技术特征：
技术总结
本发明公开了一种低压降高输出电阻镜像电流源电路，包括第一PMOS管P1、第二PMOS管P2、第三PMOS管P3、第四PMOS管P4、第五PMOS管P5、第六PMOS管P6、第一NMOS管N1、第二NMOS管N2、第三NMOS管N3、第四NMOS管N4、第一参考电流源Iin、电阻R、电压源VDD；输入电流经低压共源共栅电流镜镜像成两路电流，经第五PMOS管P5、第六PMOS管P6流入由第一NMOS管N1、第二NMOS管N2、第三NMOS管N3、第四NMOS管N4组成的另一组镜像电流源，本发明能够在很低的电流源输出压降下实现稳定的输出电流，便利了低电源电压的深亚微米CMOS工艺下的模拟电路设计，使得模拟集成电路也可以从工艺进步中受益，并且促进先进CMOS工艺下片上系统的实现。
技术研发人员：白春风;沈星月;司大千;赵鹤鸣;乔东海
受保护的技术使用者：苏州大学
技术研发日：2019.04.11
技术公布日：2019.06.28