一种受控频率合成电路的制作方法

1.本实用新型涉及频率合成技术领域，尤其涉及一种受控频率合成电路。


背景技术：

2.随着通信技术的发展，对信号的频率要求越来越广，这就要求在不同的使用环境下能够具有不同频率的输出信号，在现有技术中，输出信号的频率不易控制，并且其合成电路使用器件较多，占用空间较大。


技术实现要素：

3.本实用新型主要解决的技术问题是提供一种受控频率合成电路，解决输出信号的频率不易控制，合成电路复杂的问题。
4.为解决上述技术问题，本实用新型采用的一个技术方案是提供一种受控频率合成电路，包括：频率合成芯片lmx2594rha，所述频率合成芯片lmx2594rha连接供电电源，所述频率合成芯片lmx2594rha的输入端接收参考信号，所述频率合成芯片lmx2594rha连接单片机，所述单片机控制所述频率合成芯片lmx2594rha将所述参考信号合成不同频率的输出信号，所述输出信号由所述频率合成芯片lmx2594rha的合成频率输出端输出。
5.优选的，所述合成电路还包括有放大器cha3666-qag，所述放大器cha3666-qag的输入端连接所述频率合成芯片lmx2594rha的合成频率输出端。
6.优选的，所述放大器cha3666-qag连接有电源模块，所述电源模块包括电源芯片lp2985im5-4.0，所述电源芯片lp2985im5-4.0的out端电连接所述放大器cha3666-qag。
7.优选的，所述供电电源包括有+3.3vdd数字供电电源和+3.3vcc模拟供电电源，所述+3.3vdd数字供电电源分别连接所述频率合成芯片lmx2594rha的vccvco端、vcccp端、vccmash端、vccdig端、vccvco2端，所述+3.3vcc模拟供电电源连接所述频率合成芯片lmx2594rha的rfoutbp端、rfoutam端、rfoutap端。
8.优选的，所述+3.3vcc模拟供电电源连接第三电感的第一端，所述第三电感的第二端连接一电容后接地，所述第三电感的第二端连接第四电阻的第一端，所述第四电阻的第二端连接所述频率合成芯片lmx2594rha的rfoutap端，所述第四电阻的第二端还连接一电容后接地，所述第三电感的第二端连接第五电阻的第一端，所述第五电阻的第二端连接所述频率合成芯片lmx2594rha的rfoutam端，所述第五电阻的第二端还连接一电容后接地。
9.优选的，所述频率合成芯片lmx2594rha的rfoutbm端连接第一电容后接地，所述频率合成芯片lmx2594rha的rfoutbm端串联第一电阻、第二电阻和所述第一电容后接地，所述第一电阻和第二电阻之间还连接有第二电容和第一电感，所述第二电容接地，所述第一电感连接+3.3vcc模拟供电电源。
10.优选的，所述频率合成芯片lmx2594rha的rfoutbm端与所述放大器cha3666-qag的射频输入端rein之间还设置有匹配电路，所述匹配电路包括有依次与所述频率合成芯片lmx2594rha的rfoutbm端连接的第三电容、第三电阻、第四电容；所述第三电阻的两端分别
连接一电阻后接地。
11.优选的，所述放大器cha3666-qag与所述电源芯片lp2985ims5-4.0之间还设置有滤波电路，所述滤波电路包括第五电容和第二电感，所述第五电容的一端连接电源芯片lp2985ims5-4.0的out端，所述第五电容的另一端接地；所述第二电感的第一端连接所述电源芯片lp2985ims5-4.0的out端，所述第二电感的第二端分别连接所述放大器cha3666-qag的vd1端、vd2端和nc端。
12.本实用新型的有益效果是：本实用新型中单片机通过频率合成芯片lmx2594rha将参考信号合成为不同频率的输出信号，能够根据需要获取不同频率的输出信号，从而能够适用于不同的使用环境，频率便于控制，合成电路使用器件少，有利于节省空间。
附图说明
13.图1是根据本实用新型受控频率合成电路一实施例频率合成芯片lmx2594rha的示意图；
14.图2是根据本实用新型受控频率合成电路一实施例供电电源的连接示意图；
15.图3是根据本实用新型受控频率合成电路一实施例放大器cha3666-qag和电源模块的连接示意图。
具体实施方式
16.为了便于理解本实用新型，下面结合附图和具体实施例，对本实用新型进行更详细的说明。附图中给出了本实用新型的较佳的实施例。但是，本实用新型可以以许多不同的形式来实现，并不限于本说明书所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本实用新型的公开内容的理解更加透彻全面。
17.需要说明的是，除非另有定义，本说明书所使用的所有的技术和科学术语与属于本实用新型的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。在本实用新型的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是用于限制本实用新型。本说明书所使用的术语“和/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
18.图1显示了本实用新型受控频率合成电路的实施例，包括频率合成芯片lmx2594rha，所述频率合成芯片lmx2594rha连接供电电源，所述频率合成芯片lmx2594rha的输入端接收参考信号，所述频率合成芯片lmx2594rha连接单片机，所述单片机控制所述频率合成芯片lmx2594rha将所述参考信号合成不同频率的输出信号，所述输出信号由所述频率合成芯片lmx2594rha的合成频率输出端输出。
19.本实用新型中单片机通过频率合成芯片lmx2594rha将参考信号合成为不同频率的输出信号，能够根据需要获取不同频率的输出信号，从而能够适用于不同的使用环境。频率便于控制，合成电路使用器件少，有利于节省空间。
20.所述频率合成芯片lmx2594rha的sck端，sdi端，csb端，以及muxout端电连接单片机的输入输出端。
21.进一步的，所述频率合成芯片lmx2594rha的输入端in连接+5v电源。
22.进一步的，如图2所示，所述供电电源包括有+3.3vdd数字供电电源和+3.3vcc模拟供电电源，且所述+3.3vdd数字供电电源和+3.3vcc模拟供电电源均连接一电感。
23.进一步的，所述+3.3vdd数字供电电源连接所述频率合成芯片lmx2594rha的vccvco端、vcccp端、vccmash端、vccdig端、vccvco2端，所述+3.3vcc模拟供电电源连接所述频率合成芯片lmx2594rha的rfoutbp端、rfoutam端和rfoutap端。
24.进一步的，所述频率合成芯片lmx2594rha的合成频率输出端包括有rfoutbm端和rfoutbp端，rfoutbm端连接第一电容c286后接地，rfoutbp端串联第一电阻r186、第二电阻r187和第一电容c286后接地，所述第一电阻r186和第二电阻r187之间还连接有第二电容c283和第一电感l3，第二电容c283接地，电感器l3连接+3.3vcc模拟供电电源。
25.进一步的，所述+3.3vcc模拟供电电源连接第三电感l52的第一端，第三电感l52的第二端连接一电容后接地，第三电感l52的第二端连接第四电阻r172的第一端，第四电阻r172的第二端连接rfoutap端，第四电阻r172的第二端还连接一电容后接地。第三电感l52的第二端连接第五电阻r176的第一端，第五电阻r176的第二端连接rfoutam端，第五电阻r176的第二端还连接一电容后接地。
26.进一步的，参考信号输入到所述频率合成芯片lmx2594rha的oscinp端。
27.优选的，所述参考信号依次连接两个电容后输入到所述频率合成芯片lmx2594rha的oscinp端，两个电容之间还连接一接地的电阻。
28.进一步的，所述频率合成芯片lmx2594rha的oscin m端一侧连接一电容和一电阻后接地。
29.进一步的，如图3所示，所述合成电路还包括有放大器cha3666-qag，所述放大器cha3666-qag的输入端连接所述频率合成芯片lmx2594rha的rfoutbp端。
30.进一步的，所述rfoutbp端与所述放大器cha3666-qag的射频输入端rein之间还设置有匹配电路，所述匹配电路包括有依次与所述rfoutbp端连接的第三电容c282、第三电阻r150、第四电容c238。第三电阻r150的两端分别连接一电阻后接地。
31.进一步的，如图3所示，所述放大器cha3666-qag连接有电源模块，优选的，所述电源模块包括电源芯片lp2985ims5-4.0，所述电源芯片lp2985ims5-4.0的out端out电连接所述放大器cha3666-qag vd1端、vd2端和nc端。
32.进一步的，所述放大器cha3666-qag与所述电源芯片lp2985ims5-4.0之间还设置有滤波电路，所述滤波电路包括第五电容c229和第二电感l46，第五电容c229的一端连接电源芯片lp2985ims5-4.0的out端，第五电容c229的另一端接地。第二电感l46的第一端连接电源芯片lp2985ims5-4.0的out端，第二电感l46的第二端分别连接所述放大器cha3666-qag的vd1端、vd2端和nc端。
33.进一步的，第二电感l46的第二端还连接有两个电容，两个电容接地。
34.本实用新型通过单片机像频率合成芯片lmx2594rha中输入指令，由频率合成芯片lmx2594rha将参考信号合成为不同频率的输出信号，输出信号再通过放大器cha3666-qag进行放大后输出，从而为不同的环境提高不同频率的稳定的输出信号。频率便于控制，合成电路使用器件少，有利于节省空间。
35.以上仅为本实用新型的实施例，并非因此限制本实用新型的专利范围，凡是利用本实用新型说明书及附图内容所作的等效结构变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本实用新型的专利保护范围内。