本发明涉及模拟电路技术领域，尤其涉及的是一种带有补偿回路的参考电压产生电路及电子设备。
背景技术：
参考电压产生电路是模拟电路设计、混合信号电路设计以及数字设计中的基本模块单元，它的作用是为系统提供一个不随温度及供电电压变化的参考电压，高精度、低功耗、高电源抑制比、低温度系数的基准电压产生电路对于整个电路来说至关重要。传统的带隙基准电压通过将两个具有正负温度系数的电压进行线性叠加即可得到零温度系数的基准电压。两个双极型三极管的基极-发射极电压的差值是与绝对温度成正比的，双极晶体管的基极-发射极电压具有负温度系数性质，利用这两种不同性质的电压配以一定的比例得到与温度变化无关的基准电压。但传统的基准电压产生电路在温度范围变化较大时，产生的电压通常不太理想，尤其是在一些对电压精度要求比较高的电路中，现有的电压源远远不能满足要求。基于此，本发明提供了一种具有更低温度系数的带有补偿回路的参考电压产生电路及电子设备。
技术实现要素：
本发明的目的是为了解决现有参考电压产生电路产生的电压温度系数较大的问题，提供了一种更低温度系数的参考电压产生电路及电子设备。
本发明提供了一种带有补偿回路的参考电压产生电路，包括启动电路、基准电压源电路和补偿回路；所述启动电路包括MOS管M9、M10、M11、M12和M13，MOS管M11的源极连接输入电压VDD，漏极与栅极相连并连接M12的源极，M12的漏极与栅极相连并连接M9、M10的栅极以及M13的漏极，M9、M10、M13的源极均接地；所述基准电压源电路包括：MOS管M4、M5、M6、M7、M8，放大器A1、A2，电阻R1、R2、R3，三极管Q1、Q2；MOS管M4、M5、M6、M7、M8的源极均连接输入电压VDD，M4、M5的栅极相连并连接运算放大器A2的输出端、MOS管M1、M6的栅极以及M10的漏极；MOS管M4的漏极连接运算放大器A1、A2的反向输入端以及三极管Q1的发射极，MOS管M5的漏极连接运算放大器A2的正向输入端和电阻R2的一端，电阻R2的另一端连接三极管Q2的发射极，三极管Q1、Q2的基极相连且集电极均接地；M6的漏极即为参考电压输出端VREF，M6的漏极连接M8的漏极、M13的栅极并通过电阻R3接地；M7、M8的栅极相连并连接运算放大器A1的输出端和M9的漏极，M7的漏极连接运算放大器A1的正向输入端、M3的漏极以及电阻R1的一端，电阻R1的另一端接地；所述补偿回路包括MOS管M1、M2和M3，M1的源极连接输入电压VDD，漏极连接M3的栅极以及M2的栅极和漏极，M2、M3的源极均接地。所述MOS管M1、M4、M5、M6、M7、M8、M11、M12为PMOS管，所述MOS管M2、M3、M9、M10、M13为NMOS管。
本发明还提供了一种包括上述参考电压产生电路的电子设备，所述电子设备还包括微电子机械系统传感器和微机械结构，所述参考电压产生电路连接微电子机械系统传感器的输入端并为微电子机械系统传感器提供输入电压。
本发明所提供的一种带有补偿回路的参考电压产生电路，有效地解决了现有技术中基准电压源温度系数高、精度降低的问题，在传统基准电压电路的基础上，通过增加补偿回路和启动电流，降低了输出电压的温度系数，具有较高的输出精度和稳定性。
附图说明
图1为本发明提供的一种带有补偿回路的参考电压产生电路示意图。
图2为本发明提供的一种带有补偿回路的参考电压产生电路输出电压的温度特性曲线。
具体实施方式
本发明提供了一种带有补偿回路的参考电压产生电路及电子设备，为使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚、明确，以下参照附图并举实施例对本发明进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
如1图所示，一种带有补偿回路的参考电压产生电路，包括启动电路、基准电压源电路和补偿回路；所述启动电路包括MOS管M9、M10、M11、M12和M13，MOS管M11的源极连接输入电压VDD，漏极与栅极相连并连接M12的源极，M12的漏极与栅极相连并连接M9、M10的栅极以及M13的漏极，M9、M10、M13的源极均接地；所述基准电压源电路包括：MOS管M4、M5、M6、M7、M8，放大器A1、A2，电阻R1、R2、R3，三极管Q1、Q2；MOS管M4、M5、M6、M7、M8的源极均连接输入电压VDD，M4、M5的栅极相连并连接运算放大器A2的输出端、MOS管M1、M6的栅极以及M10的漏极；MOS管M4的漏极连接运算放大器A1、A2的反向输入端以及三极管Q1的发射极，MOS管M5的漏极连接运算放大器A2的正向输入端和电阻R2的一端，电阻R2的另一端连接三极管Q2的发射极，三极管Q1、Q2的基极相连且集电极均接地；M6的漏极即为参考电压输出端VREF，M6的漏极连接M8的漏极、M13的栅极并通过电阻R3接地；M7、M8的栅极相连并连接运算放大器A1的输出端和M9的漏极，M7的漏极连接运算放大器A1的正向输入端、M3的漏极以及电阻R1的一端，电阻R1的另一端接地；所述补偿回路包括MOS管M1、M2和M3，M1的源极连接输入电压VDD，漏极连接M3的栅极以及M2的栅极和漏极，M2、M3的源极均接地。所述MOS管M1、M4、M5、M6、M7、M8、M11、M12为PMOS管，所述MOS管M2、M3、M9、M10、M13为NMOS管。
在上述电路中，当电路启动时，启动电路中的MOS管M11、M12先导通，MOS管M9、M10的栅极端电压逐渐增大，从而使MOS管M9、M10导通，使基准电压源电路中的MOS管M4、M5、M6、M7、M8的栅极端电压均降低，从而使基准电压源电路启动，当输出电压VREF稳定时，带动启动电路中的MOS管M13导通，从而降低了MOS管M9、M10的栅极端电压，启动电路关闭，完成整个启动过程。启动完成后，流过电阻R1的电流为负温度系数电流，流过电阻R2的电流为正温度系数的电流，此时，可通过优化电阻R1、R2以及MOS管M3的宽长比参数从而获得低温度系数的输出电压。仿真结果显示，上述改进的参考电压产生电路具有更低的温度系数，图2为温度特性曲线的仿真结果图，结果显示，在输入端电压VDD等于1.8V时，输出参考电压为600mV，温度系数仅为3.4ppm/摄氏度。
本发明还提供了一种包括上述参考电压产生电路的电子设备，所述电子设备还包括微电子机械系统传感器和微机械结构，所述参考电压产生电路连接微电子机械系统传感器的输入端并为微电子机械系统传感器提供输入电压，该电子设备可以显著提高微电子机械系统传感器的感测精度。
应当理解的是，本发明的应用不限于上述的举例，对本领域普通技术人员来说，可以根据上述说明加以改进或变换，所有这些改进和变换都应属于本发明所附权利要求的保护范围。