CTL2为低电平控制信号。
[0024]高电平的控制信号CTLl控制第一通讯电路24成为通路；具体的，使得第一 MCU21的第二通讯信号输入端Inl2与第一通讯信号输入端Inll连接成为通路，使第一 MCU21的第二通讯信号输出端0utl2和第一通讯信号输出端Outll成为通路。低电平的控制信号CTL2控制第二通讯电路25为断路；具体的，使得第二 MCU22的第二通讯信号输入端In22与第一通讯信号输入端In21不连接，使第二 MCU22的第二通讯信号输出端0ut22和第一通讯信号输出端0ut21不连接。
[0025]贝I」，当第一MCU21工作时，第一通讯电路24保证第一 MCU21与串口 26之间保持通路，第二通讯电路25与串口 26之间为断路，则从串口 26的数据信号输入引脚DATA_IN进入的数据能够被第一 MCU21的控制信号输入端MCUl_in接收，而第一 MCU21的控制信号输出端MCUl_out输出的数据能够从串口 26的数据输出引脚DATA_0UT输出；同时，由于第二通讯电路25与串口 26之间为断路，串口 26的数据输出引脚和数据输入引脚上的数据无法返灌到第二 MCU22上。
[0026]第一 MCU21不工作时，待机控制信号输出端Standby输出低电平，则切换控制电路23的第一信号输出端01输出低电平信号，而第二信号输出端02输出高电平信号，贝Ij第一通讯电路24的控制输入端CTLl为低电平控制信号，第二通讯电路25的控制输入端CTL2为高电平控制信号。
[0027]低电平的控制信号CTLl控制第一通讯电路24成为断路；具体的，使得第一 MCU21的第二通讯信号输入端Inl2与第一通讯信号输入端Inll不连接，使第一 MCU21的第二通讯信号输出端Outl2和第一通讯信号输出端Outll不连接。高电平的控制信号CTL2控制第二通讯电路25成为通路具体的，使得第二 MCU22的第二通讯信号输入端In22与第一通讯信号输入端In21连接为通路，使第二 MCU22的第二通讯信号输出端0ut22和第一通讯信号输出端0ut21连接为通路。
[0028]则，当第一 MCU21不工作时，第二通讯电路25保证第二 MCU22与串口 26之间保持通路，第一通讯电路24与串口 26之间为断路，则从串口 26的数据信号输入引脚DATA_IN进入的数据能够被第二 MCU22的控制信号输入端MCU2_in接收，而第二 MCU22的控制信号输出端MCU2_out输出的数据能够从串口 26的数据输出引脚DATA_0UT输出；同时，由于第一通讯电路24与串口 26之间为断路，串口 26的数据输出引脚和数据输入引脚上的数据无法返灌到第一 MCU21上。
[0029]上述提出的双MCU切换控制电路中，切换控制电路的输入信号由第一 MCU的待机控制信号提供，在第一 MCU工作或不工作时，该待机控制信号对应为高电平或低电平，使得切换控制电路的两个信号输出端输出两种不同的控制信号分别控制第一通讯电路和第二通讯电路；第一 MCU工作时，切换控制电路的两个信号输出端输出的电平分别使第一通讯电路成为通路，而第二通讯电路断开，第一 MC不工作时，切换控制电路的额两个信号输出端输出的电平分别使第一通讯电路断开，而第二通讯电路成为通路。由第一 MUC的待机控制信号的变化，使得第一通讯电路和第二通讯电路始终一个通路一个断开，保证第一 MCU和第二 MCU在通讯线路上的不连接，也即保证了第一 MCU或第二 MCU的数据信号不会返灌到第二 MCU或第一 MCU上，解决了有技术中通过串口控制双MCU设备时，存在的反馈信号返灌的技术问题。
[0030]上述的切换控制电路23、第一通讯电路24和第二通讯电路25，均可以采用现有技术中的电路实现，本申请实施例不予限制。
[0031]如图3、图4和图5所示，为本申请实施例提出的一个具体的双MCU切换控制电路的切换控制电路、第一通讯电路和第二通讯电路的电路图。
[0032]其中，如图3所示，切换控制电路23包括第一开关管Ql和第二开关管Q2 ;第一MCU21的待机控制信号输出端Standby连接第一开关管Ql的第一输入端，第一开关管Ql的第二输入端分别连接工作电源VCC和切换控制电路的第二信号输出端02，第一开关管Ql的输出端接地；第二开关管Q2的第一输入端连接切换控制电路的第二信号输出端02，第二开关管Q2的第二输入端分别连接工作电源VCC和切换控制电路的第一信号输出端01，第二开关管Q2的输出端接地。
[0033]第一开关管Ql和/或第二开关管Q2可以为NPN三极管，也可以为NMOS场效应管；为NPN三极管时，第一开关管Ql和/或第二开关管Q2的第一输入端为NPN三极管的基极，第一开关管Ql和/或第二开关管Q2的第二输入端为NPN三极管的集电极，第一开关管Ql和/或第二开关管Q2的输出端为NPN三极管的发射极。为NMOS场效应管时，第一开关管Ql和/或第二开关管Q2的第一输入端为NMOS场效应管的栅极，第一开关管Ql和/或第二开关管Q2的第二输入端为NMOS场效应管的源极，第一开关管Ql和/或第二开关管Q2的输出端为NMOS场效应管的漏极。
[0034]如图4所示，第一通讯电路24包括第三开关管Q3和第四开关管Q4 ;第三开关管Q3的第一输入端和第四开关管Q4的第一输入端都连接切换控制电路的第一信号输出端Ol ;第三开关管Q3的第二输入端连接第一 MCU21的控制信号输出端MCUl_out，第三开关管Q3的输出端连接串口 26的信号输出引脚DATA_0UT ;第四开关管Q4的第二输入端连接第一MCU21的控制信号输入端MCUl_in，第四开关管Q4的输出端连接串口 26的信号输入引脚DATA_IN。
[0035]如图5所示，第二通讯电路25包括第五开关管Q5和第六开关管Q6 ;第五开关管Q5的第一输入端和第六开关管Q6的第一输入端都连接切换控制电路的第二信号输出端02 ;第五开关管Q5的第二输入端连接第二 MCU22的控制信号输出端MCU2_out，第五开关管Q5的输出端连接串口 26的信号输出引脚DATA_0UT ;第六开关管Q 6的第二输入端连接第二MCU22的控制信号输入端MCUl_in，第六开关管Q 6的输出端连接串口 26的信号输入引脚DATA_IN。
[0036]第一通讯电路24和第二通讯电路25中的四个开关管Q3、Q4、Q5和Q6优选的使用NMOS场效应管；在为NMOS场效应管时，四个开关管的第一输入端为NMOS场效应管的栅极，第二输入端为NMOS场效应管的源极，输出端为NMOS场效应管的漏极。
[0037]以第三开关管Q3和第四开关管Q4为NPN三极管，第五开关管Q5和第六开关管Q6为NMOS场效应管为例。
[0038]当第一 MCU21工作时，待机控制信号输出端Standby输出高电平，则第三开关管Q3导通，从而第二信号输出端02输出低电平信号给第二通讯电路25，并使得第四开关管Q4截止，从而第一信号输出端01输出高电平信号给第一通讯电路24。
[0039]高电平的控制信号CTLl控制第一通讯电路24中的第三开关管Q3和第四开关管Q4导通，使得第一通讯电路24成为通路，保证第一 MCU21与串口 26之间的通讯；而低电平的控制信号CTL2控制第二通讯电路25中的第五开关管Q5和第六开关管Q6截止，使得第二通选电路25是断路，第二 MCU22与串口 26之间无法通讯。
[0040]第一 MCU21不工作时，待机控制信号输出端Standby输出低电平，则第三开关管Q3截止，从而第二信号输出端02输出高电平信号给第二通讯电路25，并使得第四开关管Q4导通，从而第一信号输出端01输出低电平信号给第一通讯电路24。
[0041]低电平的控制信号CTLl控制第一通讯电路24中的第三开关管Q3和第四开关管Q4截止，使得第一通讯电路24成为断路，第一 MCU21与串口 26之间无法实现通讯；而高电平的控制信号CTL2控制第二通讯电路25中的第五开关管Q5和第六开关管Q6导通，使得第二通选电路25成为通路，保证第二 MCU22与串口 26之间的通讯。
[0042]可见，当第一 MCU21工作时，第一通讯电路24保证第一 MCU21与串口 26之间保持通路，第二通讯电路25与串口 26之间为断路，则从串口 26的数