专利名称：高精度数字式温控器的制作方法
技术领域：
高精度数字式温控器技术领域[0001]本实用新型涉及温控器，特别是一种高精度数字式温控器，主要用于半导体激光器的精确温度控制，如激光二极管(LD)、恒温晶体、恒温激光腔等。技术背景[0002]在半导体激光器中，激光二极管、激光腔体和晶体等的许多关键参数都与温度有着密切的关系，如激光二极管输出的中心波长、阈值电流和效率等；激光腔体受温度不同而引起的变形直接影响激光腔的稳定性，严重的会引起激光腔失调，导致功率衰减；晶体的吸收效率与其温度更是有直接的关系，温度不同，晶体的匹配角度就会发生变化，导致激光输出功率不稳定。因此，在实际应用中，总是期望激光二极管、激光腔体和晶体有尽可能稳定的温度。[0003]目前应用于半导体激光器中的温控器，都是基于专用的温控集成芯片，如 MAX1968，这种温控器无法对温度进行非线性校正，稳定性不高，温度漂移大。[0004]也有数字式温度控制器，如欧姆龙E5系列温控器，该控制器对热敏电阻采用电阻网络进行放大和模数转换，采样信号容易因采样电路的噪声导致存在误差；通过调整半导体制冷片(TE)的电流大小调整目标温度，温度调整滞后性大；接口基本采用RS232或 RS485，而且仅用于参数设置，无法实时传送温度值、输出量和故障原因，不利于分布式组网控制。[0005]传统的温控器只能实现1个环路的控制，如有2个以上的控制点，就必须增加更多的温控器，大大增加了激光器的体积和成本。发明内容[0006]本实用新型的目的在于克服上述现有技术的不足，提供一种高精度数字式温控器，该温控器具有单向/双向温度控制功能，能适应全系列温度传感器；并集成有实时通讯功能，支持软件在线升级，控温精度高等特点。[0007]本实用新型的技术解决方案如下[0008]一种高精度数字式温控器，特点在于其构成包括嵌入式处理器，该嵌入式处理器包含ι个数据处理模块和多个PWM脉宽调制发生器，具有CAN总线，多个IO接口、多个捕捉端口和多个PWM输出端口，该嵌入式处理器连接有一个以上的第一控制回路或/和第二控制回路。[0009]所述的第一该控制回路由温度测量电路、半导体制冷片驱动电路、半导体制冷片驱动电路和直流风机构成，所述的温度测量电路、半导体制冷片驱动电路和第一直流风机都与所述的嵌入式处理器相连接，所述的半导体制冷片驱动电路的另一端与所述的半导体制冷片相连接，所述的温度测量电路与第一直流风机相连，所述的和半导体制冷片的另一端与控制对象连接。[0010]所述的第二控制回路由温度测量电路、半导体制冷片驱动电路和半导体制冷片构成，所述的温度测量电路和半导体制冷片驱动电路都与所述的嵌入式处理器相连接，所述的半导体制冷片驱动电路的另一端与所述的半导体制冷片相连接，所述的半导体制冷片的另一端与控制对象连接。[0011]所述的温度测量电路的构成和连接关系如下[0012]该温度测量电路中第一电容的一端和所述的控制对象内部的热敏电阻的一端连接后与运算放大器的反相端相连；所述的控制对象的热敏电阻的另一端、第四电阻的一端、 第二电容的一端、运算放大器的输出端的节点与所述的嵌入式处理器的CCPO相连接；第四电阻的另一端、第二电阻的一端、第三电阻的一端组成节点与所述的运算放大器的同相输入端相连接，该运算放大器的电源端与3. 3V电源相连接，运算放大器接地端接地；第三电容接在3. 3V电源和地之间，所述的第二电阻的另一端接3. 3V电源；所述的第一电容、第二电容、第三电容和第三电阻的另一端接地。[0013]所述的半导体制冷片驱动电路包括一个芯片，该电路的构成和连接关系如下[0014]所述的芯片的RESET端和第二十九电阻的一端相连后与所述的嵌入式处理器的 PB4端相连接；芯片的PWMH端、第三十电阻的一端连接组成节点与所述的嵌入式处理器的 PWMO端相连接；芯片的PHASE、第三十一电阻的一端组成节点与所述的嵌入式处理器的PB5 相连接；芯片的FF1、第二十五电阻的一端组成节点与所述的嵌入式处理器的PB6相连接； 芯片的FF2、第二十六电阻的一端组成节点与所述的嵌入式处理器的PB7相连接；第二十七电阻的一端、第二十八电阻的一端组成节点与芯片的VDSTH相连接；第二十五电阻的另一端、第二十六电阻的另一端、第二十七电阻的另一端、芯片的PWML端组成节点与芯片的V5 端相连接；第三十二电阻的一端与芯片的RDEAD相连接，该第三十二电阻的另一端接地；第十三电容接在芯片的CPl端和CP2端之间；芯片的VREG端与第十二电容的一端相连接，该第十二电容的另一端接地；第十电容的“ + ”端、第十一电容的一端、芯片的VBB端组成节点与+12V电源相连接；第十电容的另一端、第十一电容的另一端、第十二电容的另一端、第十四电容的一端、第二十八电阻的另一端、第二十九电阻的另一端、第三十电阻的另一端、 第三十一电阻的另一端、第三十二电阻的另一端、芯片的SR端、芯片的GND端分别与电源地相连接；芯片的GHA端与第一场效应管的G端相连接；芯片的GHB端与第二场效应管的G 端相连接；芯片的GLA端与第三场效应管的G端相连接；芯片的GLB端与第四场效应管的G 端相连接；第十五电容的一端与芯片的CA端相连接；第十六电容的一端与芯片的CB端相连接；所述的第十五电容的另一端、第一场效应管的S端、第二场效应管的D端、芯片的SA 端组成节点与所述的半导体制冷片的+端相连接；第十六电容的另一端、第二场效应管的S 端、第四场效应管的D端，芯片的SB端组成节点与所述的半导体制冷片的-端相连接；第一场效应管的D端、第二场效应管的D端、第十七电容的+端、第十八电容的+端、第十九电容的+端、芯片的VDRAIN端组成节点与VTE电源相连接；第三场效应管的S端、第四场效应管的S端、第十七电容的-端、第十八电容的-端、第十九电容的-端、芯片的LSS端组成节点与VTE电源的地相连接。[0015]所述的嵌入式处理器的CAN总线接有隔离型CAN( "Controller Area Network", 简称“CAN”)通讯模块。[0016]所述的控制对象为半导体激光器，或激光二极管，或激光腔体，或激光发热晶体， 或需要控温其他发热物体。[0017]本实用新型的技术效果[0018]本实用新型具有单向/双向温度控制功能、实时通讯功能，支持软件在线升级和控温精度高等特点；[0019]本实用新型所有的参数和传感器的校准都是通过数字化设置，不需要去调整电位器。可用于半导体激光器，或激光腔体，或激光发热晶体，或需要控温其他物体的精确温度控制。[0020]本实用新型用于激光二极管的风冷系统和激光器恒温腔体中，试验表明运行非常稳定可靠，实际控制稳定度达到士0.01°C。
[0021]图1本实用新型高精度数字式温控器一个具体实施例的结构框图[0022]图中1-隔离型CAN通讯模块，2-嵌入式处理器，3-温度测量电路，4-半导体制冷片驱动电路，5-半导体制冷片，6-温度测量电路，7-半导体制冷片驱动电路，8-半导体制冷片，9-温度测量电路，10-半导体制冷片驱动电路，11-半导体制冷片，12-风机，13-激光二极管，14-风机，15-激光腔体，16-倍频晶体[0023]图2是本实用新型温度测量电路3的电路图[0024]图3是本实用新型半导体制冷片驱动电路[0025]图4是本实用新型嵌入式处理器2的端口示意图[0026]图5是本实用新型高精度数字式温控器工作流程图具体实施方式
[0027]下面结合实施例和附图对本实用新型作进一步说明，但不应以此限制本实用新型的保护范围。[0028]先请参阅图1，图1本实用新型高精度数字式温控器一个具体实施例的结构框图， 该实施例包括3路温控环路和2个风机检测的温控器，半导体制冷片最大电压^V，最大电流30A。图中1-隔离型CAN通讯模块，2-嵌入式处理器，3-温度测量电路，4-半导体制冷片驱动电路，5-半导体制冷片，6-温度测量电路，7-半导体制冷片驱动电路，8-半导体制冷片，9-温度测量电路，10-半导体制冷片驱动电路，11-半导体制冷片，12-风机，13-激光二极管，14-风机，15-激光腔体，16-倍频晶体。其中第一路温控环路和第二路温控环路属于第一类温控环路，其构成是由温度测量电路3、半导体制冷片驱动电路4、半导体制冷片驱动电路5和直流风机12构成，所述的温度测量电路3、半导体制冷片驱动电路4和第一直流风机12都与所述的嵌入式处理器2相连接，所述的半导体制冷片驱动电路4的另一端与所述的半导体制冷片5的控制端相连接，所述的温度测量电路3与第一直流风机12相连，所述的半导体制冷片5的一端与控制对象13连接，该控制对象13为激光晶体。[0029]第二路温控环路由由温度测量电路6、半导体制冷片驱动电路7、半导体制冷片驱动电路8和直流风机14构成，15为控制对象激光腔体，连接关系同第一路温控环路。[0030]所述的第三路温控环路是第二类温控环路，第三控制回路由温度测量电路9、半导体制冷片驱动电路10和半导体制冷片11构成，所述的温度测量电路9和半导体制冷片驱动电路10都与所述的嵌入式处理器2相连接，所述的半导体制冷片驱动电路10的另一端与所述的半导体制冷片11相连接，所述的半导体制冷片11的另一端与控制对象16连接， 该控制对象16为倍频晶体。[0031]所述的嵌入式处理器2采用TI公司的LM3S^65芯片，该芯片包含1个单指令周期的硬件乘法器和一个除法器，并具有丰富的接口，包括12位ADC，CAN总线，工作频率为 50Mhz,内含6个16位PWM脉宽调制发生器。图4是本实用新型嵌入式处理器2的端口示意图。[0032]图2是本实用新型采用的温度测量电路3的电路图，图中，运算放大器A采用低压差精密运算放大器TS1852ID，述的温度测量电路3的构成和连接关系如下[0033]第一电容Cl的一端和所述的控制对象13内部的热敏电阻Rl的一端连接后与运算放大器A的反相端相连；所述的控制对象13的热敏电阻Rl的另一端、第四电阻R4的一端、第二电容C2的一端、运算放大器A的输出端的节点与所述的嵌入式处理器2的CCPO相连接；第四电阻R4的另一端、第二电阻R2的一端、第三电阻R3的一端组成节点与所述的运算放大器A的同相输入端相连接，运算放大器A的电源端与3. 3V电源相连接，运算放大器 A接地端接地；第三电容C3接在3. 3V电源和地之间，所述的第二电阻R2的另一端接3. 3V 电源；所述的第一电容Cl、第二电容C2、第三电容C3和第三电阻R3的另一端接地。调控对象13的温度传感器的热敏电阻Rl两端接运放TS1852ID的“VIN-”和“V0UT”管脚，“V0UT” 连接至Ij LM3S2965 的 CCPO 口。[0034]图3是本实用新型半导体制冷片驱动电路，图中H桥的驱动芯片U3采用Allegro 的A3941，H桥采用四只IRF的N沟道场效应管IRLR8743PBF。所述的半导体制冷片驱动电路4包括一个芯片U3，该电路的构成和连接关系如下[0035]所述的芯片U3的RESET端和第二十九电阻R29的一端相连后与所述的嵌入式处理器2的PB4端相连接；芯片U3的PWMH端、第三十电阻R30的一端连接组成节点与所述的嵌入式处理器2的PWMO端相连接；芯片U3的PHASE、第三十一电阻R31的一端组成节点与所述的嵌入式处理器2的PB5相连接；芯片U3的FF1、第二十五电阻R25的一端组成节点与所述的嵌入式处理器2的PB6相连接；芯片U3的FF2、第二十六电阻R26的一端组成节点与所述的嵌入式处理器2的PB7相连接；第二十七电阻R27的一端、第二十八电阻似8的一端组成节点与芯片U3的VDSTH相连接；第二十五电阻R25的另一端、第二十六电阻似6 的另一端、第二十七电阻R27的另一端、芯片U3的PWML端组成节点与芯片U3的V5端相连接；第三十二电阻R32的一端与芯片U3的RDEAD相连接，该第三十二电阻R32的另一端接地；第十三电容C13接在芯片U3的CPl端和CP2端之间；芯片U3的VREG端与第十二电容C12的一端相连接，该第十二电容C12的另一端接地；第十电容ClO的“ + ”端、第十一电容Cll的一端、芯片U3的VBB端组成节点与+12V电源相连接；第十电容ClO的另一端、第十一电容Cll的另一端、第十二电容C12的另一端、第十四电容C14的一端、第二十八电阻似8的另一端、第二十九电阻似9的另一端、第三十电阻R30的另一端、第三十一电阻R31的另一端、第三十二电阻R32的另一端、芯片U3的SR端、芯片U3的GND端分别与电源地相连接；芯片U3的GHA端与第一场效应管Ql的G端相连接；芯片U3的GHB端与第二场效应管 Q2的G端相连接；芯片U3的GLA端与第三场效应管Q3的G端相连接；芯片U3的GLB端与第四场效应管Q4的G端相连接；第十五电容C15的一端与芯片U3的CA端相连接；第十六电容C16的一端与芯片U3的CB端相连接；所述的第十五电容C15的另一端、第一场效应管Ql的S端、第二场效应管Q2的D端，芯片U3的SA端组成节点与所述的半导体制冷片5 的+端相连接；第十六电容C16的另一端、第二场效应管Q2的S端、第四场效应管Q4的D 端，芯片U3的SB端组成节点与所述的半导体制冷片5的-端相连接；第一场效应管Ql的 D端、第二场效应管Q2的D端、第十七电容C17的+端、第十八电容C18的+端、第十九电容C19的+端、芯片U3的VDRAIN端组成节点与电源VTE相连接；第三场效应管Q3的S端、 第四场效应管Q4的S端、第十七电容C17的-端、第十八电容C18的-端、第十九电容C19 的-端、芯片U3) LSS端组成节点与电源VTE的地相连接。[0036]针对本实施例还可以具体说明如下[0037]5为半导体制冷片，13为调控对象，调控对象13的温度传感器的两端接运放 TS1852ID 的 “VIN-” 和 “V0UT” 管脚，“V0UT” 连接到 LM3S2965 的 CCPO 口，LM3S2965 的 PWM 输出端口“PWM0”连接到 A3941 的“PWMH”，A3941 的“PWML”连接至lj“+5V”，LM3S^65 的 IO 口 PB3接A3941的“PHASE”，A3941的“GHA”连接到H桥的第一 N沟道场效应管的“G”，“GHB，， 连接到H桥的H桥的第二 N沟道场效应管的“G”，“GLA”连接到H桥的H桥的第三N沟道场效应管的“G”，“GLB”连接到H桥的H桥的第四N沟道场效应管的“G”，4的第一 N沟道场效应管的“D”和第二 N沟道场效应管的“D”组成节点连接到VDD电源端，4的第三N沟道场效应管的“S”和第四N沟道场效应管的“S”组成节点连接到地，3 A3941 “SA”和4的第一 N 沟道场效应管的“S”和第三N沟道场效应管的“D”组成节点连接到半导体制冷片5的“ + ” 极，A3941的“SB”和4的第二 N沟道场效应管的“S”和第四N沟道场效应管的“D”组成节点连接到半导体制冷片5的“_”极。[0038]H-桥驱动芯片采用Allegro的A3941，该芯片内部具有欠压保护、过压保护、高温保护和输出短路保护，通过A3941中的“FF1”和“FF2”反馈给LM3S^65，如果发生故障， LM3S2965的PWM不输出，保护电路的电子器件。[0039]采用周立功的隔离CAN总线模块CTM8250T和LM3S^65的CANOTX脚和CANORX 脚相连，本控制器的预设电流，当前实际电流等数据均通过CTM8250T输入和输出，也可以通过该接口来改变本控制器的工作模式，在发生故障时，本控制器可以作为主机通过 CTM8250T立即发送出去，供激光器中的其他设备读取或显示。[0040]图5是本实用新型高精度数字式温控器工作流程图，包括两个主要程序升级程序和应用程序。[0041]本实用新型高精度数字式温控器上电之后，根据内部存储器(FLASH)保存的应用程序标志和应用程序的大小及校验码，如果无应用程序，则执行升级程序，否则根据应用程序大小和代码计算校验码，校验码不正确，执行升级程序，校验码正确，执行应用程序。[0042]升级程序等待CAN总线上是否有升级命令到达，如果有升级命令到达，开始升级程序，升级完后校验新程序，然后置应用程序标志，自动重新启动。[0043]应用程序是一个多任务的实时控制程序，主要包括温控程序、故障监测程序、通讯程序。[0044]执行应用程序时，开始初始化嵌入式处理器2的各个端口，然后初始化多任务，加载3个并行处理的任务温控程序任务、故障监测程序任务和通讯程序任务；[0045]温控程序任务是通过采集图1中温度测量电路3的频率信号，获得当前被控对象激光二极管(简称LD) 13和激光腔体(简称LH) 15和倍频晶体(SHG) 16的温度，如果无法获取温度，置温度故障标志，供故障监测程序和通讯程序使用，通过嵌入式处理器2内部 FLASH保存的报警温度确定其温度是否超过极限工作温度，如果超过，置温度传感器故障标志供故障监测程序和通讯程序使用，否则根据嵌入式处理器内部FLASH保存的“预设温度” 处理数据，计算出半导体制冷片5控制所需的脉宽调制信号值，判断是否有温度故障、驱动器故障和风机故障，如有故障，则关闭脉宽调制信号，否则产生脉宽调制信号，输出到图1 中半导体制冷片驱动电路驱动相应的半导体制冷片，控制LD、LH或SHG的温度，执行完后延时调控周期(20us)，循环执行温控程序任务。[0046]故障监测程序任务是监测是否有故障发生，包括TE驱动器故障检测、温度故障标志监测和风机故障检测。首先监测图1中半导体制冷片驱动电路4连接到嵌入式处理器 2的两根信号线"FFl，，和“FF2”，若FFl为低电平“0”及FF2为低电平“0”表示无故障，否则根据FFl和FF2组合的逻辑值判定故障“01”表示输出场效应管有短路，“10”表示驱动芯片温度过高，“ 11 ”表示驱动芯片电压过低。如果驱动电路有故障，置驱动器故障标志，供温控程序任务和通讯程序任务使用，接着执行风机故障检测，通过测量嵌入式处理器2和直流风机12转速信号线相连的端口，如果该端口没有脉冲，表示风机发生故障，置风机故障标志，供温控程序任务和通讯程序任务使用，否则根据测得的频率计算出风机的转速供通讯程序任务使用。执行完后延时监测周期OOus)延时，循环执行故障监测程序任务。[0047]通讯程序任务负责本温控器和半导体激光器的其它设备进行数据交换，首先检测温控程序任务和故障监测程序任务中是否有故障标志，如有，则通过广播码(OxFF)发送给所有挂机在CAN总线的设备，通知其它设备执行相应的紧急故障处理。接着监测是否有其它设备呼叫本机，没有则进入通讯任务延时周期(5ms)，如果有，根据接受到的命令判别是否设置参数，如预设温度等，是，则保存参数到嵌入式处理器2的FLASH中，并更新执行新参数，否则判断是否为查询数据，如当前温度，风机转速等，是，则发送需要查询的参数，否则执行通讯任务周期(5ms)延时，循环执行通讯程序任务。
权利要求1.一种高精度数字式温控器，特征在于其构成包括嵌入式处理器O)，该嵌入式处理器( 包含1个数据处理模块和多个PWM脉宽调制发生器，具有CAN总线，多个IO接口、和多个捕捉端口和多个PWM输出端口，该嵌入式处理器( 接有一个以上的第一类控制回路或/和第二类控制回路。
2.根据权利要求1所述的高精度数字式温控器，其特征在于所述的第一类控制回路由温度测量电路(3)、半导体制冷片驱动电路0)、半导体制冷片( 和直流风机(1 构成， 所述的温度测量电路(3)、半导体制冷片驱动电路⑷和第一直流风机(12)都与所述的嵌入式处理器( 相连接，所述的半导体制冷片驱动电路的另一端与所述的半导体制冷片(5)的控制端相连接，所述的温度测量电路(3)与第一直流风机(12)相连，所述的半导体制冷片(5)的一端与控制对象(1 连接。
3.根据权利要求2所述的高精度数字式温控器，其特征在于所述的第二类控制回路由温度测量电路、半导体制冷片驱动电路和半导体制冷片构成，所述的温度测量电路和半导体制冷片驱动电路都与所述的嵌入式处理器相连接，所述的半导体制冷片驱动电路的另一端与所述的半导体制冷片相连接，所述的半导体制冷片的另一端与控制对象连接。
4.根据权利要求2或3所述的高精度数字式温控器，其特征在于所述的温度测量电路 (3)的构成和连接关系如下第一电容(Cl)的一端和所述的控制对象(1 内部的热敏电阻(Rl)的一端连接后与运算放大器㈧的反相端相连；所述的控制对象(13)的热敏电阻(Rl)的另一端、第四电阻 (R4)的一端、第二电容(以)的一端、运算放大器(A)的输出端的节点与所述的嵌入式处理器O)的CCPO相连接；第四电阻(R4)的另一端、第二电阻(R2)的一端、第三电阻(R3)的一端组成节点与所述的运算放大器(A)的同相输入端相连接，运算放大器(A)的电源端与 3. 3V电源相连接，运算放大器(A)接地端接地；第三电容(O)接在3. 3V电源和地之间，所述的第二电阻(R2)的另一端接3. 3V电源；所述的第一电容(Cl)、第二电容(C2)、第三电容 (C3)和第三电阻(R3)的另一端接地。
5.根据权利要求2或3所述的高精度数字式温控器，其特征在于所述的半导体制冷片驱动电路(4)包括一个芯片(U3)，该电路的构成和连接关系如下所述的芯片(U； )的RESET端和第二十九电阻(似9)的一端相连后与所述的嵌入式处理器的PB4端相连接；芯片(U3)的PWMH端、第三十电阻(R30)的一端连接组成节点与所述的嵌入式处理器的PWMO端相连接；芯片(U3)的PHASE、第三i^一电阻(R31) 的一端组成节点与所述的嵌入式处理器的PB5相连接；芯片(U3)的FF1、第二十五电阻(R25)的一端组成节点与所述的嵌入式处理器的PB6相连接；芯片(U3)的FF2、第二十六电阻(R26)的一端组成节点与所述的嵌入式处理器的PB7相连接；第二十七电阻(R27)的一端、第二十八电阻(似8)的一端组成节点与芯片(U3)的VDSTH相连接；第二十五电阻(R25)的另一端、第二十六电阻(似6)的另一端、第二十七电阻(R27)的另一端、芯片(U3)的PWML端组成节点与芯片(U3)的V5端相连接；第三十二电阻(R32)的一端与芯片(U3)的RDEAD相连接，该第三十二电阻(R32)的另一端接地；第十三电容(C13)接在芯片(U3)的CPl端和CP2端之间；芯片(U3)的VRE6端与第十二电容(C12)的一端相连接，该第十二电容(C12)的另一端接地；第十电容(ClO)的“ + ”端、第十一电容(Cll)的一端、芯片(U3)的VBB端组成节点与+12V电源相连接；第十电容(ClO)的另一端、第十一电容(Cll)的另一端、第十二电容(C12)的另一端、第十四电容(C14)的一端、第二十八电阻 (R28)的另一端、第二十九电阻(R29)的另一端、第三十电阻(R30)的另一端、第三十一电阻 (R31)的另一端、第三十二电阻(R32)的另一端、芯片(U3)的SR端、芯片(U3)的GND端分别与电源地相连接；芯片(U3)的GHA端与第一场效应管Oil)的G端相连接；芯片(U3)的 GHB端与第二场效应管0^2)的G端相连接；芯片(U3)的GLA端与第三场效应管0^3)的G 端相连接；芯片(U； )的GLB端与第四场效应管OH)的G端相连接；第十五电容(CK)的一端与芯片(U3)的CA端相连接；第十六电容(C16)的一端与芯片(U3)的CB端相连接；所述的第十五电容(C15)的另一端、第一场效应管Oil)的S端、第二场效应管0^2)的D端，芯片(U3)的SA端组成节点与所述的半导体制冷片(5)的+端相连接；第十六电容(C16)的另一端、第二场效应管0^2)的S端、第四场效应管OH)的D端，芯片(U3)的SB端组成节点与所述的半导体制冷片(5)的-端相连接；第一场效应管Oil)的D端、第二场效应管0^2) 的D端、第十七电容(C17)的+端、第十八电容(C18)的+端、第十九电容019)的+端、芯片(TO)的VDRAIN端组成节点与电源(VTE)相连接；第三场效应管O )的S端、第四场效应管OH)的S端、第十七电容(C17)的-端、第十八电容(C18)的-端、第十九电容(C19) 的-端、芯片(U； )的LSS端组成节点与电源(VTE)的地相连接。
6.根据权利要求1所述的高精度数字式温控器，其特征在于所述的嵌入式处理器(2) 的CAN总线接有隔离型CAN通讯模块(1)。
7.根据权利要求1所述的高精度数字式温控器，其特征在于所述的控制对象为半导体激光器，或激光腔体，或激光发热晶体，或需要控温其他发热物体。
专利摘要一种高精度数字式温控器，其构成包括嵌入式处理器，该嵌入式处理器包含1个数据处理模块和多个PWM脉宽调制发生器，具有CAN总线，多个I0接口、多个捕捉端口和多个PWM输出端口，该嵌入式处理器接有一个以上的第一类控制回路或/和第二类控制回路。本实用新型具有单向/双向温度控制功能，实时通讯功能，支持软件在线升级和控温精度高等特点，可用于半导体激光器，或激光腔体，或激光发热晶体，或需要控温其他物体的精确温度控制。
文档编号G05B19/048GK202257313SQ20112031383
公开日2012年5月30日 申请日期2011年8月25日 优先权日2011年8月25日
发明者施伟, 沈宏华, 田怀勇, 金英杰 申请人:上海致凯捷激光科技有限公司