精密声控传感器集成控制装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种声控传感器集成控制设备，尤其涉及一种极小尺寸精密声控传感器集成控制装置。
【背景技术】
[0002]经检索，如图1所示是现有技术的一个大量用的阻抗转换和滤波网络应用电路，电路虽然尺寸小，但无法实现交变的信号传输、抗静电能力极差、响应低。图2是第二个，第二个电路复杂，需要复杂的阻抗匹配转换、控制电路及滤波网络，阻抗转换能力较差，响应更低，且采用分立元件无法实现集成化造成尺寸也非常大。两种电路都采用了常用的分立器件，无论在可靠性、抗静电能力以及一致性上都表现不佳。
【发明内容】
[0003]本发明所要解决的技术问题是针对上述现有技术的不足，提供一种精密声控传感器集成控制装置，本精密声控传感器集成控制装置采用全域信号输入，并引入变频智能线性开关，采用创新的电荷算法控制技术，可用以电荷控制、输出保护及输出补偿控制，进一步地，本发明所采用的二极管、电阻以及JFET均为特殊的半导体制程，使系统的集成化得到根本的优化，能够实现极小尺寸。
[0004]为实现上述技术目的，本发明采取的技术方案为:精密声控传感器集成控制装置，其特征在于:包括VCC输入端、信号输入端、-VCC输入端、信号输出端、和电荷控制/输出保护及输出补偿控制器；
[0005]还包括二极管D1、二极管D2、二极管D3、二极管D6、二极管D7、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R6、电阻R7、电阻R8、MOS管M1、开关Kl和至少3个上二极管组；
[0006]所述二极管Dl阴极与VCC输入端连接，阳极通过电阻R3与二极管D3阴极连接；二极管D3阳极与信号输入端连接；所述二极管Dl阳极还与二极管D2阴极连接；二极管D2阳极接地；电阻Rl与二极管Dl并联，电阻R2与二极管D2并联；
[0007]MOS管Ml栅极通过电阻R4与二极管Dl阳极连接，开关Kl连接在MOS管Ml的栅极和源极之间，MOS管Ml源极接地；所述上二极管组包括二极管D4和二极管D5 ;二极管D4阴极与VCC输入端连接，阳极与二极管D5阴极连接；二极管D5阳极接地；相邻的两个上二极管组内的两个二极管D4的阳极之间连接有电阻R5 ;所述上二极管组分别为二极管组L1、二极管组L 2和二极管组LN(N〉= 3)，上二极管组之间顺序并联；二极管组LI内的二极管D4阳极与MOS管Ml漏极连接，二极管组LN内的二极管D4阳极通过电阻R 6与二极管D6阴极连接；二极管D6阳极接地；二极管D6阴极还通过电阻R7信号输出端连接；二极管D7阴极与VCC输入端连接，阳极与信号输出端连接；电阻R8—端与VCC输入端连接，另一端与二极管D6阴极连接；
[0008]还包括二极管D8、二极管D9、二极管D10、二极管D13、二极管D14、电阻R9、电阻R10、电阻R11、电阻R12、电阻R14、电阻R15、电阻R16、MOS管M2、开关K2和至少3个下二极管组；
[0009]所述二极管D8阳极与-VCC输入端连接，阴极通过电阻Rll与二极管DlO阳极连接；二极管DlO阴极与信号输入端连接；所述二极管D8阴极还与二极管D9阳极连接；二极管D9阳极接地；电阻R9与二极管D8并联，电阻RlO与二极管D9并联；
[0010]MOS管M2栅极通过电阻Rl2与二极管D8阴极连接，开关K2连接在MOS管M2的栅极和源极之间，MOS管M2源极接地；所述下二极管组包括二极管Dll和二极管D12 ;二极管Dll阳极与-VCC输入端连接，阴极与二极管D12阴极连接；二极管D12阴极接地；相邻的两个下二极管组内的两个二极管Dll的阴极之间连接有电阻R13 ;所述下二极管组分别为二极管组Zl、二极管组Z2和二极管组ZN (N〉= 3)，下二极管组之间顺序并联；二极管组Zl内的二极管Dll阴极与MOS管M2漏极连接，二极管组ZN内的二极管Dll阴极通过电阻R14与二极管D13阳极连接；二极管D13阴极接地；二极管D7阳极还通过电阻R15与信号输出端连接；二极管D14阳极与-VCC输入端连接，阴极与信号输出端连接；电阻R16 —端与-VCC输入端连接，另一端与二极管D13阳极连接；
[0011]所述开关Kl和开关K2均为变频智能线性开关；
[0012]所述电荷控制/输出保护及输出补偿控制器用于检测MOS管Ml栅极电荷和MOS管M2的栅极电荷；当MOS管Ml栅极电荷和/或MOS管M2的栅极电荷超出设定范围时，电荷控制/输出保护及输出补偿控制器使开关Kl和/或开关K2进入线性模式或开关模式；
[0013]所述电荷控制/输出保护及输出补偿控制器还用于检测信号输出端电压；当信号输出端电压超出设定电压范围但是没有超出电压保护点时，电荷控制/输出保护及输出补偿控制器通过变频智能线性开关对信号输出进行补偿，使信号输出的电压在设定电压范围内；当信号输出端电压超出电压保护点时，电荷控制/输出保护及输出补偿控制器通过变频智能线性开关使输出为零；
[0014]所述电荷控制/输出保护及输出补偿控制器还用于检测信号输入端的电压，当信号输入端的电压超出设定范围时，电荷控制/输出保护及输出补偿控制器使开关Kl和开关K2闭合；
[0015]作为本发明进一步改进的技术方案，还包括电容Cl和电容C2 ;所述电容Cl 一端与VCC输入端连接，另一端接地；所述电容C2 —端与-VCC输入端连接，另一端接地。
[0016]作为本发明进一步改进的技术方案，所述上二极管组位3-7组；所述下二极管组也为3-7组。
[0017]本发明中上二极管组和下二极管组的均用于提供上、下限位通道，数量和组数可由需要自由变化，所述电荷控制/输出保护及输出补偿控制器的三种控制模式的工作方式、工作时序、变频方式由内部集成的智能算法精确控制。本发明引入独创的变频智能线性开关，采用创新的电荷算法控制技术，可用以电荷控制、输出保护及输出补偿控制；通过对输入输出的监控，采用输出补偿控制阻抗转换网络，提升输出品质，降低谐波失真和互调失真；采用上下限位以及累积电荷泄放的方法提供静电泄放通路并钳位信号电压，大大提高抗静电能力；采用特殊的半导体二极管替代电容，既实现了滤波作用、大大加强了抗静电能力、降低了容抗提升了系统响应，还实现了可集成化；采用特殊的半导体电阻替代传统电阻，不仅阻值精度高且尺寸极小、可靠性高，使得系统可集成化，优化了输出滤波网络，也精确控制了阻尼的大小；适应交变输入，大大提升了音质，引入的偏置降低了失真；极低的寄生电容，提升了频响范围，降低了相位失真；采用J-FET阻抗转换，抗干扰能力强、放大性能优，提高系统信噪比；仅五端引出，极大减小了外围电路；全半导体器件设计，采用集成化电路设计可极大的缩小尺寸，使能做入耳机当中。总之本发明有极高的抗噪声能力、极宽的音域、极小的失真、极小的尺寸和极少的端口 ；采用全域信号输入，并引入变频智能线性开关，采用创新的电荷算法控制技术，可用以电荷控制、输出保护及输出补偿控制，进一步地，本发明所采用的二极管、电阻以及JFET均为特殊的半导体制程，使系统的集成化得到根本的优化，能够实现极小尺寸。本精密声控传感器集成控制装置引入智能线性开关，可用以电荷控制、输出保护及输出补偿控制，能够实现极小尺寸。
【附图说明】
[0018]图1为现有技术中阻抗转换和滤波网络应用电路。
[0019]图2为现有几种采用分立元件实现的电路示意图。
[0020]图3为本发明的电路示意图。
[0021]下面结合附图对本发明的【具体实施方式】做进一步说明。
【具体实施方式】
[0022]实施例1
[0023]参见图3，本精密声控传感器集成控制装置，包括VCC输入端、信号输入端、-VCC输入端、信号输出端、和电荷控制/输出保护及输出补偿控制器；还包括二极管D1、二极管D2、二极管D3、二极管D6、二极管D7、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R6、电阻R7、电阻R8、MOS管M1、开关Kl和至少3个上二极管组；所述二极管Dl阴极与VCC输入端连接，阳极通过电阻R3与二极管D3阴极连接；二极管D3阳极与信号输入端连接；所述二极管Dl阳极还与二极管D2阴极连接；二极管D2阳极接地；电阻Rl与二极管Dl并联，电阻R2与二极管D2并联；MOS管Ml栅极通过电阻R4与二极管Dl阳极连接，开关Kl连接在MOS管Ml的栅极和源极之间，MOS管Ml源极接地；所述上二极管组包括二极管D4和二极管D5 ;二极