一种快速石蜡脱水装置的制造方法
【技术领域】
[0001 ]本实用新型属于病理技术领域，具体涉及一种快速石蜡脱水装置。
【背景技术】
[0002]现有技术的病理标本在脱水过程中往往要经过多种有挥发气体的试剂(酒精;二甲苯等)处理后，再浸入石蜡中进行包埋。在标本中残留的这些易挥发试剂不可避免的带进被加热的液体石蜡中，极大地影响了石蜡的纯度和下一批次标本的处理效果。也有用敞开处理缸盖的方式，让这些气体自然挥发，来减少石蜡中的试剂成分。但这些挥发性气体大多对人体有害，使操作人员身体健康受到损害，环境受到污染。
【实用新型内容】
[0003]本实用新型为了弥补现有技术的缺陷，提供了一种节省试剂，减少易挥发气体对操作人员身体损害和环境污染的快速石蜡脱水装置。
[0004]本实用新型是通过如下技术方案实现的:
[0005]一种快速石蜡脱水装置，包括箱体、试剂储存腔和样品操作腔，所述箱体内设有试剂储存腔和样品操作腔，试剂储存腔内设有试剂储存罐，样品操作腔内底部设有操作平台，操作平台上设有样品座，样品座上设有样品罐，样品罐上设有活塞盖，活塞杆通过连接杆和旋转轴与样品操作腔的墙壁连接，所述试剂储存腔一侧设有流量控制阀，流量控制阀通过导液管穿过活塞盖与样品操作腔内的样品罐连通，所述箱体一侧设有控制器，试剂储存罐位于箱体外侧设有液位计和加液口。
[0006]进一步，所述样品操作腔上通过合页设有腔门，腔门上设有把手，腔门通过反弹自锁器与样品操作腔扣合锁紧。
[0007]本实用新型的有益效果是:本实用新型一种快速石蜡脱水装置能够节省试剂，通过流量控制阀精确控制试剂流量，样品罐位于样品操作腔内，减少易挥发气体对操作人员身体损害和环境污染，结构简单，操作方便快捷，省时省力。
【附图说明】
[0008]下面结合附图对本实用新型作进一步的说明。
[0009]附图1为本实用新型的结构示意图。
[0010]图中，I箱体，2试剂储存腔，3样品操作腔，4试剂储存罐，5加液口，6操作平台，7样品座，8样品罐，9腔门，10合页，11把手，12控制器，13液位计，14流量控制阀，15旋转轴，16连接杆，17活塞盖，18导液管，19反弹自锁器。
【具体实施方式】
[0011]附图1为本实用新型的一种具体实施例。该实用新型一种快速石蜡脱水装置，包括箱体1、试剂储存腔2和样品操作腔3，所述箱体I内设有试剂储存腔2和样品操作腔3，试剂储存腔2内设有试剂储存罐4，样品操作腔3内底部设有操作平台6，操作平台6上设有样品座7，样品座7上设有样品罐8，样品罐8上设有活塞盖17，活塞杆通过连接杆16和旋转轴15与样品操作腔3的墙壁连接，所述试剂储存腔2—侧设有流量控制阀14，流量控制阀14通过导液管18穿过活塞盖17与样品操作腔3内的样品罐8连通，所述箱体I 一侧设有控制器12，试剂储存罐4位于箱体I外侧设有液位计13和加液口 5。
[0012]进一步，所述样品操作腔3上通过合页10设有腔门9，腔门9上设有把手11，腔门9通过反弹自锁器19与样品操作腔3扣合锁紧。
[0013]本实用新型不局限于上述实施方式，任何人应得知在本实用新型的启示下作出的与本实用新型具有相同或相近的技术方案，均落入本实用新型的保护范围之内。
[0014]本实用新型未详细描述的技术、形状、构造部分均为公知技术。
【主权项】
1.一种快速石蜡脱水装置，其特征在于，包括箱体、试剂储存腔和样品操作腔，所述箱体内设有试剂储存腔和样品操作腔，试剂储存腔内设有试剂储存罐，样品操作腔内底部设有操作平台，操作平台上设有样品座，样品座上设有样品罐，样品罐上设有活塞盖，活塞杆通过连接杆和旋转轴与样品操作腔的墙壁连接，所述试剂储存腔一侧设有流量控制阀，流量控制阀通过导液管穿过活塞盖与样品操作腔内的样品罐连通，所述箱体一侧设有控制器，试剂储存罐位于箱体外侧设有液位计和加液口。2.根据权利要求1所述的一种快速石蜡脱水装置，其特征是:所述样品操作腔上通过合页设有腔门，腔门上设有把手，腔门通过反弹自锁器与样品操作腔扣合锁紧。
【专利摘要】本实用新型属于病理技术领域，具体涉及一种快速石蜡脱水装置。该快速石蜡脱水装置，包括箱体、试剂储存腔和样品操作腔，所述箱体内设有试剂储存腔和样品操作腔，试剂储存腔内设有试剂储存罐，样品操作腔内底部设有操作平台，操作平台上设有样品座，样品座上设有样品罐，样品罐上设有活塞盖，活塞杆通过连接杆和旋转轴与样品操作腔的墙壁连接，所述试剂储存腔一侧设有流量控制阀，流量控制阀通过导液管穿过活塞盖与样品操作腔内的样品罐连通，所述箱体一侧设有控制器，试剂储存罐位于箱体外侧设有液位计和加液口。其有益效果是：减少易挥发气体对操作人员身体损害和环境污染，结构简单，操作方便快捷，省时省力。
【IPC分类】G01N1/28
【公开号】CN205333377
【申请号】CN201620052147
【发明人】郅辉
【申请人】郅辉
【公开日】2016年6月22日
【申请日】2016年1月20日