本说明书涉及米勒补偿电路。
一个或多个实施例可以将可以使用的米勒补偿电路例如看作线性调节器和跟踪器调节器中的增益级，或者更一般地，看作在需要经由跨接放大器的电容进行补偿的电路中的增益级。
背景技术：
在电子学中，米勒效应标识反馈系统中可能出现的现象，在反馈系统中，反馈阻抗包括电容(例如，跨越放大器的输入和输出连接的电容器)。
这可以是具有连接在晶体管的控制端子(例如，在场效应晶体管的情况下为栅极或在双极晶体管的情况下为基极)和漏极/集电极之间的电容器的网络的情况。
上述电容器的值：
-从输入看，是并联连接到输入本身并乘以因子(1-Av)，其中Av是放大器的电压增益；以及
-从输出看，是并联连接到输出本身并乘以因子(Av-1)/Av。
米勒放大器可以被用作例如线性调节器和跟踪器调节器中的增益级，以及需要经由跨接放大器的电容进行补偿的其他电路中的增益级。
在线性调节器和跟踪器调节器的情况下，能够对负载和电源中的变化提供良好的反应能力是有用的。例如，在诸如在汽车行业中的应用之类的应用中(例如在引擎控制功能中)，在对这些刺激的反应速度方面的良好性能是期望的特性。
上述调节器可以用作针对微处理器的供电电路(例如，电压源)，使得例如电池的高精度(例如，偏移方面)的干扰抑制(线调节)以及对负载中的变化的响应速度(负载调节)是期望的。
在上述调节器中有时难以实现的特性是关于与曲柄型事件(机动车辆的起动器电动机的供电)相关联的电池电平的变化的抑制，这些情况可能导致致使电池电平减小下降到非常低的值，在不平衡条件下，并且在输出级在三极管模式下操作的情况下，非常低的值倾向于将调节器本身进入LDO(低压降)模式中。
在从曲柄事件退出时，电池值可以在相当短的时间内恢复到标称值，其中电池电平急剧上升。在这些条件下，希望调节器能够快速返回到调节功能中，防止电池通过完全导通的输出级使调节器的输出电压进入高的值。例如在微处理器的情况下，这种可能性可以导致对负载的严重损坏。
技术实现要素：
本公开的实施例的目的在于克服上述缺陷，并且更一般地，有助于米勒补偿电路中的进一步改进。
根据一些实施例，提供了一种用于米勒补偿的电路。该电路包括：第一级，包括被配置为接收第一偏置电流的第一端子以及可耦合到接地的第二端子，其中所述第一级包括差分级；第二级，包括被配置为接收第二偏置电流的第一端子、可耦合到接地的第二端子、具有控制端子的第一晶体管以及耦合在所述第二级的所述第一端子与所述第一晶体管的所述控制端子之间的米勒补偿网络；耦合线，将所述差分级耦合到所述第二级；以及第二晶体管，被耦合到所述第一级的所述第二端子，并被配置为将所述第一级的所述第二端子耦合到接地，所述第二晶体管具有耦合到所述第一级与所述第二级之间的所述耦合线的控制端子。
在一些实施例中，所述第一级的所述差分级包括具有第一分支和第二分支的差分输入级，所述第一分支和所述第二分支被并联布置在所述第一级的所述第一端子和所述第一级的所述第二端子之间。
在一些实施例中，所述第一分支包括具有相应电流路径的第三晶体管和第四晶体管，所述电流路径串联在所述第一级的所述第一端子和所述第一级的所述第二端子之间，所述第三晶体管被设置在所述第一级的所述第一端子和所述第四晶体管之间，并且具有被配置为接收第一输入信号的控制端子；并且所述第二分支包括具有相应电流路径的第五晶体管和第六晶体管，所述电流路径串联在所述第一级的所述第一端子和所述第一级的所述第二端子之间，所述第五晶体管被设置在所述第一级的所述第一端子和所述第六晶体管之间，并且具有被配置为接收第二输入信号的控制端子。
在一些实施例中，所述耦合线被耦合到所述米勒补偿网络和所述第一晶体管的所述控制端子之间的所述第二级，所述控制端子与所述耦合线耦合。
在一些实施例中，所述第一晶体管和所述第二晶体管包括场效应晶体管。
根据一些实施例，提供了一种电压调节器，包括：放大器电路，被配置为提供经米勒补偿的输出，所述放大器电路包括：第一级，包括被配置为接收第一偏置电流的第一端子以及可耦合到接地的第二端子，其中所述第一级包括差分级；第二级，包括被配置为接收第二偏置电流的第一端子、可耦合到接地的第二端子、具有控制端子的第一晶体管以及耦合在所述第二级的所述第一端子与所述第一晶体管的所述控制端子之间的米勒补偿网络；耦合线，将所述差分级耦合到所述第二级；以及第二晶体管，耦合到所述第一级的所述第二端子，并且被配置为将所述第一级的所述第二端子耦合到接地，所述第二晶体管具有耦合到所述第一级与所述第二级之间的所述耦合线的控制端子；增益级，被配置为由所述放大器电路驱动；以及反馈路径，用于将所述增益级与所述放大器电路的所述第一级耦合。
在一些实施例中，所述电压调节器包括在所述放大器电路和所述增益级之间的电平传输级。
在一些实施例中，所述增益级包括第一高增益晶体管；并且所述电平传输级包括以电流镜布置与所述第一高增益晶体管耦合的第二高增益晶体管。
在一些实施例中，所述第一级的所述差分级包括具有第一分支和第二分支的差分输入级，所述第一分支和所述第二分支被并联布置在所述第一级的所述第一端子和所述第一级的所述第二端子之间。
在一些实施例中，所述第一分支包括具有相应电流路径的第三晶体管和第四晶体管，所述电流路径串联在所述第一级的所述第一端子和所述第一级的所述第二端子之间，所述第三晶体管被设置在所述第一级的所述第一端子和所述第四晶体管之间，并且具有被配置为接收第一输入信号的控制端子；并且所述第二分支包括具有相应电流路径的第五晶体管和第六晶体管，所述电流路径串联在所述第一级的所述第一端子和所述第一级的所述第二端子之间，所述第五晶体管被设置在所述第一级的所述第一端子和所述第六晶体管之间，并且具有被配置为接收第二输入信号的控制端子。
在一些实施例中，所述耦合线被耦合到所述米勒补偿网络和所述第一晶体管的所述控制端子之间的所述第二级，所述控制端子与所述耦合线耦合。
根据一些实施例，提供了一种电压调节器系统，包括：具有多个电压调节器的级联布置，其中所述多个电压调节器中的至少一个包括：放大器电路，被配置为提供经米勒补偿的输出，所述放大器电路包括：第一级，包括被配置为接收第一偏置电流的第一端子以及可耦合到接地的第二端子，其中所述第一级包括差分级；第二级，包括被配置为接收第二偏置电流的第一端子、可耦合到接地的第二端子、具有控制端子的第一晶体管以及耦合在所述第二级的所述第一端子与所述第一晶体管的所述控制端子之间的米勒补偿网络；耦合线，将所述差分级耦合到所述第二级；以及第二晶体管，被耦合到所述第一级的所述第二端子，并且被配置为将所述第一级的所述第二端子耦合到接地，所述第二晶体管具有耦合到所述第一级与所述第二级之间的所述耦合线的控制端子；增益级，被配置为由所述放大器电路驱动；以及反馈路径，用于将所述增益级与所述放大器电路的所述第一级耦合。
在一些实施例中，所述多个电压调节器中的所述至少一个包括在所述放大器电路和所述增益级之间的电平传输级。
在一些实施例中，所述增益级包括第一高增益晶体管；并且所述电平传输级包括以电流镜布置与所述第一高增益晶体管耦合的第二高增益晶体管。
在一些实施例中，所述第一级的所述差分级包括具有第一分支和第二分支的差分输入级，所述第一分支和所述第二分支并联布置在所述第一级的所述第一端子和所述第一级的所述第二端子之间。
在一些实施例中，所述第一分支包括具有相应电流路径的第三晶体管和第四晶体管，所述电流路径串联在所述第一级的所述第一端子和所述第一级的所述第二端子之间，所述第三晶体管被设置在所述第一级的所述第一端子和所述第四晶体管之间，并且具有被配置为接收第一输入信号的控制端子；并且所述第二分支包括具有相应电流路径的第五晶体管和第六晶体管，所述电流路径串联在所述第一级的所述第一端子和所述第一级的所述第二端子之间，所述第五晶体管被设置在所述第一级的所述第一端子和所述第六晶体管之间，并且具有被配置为接收第二输入信号的控制端子。
在一些实施例中，所述耦合线被耦合到所述米勒补偿网络和所述第一晶体管的所述控制端子之间的所述第二级，所述控制端子与所述耦合线耦合。
根据一些实施例，提供了一种用于米勒补偿的电路，包括：第一级，包括：被配置为接收第一偏置电流的第一端子；接地端子；第一中间节点；差分级，包括并联耦合在所述第一端子和所述中间端子之间的第一分支和第二分支，所述第一分支包括串联耦合在所述第一端子和所述中间端子之间的第一晶体管和第二晶体管，并且所述第二支路包括第三晶体管和第四晶体管，所述第三晶体管和所述第四晶体管串联耦合在所述第一端子和所述中间端子之间，并且由第二中间节点彼此耦合；以及第五晶体管，被耦合在所述第一中间节点和所述接地端子之间，并具有耦合到所述第二中间节点的控制端子，所述第五晶体管被配置为基于所述第二中间节点处的电压将所述第一中间节点电连接到所述接地端子。
在一些实施例中，所述电路还包括：第二级，包括被配置为接收第二偏置电流的第一端子、耦合到所述接地端子的第二端子、具有控制端子的第一晶体管以及耦合在所述第二级的所述第一端子与所述第一晶体管的所述控制端子之间的米勒补偿网络。
在一些实施例中，所述电路还包括：耦合线，将所述第二中间节点耦合到所述第二级；其中所述耦合线被耦合到所述米勒补偿网络和所述第一晶体管的所述控制端子之间的所述第二级。
权利要求形成本文关于一个或多个实施例提供的技术教导的组成部分。
一个或多个实施例支持调节例如用作米勒放大器的晶体管的完全关断。
例如，在跟踪器调节器的情况下，一个或多个实施例使得误差放大器的级的内部节点能够被保持在有限的值处。
一个或多个实施例使得米勒电容不能够完全放电，从而减少调节器从曲柄阶段退出的延迟时间。
附图说明
现在将参考附图纯粹通过非限制性示例来描述一个或多个实施例，其中：
图1是例如用于汽车行业中的应用的电源系统的一般框图；
图2是可以包括在图1的系统中的电路的更详细的电路图；以及
图3是图2的放大器的更详细的电路图。
具体实施方式
在接下来的描述中，示出了各种具体细节，目的是使得能够深入理解实施例的各种示例。可以在没有具体细节中的一个或多个的情况下，或利用其他方法、组件、材料等获得实施例。在其他情况下，未详细示出或描述已知的结构、材料或操作，使得不会模糊实施例的各个方面。
在本说明书的框架中对“实施例”或“一个实施例”的引用旨在表示关于该实施例描述的特定配置、结构或特性被包括在至少一个实施例中。因此，可能出现在本说明书的各个点中的诸如“在实施例中”、“在一个实施例中”等的短语不一定精确地指代一个实施例或相同的实施例。此外，在一个或多个实施例中，特定构象、结构或特性可以以任何适当的方式组合。
本文使用的附图标记仅为了方便而提供，因此不限定保护范围或实施例的范围。
在图1中，附图标记10总体上表示可以例如耦合到机动车辆(图中不可见)的电池B的电压调节器系统。
在一个或多个实施例中，系统10可以包括多个级联的级或单元 (例如，预调节器12和一个或多个线性调节器14、16)。
当然，对一个预调节器12和两个线性调节器14、16的参考不应被理解为以任何方式限制实施例的范围：系统10中包括的级的数目实际上可以是任何数目。
在一个或多个实施例中，如本文所示例的，预调节器12可以被耦合到诸如MOS晶体管122的有源组件，有源组件能够从电池B的电压开始提供电压VPRE。例如，为了降低系统的功率消耗，电压 VPRE可以被预调节到中间值，例如，在电池电压的值和一个或多个级联调节器(例如，图1所示的调节器14和16)的输出电平之间的值。
在一个或多个实施例中，级联的一个或多个调节器(即，本文所呈现的示例中的调节器14、16)可以具有提供两个电压(例如，电压 VDD5和电压TRACK_output)的任务。不论从静态观点还是动态观点看，两个电压均具有稳定的特性。
在一个或多个实施例中，预调节器12和(一个或多个)调节器 14、16可以呈现作为整体相似的一般架构。
例如，在一个或多个实施例中，这些级可以包括运算放大器120、 140、160，运算放大器能够在第一输入(例如，非反相输入)上接收参考电压PREREG_Vref、BG_Vref(后者对于调节器14、16可能是相同的)，并且经由其输出驱动功率组件，例如，诸如MOSFET的有源组件(例如，确切地是组件122)，或者在调节器14和16的情况下诸如MOSFET 142和162的有源组件。
在一个或多个实施例中，系统10的各个级12、14、16可以包括反馈网络124、144、164(在图1中由分压器示意性地示出)，反馈网络能够从输出向相应运算放大器120、140、160的另一输入(例如，反相输入)执行反馈动作。
另一方面，图1中示例的系统10的整体架构本身是已知的，这使得本文中更为详细的描述变得多余。
在一个或多个实施例中，图1中示例的各种调节器可以包括LDO (低压降)功能，这使得它们可以利用降低的电源电压(VPRE)在相应输出处提供电流。在一个或多个实施例中，上述调节器可以能够检测电池状态(低)并且完全导通相应的功率输出晶体管。例如在所谓的曲柄阶段(如本说明书的介绍部分所述)中和/或微切阶段(电源电压的瞬时下降)中，或更一般地在诸如可能导致电池B的电压急剧下降(甚至低于5V)的事件发生时，该操作模式可以证明是有利的。
如前所述，退出或重新进入这种状态(例如，曲柄状态或微切状态)之后，电池电压可以快速升高达到相当高的电平。这种情况可能是危险的，并且当调节器进入LDO状态时，期望调节器能够在电池瞬变已经终止之前恢复线性操作状态，以防止在其输出电压上的不可接受电平的额外的电压(对由其供电的负载可能产生负面影响)。
调节诸如图1所示例的系统的创建的各种规范可能需要线性调节器来呈现其输出电压的受控管理。
例如，在瞬变期间，预调节器12的电源电压(例如，电池B的电压)在10μs内从5.1V改变到13.5V(即，0.84V/μs的变化)的情况下，可以期望调节器的电压被包含在5.2V以内。
参考图1，可以注意到，例如在构成有源组件122的MOS晶体管的漏极上所施加的例如5.1V的电池电压可以对应于5.1V的预调节电压VPRE，该电压被用于向下游的线性调节器14和16供电，以提供电压VDD5和TRACK_output。
如已经提到的，可以使用线性调节器(例如，图1中所示例的线性调节器)，例如用于在汽车行业中为外部传感器设备供电。在这种情况下，在增加提供针对接地(GND)和电池的短路的保护的可能性的情况下，希望可以高精度地提供或“复制”某个电压。
在一个或多个实施例中，期望线性调节器能够为外部传感器提供具有降低值的电源电压Vsupply，即在当电压Vsupply下降到接近于传感器电压的值时的LDO状态中，线性调节器例如能够利用电阻 Rdson(FET在导通状态时漏极到源极的电阻)工作。
例如，这种状态可以出现在上述类型的曲柄事件中，即当用于启动机动车辆的引擎的电启动器电动机被依次驱动以吸收来自电池的高电流并降低其电平时。
在一个或多个实施例中，上述曲柄阶段可以导致电池电压降至 4-5V，使得调节器的输出电压在调节器未设置有LDO电路的情况下过低。在从曲柄阶段恢复期间(即，当供电迅速返回到其原始值时)，期望在内部节点的饱和现象之后，误差放大器的干预不会被延迟，以能够防止输出电压被电源电压“上拉”。换言之，希望调节器在从 LDO操作模式恢复的过程中表现出很好的快速程度，以防止过冲现象。
图2的电路图示例了可能的调节器电路架构。
作为示例，图2的电路图包括预调节器12，使得在图2中通过相同的附图标记标识已经关于图1所描述的部件或元件，这使得相应描述的任何重复变得多余。
图2的电路图示例了差分级120(其可以包括所谓的运算跨导放大器OTA)在其输入的一个(例如，反相输入)上接收参考电压Vref 以及通过电平移位器级200驱动有源“功率”组件122(这里以MOS 晶体管的形式示例)的可能性。
组件122进而驱动负载L，向其提供在这里由Vout指定的经调节的输出电压，经调节的输出电压可以通过分压器R1、R2反馈到运算放大器120的输入，分压器R1、R2可被看作对应于在图1的电路图中由124指定的反馈网络。
图2的电路图还示例了来自运算放大器120的输出处的网络RcCc的可能存在，以及这里以整体的方式表示为电路形式的负载L(例如，传感器)的存在，该电路包括例如与电容器CL并联连接的电阻器RL，还表示了电容器CL的等效串联电阻器ESR。当然，该示例仅仅是通过示例的方式提供，而不是被理解为以任何方式限制实施例，另一方面值得注意，负载L通常构成不同的元件，该不同的元件不形成图2 中所示的调节器的一部分。
在一个或多个实施例中，如图2所示，电平移位器级200可以包括诸如双极晶体管的输入晶体管202(以及提供对相应支路上获得的最大电流的限制的电阻器Rlim)，双极晶体管在其基极上接收运算放大器120的输出，并基本上作为偏置级驱动电流镜电路204。
电路204驱动有源组件206(例如，MOS晶体管)，有源组件 206进而根据通常的电流镜方案耦合到有源输出组件122。在电流镜电路204和有源组件206之间是偏置晶体管207。
一个或多个实施例可以提出用于在不平衡步骤期间改进运算放大器120的响应的解决方案。
例如在本文所示例的类型的调节器中，一个或多个实施例可以应用于用作误差放大器的OTA(运算跨导放大器)类型的放大器。
一个或多个实施例可以应用于对应于图3中所示例的整体解决方案的OTA架构，其本身将以其一般术语被常规地考虑。
在该架构中，通常可以区分第一级101和第二级102，每个级具有被配置为接收相应偏置电流(ibias1、ibias2)的相应第一端子101a、 102a。
在第二级102的情况下，第一端子102a可以用作差分放大器的输出端子(信号out_as)。
级101、102然后具有相应的第二端子101b和102b，第二端子 101b和102b可以根据下面更全面地描述的标准电耦合到接地GND。
在一个或多个实施例中，图3的第一级101包括通过耦合线103 (信号internal_n_as)耦合到另一级(在本情况下，耦合到级102) 的差分级。
在一个或多个实施例中，第二级102可以包括由M2指定的晶体管(例如，场效应晶体管)和米勒补偿网络104，除了米勒电容器C 之外，米勒补偿网络104还可以包括电阻器R。
在一个或多个实施例中，米勒补偿网络可以被设置为“跨接”晶体管M2，即，设置在晶体管M2的第一端子102a(电流ibias2所通过的端子，即现在FET的情况下为漏极)和控制端子(在现在FET 的情况下为栅极)之间。
进入级101和102的结构的更详细的图示，应当注意，在一个或多个实施例中，第一级101可以包括在端子101a、101b之间并联的两个分支，其中每个分支分别包括第一晶体管M11、M21和第二晶体管M12、M22(例如，FET)。在一个或多个实施例中，每个分支的第一晶体管(即，晶体管M11或晶体管M21)被设置在第一端子101a 和第二晶体管M12、M22之间。
在一个或多个实施例中，每个分支的晶体管(即，M11、M12和 M21、M22)分别设置有在第一和第二端子101a、101b之间相对于彼此串联的相应电流路径(即，在FET的情况下的源极到漏极路径)。
换言之，在一个或多个实施例中，与第一级101并联的两个电流分支具有用于偏置电流ibias1的第一公共端子101a以及也是公共的第二端子101b，其可以根据以下更全面示出的标准连接到接地GND。
在一个或多个实施例中，晶体管M12和M22的控制端子(在FET 的情况下为栅极)被彼此耦合(被短路)。
在一个或多个实施例中，晶体管M22将其控制端子(在FET的情况下为栅极)例如在晶体管M21和晶体管M22之间设置的点中短路到电流路径(例如，短路到本文考虑的示例中的两个晶体管M21、 M22的漏极)。
此外，在一个或多个实施例中，两个级101、102可以通过耦合线103耦合在一起，耦合线103在晶体管M11、M12之间的中间点与晶体管M2的控制端子(例如，在FET的情况下为栅极)和米勒补偿网络104之间的中间点之间延伸。
在一个或多个实施例中，第一级101的两个分支的第二(公共) 端子101b可以经由与其电流路径(在FET的情况下为源极到漏极的路径)连接的补偿控制晶体管M1(例如，FET)耦合到接地GND，电流路径被设置在第二公共端子101b和接地GND之间，第二级102 的第二端子102b也连接到接地GND。
晶体管M1的控制端子(在FET的情况下为栅极)被连接到耦合线103，即在本文所示的示例中，被连接到晶体管M11和M12之间的中间点。
以这种方式，存在于线103上的信号internal_n_as被晶体管M1 的控制电极(例如，栅极)“感测”，晶体管M1因此可以被称为被存在于耦合线103上的信号internal_n_as驱动，其中线103将级101 和102耦合。
在一个或多个实施例中，晶体管M1防止米勒补偿网络的电容C 的完全放电，将存在于耦合线103上的信号internal_n_as的电平锁定到接近Vt(高于接地GND的电平)的电压值(例如，晶体管M1的栅极到源极的电压)。
当输入处的差分对(特别是在OTA 120上在相应控制端子上接收输入电压Vin1、Vin2的晶体管M11、M21)不平衡时，可能会出现这种情况。
在一个或多个实施例中，图3的电路可以基本上准许三个操作状态。
可以看到第一操作状态对应于其中两个电压Vin1和Vin2彼此相同(即，Vin1＝Vin2)的情况，在图2出现的方案中可以对应于其中反馈网络124(电阻器R1、R2)的反馈电压与参考输入电压Vref处于相同电平的情况。
在这些条件下，在不明显改变电路的操作的情况下，晶体管M1 处于(高)导通状态，并且基本上表现为电阻器。
在存在不平衡现象的情况下(例如，Vin1>Vin2)，级101的差分输入对在例如增加耦合线103上存在的信号internal_n_as的电平的意义上将是不平衡的。
在这种情况下，晶体管M1将处于具有低(几乎为零)的栅极到源极阻抗的高导通情况。
在输入处的相对方向上存在不平衡的情况下(例如，Vin1 <Vin2)，将存在不平衡的状态，例如以降低耦合线103上存在的信号internal_n_as的电平。
如前所述，在这种情况下，晶体管M1可以通过将上述电压的降低停止在例如相对于接地GND的电平等于Vt的电平处来进行干预。以这种方式，由于晶体管M1的干预，晶体管M2在任何情况下都将 (微弱地)导通(即，导电)，(甚至显著地)防止所涉及的组件的非线性操作区域。
换言之，晶体管M1的干预可以基本上等同于如下方式的干预，诸如当耦合线103上的电压将趋于(过低)的电平时，“箝位”耦合线103上的电压。
因此，一个或多个实施例可以涉及一种电路，包括：
-第一级(例如，101)和第二级(例如，102)，第一级和第二级具有用于相应偏置电流(例如，ibias1)的相应第一端子(例如， 101a)以及可以被耦合到接地(GND)的相应第二端子(例如，101b)，其中所述第一级包括经由耦合线(例如，103)耦合到所述第二级的差分级，
其中所述第二级包括具有米勒补偿网络(例如，104)的晶体管 (例如，M2)，米勒补偿网络(例如，104)被设置在第二级的第一端子和所述晶体管(例如，M2)的控制端子之间；以及
-补偿控制晶体管(例如，M1)，耦合到所述第一级的第二端子并且可以被激活，以用于将所述第一级的所述第二端子耦合到接地，所述补偿控制晶体管具有控制端子(例如，在FET的情况下为栅极)，控制端子被耦合到所述第一级和所述第二级之间的所述耦合线。
在一个或多个实施例中，所述第一级可以包括具有两个分支(例如，图3中的M11、M12；M21、M22)的差分输入级，两个分支在所述第一级的针对(第一)偏置电流(例如，ibias1)的第一公共端子(例如，101a)和所述第一级的可以经由所述补偿控制晶体管耦合到接地的第二公共端子(例如，101b)之间并联。
在一个或多个实施例中，并联的所述分支可以包括第二晶体管 (例如，M12、M22)和第一晶体管(例如，M11、M21)，其电流路径(在FET的情况下为源极到漏极)被串联设置在所述第一级的所述第一公共端子和所述第一级的所述第二公共端子之间，其中第一晶体管被设置在所述第一公共端子和第二晶体管之间，并具有用于接收输入信号(例如，Vin1、Vin2)的控制端子。
在一个或多个实施例中(参见例如图3)，所述第二级可以包括所述晶体管和米勒补偿网络，其中所述耦合线(103)被耦合在所述米勒补偿网络和所述晶体管的控制端子之间，所述控制端子被耦合到所述耦合线。
在一个或多个实施例中，所述晶体管包括场效应晶体管，可选地包括MOS晶体管。一个或多个实施例可以全部或部分地使用双极晶体管。
一个或多个实施例可以涉及一种电压调节器，包括：
-根据一个或多个实施例的电路(例如，120)，其中所述第二级(102)提供经米勒补偿的输出(例如，图3中的out_as)；
-由所述经米勒补偿的输出驱动的增益级(例如，122)；以及
-将所述增益级与所述米勒补偿电路的第一级耦合的反馈路径 (例如，124；R1、R2)。
在一个或多个实施例中，这种电压调节器可以包括设置在所述米勒补偿电路和所述增益级之间的电平移位器级(例如，200)。
在一个或多个实施例中，所述增益级可以包括高增益晶体管(例如，122)。
在一个或多个实施例中，所述电平移位器级可以包括另一高增益晶体管(例如，206)，另一高增益晶体管以电流镜配置被耦合到所述增益级的所述高增益晶体管。
一个或多个实施例可以涉及一种电压调节器电路(例如，图1中的10)，包括多个电压调节器(例如，12、14、16)的级联布置，所述电压调节器中的至少一个(例如，12)包括根据一个或多个实施例的电压调节器。
一个或多个实施例可以涉及一种用于操作电路的方法，所述电路包括：
-第一级和第二级，第一级和第二级具有用于相应偏置电流的相应第一端子以及可耦合到接地的相应第二端子，其中所述第一级包括经由耦合线耦合到第二级的差分级，
其中所述第二级包括晶体管和米勒补偿网络，米勒补偿网络被设置在第二级的第一端子和所述晶体管的控制端子之间，
该方法可能包括：
-将补偿控制晶体管耦合到所述第一级的第二端子，补偿控制晶体管可以被激活用于将所述第二端子耦合到接地；以及
-通过经由(例如，信号internal_n_as)所述耦合线驱动所述补偿控制晶体管的控制端子，将所述第一级的所述第二端子耦合到接地。
在不妨碍基本原理的情况下，构造和实施例的细节可以在不脱离保护范围的情况下相对于本文纯粹仅作为非限制性示例所示的内容变化，甚至可以显著地变化。
可以组合上述各种实施例以提供其他实施例。可以根据上述详细描述对这些实施例进行这些改变和其他改变。通常，在所附权利要求中，所使用的术语不应被解释为将权利要求限于说明书和权利要求书中所公开的具体实施例，而应被解释为包括所有可能的实施例，以及这些权利要求的等同物的全部范围。因此，权利要求不受本公开的限制。