低功耗输入电路的制作方法
【专利摘要】本发明涉及低功耗输入电路。用于工业控制器等的I/O模块(14e)的输入电路(30)提供了用于精确控制通过光隔离器(44)的LED(42)的最大电流的分流调节器(38)。电流调节中的实质改进降低了光隔离器元件中的功耗。低电压分流电路(70)防止了来自分流调节器的泄露在低电压处激活光隔离器，从而允许提供附加的功耗节约的、更灵敏的光隔离器。
【专利说明】
低功耗输入电路
[0001] 对相关申请的交叉引用
[0002] 本申请要求美国临时申请62/143，286的权益，该美国临时申请在2015年4月6日提 交，并通过引用合并于此。
技术领域
[0003] 本发明涉及工业控制系统，并且特别地涉及用于工业控制系统的I/O模块，这些1/ 〇模块提供降低的功耗以及更紧凑的形状系数。
【背景技术】
[0004] 工业控制系统初始被开发为用于对工厂中的设备提供控制逻辑，这些设备进行操 作以在装配线上或在批处理中生产产品。早期的工业控制系统利用对继电器进行模拟但使 用编程语言的专用电路来代替继电器机架。
[0005] 目前的工业控制系统使用现代的电子计算机处理器和电路来继续这一进展，但与 标准计算机的区别可能在于下述架构:该架构提出了对于高稳定性、安全性和对环境破坏 和普通污染的抵抗性的要求。后者的关注一般意味着工业控制系统部件被设计成不具有冷 却风扇或用于与外界空气连通的端口，从而使得低散热非常重要。
[0006] 工业控制系统必须在高度多样化的制造应用中工作。出于这一原因，工业控制系 统通常使用模块化构造形式，其中，一个或多个模块化控制器与本地或远程的I/O模块以及 在控制器与驱动工业处理的制动器和传感器的硬件之间提供实际接口的其他控制装置进 行协作。
[0007] -种类型的输入I/O模块作为接口进行操作，以从传感器等接收输入信号，该传感 器提供指示低状态的第一电压范围内输出电压以及指示高状态的第二电压范围内的输出 电压。通常，可以通过0伏与10伏之间的输入电压代表低状态，并且可以通过10伏至32伏之 间的输入电压代表高状态。
[0008] 防止源于所控制的设备或处理中的高电压损坏工业控制系统是很重要的。出于这 一原因，I/O模块通常包括隔离器。一种可能的隔离器是光隔离器(光隔离器/光耦合器），其 提供与光电检测器(例如光电二极管)绝缘并且电隔离的电致动的光源(LED )，其中该光电 检测器与工业控制系统的剩余部分通信。光隔离器提供良好的共模抑制（即，取消出现在1/ 〇模块的输入侧和地面二者之上的噪音），并且保护工业控制系统免于可能意外地施加到该 I/O模块的输入的极大电压输入。
[0009] 附接到I/O模块的不同装置可能具有不同的输出电压范围，其中高状态电压具有 从低如5伏到30伏或更高的范围。适应于该电压范围而不超出光隔离器的电流容量的一种 方法是使用串联限流电阻器。这种方法可能对于不同的输入电压范围需要不同的限流电阻 器，并且因此对于不同的应用需要制造多个I/O模块。
[0010] 一个替选方式在被授予Bavol的美国专利6,043,703中公开，该专利转让给本发明 的受让人并且通过引用合并于此。在该专利中，在I/O模块的一个输入和光耦合器的光源之 间布置有基于晶体管的串联限流器，以在宽输入电压范围上限制到光耦合器的电流。串联 电流的这一激活调节允许单个I/O模块在宽输入电压范围上工作。
[0011] 重要的是，光隔离器不被来自串联限流器的泄露电流所激活。为了确保这一结果， 通常使用特别选择的或指定的光隔离器以具有相对更大的激活电流。
【发明内容】
[0012] 本发明人认识到，可以通过提供"更平的"电流调节来获得散热的明显下降，其中 可经由使用高增益比较器类型的调节器系统来提供上述"更平的"电流调节。通过降低随着 输入电压上升的电流上升，功耗的增长与电压（电压降乘以电流)的平方关系可被降低为功 耗的成比例增长，从而实质上降低典型功耗。
[0013] 本发明人还认识到，指定或选择具有高电流激活的光隔离器的需要不利地增加了 产品中耗散的功率，例如可能趋向于抵消由改进的电流调节所提供的下降的功耗。因此，本 发明还提供光隔离器旁路电路，其使泄漏电流绕过光隔离器而分流(否则该泄露电流将通 过串联电流调节器），从而允许使用低功耗光隔离器并对于光隔离器的选择提供更高的灵 活性。
[0014] 因此，在一个实施例中，本发明提供了一种用于工业控制器的输入电路，其具有输 入端子，所述输入端子用于接收感测电压以及提供所述输入端子之间的电流路径;并且该 输入电路也具有隔离器，所述隔离器具有沿着所述输入端子之间的电流路径串联连接的隔 离器输入，以使得所述输入端子之间的第一方向上的电流激活所述隔离器。激活限流器沿 着所述电流路径而与所述隔离器输入串联布置，以限制通过所述隔离器输入的电流;并且， 所述激活限流器提供比较器，所述比较器将与所述隔离器输入串联的感测电阻器的电压降 与固定的电压基准相比较，以用于控制晶体管，该晶体管控制通过所述隔离器输入的串联 电流。
[0015] 因此，本发明的至少一个实施例的特征是在I/O电路中提供高度稳定的限流以实 质上降低功耗。
[0016] 所述激活限流器可以是由所述比较器的输出所控制的、与所述隔离器输入串联的 限流晶体管。
[0017] 因此，本发明的至少一个实施例的特征是提供要直接插入隔离器的路径中的电流 控制元件，该电流控制元件可以容易地适应于必需的功耗和电压范围。
[0018] 所述激活限流器可以是提供下述比较器的电压调节器，该比较器具有连接在所述 感测电阻器的一侧的第一输入以及通过具有预定电压降的精确电压基准而连接到所述感 测电阻器的第二侧的第二输入，并且其中，来自所述比较器的输出连接到所述限流晶体管 的控制输入，以在所述感测电阻器两端的电压降超过预定水平的情况下从该控制输入吸取 电流。
[0019] 因此，本发明的至少一个实施例的特征是使用标准的电分流调节器来提供高度稳 定和精确的电流调节，从而降低功耗。
[0020] 所述比较器可以包括差分放大器电路，该差分放大器电路包括差分晶体管对。
[0021] 因此，本发明的至少一个实施例的特征是提供用于电流调节的简单的高增益电 路。
[0022] 所述隔离器可以是光隔离器，并且所述隔离器输入可以跨越所述光隔离器的发光 二极管而连接，并且所述光隔离器可以具有跨越光电传感器而连接的输出，所述光电传感 器接收来自所述发光二极管的光以激活所述光电传感器在给定的光水平(light level)导 通。
[0023] 因此，本发明的至少一个实施例的特征是提供对于光学隔离适应良好的电路，其 中电流控制直接影响在发光二极管中的散热。
[0024] 该输入电路还可以包括齐纳二极管，该齐纳二极管与所述隔离器的输入串联，以 在跨越所述输入端子而施加的、低于预定齐纳电压量的电压处阻止通过所述隔离器的电 流。
[0025] 因此，本发明的至少一个实施例的特征是降低在未采用激活分流的情况下的低电 压处的输入电路的错误触发。
[0026] 在一个实施例中，所述输入电路可以包括旁路电路，所述旁路电路在所述预定电 压以下的电压处使来自所述激活限流器的电流旁路，否则该电流将会通过所述隔离器输入 端子。
[0027] 因此，本发明的至少一个实施例的特征是对于光隔离器的选择提供更大的灵活 性，例如，通过使光隔离器分流来防止光隔离器在低电流处被触发，而允许使用具有低激活 电流或更广的激活电流变化的光隔离器。本发明的至少一个实施例的另一个特征是允许使 用具有低激活电流的光隔离器，以允许较低水平的串联电流调节并且因而允许光隔离器中 的较低的功耗。
[0028] 所述旁路电路可以在所述预定电压以下的电压处使来自所述激活限流器的电流 旁路，否则该电流将会通过所述隔离器输入端子。
[0029] 因此，本发明的至少一个实施例的特征是适应于与较复杂的电流控制电路(例如 比较器)相关联的泄露电流。
[0030] 所述预定电压可以在下述电压之下：该电压提供足以激活所述隔离器的通过所述 隔离器输入的电流，或者所述预定电压可以在下述电压之上:该电压提供将会足以激活所 述隔离器的来自所述激活限流器的电流。
[0031] 因此，本发明的至少一个实施例的特征是适应于较广范围的光隔离器的规格，并 且通过对产生较广范围的激活电流的电压范围进行压缩来有效地使切换电压更加紧密地 一致。
[0032] 所述旁路电路可以提供分流晶体管，所述分流晶体管跨越所述隔离输入而连接， 以在阈值电压施加到该晶体管的控制输入时提供使所述隔离器输入分流的导通路径，并 且，该控制输入接收来自输入端子的电压，以在该输入端子上的电压超过所述阈值电压时 接通所述分流晶体管以用于分流。
[0033] 因此，本发明的至少一个实施例的特征是提供对于光隔离器的极其简单的修改， 以在低电压施加到输入端子时立即提供旁路能力。通过直接从输入端子提供到旁路晶体管 的电压，旁路晶体管在低电压时立即接通。
[0034] 所述旁路电路还可以包括阈值电路，该阈值电路在所述输入端子上的电压超过第 二阈值电压的情况下将所述分流晶体管的控制输入接地。
[0035] 因此，本发明的至少一个实施例的特征是在所述输入端子上的任意升高电压处停 用芳路电路。
[0036] 所述输入电路可以包括齐纳二极管，该齐纳二极管与所述隔离器的输入串联，以 在跨越所述输入端子而施加的、低于预定齐纳电压量的电压处阻止通过所述隔离器的电 流，并且，可以在所述齐纳二极管之前从输入端子接收所述控制输入，并且所述阈值电路在 所述齐纳二极管之后从该输入端子接收输入。
[0037] 因此，本发明的至少一个实施例的特征是在输入电路中使用具有其他功能的齐纳 二极管，以产生关断旁路晶体管的快速切换阈值。
[0038] 所述阈值电路可以是第二分流晶体管，所述第二分流晶体管被连接为根据所述第 二分流晶体管的控制输入而将所述分流晶体管的控制输入转为接地，其中所述第二分流晶 体管的控制输入连接到在所述齐纳二极管之后接收电压的分压器。
[0039] 因此，本发明的至少一个实施例的特征是，提供可以通过分压器的调整来灵活地 改变旁路电路的操作范围的电路。
[0040] 这些特别的目标和优点可以仅适用于落入权利要求之内的某些实施例，并且因此 不限定本发明的范围。
【附图说明】
[0041] 图1是具有模块化构造的工业控制系统的简化的展示，其具有可安装在壳体等中 的根据本发明的I/O模块，该I/O模块提供用于与工业控制处理通信的暴露端子以及用于与 公共工业控制背板通信的后端连接器；
[0042] 图2是图1的I/O模块的电路的功能性框图；
[0043] 图3是图2的电路的更具体的示意图；
[0044] 图4是与【背景技术】相对照的本发明的功耗的图示；
[0045] 图5是图3中的精确分流调节器的细节图；
[0046] 图6是与图2相似的、示出了提供光隔离器旁路电路的本发明的实施例的图。
[0047] 图7是示出了根据输入电压的、图6的电路的不同操作模式的图表；
[0048] 图8是与图6相似的、提供了旁路电路的附加的部件级细节的图。
【具体实施方式】
[0049] 现在参照图1，工业控制系统10可以提供壳体12或类似支撑，其将多个模块14组装 在一起以在公共工业控制背板15上一起通信（在如此组装的情况下）。模块14通常可以包 括:执行控制程序的工业控制器14a;例如在工业控制网络(例如使用诸如以太网/IP、设备 网（DeviceNet)和控制网（ControlNet)的通用工业协议(CIP)的网络）上通信的通信模块 14b;电源14c;以及本文中将要讨论的一个或多个I/O模块14e。
[0050] -个I/O模块14可以是输入模块16,该输入模块16具有壳体19的正面上的一组电 端子18,电端子18适合于连接到可以与工业处理26的各种传感器22和24进行通信的导体 20。壳体19的后面可以提供电连接器28,电连接器28可以与背板15上的相应的连接器通信。
[0051] 应认识到，背板15可以替选地被部分包含在每个模块14内，并且在模块14被组装 在一起的情况下通过经由与相邻模块连接的每个模块14上的连接器对(未示出）的互连而 形成。
[0052] 现在还参照图2,输入模块16可以包括输入电路30,该输入电路30与端子18a和18b 通信，以检测端子18a上相对于端子18b的5伏至30伏的正极性电压。
[0053]从端子18a接收的电流通过齐纳二极管31，齐纳二极管31阻止电流直到施加至少5 伏的电压为止。该电流随后并行传递到电阻器32的第一端子和NPN晶体管34的集电极。NPN 晶体管34的基极连接到电阻器32的第二端子，并且还连接到低电压精确分流调节器38的 "阴极"36 APN晶体管34的发射极连接到分流调节器38的参考输入41，并且还连接到电阻器 37的第一端子。电阻器37的第二端子与分流调节器38的"阳极"40通信。阳极40和电阻器37 的第二端子之间的结点连接到构成光耦合器44的一部分的发光二极管(LED)42的阳极。来 自二极管42的光可以撞击(strike)光耦合器44内的光电晶体管46,以提供跨越端子48的切 换电流信号，可以与其他电路传递该切换电流信号，该切换电流信号用于检测端子18a处的 正电压的出现。LED 42的阴极与端子18b连接。
[0054] 现在参照图3,分流调节器38可以包括内部比较器电路50,其正输入或非反相输入 连接到参考输入41。比较器电路50的反相输入或负输入通过精确电压基准52连接到分流调 节器38的阳极。精确电压基准52例如可以在80微安到约20毫安的操作电流处提供1.24伏的 固定的电压降。比较器电路50的输出提供到NPN晶体管53的基极的电流，该晶体管的集电极 提供分流调节器38的阴极36并且该晶体管的发射极连接到分流调节器38的阳极40。连接二 极管54,使得其阴极与晶体管53的集电极相连接并且其阳极附接到晶体管53的发射极，以 在正常操作期间反向偏置(非导通）。
[0055] 现在参照图3和图4,在端子18a和端子18b之间的电压增长到大约5伏的情况下，齐 纳二极管31(在图2中示出）开始导通。在该首次导通的点处，流过电阻器37的电流非常小， 并展示出比跨越电阻器37的电压基准52的电压小的电压降，使得比较器电路50的输出低， 从而关断晶体管53。作为结果，电流流过电阻器32直接流向晶体管34的基极，从而使晶体管 34偏置。选择电阻器32被为使得在端子18a处的电压的递增增长的情况下，晶体管34快速开 始增加其导通性，直到约2毫安的电流从其发射极电阻器37流过LED 42为止。该电流足以激 活光电晶体管46。2毫安的电流还足以使得电阻器37两端的电压降实质上等于电压基准52。 [0056]通过电阻器37的电流的超过该2毫安的点的增长使得比较器电路50接通，从而激 活晶体管53并将电流从晶体管34的基极分流。由此实现了负反馈，从而将通过电阻器37的 电流调节在非常接近仅由反馈回路的增益来限制的、恒定的2毫安处。该分流调节器38针对 高达500千赫的频率提供超过20分贝的小信号增益(从参考输入41测量）以及低于10欧的输 出阻抗(在阴极36测量）。该分流调节器38可以在低如1.2伏的电压下操作，并且在低于百分 之二的电压容差的情况下提供从〇伏至6伏的跨越比较器电路50的输入端子的电压。
[0057]参照图4,当在5伏至32伏范围上将通过晶体管34的电流保持在2毫安（加减0.5毫 安)时，消耗的功率60随着电压线性上升。相较之下，允许电流62随着电压从5伏至32伏的上 升而从2毫安至4.5毫安缓慢增长(例如，由更低质量的调节所提供)的现有技术系统导致呈 指数上升的功耗64的增长，从而产生超过本发明所提供的散热的附加散热66。
[0058] 分流调节器38可以例如是TLV431低电压可调节精确分流调节器，其可以从德克萨 斯州达拉斯的德州仪器公司（Texas Instruments)市面购买获得。该分流调节器38的一个 实施例的简化图在图5中示出，其提供了 ：0摄氏度至70摄氏度的范围上的电压基准52的低 于11毫伏的温度漂移;80毫安的低工作电流;高达15千赫处的0.25欧姆的输出阻抗；以及高 达6伏的工作电压。
[0059] 现在参照图6,在另一个实施例中，输入电路30可以包括低电压旁路电路70,该旁 路电路70提供与旁路晶体管74通信的电压阈值检测器72。旁路晶体管74可以例如是NPN晶 体管，其集电极附接到LED 42的阳极并且其发射极连接到接地端子18b，并且其基极连接到 阈值电压阈值检测器72。在旁路晶体管74通过来自电压阈值检测器72的上升的电压而接通 的情况下，通过晶体管34以及分流调节器38的任何泄露电流将绕过LED 42而分流，从而防 止其激活光耦合器44。
[0060] 还参照图7,旁路晶体管74在通常处于光耦合器阈值电压78(在端子18处测量）以 下的旁路模式76期间将被激活，该光耦合器阈值电压78落在关于跨越端子18a和18b而施加 的电压的阈值检测范围80内。光耦合器阈值电压78是产生为激活光耦合器44从关断状态到 接通状态所必需的电流的电压，并且通常将基于所使用的部件并且也基于来自分流调节器 38的泄露电流而轻微变化，但将落在电路所允许的以及用于选择光耦合器44的阈值检测范 围80内。
[0061 ]旁路模式76在低电压90处开始，该低电压90充分低于最低的可能的光親合器阈值 电压78并且典型地是晶体管74的正向偏置电压。旁路模式可以保持高达典型地稍微在阈值 检测范围80内的、允许光耦合器44的切换的电压水平，以确保光耦合器44不在该水平之前 切换。
[0062]当电压升高到旁路模式76以上时，分流晶体管74关断，并且电路30进入阈值检测 范围80内的检测模式，其中通过电阻器37的电流和来自调节器38的泄漏电流将通过二极管 42,从而使得光学光电晶体管46在光親合器阈值电压78处接通，该光親合器阈值电压78例 如将根据光耦合器44和调节器38的特别特性而稍稍变化。
[0063]当电压继续升高时，电路30将进入调节范围81，其中分流调节器38被激活，从而控 制晶体管34来将到该二极管42的电流限制至如上所述的限制水平83(约2毫安）。
[0064]现在参照图8,控制旁路晶体管74的电压阈值检测器72可以提供电压感测晶体管 82,例如是NPN晶体管，其集电极通过电阻器73附接至端子18a，其发射极连接到端子18b，并 且其基极连接到构成电阻式分压器的电阻器84和电阻器86之间的结点。该电阻式分压器在 一端处连接到端子18b，并且在另一端处通过齐纳二极管31连接到端子18a。因此，感测晶体 管82将在齐纳击穿电压以上的电压处接通，该齐纳击穿电压限定了图7中的旁路区域76的 顶部。
[0065]晶体管82的发射极和电阻器73之间的结点提供到旁路晶体管74的基极的输出。与 前面的实施例中不同，晶体管34的集电极可以直接附接到端子18a，从而消除对于齐纳二极 管31处理高电流的需要，并且对电路的切换点提供改进的稳定性。
[0066] 在端子18a和18b上的电压处于旁路模式76、在齐纳击穿电压以下的情况下，齐纳 二极管31将是不导通的，这意味着晶体管82的基极基本上接地，从而使晶体管82关断(例如 升高其集电极的电压）、使旁路晶体管74接通。
[0067] 当在旁路模式76内电压超过齐纳击穿电压时，齐纳二极管31将开始导通，从而将 电压施加到电阻器84和电阻器86的分压器，使得晶体管82的基极上电压升高。在终止旁路 模式76的预定电压处，晶体管82的基极的电压升高足以接通晶体管82,从而在电路进入旁 路范围76以上的阈值检测范围80时将晶体管82的集电极下拉以停用晶体管74。当电压升高 到调节范围81中时，晶体管82继续导通，从而继续保持旁路晶体管74关断。
[0068] 当电压下降时，序列相反，从而再次接通旁路模式76中的晶体管74。
[0069] 本文中使用特定术语仅用于参考目的，并因此不旨在限定。例如，类似于"上"、 "下"、"之上"、"之下"的术语指代进行参照的附图中的方向。诸如"前"、"后"、"背"、"底"和 "侧"的术语在参照的一致但任意的范围内描述了部件的各部分的定向，其通过参照描述了 所讨论的部件的文本以及相关联的附图而变得清晰。这样的术语可以包括以上特别提到的 词语、其衍生词以及相似含义的词语。相似地，除非在上下文中清楚地指出，否则指代结构 的术语"第一"、"第二"以及其他数量词不意味着次序或顺序。
[0070] 当引入本公开内容和示例实施例的元素或特征时，冠词"一个"（a)、"一"（an)、 "该"（the)和"所述"（said)旨在意味着存在一个或多个这样的元素或特征。术语"包括"、 "包含"以及"具有"旨在是包括性的，并且意味着在特别指出的元素或特征以外可以存在附 加的元素或特征。还应理解的是，本文中描述的方法步骤、处理和操作不应解释为必须要求 其以所讨论或示出的特定顺序来执行，除非该特定顺序被特别标识为执行顺序。还应理解 的是，可以采用附加的或替选的步骤。
[0071]本发明特别旨在不被本文中包含的实施例和说明所限制，并且权利要求应被理解 为包括这些实施例的修改形式，其包括落在以下权利要求的范围内的实施例的部分以及不 同实施例的元素的组合。本文中描述的所有公开内容(包括专利和非专利公开内容)通过引 用而将其全部内容合并于此。
[0072]附图标记列表
【主权项】
1. 一种用于工业控制器的输入电路，包括： 输入端子，所述输入端子用于接收感测电压以及提供所述输入端子之间的电流路径； 隔离器，所述隔离器具有沿着所述输入端子之间的电流路径串联连接的隔离器输入， 以使得所述输入端子之间的第一方向上的电流激活所述隔离器;和 激活限流器，所述激活限流器沿着所述电流路径而与所述隔离器输入串联布置，以限 制通过所述隔离器输入的电流； 其中，所述激活限流器提供比较器，所述比较器将与所述隔离器输入串联的感测电阻 器的电压降与固定的电压基准相比较，以用于控制晶体管，该晶体管控制通过所述隔离器 输入的串联电流。2. 根据权利要求1所述的输入电路，其中，所述激活限流器包括由所述比较器的输出所 控制的、与所述隔离器输入串联的限流晶体管。3. 根据权利要求2所述的输入电路，其中，所述激活限流器是提供下述比较器的电压调 节器，该比较器具有连接在所述感测电阻器的一侧的第一输入以及通过具有预定电压降的 精确电压基准而连接到所述感测电阻器的第二侧的第二输入，并且其中，来自所述比较器 的输出连接到所述限流晶体管的控制输入，以在所述感测电阻器两端的电压降超过预定水 平的情况下从该控制输入吸取电流。4. 根据权利要求3所述的输入电路，其中，所述比较器包括差分放大器电路，该差分放 大器电路包括差分晶体管对。5. 根据权利要求4所述的输入电路，其中，所述隔离器是光隔离器，并且其中，所述隔离 器输入跨越所述光隔离器的发光二极管而连接，并且所述光隔离器具有跨越光电传感器而 连接的输出，所述光电传感器接收来自所述发光二极管的光以激活所述光电传感器在给定 的光水平导通。6. 根据权利要求5所述的输入电路，还包括齐纳二极管，该齐纳二极管与所述隔离器的 输入串联，以在跨越所述输入端子而施加的、低于预定齐纳电压量的电压处阻止通过所述 隔离器的电流。7. 根据权利要求1所述的输入电路，还包括旁路电路，所述旁路电路在预定电压以下的 电压处响应于跨越所述端子的电压来提供跨越所述隔离器的输入的旁路导通路径。8. 根据权利要求7所述的输入电路，其中，所述旁路电路在所述预定电压以下的电压处 使来自所述激活限流器的电流旁路，否则该电流将会通过所述隔离器输入端子。9. 根据权利要求8所述的输入电路，其中，所述预定电压在下述电压之上：该电压提供 足以激活所述隔离器的通过所述隔离器输入的电流。10. 根据权利要求8所述的输入电路，其中，所述预定电压在下述电压之上:该电压提供 将会足以激活所述隔离器的来自所述激活限流器的电流。11. 根据权利要求8所述的输入电路，其中，所述旁路电路提供分流晶体管，所述分流晶 体管跨越所述隔离器输入而连接，以在阈值电压施加到该晶体管的控制输入时提供使所述 隔离器输入分流的导通路径，并且其中，该控制输入接收来自输入端子的电压，以在该输入 端子上的电压超过所述阈值电压时接通所述分流晶体管以用于分流。12. 根据权利要求11所述的输入电路，其中，所述旁路电路还包括阈值电路，该阈值电 路在所述输入端子上的电压超过第二阈值电压的情况下将所述分流晶体管的控制输入接 地。13. 根据权利要求12所述的输入电路，还包括齐纳二极管，该齐纳二极管与所述隔离器 的输入串联，以在跨越所述输入端子而施加的、低于预定齐纳电压量的电压处阻止通过所 述隔离器的电流，并且其中，在所述齐纳二极管之前从输入端子接收所述控制输入，并且所 述阈值电路在所述齐纳二极管之后从该输入端子接收输入。14. 根据权利要求13所述的输入电路，其中，所述阈值电路是第二分流晶体管，所述第 二分流晶体管被连接为根据所述第二分流晶体管的控制输入而将所述分流晶体管的控制 输入转为接地，其中，所述第二分流晶体管的控制输入连接到在所述齐纳二极管之后接收 电压的分压器。
【文档编号】G05F1/56GK106054999SQ201610211132
【公开日】2016年10月26日
【申请日】2016年4月6日 公开号201610211132.8, CN 106054999 A, CN 106054999A, CN 201610211132, CN-A-106054999, CN106054999 A, CN106054999A, CN201610211132, CN201610211132.8
【发明人】约瑟夫·瓦扎奇, 特里·德洛里亚
【申请人】洛克威尔自动控制技术股份有限公司