一种电动汽车EVCC控制系统的控制电路的制作方法

一种电动汽车evcc控制系统的控制电路
技术领域
1.本技术涉及电动汽车技术领域，尤其是涉及一种电动汽车evcc控制系统的控制电路。


背景技术：

2.传统的电动汽车evcc唤醒及低功耗方案是直接使用一个集成的电源管理芯片，功能上实现电平唤醒，cp信号唤醒，以及低功耗的管理。但是集成芯片的价格高昂，尤其是车载的集成电源管理芯片，价格高昂。


技术实现要素：

3.有鉴于此，本技术的目的在于提供一种电动汽车evcc控制系统的控制电路，使用三极管常见且成本低廉的元件设计一个满足电平唤醒，cp信号唤醒，以及低功耗管理的电路，降低了电动汽车evcc控制系统的控制成本。
4.本技术实施例提供了一种电动汽车evcc控制系统的控制电路，包括：高电平唤醒电路、cp信号唤醒电路、唤醒信号控制电路、高侧控制电路、电源芯片控制电路、电源保持电路和低功耗控制电路；其中，所述高电平唤醒电路包括两个相互并联的二极管电路；所述高电平唤醒电路与所述cp信号唤醒电路相互并联连接在所述唤醒信号控制电路的输入端，所述唤醒信号控制电路的输出端连接所述高侧控制电路，所述高侧控制电路与所述电源芯片控制电路电连接，所述电源芯片控制电路连接电源芯片使能脚，所述电源保持电路与所述电源芯片控制电路相互并联，所述低功耗控制电路作为外围电路的电源开关，所述低功耗控制电路连接所述电源保持电路。
5.可选的，所述cp信号唤醒电路包括一个100nf的电容与一个100k的电阻串联电路。
6.可选的，所述唤醒信号控制电路包括两个100k的电阻和一个低侧开关的pmv230enea的mos管，其中，一个所述100k的电阻与所述低侧开关的pmv230enea的mos管串联形成串联电路，所述另一个100k的电阻与所述低侧开关的pmv230enea的mos管并联。
7.可选的，所述高侧控制电路包括两个100k的电阻一个10k电阻与s9012三级管，其中，一个10k的电阻串联连接所述s9012三级管的发射极，一个100k的电阻连接所述s9012三级管的基极，另一个所述100k的电阻与所述s9012三级管的发射极并联。
8.可选的，所述电源芯片控制电路一个3.3k的电阻和一个100r的电阻与一个二极管。
9.可选的，所述电源保持电路包括一个二极管和10k的电阻，所述一个二极管和10k的电阻相互串联。
10.可选的，所述低功耗控制电路包括一个s9013三极管和si2301的mos管，其中，所述s9013三极管的集电极连接所述si2301的mos管的基极。
11.本技术实施例提供的电动汽车evcc控制系统的控制电路。与现有技术中控制方法
相比，使用三极管，mos管，电阻，电容等元件设计一个满足电平唤醒，cp信号唤醒，以及低功耗管理的电路设计方案，物料的在预估范围以内，相对于之前集成电源管理芯片，成本优势明显。
12.为使本技术的上述目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附附图，作详细说明如下。
附图说明
13.为了更清楚地说明本技术实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本技术的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
14.图1示出了本技术实施例所提供的一种电动汽车evcc控制系统的控制电路的电路图；图2示出了本技术实施例所提供的一种电动汽车evcc控制系统的控制电路上低功耗控制电路的电路图。
具体实施方式
15.为使本技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本技术实施例中附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本技术实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。因此，以下对在附图中提供的本技术的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本技术的范围，而是仅仅表示本技术的选定实施例。基于本技术的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的每个其他实施例，都属于本技术保护的范围。
16.首先，对本技术可适用的应用场景进行介绍。本技术可应用于电动汽车evcc控制系统的控制场景。
17.经研究发现，通过常见得电器元件组成得电路，可以实现与集成的电源管理芯片功能相同得功能。
18.基于此，本技术实施例提供了一种电动汽车evcc控制系统的控制电路，如图1所示，包括：高电平唤醒电路、cp信号唤醒电路、唤醒信号控制电路、高侧控制电路、电源芯片控制电路、电源保持电路和低功耗控制电路；其中，所述高电平唤醒电路包括两个相互并联的二极管电路；所述高电平唤醒电路与所述cp信号唤醒电路相互并联连接在所述唤醒信号控制电路的输入端，所述唤醒信号控制电路的输出端连接所述高侧控制电路，所述高侧控制电路与所述电源芯片控制电路电连接，所述电源芯片控制电路连接电源芯片使能脚，所述电源保持电路与所述电源芯片控制电路相互并联，所述低功耗控制电路作为外围电路的电源开关，所述低功耗控制电路连接所述电源保持电路。
19.集成外部唤醒方式，直流电平唤醒，cp信号唤醒，通过增加mos管高侧开关，做低功
耗管理。
20.在一种可能得实施方式中，所述cp信号唤醒电路包括一个100nf的电容与一个100k的电阻串联电路。
21.在一种可能得实施方式中，所述唤醒信号控制电路包括两个100k的电阻和一个低侧开关的pmv230enea的mos管，其中，一个所述100k的电阻与所述低侧开关的pmv230enea的mos管串联形成串联电路，所述另一个100k的电阻与所述低侧开关的pmv230enea的mos管并联。
22.在一种可能得实施方式中，所述高侧控制电路包括两个100k的电阻一个10k电阻与s9012三级管，其中，一个10k的电阻串联连接所述s9012三级管的发射极，一个100k的电阻连接所述s9012三级管的基极，另一个所述100k的电阻与所述s9012三级管的发射极并联。
23.在一种可能得实施方式中，所述电源芯片控制电路一个3.3k的电阻和一个100r的电阻与一个二极管。
24.在一种可能得实施方式中，所述电源保持电路包括一个二极管和10k的电阻，所述一个二极管和10k的电阻相互串联。
25.在一种可能得实施方式中，如图2所示，所述低功耗控制电路包括一个s9013三极管和si2301的mos管，其中，所述s9013三极管的集电极连接所述si2301的mos管的基极。
26.示例性的，使用两个二极管电路做电平唤醒的输入，高电平唤醒有效，一个100nf的电容加100k的电阻作为cp信号唤醒电路输入，使用两个100k的电阻和一个低侧开关的pmv230enea的mos管作为唤醒信号开关控制，使用两个100k的电阻一个10k电阻与s9012三级管作为高侧开关控制，使用一个3.3k和100r的电阻与二极管作为电源芯片唤醒控制引脚，连接到电源芯片使能脚，使用一个二极管和10k的电阻作为电源保持引脚，上电后由mcu芯片控制系统的电源，使用一个s9013三极管和si2301的mos作为外围电路的电源开关，控制系统进入低功耗。集成外部唤醒方式，直流电平唤醒，cp信号唤醒，通过增加mos管高侧开关，做低功耗管理。
27.使用三极管常见且成本低廉的元件设计一个满足电平唤醒，cp信号唤醒，以及低功耗管理的电路，降低了电动汽车evcc控制系统的控制成本。
28.在本技术所提供的几个实施例中，应该理解到，所揭露的系统、装置和方法，可以通过其它的方式实现。以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，例如，所述单元的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，又例如，多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。另一点，所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些通信接口，装置或单元的间接耦合或通信连接，可以是电性，机械或其它的形式。
29.所述作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元来实现本实施例方案的目的。
30.另外，在本技术各个实施例中的各功能单元可以集成在一个处理单元中，也可以是各个单元单独物理存在，也可以两个或两个以上单元集成在一个单元中。
31.所述功能如果以软件功能单元的形式实现并作为独立的产品销售或使用时，可以存储在一个处理器可执行的非易失的计算机可读取存储介质中。基于这样的理解，本技术的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分或者该技术方案的部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在一个存储介质中，包括若干指令用以使得一台计算机设备（可以是个人计算机，服务器，或者网络设备等）执行本技术各个实施例所述方法的全部或部分步骤。而前述的存储介质包括：u盘、移动硬盘、只读存储器（read-only memory，rom）、随机存取存储器（random access memory，ram）、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。
32.最后应说明的是：以上所述实施例，仅为本技术的具体实施方式，用以说明本技术的技术方案，而非对其限制，本技术的保护范围并不局限于此，尽管参照前述实施例对本技术进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：任何熟悉本技术领域的技术人员在本技术揭露的技术范围内，其依然可以对前述实施例所记载的技术方案进行修改或可轻易想到变化，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改、变化或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本技术实施例技术方案的精神和范围，都应涵盖在本技术的保护范围之内。因此，本技术的保护范围应以权利要求的保护范围为准。