技术特征：
技术总结
本发明提供一种高压电路，第一金属氧化物半导体场效晶体管为栅极与输入电压耦接的低压元件，其与第二金属氧化物半导体场效晶体管串联耦接，两者皆为第一导电类型，保护电路包含第三、第四、以及第五金属氧化物半导体场效晶体管，第三金属氧化物半导体场效晶体管具有第二导电类型以及与输入电压耦接的源极与基极，第四金属氧化物半导体场效晶体管具有第一导电类型，以及与第三金属氧化物半导体场效晶体管的漏极耦接的漏极，与第二偏压耦接的栅极，以及与第一电源端耦接的源极与基极，第五金属氧化物半导体场效晶体管具有第一导电类型以及与第一电压耦接的漏极、与第四金属氧化物半导体场效晶体管的漏极耦接的栅极以及与第一电源端耦接的源极。
技术研发人员：珍汉·奈兰德
受保护的技术使用者：新唐科技股份有限公司
技术研发日：2017.04.24
技术公布日：2018.01.23