专利名称：参考电压电路的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及半导体器件技术领域，更具体地说，涉及ー种參考电压电路。
背景技术：
不考虑供电端的电压，參考电压电路是相对于低压供电端的电势总是从输出端输出恒定电压的电路。如图I所示，Ml为耗尽型PMOS晶体管，M2为增强型PMOS晶体管，该參考电压电路的输出电压Vref可以通过以下公式得到
权利要求1.ー种參考电压电路，其特征在于，包括连接在耗尽型PMOS晶体管的漏极和增强型PMOS晶体管的源极之间的增强型PMOS晶体管组件，该增强型PMOS晶体管组件至少包括一个增强型PMOS晶体管。
2.根据权利要求I所述的电路，其特征在于，所述耗尽型PMOS晶体管和增强型PMOS晶体管的导电沟道内的离子分布完全相同。
3.根据权利要求I或2所述的电路，其特征在于，所述耗尽型PMOS晶体管的栅极为P型掺杂，所述增强型PMOS晶体管的栅极为N型掺杂。
4.ー种參考电压电路，其特征在于，包括连接在耗尽型PMOS晶体管的源极上的电流镜和连接在所述电流镜和增强型PMOS晶体管之间的增强型PMOS晶体管组件，其中 所述增强型PMOS晶体管组件至少包括一个增强型PMOS晶体管。
5.根据权利要求4所述的电路，其特征在于，还包括两端分别与所述电流镜和耗尽型PMOS晶体管的源极之间的电阻。
6.根据权利要求4所述的电路，其特征在于，所述耗尽型PMOS晶体管和增强型PMOS晶体管的导电沟道内的离子分布完全相同。
7.根据权利要求4-6中任意一项所述的电路，其特征在于，所述耗尽型PMOS晶体管的栅极为P型掺杂，所述增强型PMOS晶体管的栅极为N型掺杂。
专利摘要本实用新型公开了一种参考电压电路，包括连接在耗尽型PMOS晶体管的漏极和增强型PMOS晶体管的源极之间的增强型PMOS晶体管组件，该增强型PMOS晶体管组件至少包括一个增强型PMOS晶体管，或者，包括连接在耗尽型PMOS晶体管的源极上的电流镜和连接在所述电流镜和增强型PMOS晶体管之间的增强型PMOS晶体管组件，其中所述增强型PMOS晶体管组件至少包括一个增强型PMOS晶体管。具体的，本实用新型公开的参考电压电路，增加包括至少一个增强型PMOS晶体管的增强型PMOS晶体管组件，其输出电压相应的增加了至少一个增强型PMOS晶体管的栅源电压。
文档编号G05F3/26GK202433801SQ20122004933
公开日2012年9月12日 申请日期2012年2月15日 优先权日2012年2月15日
发明者宗强, 张美玲, 郜小茹 申请人:上海新进半导体制造有限公司