

文档序号:9324704阅读:296来源:国知局
一种耐腐蚀温度传感器的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种温度传感器,特别是一种耐腐蚀温度传感器。
【背景技术】
[0002]温度传感器是指能感受温度并转换成可用输出信号的传感器。温度传感器是温度测量仪表的核心部分,品种繁多。按测量方式可分为接触式和非接触式两大类,按照传感器材料及电子元件特性分为热电阻和热电偶两类。
[0003]目前,普通液体温度传感器均以不锈钢或者铜材封装,堵头式外形,其特点是安装方便、防腐性强,普通液体温度传感器使用金属材料封装,从封装外表面到热敏元件隔离的层次较多、距离较远,加上金属材料的体积较大、自身吸热多。由于温度测量环境为酸、碱环境,温度传感器在酸碱环境下受到侵蚀,保护壳体会因此生锈,污染测试的环境,同时,保护壳体的更换也变得更为频繁,这不利于长期的温度观测。传统的保护壳体为不锈钢,但是在一些极端的环境中,不锈钢也会因此很快的发生生锈等需要更换,使用很不方便;结构复杂,设计不合理。

【发明内容】

[0004]本发明要解决的技术问题是:提供一种耐腐蚀温度传感器。
[0005]本发明为解决上述技术问题所采取的技术方案为:一种耐腐蚀温度传感器,包括相互连接的本体和堵头,本体由保护壳体和热敏电阻构成,热敏电阻位于保护壳体中,并通过导线引出堵头,其特征在于:所述的保护壳体由外到内包括不锈钢层、石墨层、活泼金属层和导热绝缘材料层,其中活泼金属是指比不锈钢活泼的金属。
[0006]按上述方案,所述的堵头为PPR堵头。
[0007]按上述方案,所述的导热绝缘材料层为导热硅脂。
[0008]按上述方案,所述的活泼金属层为镁层。
[0009]本发明的有益效果为:
1、通过采用本发明的保护壳体结构,不锈钢因为生锈的电子传导至镁薄片层,使得活泼金属层优先发生化学或电化学反应,降低不锈钢层的耐蚀性,同时,氧化的活泼金属层不会影响整个温度传感器的导热性;本发明结构简单、合理。
[0010]2、通过采用PPR堵头,隔热性能好,吸热量小,可以减小热传递过程中的热量损失,提高温度传感器的灵敏度。
【附图说明】
[0011]图1是本发明一实施例的结构示意图;
图2是本发明保护壳体的剖面图;
图中标号:1、本体;2、热敏电阻;3、保护壳体;4、堵头;5、导线;7、不锈钢层;8、石墨层;9、活泼金属层;10、导热绝缘材料层。
【具体实施方式】
[0012]下面结合具体实例和附图对本发明做进一步说明。
[0013]—种耐腐蚀温度传感器,如图1所示,包括相互连接的本体I和堵头4,本体I由保护壳体3和热敏电阻2构成,热敏电阻2位于保护壳体3中,并通过导线5引出堵头4,所述的保护壳体如图2所示,由外到内包括不锈钢层7、石墨层8、活泼金属层9和导热绝缘材料层10,其中活泼金属是指比不锈钢活泼的金属。
[0014]优选的,所述的堵头为PPR堵头,隔热性能好,吸热量小,可以减小热传递过程中的热量损失。
[0015]优选的,所述的导热绝缘材料层为导热硅脂。
[0016]优选的,所述的活泼金属层为镁层。
[0017]导热绝缘材料层10将热敏电阻2封装于保护壳体3之内,并将热敏电阻2隔离,所述导热绝缘材料层10为导热硅脂,不锈钢层7因为生锈的电子传导至镁层9,使得镁层9优先发生化学或电化学反应,降低不锈钢层的耐蚀性,同时,氧化的镁层不会影响整个温度传感器的导热性。
[0018]以上实施例仅用于说明本发明的设计思想和特点,其目的在于使本领域内的技术人员能够了解本发明的内容并据以实施,本发明的保护范围不限于上述实施例。所以,凡依据本发明所揭示的原理、设计思路所作的等同变化或修饰,均在本发明的保护范围之内。
【主权项】
1.一种耐腐蚀温度传感器,包括相互连接的本体和堵头,本体由保护壳体和热敏电阻构成,热敏电阻位于保护壳体中,并通过导线引出堵头,其特征在于:所述的保护壳体由外到内包括不锈钢层、石墨层、活泼金属层和导热绝缘材料层,其中活泼金属是指比不锈钢活泼的金属。2.根据权利要求1所述的一种耐腐蚀温度传感器,其特征在于:所述的堵头为PPR堵头。3.根据权利要求1所述的一种耐腐蚀温度传感器,其特征在于:所述的导热绝缘材料层为导热硅脂。4.根据权利要求1所述的一种耐腐蚀温度传感器,其特征在于:所述的活泼金属层为镁层。
【专利摘要】本发明提供一种耐腐蚀温度传感器,包括相互连接的本体和堵头,本体由保护壳体和热敏电阻构成,热敏电阻位于保护壳体中,并通过导线引出堵头,保护壳体由外到内包括不锈钢层、石墨层、活泼金属层和导热绝缘材料层,其中活泼金属是指比不锈钢活泼的金属。通过采用本发明的保护壳体结构,不锈钢因为生锈的电子传导至镁薄片层,使得活泼金属层优先发生化学或电化学反应,降低不锈钢层的耐蚀性,同时,氧化的活泼金属层不会影响整个温度传感器的导热性;本发明结构简单、合理。
【IPC分类】G01K7/22, G01K1/10, G01K1/18
【公开号】CN105043567
【申请号】CN201510407566
【发明人】徐小强, 刘欣宇
【申请人】武汉理工大学
【公开日】2015年11月11日
【申请日】2015年7月13日
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