Nmos管电流源的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及电流源，尤其涉及全是NMOS管组成的电流源。
【背景技术】
[0002]要得到同样电流的情况下，NMOS管的宽长比相对于PMOS管的宽长比会小些，所占芯片的面积会小，为此设计了全是NMOS管组成的电流源。
【发明内容】
[0003]本实用新型旨在提供一种NMOS管电流源。
[0004]NMOS管电流源，包括第一 NMOS管、第二 NMOS管、第三NMOS管和第四NMOS管:
[0005]所述第一 NMOS管的栅极接电源电压VCC，漏极接电源电压VCC，源极接所述第二NMOS管的漏极；
[0006]所述第二 NMOS管的栅极接电源电压VCC，漏极接所述第一 NMOS管的源极，源极接所述第三NMOS管的栅极和漏极和所述第四NMOS管的栅极；
[0007]所述第三NMOS管的栅极和漏极接在一起再接所述第二 NMOS管的源极和所述第四NMOS管的栅极，源极接地；
[0008]所述第四NMOS管的栅极接所述第二 NMOS管的源极和所述第三NMOS管的栅极和漏极，漏极作为输出电流端10UT，源极接地。
[0009]由于所述第一 NMOS管和所述第二 NMOS管的栅极都接在电源电压VCC上，所述第一NMOS管和所述第二 NMOS管工作在饱和区，呈电阻性特性，通过调节宽长比来变换电阻值；所述第三NMOS管的源漏间的电流等于电源电压VCC减去所述第一 NMOS管和所述第二NMOS管的电阻值之和，该电流通过所述第三NMOS管镜像给所述第四NMOS管的漏极10UT，通过调节所述第三NMOS管和所述第四NMOS管的宽长比的比例来调节输出电流1UT。
【附图说明】
[0010]图1为本实用新型的NMOS管电流源的电路图。
【具体实施方式】
[0011]以下结合附图对本【实用新型内容】进一步说明。
[0012]NMOS管电流源，如图1所示，包括第一 NMOS管101、第二 NMOS管102、第三NMOS管103和第四NMOS管104:
[0013]所述第一 NMOS管101的栅极接电源电压VCC，漏极接电源电压VCC，源极接所述第二NMOS管102的漏极；
[0014]所述第二 NMOS管102的栅极接电源电压VCC，漏极接所述第一 NMOS管101的源极，源极接所述第三NMOS管103的栅极和漏极和所述第四NMOS管104的栅极；
[0015]所述第三NMOS管103的栅极和漏极接在一起再接所述第二 NMOS管102的源极和所述第四NMOS管104的栅极，源极接地；
[0016]所述第四NMOS管104的栅极接所述第二 NMOS管102的源极和所述第三NMOS管103的栅极和漏极，漏极作为输出电流端10UT，源极接地。
[0017]由于所述第一 NMOS管101和所述第二 NMOS管102的栅极都接在电源电压VCC上，所述第一 NMOS管101和所述第二 NMOS管102工作在饱和区，呈电阻性特性，通过调节宽长比来变换电阻值；所述第三NMOS管103的源漏间的电流等于电源电压VCC减去所述第一NMOS管101和所述第二 NMOS管102的电阻值之和，该电流通过所述第三NMOS管103镜像给所述第四NMOS管104的漏极10UT，通过调节所述第三NMOS管103和所述第四NMOS管104的宽长比的比例来调节输出电流1UT。
【主权项】
1.NMOS管电流源，其特征在于:包括第一 NMOS管、第二 NMOS管、第三NMOS管和第四NMOS 管； 所述第一 NMOS管的栅极接电源电压VCC，漏极接电源电压VCC，源极接所述第二 NMOS管的漏极； 所述第二 NMOS管的栅极接电源电压VCC，漏极接所述第一 NMOS管的源极，源极接所述第三NMOS管的栅极和漏极和所述第四NMOS管的栅极； 所述第三NMOS管的栅极和漏极接在一起再接所述第二 NMOS管的源极和所述第四NMOS管的栅极，源极接地； 所述第四NMOS管的栅极接所述第二 NMOS管的源极和所述第三NMOS管的栅极和漏极，漏极作为输出电流端10UT，源极接地。
【专利摘要】本实用新型公开了一种NMOS管电流源。NMOS管电流源包括第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管和第四NMOS管。
【IPC分类】G05F1/56
【公开号】CN204719582
【申请号】CN201520420338
【发明人】齐盛
【申请人】杭州宽福科技有限公司
【公开日】2015年10月21日
【申请日】2015年6月15日