一种SoC中基于EFLASH加载的LDO校准方法与流程

一种soc中基于eflash加载的ldo校准方法
技术领域
1.本发明涉及soc技术领域，特别涉及一种soc中基于eflash加载的ldo校准方法。


背景技术：

2.市面上的soc电路按照性能划分主要分为低端、中端和高端三种类型，中、低端的soc电路由于电路规模小，电路结构简单，一般采用单电源供电，实现方法就是在芯片设计时集成ldo单元，ldo是一个电源转换模块，能将高电压转换为较低的电压，因此利用ldo模块，能在soc系统级实现单电源对于io端口和内核两个不同电压的供电，简化板级设计。
3.soc芯片一般对于电压输入较为敏感，必须要有一个较为准确的电压才能让整个soc系统处于长期稳定的工作状态。ldo由于是模拟模块，受到设计工艺的偏移等因素，导致每个芯片的特性都不太一致，为了能够让每个芯片都有稳定的输出，需要对ldo的输出进行校准，以满足soc芯片的工作需求。
4.目前解决上述问题的方法主要有两种，第一种是将校准ldo的引脚引出到soc级的封装，在使用时对每个芯片进行校准，这种做法缺点明显，将在应用端增加非常繁琐的工作；第二种是利用soc中的cpu对ldo进行配置，但是这种方法前提是cpu能够顺利启动，如果由于ldo输出不准确，导致cpu无法启动，该方法将失效，而且如果ldo的校准参数较多，cpu将对其进行遍历，这样每个芯片在使用的时候也是非常繁琐的。


技术实现要素：

5.本发明的目的在于提供一种soc中基于eflash加载的ldo校准方法，以解决单电源供电soc芯片中ldo输出校准的问题，并且减少芯片在应用时由于为了校准ldo输出而产生的繁琐工作。
6.为解决上述技术问题，本发明提供了一种soc中基于eflash加载的ldo校准方法，包括：soc芯片中集成电校准参数自动读取模块、ldo模块和eflash存储模块；在ate设备上进行ldo校准参数的遍历测试，寻找最佳校准参数；利用ate设备将最佳校准参数存入eflash存储模块的ldo校准参数存放区中；上电启动芯片，最佳校准参数自动从eflash存储模块中加载到ldo模块中；ldo模块输出稳定电压值，soc芯片正常启动并且稳定工作。
7.可选的，所述ldo模块有多位校准参数用于调节电压输出，保证在生产工艺偏差的情况下也能将ldo模块校准到需求的稳定电压。
8.可选的，所述ldo模块的输出电压不仅输出到芯片内部电源网络上，同时也会输出到soc芯片的管脚用于测试和观测。
9.可选的，所述ldo模块的校准参数有两个输入源，根据测试模式或功能模式选择其中一个输入源；在测试模式时，校准参数通过soc芯片外部管脚输入；在功能模式时，校准参数通过soc芯片内部的上电校准参数自动读取模块提供。
10.可选的，在soc芯片的功能模式下，校准参数的载入需要在soc芯片启动之前完成，保证在soc芯片正常启动时刻，soc芯片供电正常且稳定。
11.可选的，所述ldo模块的最佳校准参数是在ate测试时选取，在进行ate测试时，启动ldo模块的测试模式，遍历校准参数，观测ldo模块输出的引脚电压，选取最佳校准参数。
12.可选的，在ate测试选取最佳校准参数时，需要在ate设备上将最佳校准参数存储在eflash存储模块中。
13.可选的，所述上电校准参数自动读取模块在上电的第一时间从eflash存储模块的相应位置读取校准参数送入到ldo模块，保证ldo模块正确电压的输出。
14.可选的，所述soc芯片采用单电源供电，内核电压通过ldo模块转换得到。
15.本发明提供的soc中基于eflash加载的ldo校准方法中，具有以下有益效果：（1）ldo的最佳校准参数是通过ate测试机找出，避免了人工引入的差错，确保该最佳校准参数准确无误；（2）整个校准过程对应用人员不可见，减少了繁琐的人工校准过程，该流程通过电路设计和ate自动化程序筛选最佳校准参数，中间不需要任何人工参与，实现了绝对的自动化过程。
16.（3）根据每个芯片的个体情况，差异化的将ldo校准参数存入eflash存储模块中，保证了ldo的稳定输出和芯片的稳定工作，无需在应用时进行人工干预。
附图说明
17.图1是集成有ldo模块的soc芯片整体框图；图2是本发明提供的soc中基于eflash加载的ldo校准方法流程示意图。
具体实施方式
18.以下结合附图和具体实施例对本发明提出的一种soc中基于eflash加载的ldo校准方法作进一步详细说明。根据下面说明和权利要求书，本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。
19.soc芯片中ldo模块、eflash存储模块的整体框图如图1所示。ldo模块的校准参数来源有两个，一个是从soc芯片的管脚
①
输入进来的，这些端口只在测试模式可见，用于ate测试时找寻最佳的校准值；另一个来源是从上电校准参数自动读取模块来的，这个校准参数存放于eflash存储模块中，是在ate测试时通过管脚
③
写入到eflash存储模块中的，ldo校准参数选通逻辑可以切换这两个输入源，用于正常工作模式和测试模式的选择，ldo模块的输出电压会送到整个soc芯片的内部电源网络，同时也会送到soc芯片的管脚上用于测试和观测。
20.在soc芯片设计时，需要设计一个上电校准参数自动读取模块，该模块的功能就是从eflash的特定区域将校准参数读出，然后将读出的校准参数送入到ldo模块中，ldo模块根据送入的校准参数进行输出电压的校准。
21.eflash存储模块中的ldo校准参数存放区是为存ldo的校准参数专用的，该特定地址的存储空间存放的是ldo工作的最佳校准参数，保证了ldo模块的稳定工作，这个最佳校
准参数的选择是通过ldo模块的测试模式实现的。
22.在soc芯片设计时，同时设计了ldo模块的测试模式，该测试模式的目的就是为了测试出ldo模块工作的最佳校准参数，用于ldo模块校准的引脚被引出到soc芯片的io口，对soc芯片进行ate测试时进行ldo模块校准参数的遍历，寻找出最佳的校准参数，然后通过ate将此参数存入eflash存储模块中的ldo校准参数存放区。
23.由于eflash存储模块是非易失性的，ldo模块的最佳校准参数将被永久保存在这个特定区域，每次soc芯片上电时这个最佳参数将被送入到ldo模块，使ldo模块能够输出最稳定的电压供给soc芯片。
24.本发明的ldo校准方法整个流程如图2所示，首先soc芯片设计时需要集成图1中的各个模块，在soc芯片生产完出厂之前，首先在ate设备上通过soc芯片的测试模式，也就是选通图1中的管脚
①
，遍历ldo模块的校准参数，通过图1中管路
②
的电压测量，找到最佳校准参数，然后利用图1中的管脚
③
将这个最佳校准参数写入到eflash存储模块中的ldo校准参数存放区，此时soc芯片的ldo校准参数已经装载完毕，具备了出厂状态。
25.soc芯片正常工作时上电校准参数自动读取模块会从相应位置读出ldo的最佳校准参数，保障soc芯片正常启动并稳定工作。
26.上述描述仅是对本发明较佳实施例的描述，并非对本发明范围的任何限定，本发明领域的普通技术人员根据上述揭示内容做的任何变更、修饰，均属于权利要求书的保护范围。