一种脉冲式线圈测试装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及工业测试技术领域，具体涉及一种脉冲式线圈测试装置。
【背景技术】
[0002]目前，电子设备和电器设备中，通常需要采用到线圈绕组。在现有技术中，线圈绕组通常使用漆包线绕制而成，绕组的匝与匝、层与层、相与相之间都是相互绝缘的。但在绕制过程或是在使用过程中磨坏绝缘层，导致匝与匝、层与层、相与相之间的耐压能力下降，严重时可能会导致漏电甚至短路烧毁。
[0003]针对线圈绕组的测试问题，目前通常使用脉冲式线圈测试装置进行测试。但现有的脉冲式线圈测试装置耐压能力有限、测试精度低，不能有效地测出绕组的绝缘性。
【实用新型内容】
[0004]本实用新型的目的是克服现有技术的不足和缺陷，提供一种耐压能力好的脉冲式线圈测试装置。
[0005]本实用新型的目的是通过以下技术方案来实现的:
[0006]—种脉冲式线圈测试装置，包括依次信号连接的程控升压模块、升压变压器、储能电容、放电开关阵列、被测线圈、波形调整模块、AD采集模块及中央处理器，所述程控升压模块及放电开关阵列还分别与中央处理器信号连接，所述放电开关阵列包括两个以上串联连接的单向可控硅及与单向可控硅信号连接的触发变压器，所述触发变压器输出绕组的个数与单向可控硅的个数相同且一一对应。本实用新型采用两个以上的串联连接的单向可控硅，大大提高了测试装置的耐压能力。
[0007]作为优选，所述放电开关阵列的每一单向可控硅分别并联有高压电阻，用于均衡加载在单向可控硅两端的反向高压，防止漏电小的可控硅被反向高压击穿。
[0008]作为优选，所述放电开关阵列的每一单向可控硅分别并联有压敏电阻，对高压浪涌电压进行钳位，对可控硅进行保护。
[0009]作为优选，所述放电开关阵列的单向可控硅数量为6个，所述单向可控硅的耐压值为1600V，通过采用6个耐压值为1600V的单向可控硅串联连接，使测试装置的耐压值达到9600Vo
[0010]作为优选，所述波形调整模块包括依次信号连接的幅度切换电路、加法电路及缓冲驱动电路，幅度切换电路的输入端与被测线圈的输出端连接，缓冲驱动电路的输出端与AD采集模块的输入端连接，所述幅度切换电路根据冲击电压选择不同的幅度档位，得到合适的量程，使后续的AD采集模块得到合适精度的波形数据;进行幅度切换后的电压信号经加法电路进行抬升。
[0011]作为优选，所述加法电路包括加法器U32B、电阻R120及电阻R123，加法器U32B的输入端的基准电压为2V，加法电路将进行幅度切换后的电压信号升压到0-4V范围内，保证AD采集模块采集电压信号的时候不溢出。
[0012]本实用新型相比现有技术包括以下优点及有益效果:
[0013]本实用新型采用两个以上的串联连接的单向可控硅，大大提高了测试装置的耐压能力，同时在每一单向可控硅并联有高压电阻，用于均衡加载在单向可控硅两端的反向高压，防止漏电小的可控硅被反向高压击穿，还将每一单向可控硅分别并联有压敏电阻，对高压浪涌电压进行钳位，对可控硅进行保护。
【附图说明】
[0014]图1为本实用新型实施例的原理框图；
[0015]图2为本实施例放电开关阵列的电路原理图；
[0016]图3为本实施例波形调整模块的电路原理图；
[0017]图4为本实施例AD采集模块的电路原理图。
【具体实施方式】
[0018]下面结合实施例及附图对本实用新型作进一步详细的描述，但本实用新型的实施方式不限于此。
[0019]实施例
[0020]如图1所示，一种脉冲式线圈测试装置，包括依次信号连接的程控升压模块、升压变压器、储能电容、放电开关阵列、被测线圈、波形调整模块、AD采集模块及中央处理器。所述程控升压模块及放电开关阵列还分别与中央处理器信号连接，所述程控升压模块根据其所接收的控制指令驱动升压变压器升压至所需的电压值给储能电容进行充电，充满电后中央处理器控制放电开关阵列的开关闭合，储能电容通过放电开关阵列向被测线圈放电冲击，冲击的过程将产生一个放电和震荡的波形，该波形经波形调整模块调整后由AD采集模块采集进行采集，并将采集结果传输至中央处理器，中央处理器根据所接收的波形的形状、面积、和频率判断被测线圈是否存在破损或漏电。
[0021]所述放电开关阵列包括两个以上串联连接的单向可控硅及与单向可控硅信号连接的触发变压器，所述触发变压器输出绕组的个数与单向可控硅的个数相同且一一对应。如图2所示，在本实施例中，所述放电开关阵列的单向可控硅数量为6个，所述单向可控硅的耐压值为1600V，通过采用6个耐压值为1600V的单向可控硅串联连接，使测试装置的耐压值达到9600V，大大提高了测试装置的耐压能力。所述触发变压器输出绕组的个数也为6个，与单向可控硅的数目相同，并分别与单向可控硅--对应。
[0022]如图2所示，在本实施例中，所述放电开关阵列的每一单向可控硅分别并联有高压电阻，用于均衡加载在单向可控硅两端的反向高压，防止漏电小的可控硅被反向高压击穿。所述放电开关阵列的每一单向可控硅还分别并联有压敏电阻，对高压浪涌电压进行钳位，对可控硅进行保护。
[0023]如图3所示，在本实施例中，所述波形调整模块包括依次信号连接的幅度切换电路、加法电路及缓冲驱动电路，幅度切换电路的输入端与被测线圈的输出端连接，缓冲驱动电路的输出端与AD采集模块的输入端连接，所述幅度切换电路根据冲击电压选择不同的幅度档位，从而得到合适的量程，使后续的AD采集模块得到合适精度的波形数据;进行幅度切换后的电压信号经加法电路进行抬升。所述加法电路包括加法器U32B、电阻R120及电阻R123，加法器U32B的输入端的基准电压为2V，加法电路将进行幅度切换后的电压信号升压到0-4V范围内，保证AD采集模块采集电压信号的时候不溢出。
[0024]如图4所示，在本实施例中，所述AD采集模块采用AD9226的12位高速ADC芯片。AD9226芯片将所采集的数据存储在其内部的RAM中，采集完成后再通过SPI端口传输至中央处理器。中央处理器可根据实际需要将采集数据及测试结果打包上传给上位机完成一个冲击测试过程。
[0025]以上所述实施例仅表达了本实用新型的实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本实用新型专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本实用新型的保护范围。因此，本实用新型专利的保护范围应以所附权利要求为准。
【主权项】
1.一种脉冲式线圈测试装置，其特征在于，包括依次信号连接的程控升压模块、升压变压器、储能电容、放电开关阵列、被测线圈、波形调整模块、AD采集模块及中央处理器，所述程控升压模块及放电开关阵列还分别与中央处理器信号连接，所述放电开关阵列包括两个以上串联连接的单向可控硅及与单向可控硅信号连接的触发变压器，所述触发变压器输出绕组的个数与单向可控硅的个数相同且--对应。2.根据权利要求1所述的脉冲式线圈测试装置，其特征在于:所述放电开关阵列的每一单向可控硅分别并联有高压电阻。3.根据权利要求1所述的脉冲式线圈测试装置，其特征在于:所述放电开关阵列的每一单向可控硅分别并联有压敏电阻。4.根据权利要求1所述的脉冲式线圈测试装置，其特征在于:所述放电开关阵列的单向可控硅数量为6个。5.根据权利要求1至4任一项所述的脉冲式线圈测试装置，其特征在于:所述波形调整模块包括依次信号连接的幅度切换电路、加法电路及缓冲驱动电路，幅度切换电路的输入端与被测线圈的输出端连接，缓冲驱动电路的输出端与AD采集模块的输入端连接。6.根据权利要求5所述的脉冲式线圈测试装置，其特征在于:所述加法电路包括加法器U32B、电阻R120及电阻R123，加法器U32B的输入端的基准电压为2V。
【专利摘要】本实用新型涉及一种脉冲式线圈测试装置，包括依次信号连接的程控升压模块、升压变压器、储能电容、放电开关阵列、被测线圈、波形调整模块、AD采集模块及中央处理器，所述程控升压模块及放电开关阵列还分别与中央处理器信号连接，所述放电开关阵列包括两个以上串联连接的单向可控硅及与单向可控硅信号连接的触发变压器，所述触发变压器输出绕组的个数与单向可控硅的个数相同且一一对应。本实用新型采用两个以上的串联连接的单向可控硅，大大提高了测试装置的耐压能力。
【IPC分类】G01R31/12
【公开号】CN205176197
【申请号】CN201520869895
【发明人】闵世像, 谭春风
【申请人】广州开元电子科技有限公司
【公开日】2016年4月20日
【申请日】2015年11月2日