专利名称：降低像差敏感度的布局、光罩制作及图形化方法
技术领域：
本发明涉及半导体制造技术领域，特别是涉及可降低光刻系统像差敏感 度的布局、光罩制作及图形化方法。
背景技术：
随着半导体制造技术的飞速发展，半导体器件为了达到更快的运算速度、更大的资料存储量以及更多的功能，半导体芯片正向更高集成度的方向发展； 而半导体芯片的集成度越高，半导体器件的临界尺寸(CD， Critical Dimension) 越小。为了实现;微小的CD,必须将已设计好的更加精细的布局图形转移至光罩 上，再使用微影(lithography)技术将光罩上的图形聚焦在半导体衬底的光刻 胶膜上，因此，曝光装置的像差对光刻系统的成像质量的影响也变得越来越 突出，常见的几何像差有像散(Astigmatism aberration )、普差(Coma aberration)、球差(Spherical aberration)等，像差不可能完全消除，像差会 导致图形的CD—致性降低。通常以像差敏感度来表征几何像差对图形的CD 一致性的影响，像差敏感度定义为每单位像差CD的变化量，在曝光装置的光 源波长与数值孔径等条件不变的情况下，减小光刻系统的像差敏感度，就可 以减小CD的变化量，提高CD—致性。专利号为ZL03131305.1的中国专利公开了一种减少透镜像差与图案移位 的光罩与方法，其借助位于图形上方和下方的辅助图形弥补图形边缘强度降 级从而改善CD—致性，该方法可以改善图形的局部尺寸变形和减少图形移位 的现象，辅助图形的长度和间距由位于其上方和下方的图形决定。然而，上 述技术方案对于图形间距大于CD的光罩图案而言，位于图形上方和下方的辅 助图形仅能在一定程度上补偿了像差的影响，提高了图形的CD—致性，而不能从本质上降低光刻系统对像差的敏感度。 发明内容本发明解决的问题是，提供一种可降低光刻系统的像差敏感度的方法， 进而减小图形的临界尺寸变化量，使形成于半导体衬底的光刻胶膜上的图形 获得较佳的临界尺寸 一致性。为解决上述问题，本发明提供一种降低像差敏感度的布局方法，包括下述步骤在布局图形周围加入至少一个布局辅助图形，所述的布局辅助图形 互不相交，所述的布局辅助图形与布局图形互不相交，所述的布局辅助图形 与相邻的布局图形间的距离大于等于一倍的布局图形临界尺寸且小于等于三 倍的布局图形临界尺寸。可选的，所述的位于相邻的布局图形长度边侧方的布局辅助图形的长度 等于或大于所述的相邻的布局图形的长度。所述的位于相邻的布局图形宽度 边侧方的布局辅助图形的长度等于或大于所述的相邻的布局图形的宽度。所 述的相邻的布局辅助图形间的距离大于等于一倍的布局图形临界尺寸且小于 等于三倍的布局图形临界尺寸。所述的布局辅助图形是亚分辨率图形。对应于上述的布局方法，本发明还提供一种降低像差敏感度的光罩制作 方法，包括下述步骤在布局图形周围加入至少一个布局辅助图形，所述的 布局辅助图形互不相交，所述的布局辅助图形与布局图形互不相交，所述的 布局辅助图形与相邻的布局图形间的距离大于等于一倍的布局图形临界尺寸 且小于等于三倍的布局图形临界尺寸；将布局图形和布局辅助图形转移至光 罩上，以形成对应的光罩图形和光罩辅助图形。可选的，所述的位于相邻的布局图形长度边侧方的布局辅助图形的长度 等于或大于所述的相邻的布局图形的长度。所述的位于相邻的布局图形宽度 边侧方的布局辅助图形的长度等于或大于所述的相邻的布局图形的宽度。所 述的相邻的布局辅助图形间的距离大于等于一倍的布局图形临界尺寸且小于等于三倍的布局图形临界尺寸。所述的布局辅助图形是亚分辨率图形。对应于上述的布局方法，本发明还提供一种降低像差敏感度的图形化方法，所述的方法包括下述步骤在布局图形周围加入至少一个布局辅助图形，所述的布局辅助图形互不相交，所述的布局辅助图形与布局图形互不相交， 所述的布局辅助图形与相邻的布局图形间的距离大于等于一倍的布局图形临界尺寸且小于等于三倍的布局图形临界尺寸；将布局图形和布局辅助图形转 移至光罩上，以形成对应的光罩图形和光罩辅助图形；借由所述的光罩在半 导体衬底的光刻胶膜上形成光刻胶膜图形。可选的，所述的位于相邻的布局图形长度边侧方的布局辅助图形的长度 等于或大于所述的相邻的布局图形的长度。所述的位于相邻的布局图形宽度 边侧方的布局辅助图形的长度等于或大于所述的相邻的布局图形的宽度。所 述的相邻的布局辅助图形间的距离大于等于一倍的布局图形临界尺寸且小于 等于三倍的布局图形临界尺寸。所述的布局辅助图形是亚分辨率图形。与现有技术相比，上述技术方案在布局图形周围加入布局辅助图形，所 述的布局辅助图形与相邻的布局图形间的距离大于等于一倍的布局图形临界 尺寸且小于等于三倍的布局图形临界尺寸，利用加入的辅助图形改善图形的 密度分布和均匀性，以此降低光刻系统的像差敏感度，进而减小图形的临界 尺寸变化量，使形成于半导体衬底的光刻胶膜上的图形获得较佳的临界尺寸 一致性。
图1是本发明第一实施例所述的加入辅助图形的示意图； 图2是本发明第二实施例所述的加入辅助图形的示意图； 图3是加入不同密度的辅助图形后对像散敏感度的影响； 图4是加入不同密度的辅助图形后对彗差敏感度的影响； 图5是加入不同密度的辅助图形后对球差敏感度的影响。
具体实施方式
本发明实质上是提供一种利用辅助图形改变图形密度分布和均匀性从而降低图形对曝光系统中像差的敏感程度，进而减小图形的CD变化量的方法。 根据图案中图形的密度可将图案分为密集图案(dense pattern)、半密集图 案(semi-dense pattern)和孤立图案(isolated pattern),密集图案是指图案中 图形间的距离等于1CD，半密集图案是指图案中图形间的距离大于ICD且小 于等于3CD，孤立图案是指图案中图形间的距离大于3CD。通过软件仿真和 工艺试验证明，像差对密集图案、半密集图案、孤立图案中图形的CD—致性 的影响越来越大，因此，改善图案中图形的密度分布和均匀性就可以减小像 差对CD —致性的影响。在半导体衬底的光刻胶膜上形成图形是使用光罩制造设备将已经设计好的布局图形转移至光罩上，然后再使用曝光装置将光罩图形转移至半导体衬 底的光刻胶膜上。因此，在布局图形周围加入布局辅助图形就可以减小形成 在半导体衬底的光刻胶膜上的图形的CD变化量。本发明提供一种降低像差敏感度的布局方法，包括下述步骤在布局图 形周围加入至少一个布局辅助图形，所述的布局辅助图形互不相交，所述的 布局辅助图形与布局图形互不相交，所述的布局辅助图形与相邻的布局图形 间的距离大于等于1倍的布局图形临界尺寸且小于等于3倍的布局图形临界 尺寸。所述的位于相邻的布局图形长度边侧方的布局辅助图形的长度等于或大 于所述的相邻的布局图形的长度。所述的位于相邻的布局图形宽度边侧方的 布局辅助图形的长度等于或大于所述的相邻的布局图形的宽度。所述的相邻 的布局辅助图形间的距离大于等于一倍的布局图形临界尺寸且小于等于三倍 的布局图形临界尺寸。所述的布局辅助图形是亚分辨率图形。下面结合附图和较佳实施例对本发明的具体实施方式
做详细的说明。请参考图1,图1是本发明所述的降低像差敏感度的布局方法在一维布 局图案中加入布局辅助图形的示意图。如图所示，相互平行的布局图形101、102、 103构成了一维布局图案，布局图形101、 102、 103的宽度c是lCD。 根据布局图形101、 102、 103间的距离，布局图形可构成一维密集图案、一 维半密集图案、或一维孤立图案，所述的密集图案是指布局图形间的距离等 于1CD,半密集图案是指布局图形间的距离大于1CD且小于等于3CD,孤立 图案是指布局图形间的距离大于3CD。本实施例中，布局图形101、 102、 103 的间距d大于3CD，因此构成一维孤立图案。本发明所述的降低像差敏感度的布局方法是在图1所示的布局图形101、 102、 103的周围加入平4亍于布局图形101、 102、 103的布局辅助图形111、 112、 113、 114和121、 122，即在布局图形101、 102、 103的长度边侧方加入平行 于布局图形101、 102、 103的布局辅助图形111、 112、 113、 114,在布局图 形101、 102、 103的宽度边侧方(上方和下方)加入平行于布局图形101、 102、 103的布局辅助图形121、 122,布局辅助图形111、 112、 113、 114和121、 122互不相交。加入的布局辅助图形111、 112、 113、 114和121、 122用于改 善图形密度分布和均匀性，因此与布局图形101、 102、 103构成密集图案或 半密集图案，也就是说，布局辅助图形111、 112、 113、 114与相邻的布局图 形101、 102、 103的间距s大于等于1CD且小于等于3CD,布局辅助图形121、 122与相邻的布局图形101 、102、 103的间距s大于等于1CD且小于等于3CD。 另外，所述的布局辅助图形111、 112、 113、 114的长度hl等于或大于相邻的 布局图形IOI、 102、 103的长度h,所述的布局辅助图形121、 122的长度h2 等于或大于相邻的布局图形101、 102、 103的宽度c。所述的相邻的布局辅助 图形间的距离sl大于等于1CD且小于等于3CD。所述的辅助图形是借助光 学近距修正(OPC, Optical Proximity Correction)的方法加入的亚分辨率图形(Sub-resolution feature),由于亚分辨率图形的宽度w小于曝光装置的解析度， 因此在半导体衬底上不会形成对应于光罩上的辅助图形的光刻胶膜图形。如图1所示，在本实施例中，布局辅助图形与布局图形构成密度分布均 匀的一维密集图案。具体来说，布局图形101、 102、 103的间距d等于4CD, 因此构成一维孤立图案。在布局图形101、 102之间，布局图形102、 103之 间，布局图形101、 103的外侧等间距地各加入3个平行于布局图形101、 102、 103的布局辅助图形111、 112、 113、 114。布局辅助图形111、 112、 113、 114 与相邻的布局图形101、 102、 103的间距s都等于1CD;相邻的布局辅助图 形111的间距sl都等于1CD;相邻的布局辅助图形112的间距sl都等于1CD; 相邻的布局辅助图形113的间距si都等于1CD;相邻的布局辅助图形114的 间距sl都等于lCD;布局辅助图形111、 112、 113、 114的长度hl都等于相 邻的布局图形101、 102、 103的长度h。加入的布局辅助图形111、 112、 113、 114增加了一维图案中图形的密度分布和均匀性，因此和布局图形101、 102、 103构成分布均匀的一维密集图案。另外，在布局图形101、 102、 103的上、 下两侧也等间距地各加入多个(本实施例中是2个)平行于布局图形101、 102、 103的布局辅助图形121、 122,以增加图形的密度分布和均匀性，布局辅助 图形121、 122与相邻的布局图形101、 102、 103的间距s都等于1CD;相邻 的布局辅助图形121的间距sl都等于1CD;相邻的布局辅助图形122的间距 sl都等于1CD;布局辅助图形121、122的长度h2都等于相邻的布局图形101、 102、 103的宽度c。本实施例是以在一维孤立图案中加入布局辅助图形，以使布局辅助图形 与布局图形构成一维密集图案为例进行说明的。当然在实际应用中，也可以 增加布局辅助图形与布局图形的间距(即减少布局辅助图形的个数)，以使加 入的布局辅助图形与布局图形构成一维半密集图案，构成一维半密集图案也 可以降低像差敏感度，但其效杲不如一维密集图案，这将在后面结合图3至图5进行详细说明。另外，对于一维半密集图案，同样也可以参考上述方法 加入布局辅助图形，以使布局辅助图形与布局图形构成一维密集图案或一维半密集图案；对于一维密集图案可以只在布局图形的上方和下方加入平行于布局图形的布局辅助图形。第二实施例请参考图2，图2是本发明所述的降低像差敏感度的布局方法在二维布局 图案中加入布局辅助图形的示意图，其中与图1相同的符号表示相同或相近 似的含义。如图所示，布局图形203垂直并连接布局图形201、 202,即构成 了二维布局图案，布局图形201、 202、 203的宽度c是lCD。根据布局图形201、 202间的距离，布局图形可构成二维密集图案、二维半密集图案或二维 孤立图案，所述的密集图案是指布局图形间的距离等于1CD，半密集图案是 指布局图形间的距离大于1CD且小于等于3CD,孤立图案是指布局图形间的 距离大于3CD。本实施例中，布局图形201 、 202的间距d大于3CD,因此构 成二维孤立图案。本发明所述的降低像差敏感度的布局方法是在图2所示的布局图形201、202、 203周围加入平行于布局图形201、 202、 203的布局辅助图形211、 212、 213和221、 222、 223，即在布局图形201、 202间加入平行于布局图形201、 202的布局辅助图形211，在布局图形201、 202的长度边侧方加入平^f亍于布 局图形201、 202的布局辅助图形212、 213,在布局图形201、 202的宽度边 侧方(上方和下方)加入平4亍于布局图形201、 202的布局辅助图形221、 222， 在布局图形203的上方和下方加入平^f亍于布局图形203的布局辅助图形223, 布局辅助图形211、 212、 213和221、 222 、 223互不相交，布局辅助图形211、 223和布局图形201、 202、 203互不相交。加入的布局辅助图形211、 212、 213和221、 222、 223用于改善图形密度分布和均匀性，因此与布局图形201、 202、 203构成密集图案或半密集图案，也就是说，布局辅助图形211、 212、213与相邻的布局图形201、 202的间距s大于等于1CD且小于等于3CD,布 局辅助图形221、 222与相邻的布局图形201、 202的间距s大于等于1CD且 小于等于3CD,布局辅助图形223与相邻的布局图形201、 202、 203的间距s 大于等于1CD且小于等于3CD。另外，所述的布局辅助图形211、 212长度 hl等于或大于相邻的布局图形201、 202的长度h,所述的布局辅助图形221、 222的长度h2等于或大于相邻的布局图形201、 202的宽度c，所述的布局辅 助图形211的长度h3小于所述的布局图形201、 202的长度h,所述的布局辅 助图形223的长度h4小于所述的布局图形203的长度d(即图形201/202的间 距)，即所述的布局辅助图形211、 223和布局图形201、 202、 203互不相交。 所述的相邻的布局辅助图形间的距离sl大于等于1CD且小于等于3CD。所 述的辅助图形是借助光学近距修正(OPC, Optical Proximity Correction)的方 法加入的亚分辨率图形(Sub-resolution feature),由于亚分辨率图形的宽度w 小于曝光装置的解析度，因此在半导体衬底上不会形成对应于光罩上的辅助 图形的光刻胶膜图形。如图2所示，在本实施例中，布局辅助图形与布局图形构成密度分布均 匀的二维密集图案。具体来说，布局图形201、 202的间距d等于4CD,因此 构成二维孤立图案。在布局图形201、 202的外侧等间距地各加入3个平行于 布局图形201、 202的布局辅助图形212、 213,这样布局辅助图形212、 213 与相邻的布局图形201、 202的间距s都等于1CD,布局辅助图形212、 213 的长度hl都等于布局图形201、 202的长度h。另外，在布局图形201、 202 的上、下两侧也等间距的各加入多个(本实施例中是2个)平行于布局图形 201、 202的布局辅助图形221、 222,布局辅助图形221、 222与相邻的布局 图形201、 202的间距s都等于1CD,布局辅助图形221、 222的长度h2都等 于布局图形201 、202宽度c。相邻的布局辅助图形212的间距sl都等于1CD; 相邻的布局辅助图形213的间距sl都等于1CD;相邻的布局辅助图形221的间距sl都等于1CD;相邻的布局辅助图形222的间距sl都等于1CD。与第一实施例所示的一维图案不同的是在布局图形201、 202、 203中加 入的互不相交的布局辅助图形211和223，其中，在布局图形203上、下两侧 各加入3个等间距的平行于布局图形201、 202的布局辅助图形211和1个平 行于布局图形203的布局辅助图形223,也就是布局辅助图形211与相邻的布 局图形201 、 202的间距s都等于1CD，布局辅助图形223与相邻的布局图形 201、 202、 203的间距也等于1CD,;相邻的布局辅助图形211的间距sl都等 于1CD;相邻的布局辅助图形211、 223的间距sl都等于1CD。布局辅助图 形211的长度h3小于布局图形201的长度h,其近似等于长度h，减去2s,布 局辅助图形223的长度h4小于布局图形203的长度d,其等于2CD (即布局 图形203的长度d减去2s)。因此，加入的布局辅助图形211、 212、 213、 221、 222、 223和布局图形201、 202、 203构成二维密集图案，增加了二维图案中 图形的密度分布和均匀性。本实施例是以在二维孤立图案中加入布局辅助图形，以使布局辅助图形 与布局图形构成二维密集图案为例进行说明的。当然在实际应用中，也可以 增加布局辅助图形与布局图形的间距(即减少辅助图形的个数)，以使加入的 布局辅助图形与布局图形构成二维半密集图案，构成二维半密集图案也可以 降低像差敏感度，但其效果不如二维密集图案，这将在后面结合图3至图5进 行详细说明。另外，对于二维半密集图案，同样也可以参考上述方法加入布 局辅助图形，以使布局辅助图形与电路图形构成二维密集图案或二维半密集 图案；对于二维密集图案可以只在布局图形的上方和下方加入平行于布局图 形的布局辅助图形。下面结合图3至图5详细说明上述实施例中加入不同密度的辅助图形降低 像差敏感度的实际效果。常见的几何像差有像散、彗差、球差等，光波通过曝光装置所产生的波像差由前述的几何像差拟合而成，因此在现有技术中，波像差可以用一个Zemike多项式来表述，这个多项式中的每一项的Zernike系数Zm分别表征不同阶次的几何像差，例如，Z4表征三阶像散，Zn表示五阶像散，Z2。表征七阶像散，Zy表征九阶像散等。因为像散、彗差、球差是对CD变化量影响最大的3 种几何像差，在此即以这3种像差为例说明像差敏感度减小的程度，在曝光光 源的波长入(lambda)为193nm，理想CD (target CD)为65nm,利用光刻仿 真软件计算得到的CD的变化量和像差敏感度如图3至图5所示，像差敏感度根 据下述公式计算得到其中，S是像差敏感度(单位是nm/lambda), ACD是CD的变化量，CD^是在无 像差时计算得到的CD(单位是nm),即理想CD， CD加是在有像差时计算得到的 CD(单位是nm) ， Znj是Zemike系数值(单位是lambda)。图3是加入不同密度的辅助图形后对像散敏感度的影响，其中，S4表示对 应于三阶像散Z4的像差敏感度的计算值，Sll表示对应于五阶像散Zu的像差敏 感度的计算值，S20表示对应于七阶像散Z2Q的像差敏感度的计算值，S31表示 对应于九阶像散Z^的像差敏感度的计算值，为了更好的反映离散数据S4、S11、 S20、 S31的变化趋势，分别对离散数据S4、 Sll、 S20、 S31求对数后得到了对 数回归线33、 35、 37、 39。如图所示，从右到左，像差敏感度随着图案密度 的增加而减小。具体来说，在没有加入辅助图形时，孤立图案的像差敏感度 最大约可达到40nm/lambda;在加入辅助图形后，随着图案密度的增加(辅助 图形与电路图形的间距减小)，像差敏感度也减小；当辅助图形与图形构成密 集图案时，像差敏感度减小到小于10nm/lambda。因此，辅助图形与图形构成 密集图案对像差敏感度的减小效果显然优于辅助图形与图形构成半密集图案 对像差敏感度的减小效果。图4是加入不同密度的辅助图形后对彗差敏感度的影响，其中，S6表示对应于三阶彗差Z6的像差敏感度的计算值，S13表示对应于五阶彗差Z!3的像差敏感度的计算值，S22表示对应于七阶彗差Z22的像差敏感度的计算值，S33表示 对应于九阶彗差Z33的像差敏感度的计算值，分别对离散数据S6、 S13、 S22、 S33求对数后得到了对数回归线43、 45、 47、 49。如图所示，从右到左，像差 敏感度随着图案密度的增加而减小，在没有加入辅助图形时，孤立图案的像 差敏感度最大约可达到50nm/lambda;在加入辅助图形并且辅助图形与图形构 成密集图案时，像差敏感度减小到小于10nm/lambda。因此，辅助图形与图形 构成密集图案对像差敏感度的减小效果显然优于辅助图形与图形构成半密集 图案对像差敏感度的减小效果。图5是加入不同密度的辅助图形后对球差敏感度的影响，其中，S8表示对 应于三阶球差Zs的像差敏感度的计算值，S15表示对应于五阶球差Zis的像差敏 感度的计算值，S24表示对应于七阶球差Z24的像差敏感度的计算值，S35表示 对应于九阶球差Z35的像差敏感度的计算值，分别对离散数据S8、 S15、 S24、 S35求对数后得到了对数回归线53、 55、 57、 59。如图所示，从右到左，像差 敏感度随着图案密度的增加而减小，在没有加入辅助图形时，孤立图案的像 差敏感度最大约可达到70nm/lambda;在加入辅助图形并且辅助图形与图形构 成密集图案时，像差敏感度减小到小于10nm/lambda。因此，辅助图形与图形 构成密集图案对像差敏感度的减小效果显然优于辅助图形与图形构成半密集 图案对像差敏感度的减小效果。对应于上述的布局方法，本发明还提供一种降低像差敏感度的光罩制作 方法，包括下述步骤在布局图形周围加入至少一个布局辅助图形，所述的 布局辅助图形互不相交，所述的布局辅助图形与布局图形互不相交，所述的 布局辅助图形与相邻的布局图形间的距离大于等于一倍的布局图形临界尺寸 且小于等于三倍的布局图形临界尺寸；将布局图形和布局辅助图形转移至光罩上，以形成对应的光罩图形和光罩辅助图形。其中，所述的布局辅助图形 的具体加入方法如上述布局方法所述，在此不予重复。对应于上述的布局方法，本发明还提供一种降低像差敏感度的图形化方 法，包括下述步骤在布局图形周围加入至少一个布局辅助图形，所述的布 局辅助图形互不相交，所述的布局辅助图形与布局图形互不相交，所述的布 局辅助图形与相邻的布局图形间的距离大于等于一倍的布局图形临界尺寸且 小于等于三倍的布局图形临界尺寸；将布局图形和布局辅助图形转移至光罩 上，以形成对应的光罩图形和光罩辅助图形；借由所述的光罩在半导体衬底 的光刻胶膜上形成图形。其中，所述的布局辅助图形的具体加入方法如上述 布局方法所述，在此不予重复。综上所述，上述技术方案在布局图形周围加入了布局辅助图形，所述的 布局辅助图形互不相交，所述的布局辅助图形与布局图形互不相交，所述的 布局辅助图形与相邻的布局图形间的距离大于等于一倍的布局图形临界尺寸 且小于等于三倍的布局图形临界尺寸。因此，利用辅助图形可以改善图形的 密度分布和均匀性，以此降低光刻系统的像差敏感度，进而减小图形的临界 尺寸变化量，使形成于半导体衬底的光刻胶膜上的图形获得较佳的临界尺寸 一致性。本发明虽然以较佳实施例公开如上，但其并不是用来限定本发明，任何 本领域技术人员在不脱离本发明的精神和范围内，都可以出可能的变动和 修改，因此本发明的保护范围应当以本发明权利要求所界定的范围为准。
权利要求
1.一种降低像差敏感度的布局方法，其特征在于，包括下述步骤在布局图形周围加入至少一个布局辅助图形，所述的布局辅助图形互不相交，所述的布局辅助图形与布局图形互不相交，所述的布局辅助图形与相邻的布局图形间的距离大于等于一倍的布局图形临界尺寸且小于等于三倍的布局图形临界尺寸。
2. 根据权利要求1所述的布局方法，其特征在于，所述的位于相邻的布 局图形长度边侧方的布局辅助图形的长度等于或大于所述的相邻的布局 图形的长度。
3. 根据权利要求1所述的布局方法，其特征在于，所述的位于相邻的布 局图形宽度边侧方的布局辅助图形的长度等于或大于所述的相邻的布局 图形的宽度。
4. 根据权利要求1所述的布局方法，其特征在于，所述的相邻的布局辅 助图形间的距离大于等于一倍的布局图形临界尺寸且小于等于三倍的布 局图形临界尺寸。
5. 根据权利要求1所述的布局方法，其特征在于，所述的布局辅助图形 是亚分辨率图形。
6. —种降低像差敏感度的光罩制作方法，其特征在于，包括下述步骤 在布局图形周围加入至少一个布局辅助图形，所述的布局辅助图形互不相交，所述的布局辅助图形与布局图形互不相交，所述的布局辅助图形 与相邻的布局图形间的距离大于等于一倍的布局图形临界尺寸且小于等 于三倍的布局图形临界尺寸；将布局图形和布局辅助图形转移至光罩上，以形成对应的光罩图形和 光罩辅助图形。
7. 才艮据权利要求6所述的光罩制作方法，其特征在于，所述的位于相邻 的布局图形长度边侧方的布局辅助图形的长度等于或大于所述的相邻的布局图形的长度。
8. 根据权利要求6所述的光罩制作方法，其特征在于，所述的位于相邻的布局图形宽度边侧方的布局辅助图形的长度等于或大于所述的相邻的 布局图形的宽度。
9. 根据权利要求6所述的光罩制作方法，其特征在于，所述的相邻的布 局辅助图形间的距离大于等于一倍的布局图形临界尺寸且小于等于三倍 的布局图形临界尺寸。
10. 根据权利要求6所述的光罩制作方法，其特征在于，所述的布局辅助 图形是亚分辨率图形。
11. 一种降低像差敏感度的图形化方法，其特征在于，包括下述步骤 在布局图形周围加入至少一个布局辅助图形，所述的布局辅助图形互不相交，所述的布局辅助图形与布局图形互不相交，所述的布局辅助图形 与相邻的布局图形间的距离大于等于一倍的布局图形临界尺寸且小于等 于三倍的布局图形临界尺寸；将布局图形和布局辅助图形转移至光罩上，以形成对应的光罩图形和 光罩辅助图形；借由所述的光罩在半导体衬底的光刻胶膜上形成图形。
12. 根据权利要求11所述的图形化方法，其特征在于，所述的位于相邻 的布局图形长度边侧方的布局辅助图形的长度等于或大于所述的相邻的 布局图形的长度。
13. 根据权利要求11所述的图形化方法，其特征在于，所述的位于相邻 的布局图形宽度边侧方的布局辅助图形的长度等于或大于所述的相邻的 布局图形的宽度。
14. 根据权利要求11所述的图形化方法，其特征在于，所述的相邻的布 局辅助图形间的距离大于等于一倍的布局图形临界尺寸且小于等于三倍的布局图形临界尺寸。
15.根据权利要求11所述的图形化方法，其特征在于，所述的布局辅助 图形是亚分辨率图形。
全文摘要
一种降低像差敏感度的布局方法，其是在布局图形周围加入至少一个布局辅助图形，所述的布局辅助图形互不相交，所述的布局辅助图形与布局图形互不相交，所述的布局辅助图形与相邻的布局图形间的距离大于等于一倍的布局图形临界尺寸且小于等于三倍的布局图形临界尺寸。本发明还公开了一种降低像差敏感度的光罩制作方法和图形化方法。应用本发明所提供的方法可以减小光刻系统的像差敏感度，使形成于半导体衬底的光刻胶膜上的图形获得较佳的临界尺寸一致性。
文档编号G06F17/50GK101329505SQ20071004215
公开日2008年12月24日 申请日期2007年6月18日 优先权日2007年6月18日
发明者飞 张 申请人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司