床垫及其温度控制装置的制作方法

本发明涉及电力电子技术领域，尤其涉及一种床垫的温度控制装置和一种床垫。

背景技术：

目前，相关技术的水床对液体的加热及制冷，通常采用两个独立的系统控制，即使用半导体制冷片制冷、ptc(positivetemperaturecoefficient，热敏电阻)加热；或者通过采用h桥电路，并利用继电器控制半导体制冷片的通断工作。

但相关技术的至少存在以下问题：1)如果使用半导体制冷片及ptc控制液体温度，则需增加一个ptc加热系统，这导致成本增加，且在整机结构设计及生产装配存在一定难度；2)如果利用继电器组成的h桥电路控制半导体制冷片电流方向，则只能控制制冷片持续的加热或制冷，并不能对水温进行细致的调节，温控性能较差。

技术实现要素：

本发明旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此，本发明的第一个目的在于提出一种床垫的温度控制装置，能够控制半导体制冷片的工作模式和工作功率。

本发明的第二个目的在于提出一种床垫。

为达到上述目的，本发明第一方面实施例提出的一种床垫的温度控制装置包括：半导体制冷片；驱动桥，所述驱动桥具有第一上桥臂、第一下桥臂、第二上桥臂和第二下桥臂，所述第一上桥臂的第一端与第一预设电源相连，所述第一上桥臂的第二端与所述半导体制冷片的第一极相连，所述第一下桥臂的第一端与所述半导体制冷片的第一极相连，所述第一下桥臂的第二端接地，所述第二上桥臂的第一端与所述第一预设电源相连，所述第二上桥臂的第二端与所述半导体制冷片的第二极相连，所述第二下桥臂的第二端与所述半导体制冷片的第二极相连，所述第二下桥臂的第二端接地；控制单元，所述控制单元分别于所述第一上桥臂的控制端、所述第一下桥臂的控制端、所述第二上桥臂的控制端和所述第二下桥臂的控制端相连，所述控制单元通过控制所述第一上桥臂、所述第二下桥臂与所述半导体制冷片形成回路以使所述半导体制冷片工作在制热模式，并通过控制所述第二上桥臂、所述第一下桥臂导通与所述半导体制冷片形成回路以使所述半导体制冷片工作在制冷模式；其中，所述控制单元用于控制所述第一上桥臂持续导通并通过调整所述第二下桥臂的导通时间控制所述半导体制冷片的制热功率，还用于控制所述第二上桥臂持续导通并通过调整所述第一下桥臂的导通时间控制所述半导体制冷片的制冷功率。

根据本发明实施例提出的床垫的温度控制装置，通过控制单元控制第一上桥臂、第二下桥臂与半导体制冷片形成回路以使半导体制冷片工作在制热模式，并通过控制第二上桥臂、第一下桥臂导通与半导体制冷片形成回路以使半导体制冷片工作在制冷模式，其中，控制单元还用于控制第一上桥臂持续导通并通过调整第二下桥臂的导通时间控制半导体制冷片的制热功率，以及控制第二上桥臂持续导通并通过调整第一下桥臂的导通时间控制半导体制冷片的制冷功率。由此，通过控制驱动桥的导通回路和导通时间，控制半导体制冷片的工作模式和工作功率。

另外，根据本发明上述实施例的床垫的温度控制装置还可以具有如下附加的技术特征：

根据本发明的一个实施例，所述第一上桥臂包括第一mos管和第一开关电路，所述第一mos管的第一极与所述第一预设电源相连，所述第一mos管的第二极与所述半导体制冷片的第一极相连，所述第一开关电路的输入端与所述控制单元相连，所述第一开关电路的输出端与所述第一mos管的控制极相连，其中，所述第一开关电路根据所述控制单元输出的第一电平信号控制所述第一mos管持续导通，以使所述第一上桥臂持续导通；所述第二上桥臂包括第二mos管和第二开关电路，所述第二mos管的第一极与所述第一预设电源相连，所述第二mos管的第二极与所述半导体制冷片的第二极相连，所述第二开关电路的输入端与所述控制单元相连，所述第二开关电路的输出端与所述第二mos管的控制极相连，其中，所述第二开关电路根据所述控制单元输出的第一电平信号控制所述第二mos管持续导通，以使所述第二上桥臂持续导通。

根据本发明的一个实施例，所述第一开关电路和所述第二开关电路中的每个包括：第一电阻，所述第一电阻的一端与所述控制单元相连；第二电阻，所述第二电阻的一端与所述第一电阻的另一端相连并具有第一节点，所述第二电阻的第二端接地；第一三极管，所述第一三极管的基极与所述第一节点相连，所述第一三极管的发射极接地；第三电阻，所述第三电阻的一端与所述第一三极管的集电极相连，所述第三电阻的另一端与所述第一mos管或所述第二mos管的控制极相连；第四电阻，所述第四电阻的一端与所述第三电阻的另一端相连，所述第四电阻的另一端与所述第一预设电源相连。

根据本发明的一个实施例，所述第一下桥臂包括第三mos管、第三开关电路和第一推挽电路，所述第三mos管的第一极与所述半导体制冷片的第一极相连，所述第三mos管的第二极接地，所述第三开关电路的输入端与所述控制单元相连，所述第三开关电路的输出端与所述第一推挽电路的输入端相连，所述第一推挽电路的输出端与所述第三mos管的控制极相连，其中，所述第三开关电路根据所述控制单元输出的第一pwm信号控制所述第三mos管的导通时间，以控制所述第一下桥臂的导通时间；所述第二下桥臂包括第四mos管、第四开关电路和第二推挽电路，所述第四mos管的第一极与所述半导体制冷片的第二极相连，所述第四mos管的第二极接地，所述第四开关电路的输入端与所述控制单元相连，所述第四开关电路的输出端与所述第二推挽电路的输入端相连，所述第二推挽电路的输出端与所述第四mos管的控制极相连，其中，所述第四开关电路根据所述控制单元输出的第二pwm信号控制所述第四mos管的导通时间，以控制所述第二下桥臂的导通时间。

根据本发明的一个实施例，所述第三开关电路和所述第四开关电路中的每个包括：第五电阻，所述第五电阻的一端与所述控制单元相连；第二三极管，所述第二三极管的基极与所述第五电阻的另一端相连，所述第二三极管的发射极接地，所述第二三极管的集电极与相应的第一推挽电路或第二推挽电路相连；第六电阻，所述第六电阻的一端与第二三极管的集电极相连，所述第六电阻的另一端与第二预设电源相连。

根据本发明的一个实施例，所述第一推挽电路和所述第一推挽电路中的每个包括：第三三极管和第四三极管，所述第三三极管的基极与所述第四三极管的基极相连并作为所述第一推挽电路或所述第二推挽电路的输入端，所述第三三极管的集电极与第二预设电源相连，所述第三三极管的发射极与所述第四三极管的集电极相连并作为所述第一推挽电路或所述第二推挽电路的输出端，所述第四三极管的集电极接地。

根据本发明的一个实施例，所述第一推挽电路通过第七电阻与所述第三mos管的控制极相连，所述第三mos管的控制极还连接第八电阻的一端，所述第八电阻的另一端连接所述第三mos管的第二极；所述第二推挽电路通过第九电阻与所述第四mos管的控制极相连，所述第四mos管的控制极还连接第十电阻的一端，所述第十电阻的另一端连接所述第四mos管的第二极。

根据本发明的一个实施例，所述第一下桥臂的第二端和所述第二下桥臂的第二端均通过康铜丝接地。

根据本发明的一个实施例，所述的床垫的温度控制装置还包括：第一电容，所述第一电容与所述康铜丝并联连接。

为达到上述目的，本发明第二方面实施例提出的一种床垫包括上述床垫的温度控制装置。

根据本发明实施例提出的床垫，通过上述床垫的温度控制装置，通过控制单元控制第一上桥臂、第二下桥臂与半导体制冷片形成回路以使半导体制冷片工作在制热模式，并通过控制第二上桥臂、第一下桥臂导通与半导体制冷片形成回路以使半导体制冷片工作在制冷模式，其中，控制单元还用于控制第一上桥臂持续导通并通过调整第二下桥臂的导通时间控制半导体制冷片的制热功率，以及控制第二上桥臂持续导通并通过调整第一下桥臂的导通时间控制半导体制冷片的制冷功率。由此，通过控制驱动桥的导通回路和导通时间，控制半导体制冷片的工作模式和工作功率。

本发明附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本发明的实践了解到。

附图说明

图1是根据本发明实施例的床垫的温度控制装置的方框示意图；

图2是根据本发明一个具体实施例的床垫的温度控制装置的电气原理图；

图3是根据本发明实施例的床垫的方框示意图。

具体实施方式

下面详细描述本发明的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。

下面参考附图描述本发明实施例的床垫及其温度控制装置。

图1是根据本发明实施例的床垫的温度控制装置的方框示意图。

如图1所示，床垫的温度控制装置100包括：半导体制冷片1、驱动桥2和控制单元3。

具体地，如图2所示，驱动桥2具有第一上桥臂21、第一下桥臂22、第二上桥臂23和第二下桥臂24，第一上桥臂21的第一端与第一预设电源vss1相连，第一上桥臂21的第二端与半导体制冷片1的第一极相连，第一下桥臂22的第一端与半导体制冷片1的第一极相连，第一下桥臂22的第二端接地，第二上桥臂23的第一端与第一预设电源vss1相连，第二上桥臂23的第二端与半导体制冷片1的第二极相连，第二下桥臂24的第二端与半导体制冷片1的第二极相连，第二下桥臂24的第二端接地。

控制单元3分别于第一上桥臂21的控制端、第一下桥臂22的控制端、第二上桥臂23的控制端和第二下桥臂24的控制端相连，控制单元3通过控制第一上桥臂21、第二下桥臂24与半导体制冷片1形成回路以使半导体制冷片1工作在制热模式，并通过控制第二上桥臂23、第一下桥臂22导通与半导体制冷片1形成回路以使半导体制冷片1工作在制冷模式，其中，控制单元3还用于控制第一上桥臂21持续导通并通过调整第二下桥臂24的导通时间控制半导体制冷片1的制热功率，以及用于控制第二上桥臂23持续导通并通过调整第一下桥臂22的导通时间控制半导体制冷片1的制冷功率。

由此，通过控制驱动桥的导通回路和导通时间，控制半导体制冷片的工作模式和工作功率。

具体地，如图2所示，根据本发明的一个实施例，第一上桥臂21包括：第一mos管m1和第一开关电路k1。

其中，第一mos管m1的第一极与第一预设电源vss1相连，第一mos管m1的第二极与半导体制冷片1的第一极相连，第一开关电路k1的输入端与控制单元3相连，第一开关电路k1的输出端与第一mos管m1的控制极相连，其中，第一开关电路k1根据控制单元3输出的第一电平信号控制第一mos管m1持续导通，以使第一上桥臂21持续导通。

第二上桥臂23包括第二mos管m2和第二开关电路k2。

其中，第二mos管的第一极m2与第一预设电源vss1相连，第二mos管m2的第二极与半导体制冷片1的第二极相连，第二开关电路k2的输入端与控制单元3相连，第二开关电路k2的输出端与第二mos管m2的控制极相连，其中，第二开关电路k2根据控制单元3输出的第一电平信号控制第二mos管m2持续导通，以使第二上桥臂23持续导通。

由此，第一开关电路根据控制单元输出的第一电平信号控制第一mos管持续导通，以使第一上桥臂持续导通，并通过第二开关电路根据控制单元输出的第一电平信号控制第二mos管持续导通，以使第二上桥臂持续导通，从而，控制半导体制冷片的工作模式。

根据本发明的一个实施例，如图2所示，第一开关电路k1和第二开关电路k2中的每个包括：第一电阻r1、第二电阻r2、第一三极管q1、第三电阻r3和第四电阻r4。

其中，第一电阻r1的一端与控制单元3相连；第二电阻r2的一端与第一电阻r1的另一端相连并具有第一节点n，第二电阻r2的第二端接地；第一三极管q3的基极与第一节点n相连，第一三极管q1的发射极接地；第三电阻r3的一端与第一三极管q1的集电极相连，第三电阻r3的另一端与第一mos管m1或第二mos管m2的控制极相连；第四电阻r4，第四电阻r4的一端与第三电阻r3的另一端相连，第四电阻r4的另一端与第一预设电源vss1相连。

具体而言，第一开关电路k1根据控制单元3输出的第一电平信号控制第一mos管m1持续导通，以使第一上桥臂21持续导通，即通过控制单元3持续输出第一电平信号(例如高电平信号)，第一电平信号经过第一电阻r1和第二电阻r2分压后，使得第一三极管q1导通，第三电阻r3、第四电阻r4和第一三极管q1与接地端形成回路，第一预设电源vss1(例如24v)经过第三电阻r3和第四电阻r4分压后，使得第一mos管m1的控制极电压小于源极电压，第一mos管m1持续导通，第一上桥臂21持续导通。其中，第一三极管q1为npn型三极管，第一mos管m1为p沟道mos管。

另外，第二开关电路k2根据控制单元3输出的第一电平信号控制第二mos管m2持续导通，以使第二上桥臂23持续导通，即通过控制单元3持续输出第一电平信号(即高电平信号)，第一电平信号经过第一电阻r1和第二电阻分压后，使得第一三极管q1导通，第三电阻r3、第四电阻r4和第一三极管q1与接地端形成回路，第一预设电源vss1(例如24v)经过第三电阻r3和第四电阻r4分压后，使得第二mos管m2的控制极电压小于源极电压，第二mos管m2持续导通，第二上桥臂23持续导通。其中，第二mos管m2为p沟道mos管。

由此，第一开关电路或第二开关电路根据控制单元输出的第一电平信号控制第一mos管或第二mos管持续导通，以使第一上桥臂或第二上桥臂持续导通，从而，控制半导体制冷片的工作模式。

根据本发明的一个实施例，如图2所示，第一下桥臂22包括第三mos管m3、第三开关电路k3和第一推挽电路t1，第三mos管m3的第一极与半导体制冷片1的第一极相连，第三mos管m3的第二极接地，第三开关电路k3的输入端与控制单元3相连，第三开关电路k3的输出端与第一推挽电路t1的输入端相连，第一推挽电路t1的输出端与第三mos管m3的控制极相连，其中，第三开关电路k3根据控制单元3输出的第一pwm信号控制第三mos管m3的导通时间，以控制第一下桥臂22的导通时间。

也就是说，第三开关电路k3根据控制单元3输出的第一pwm信号，控制第三开关电路k3的导通时间，从而，控制半导体制冷片1的制热功率，以确保控温精确性。

第二下桥臂24包括第四mos管m4、第四开关电路k4和第二推挽电路t2，第四mos管m4的第一极与半导体制冷片1的第二极相连，第四mos管m4的第二极接地，第四开关电路k4的输入端与控制单元3相连，第四开关电路k4的输出端与第二推挽电路t2的输入端相连，第二推挽电路t2的输出端与第四mos管m4的控制极相连，其中，第四开关电路k4根据控制单元3输出的第二pwm信号控制第四mos管m4的导通时间，以控制第二下桥臂24的导通时间。

也就是说，第四开关电路k4根据控制单元3输出的第二pwm信号，控制第四开关电路k4的导通时间，从而，控制半导体制冷片1的制冷功率，以确保控温精确性。

由此，控制单元控制第一上桥臂、第二下桥臂与半导体制冷片形成回路以使半导体制冷片工作在制热模式，进而，通过控制第一上桥臂持续导通并通过调整第二下桥臂的导通时间控制半导体制冷片的制热功率，以及，通过控制单元控制第二上桥臂、第一下桥臂导通与半导体制冷片形成回路以使半导体制冷片工作在制冷模式，进而，通过控制第二上桥臂持续导通并通过调整第一下桥臂的导通时间控制半导体制冷片的制冷功率，从而，控制半导体制冷片的工作功率，提升控温精确性。

根据本发明的一个实施例，如图2所示，第三开关电路k3和第四开关k4电路中的每个包括：第五电阻r5、第二三极管q2和第六电阻r6。

其中，第五电阻r5的一端与控制单元3相连；第二三极管q2的基极与第五电阻r5的另一端相连，第二三极管q2的发射极接地，第二三极管q2的集电极与相应的第一推挽电路t1或第二推挽电路t2相连。第六电阻r6的一端与第二三极管q2的集电极相连，第六电阻r6的另一端与第二预设电源相连。

由此，第三开关电路或第四开关电路根据控制单元输出的第一pwm信号或第二pwm信号控制第三mos管或第四mos管的导通时间，以控制第一下桥臂或第二下桥臂的导通时间，从而，控制半导体制冷片的工作功率，提升控温精确性。

根据本发明的一个实施例，如图2所示，第一推挽电路t1和第二推挽电路t2中的每个包括：第三三极管q3和第四三极管q4。

其中，第三三极管q3的基极与第四三极管q4的基极相连并作为第一推挽电路t1或第二推挽电路t2的输入端，第三三极管q3的集电极与第二预设电源vss2相连，第三三极管q3的发射极与第四三极管q4的集电极相连并作为第一推挽电路t1或第二推挽电路t2的输出端，第四三极管q4的集电极接地。

也就是说，第一推挽电路t1或第二推挽电路t2可在mos管断开时，通过第三三极管q3和第四三极管q4对mos管进行快速放电，从而，避免mos管在高频率关断下，仍处于导通状态，以便于对半导体制冷片1的进行功率调整。

根据本发明的一个实施例，如图2所示，第一推挽电路t1通过第七电阻r7与第三mos管m3的控制极相连，第三mos管m3的控制极还连接第八电阻r8的一端，第八电阻r8的另一端连接第三mos管m3的第二极。

也就是说，第三mos管m3可通过第一推挽电路t1进行快速放电，进而，快速关断第三mos管m3。

第二推挽电路t2通过第九电阻r9与第四mos管m4的控制极相连，第四mos管m4的控制极还连接第十电阻r10的一端，第十电阻r10的另一端连接第四mos管m4的第二极。

也就是说，第四mos管m4可通过第二推挽电路t2进行快速放电，进而，快速关断第四mos管m4。

由此，通过设置第一推挽电路和第二推挽电路对第三mos管和第四mos管进行快速放电，从而，快速关断第三mos管和第四mos管。

具体而言，第三开关电路k3根据控制单元3输出的第一pwm信号控制第三mos管m3的导通时间，以控制第一下桥臂22的导通时间，即通过控制单元3输出第一pwm信号，第三开关电路k3根据控制单元3输出的第一pwm信号导通或关断。换言之，当第一pwm信号为高电平时，第一pwm信号经过第五电阻r5提供至第二三极管q2基极，第二三极管q2导通，第三三极管q3和第四三极管q4的基极通过第二三极管q2接地，第三三极管q3关断，第四三极管q4导通，进而使得第三mos管m3关断，第一下桥臂22关断；当第一pwm信号为低电平时，第一pwm信号经过第五电阻r5提供至第二三极管q2基极，此时，第二三极管q2关断，第二预设电源vss2(例如12v)经过第六电阻提供至第三三极管q3和第四三极管q4的基极，第三三极管q3导通，第四三极管q4关断，进而使得第三mos管m3导通，第一下桥臂22导通。其中，第二三极管q2和第三三极管q3为npn型三极管，第四三极管q4为pnp型三极管，第三mos管m3为n沟道mos管。

可理解，mos管在pwm信号高频率通断的情况下，容易出现pn结放电不完全的情况，此刻可能导致mos管一直处于导通状态，从而导致不能调整半导体制冷片工作功率。在本发明实施例中，通过在第三mos管m3的控制极前设置第一推挽电路t1，在第三mos管m3断开时，通过第四三极管q4对地，快速释放第三mos管m3的控制极(栅极g)、源极s间的电量，从而，使得第三mos管m3在较高驱动频率(第一pwm信号的频率较高)的情况下，可以完全受控于程序，可以正常通过控制第三mos管m3改变半导体制冷片的工作功率，避免因mos管pn结放电不完全导致不能调整半导体制冷片工作功率。

需要说明的是，通过调整第三开关电路k3的导通时间调整加热功率。具体地，可通过调整第一pwm信号的占空比，调整第三开关电路k3的导通时间。其中，占空比为第一pwm信号低电平的持续时间与第一pwm信号的每个周期的总时间的比值，每个周期的总时间为高电平持续时间与低电平持续时间之和。

另外，第四开关电路k4根据控制单元3输出的第二pwm信号控制第四mos管m4的导通时间，以控制第二下桥臂24的导通时间，即通过控制单元3输出第二pwm信号，第三开关电路k3根据控制单元3输出的第二pwm信号导通或关断，换言之，当第二pwm信号为高电平时，第二pwm信号经过第五电阻r5提供至第二三极管q2基极，第二三极管q2导通，第三三极管q3和第四三极管q4的基极通过第二三极管q2接地，第三三极管q3关断，第四三极管q4导通，进而使得第四mos管m4关断，第二下桥臂24关断；当第二pwm信号为低电平时，第二pwm信号经过第五电阻r5提供至第二三极管q2基极，此时，第二三极管q2关断，第二预设电源vss2(例如12v)经过第六电阻提供至第三三极管q3和第四三极管q4的基极，第三三极管q3导通，第四三极管q4关断，进而使得第四mos管m4导通，第二下桥臂24导通。其中，第二三极管q2和第三三极管q3为npn型三极管，第四三极管q4为pnp型三极管，第三mos管m3为n沟道mos管。

可理解，mos管在pwm信号高频率通断的情况下，容易出现pn结放电不完全的情况，此刻可能导致mos管一直处于导通状态，从而导致不能调整半导体制冷片工作功率。在本发明实施例中，通过在第四mos管m4的控制极前设置第二推挽电路t2，在第四mos管m4断开时，通过第四三极管q4对地，快速释放第四mos管m4的控制极(栅极g)、源极s间的电量，从而，使得第四mos管m4在较高驱动频率(第一pwm信号的频率较高)的情况下，可以完全受控于程序，可以正常通过控制第四mos管m4改变半导体制冷片的工作功率，避免因mos管pn结放电不完全导致不能调整半导体制冷片工作功率。

需要说明的是，通过调整第三开关电路k3的导通时间调整制冷功率。具体地，可通过调整第二pwm信号的占空比，调整第四开关电路k4的导通时间。其中，占空比为第二pwm信号低电平的持续时间与第二pwm信号的每个周期的总时间的比值，每个周期的总时间为高电平持续时间与低电平持续时间之和。根据本发明的一个实施例，如图2所示，第一下桥臂22的第二端和第二下桥臂24的第二端均可通过康铜丝rt接地。

具体地，康铜丝rt可为采样电阻。

根据本发明的一个实施例，如图2所示，床垫的温度控制装置100还包括：第一电容c1，第一电容c1与康铜丝rt并联连接。

可以理解的是，第一电容c1与康铜丝rt并联连接，以进行滤波。

综上，根据本发明实施例提出的床垫的温度控制装置，通过控制单元控制第一上桥臂、第二下桥臂与半导体制冷片形成回路以使半导体制冷片工作在制热模式，并通过控制第二上桥臂、第一下桥臂导通与半导体制冷片形成回路以使半导体制冷片工作在制冷模式，其中，控制单元还用于控制第一上桥臂持续导通并通过调整第二下桥臂的导通时间控制半导体制冷片的制热功率，以及控制第二上桥臂持续导通并通过调整第一下桥臂的导通时间控制半导体制冷片的制冷功率。由此，通过控制驱动桥的导通回路和导通时间，控制半导体制冷片的工作模式和工作功率。

图3是根据本发明实施例的床垫的方框示意图。如图3所示，床垫1000包括床垫的温度控制装置100。

根据本发明实施例提出的床垫，通过上述床垫的温度控制装置，通过控制单元控制第一上桥臂、第二下桥臂与半导体制冷片形成回路以使半导体制冷片工作在制热模式，并通过控制第二上桥臂、第一下桥臂导通与半导体制冷片形成回路以使半导体制冷片工作在制冷模式，其中，控制单元还用于控制第一上桥臂持续导通并通过调整第二下桥臂的导通时间控制半导体制冷片的制热功率，以及控制第二上桥臂持续导通并通过调整第一下桥臂的导通时间控制半导体制冷片的制冷功率。由此，通过控制驱动桥的导通回路和导通时间，控制半导体制冷片的工作模式和工作功率。

在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。

此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。

在本发明中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系，除非另有明确的限定。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

在本发明中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触，或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。

在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。

流程图中或在此以其他方式描述的任何过程或方法描述可以被理解为，表示包括一个或更多个用于实现定制逻辑功能或过程的步骤的可执行指令的代码的模块、片段或部分，并且本发明的优选实施方式的范围包括另外的实现，其中可以不按所示出或讨论的顺序，包括根据所涉及的功能按基本同时的方式或按相反的顺序，来执行功能，这应被本发明的实施例所属技术领域的技术人员所理解。

在流程图中表示或在此以其他方式描述的逻辑和/或步骤，例如，可以被认为是用于实现逻辑功能的可执行指令的定序列表，可以具体实现在任何计算机可读介质中，以供指令执行系统、装置或设备(如基于计算机的系统、包括处理器的系统或其他可以从指令执行系统、装置或设备取指令并执行指令的系统)使用，或结合这些指令执行系统、装置或设备而使用。就本说明书而言，"计算机可读介质"可以是任何可以包含、存储、通信、传播或传输程序以供指令执行系统、装置或设备或结合这些指令执行系统、装置或设备而使用的装置。计算机可读介质的更具体的示例(非穷尽性列表)包括以下：具有一个或多个布线的电连接部(电子装置)，便携式计算机盘盒(磁装置)，随机存取存储器(ram)，只读存储器(rom)，可擦除可编辑只读存储器(eprom或闪速存储器)，光纤装置，以及便携式光盘只读存储器(cdrom)。另外，计算机可读介质甚至可以是可在其上打印所述程序的纸或其他合适的介质，因为可以例如通过对纸或其他介质进行光学扫描，接着进行编辑、解译或必要时以其他合适方式进行处理来以电子方式获得所述程序，然后将其存储在计算机存储器中。

应当理解，本发明的各部分可以用硬件、软件、固件或它们的组合来实现。在上述实施方式中，多个步骤或方法可以用存储在存储器中且由合适的指令执行系统执行的软件或固件来实现。如，如果用硬件来实现和在另一实施方式中一样，可用本领域公知的下列技术中的任一项或他们的组合来实现：具有用于对数据信号实现逻辑功能的逻辑门电路的离散逻辑电路，具有合适的组合逻辑门电路的专用集成电路，可编程门阵列(pga)，现场可编程门阵列(fpga)等。

本技术领域的普通技术人员可以理解实现上述实施例方法携带的全部或部分步骤是可以通过程序来指令相关的硬件完成，所述的程序可以存储于一种计算机可读存储介质中，该程序在执行时，包括方法实施例的步骤之一或其组合。

此外，在本发明各个实施例中的各功能单元可以集成在一个处理模块中，也可以是各个单元单独物理存在，也可以两个或两个以上单元集成在一个模块中。上述集成的模块既可以采用硬件的形式实现，也可以采用软件功能模块的形式实现。所述集成的模块如果以软件功能模块的形式实现并作为独立的产品销售或使用时，也可以存储在一个计算机可读取存储介质中。

上述提到的存储介质可以是只读存储器，磁盘或光盘等。尽管上面已经示出和描述了本发明的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本发明的限制，本领域的普通技术人员在本发明的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。