专利名称：系统误操作的防止装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种系统误操作的防止装置，更详而言之，涉及一种 可避免电子设备运行过程中因误操作而导致其电路损坏、产生误操作 或发生死机的情况的系统误操作的防止装置。
背景技术：
一般在电路设计中，均会设计有若干保护电路，以致当电子设备 运作过程中发生错误时提供保护，有效确保该电子装置正常作业或及 时修复错误。
以电脑系统中较为常见的IERM错误为例，其为中央处理单元 (CPU)驱动且与总线操作无关，而且是不可恢复的内部错误。例如中央 处理单元的缓存中所产生的奇偶校验错误会导致中央处理单元发出该 内部错误信号。当中央处理单元认为有内部错误发生时，将该错误信 号拉低使其触发，以使该电脑作业系统关闭，只有当系统重启(Reset) 后，该内部错误信号方能回复。
该内部错误信号需在该中央处理单元的参考电压稳定以后触发， 因此为防止在该中央处理单元的参考电压稳定之前，由于该内部错误 的误触发而造成误操作，通常采用的防误触发的设计电路如图1A所 示。如图所示，主要提供一由第一、第二晶体管101、 102及其周边电 子元件与线路所构成的转换单元10，在本实施例中，该第一、第二晶 体管101、 102是例如NPN型晶体管，且由多个例如P3V3的供电单元 提供电源。用以将该中央处理单元输出的内部错误信号(正RR弁)通过由 第一、第二晶体管IOl、 102所构成的转换单元10实现信号的电位转 换，从而确保该内部错误信号(正RR弁)的例如执行作业系统死机等后续 动作。在上述电路图中，为防止该内部错误信号在该中央处理单元的 指示信号稳定之前产生误触发，故将该指示信号PGD_PVTT_DLY通 过一例如反向二极管的单向控制单元12而与该转换单元10电性连接， 由此控制该转换单元10开启或关闭该内部错误信号(正RM)的传输路
径，即当该指示信号PGD一PVTT—DLY稳定之前且处于低电位时，该 转换单元10的NPN型晶体管102截止，阻断了该内部错误信号(正RR弁) 的传输路径，可达到防止误触发的作用，只有当该指示信号稳定且处 于高电位时，如果中央处理单元产生了内部错误信号，该转换单元IO 的NPN型晶体管101截止，第二转换单元102由于P3V3上拉将导通， 从而保证了内部错误的后续动作。由上可知，由于其中供电单元及通 过该单向控制单元12的指示信号是在同一位置点与该转换单元10电 性连接，相对而言，该电路设计较为复杂。
与之类似的电路设计如图1B所示，图1B为中央处理单元的温度 报警信号(PROCHOTW)的电位转换电路图，当电脑系统的中央处理单元 的运行温度超出预先设定的警戒温度时，温度检测电路将PROCHOT 弁信号置为低电位，从而启动温度控制电路(Thermal Control Circuit，TCC)，以使中央处理单元的有效频率下降，从而达到降低功耗 的目的。值得注意的是，该动作同样应在该中央处理单元的指示信号 PGD一PVT11DLY稳定后触发，故为避免于该指示信号 PGD一PVTT1DLY稳定之前该温度报警信号的误触发，采用与图1A所 描述相类似的逻辑电路，即将该指示信号PGD—PVTT一DLY通过例如 反向二极管的单向控制单元12而与该转换单元10电性连接，以避免 产生该温度报警信号被误触发的情形。同样，该温度报警信号 (PROCHOT弁)的电位转换电路图与图1A同样具有电路相对复杂的缺 陷。
因此，如何提供一种系统误操作的防止装置，避免电子设备受到 误触动而致使该电子设备的电路损坏、产生误操作或发生死机的情况， 且整体设计可达简单实用，遂成为目前亟待解决的问题。
发明内容
鉴于上述现有技术的缺失，本发明的目的在于提供一种应用于电 子设备中的系统误操作的防止装置，以避免电子设备受到误触动而致 使该电子设备的电路损坏、产生误操作或发生死机的情况。
本发明的另一目的在于提供一设计简单且可节省布局空间的系统 误操作的防止装置。
为达上述目的以及其他目的，本发明即提供一种系统误操作的防 止装置。该系统误操作的防止装置应用于电子设备中，且该电子设备 具有在本端工作异常时提供保护措施的保护单元，该系统误操作的防 止装置包括侦测单元，用以侦测该电子设备的工作状态，且当侦测 到该电子设备的工作状态为异常时产生一触发信号；控制单元，用以
依据该电子设备的中央处理单元的上电过程而对应产生第一状态值转
换控制信号或第二状态值禁止转换控制信号；以及转换单元，具有第 一开关元件及与该第一开关元件电性连接的第二开关元件，其中该第 一开关元件与该侦测单元及控制单元电性连接，该第二开关元件与该 第一开关元件、控制单元及保护单元电性连接，用以执行触发信号转 换处理，从而令该第二开关元件在接收到该控制单元所产生的第一状 态值转换控制信号时，将该侦测单元所产生的触发信号进行电位转换 处理以产生可触发该保护单元的信号，并将处理后的信号传输至该电 子设备的保护单元，从而令该保护单元据以实施保护措施；该第二开 关元件在接收到该控制单元所产生的第二状态值禁止转换控制信号 时，不执行触发信号转换处理，从而不触发该保护单元而禁止该保护 单元实施保护措施。
在一实施例中，该侦测单元为该电子设备的中央处理单元(CPU) 内部错误侦测单元，并且当侦测到该中央处理单元为正常状态时发出 高电位信号以及当侦测到该中央处理单元正产生内部错误时发出低电 位信号。在另一实施例中，该侦测单元为温度感测单元，并且当侦测 到该中央处理单元的运行温度为正常状态时发出高电位信号以及当侦 测到该中央处理单元的运行温度过高时发出低电位信号。
上述该第一、第二开关元件为共射极晶体管，且该射极接地。在 一实施例中该晶体管为NPN型晶体管。
相比于现有技术，本发明的系统误操作的防止装置主要是通过将 控制单元直接与转换单元电性连接，以供该控制单元产生第一状态值 转换控制信号或第二状态值禁止转换控制信号，令该转换单元在接收 到该第一状态值转换控制信号时将该侦测单元所产生的触发信号进行 电位转换处理，并将处理后的信号传输至该电子设备的保护单元，得 以令该保护单元据以实施保护措施，相比于现有技术中通过一供电单
元以及利用一单向控制单元得以实现相同的功能，电路结构得以简化， 节省电子零件以及制造成本，并可相应节省电路板版面设计面积。
图1A为现有的用以防止中央处理单元的内部错误信号发生误触 发的电路示意图IB为现有的用以防止中央处理单元的温度报警信号发生误触 发的电路示意图2A为本发明的系统误操作的防止装置的基本架构示意图2B为本发明的系统误操作的防止装置应用于处理中央处理单 元的内部错误信号的电路示意图；以及
图2C为本发明的系统误操作的防止装置应用于处理中央处理单
元的温度报警信号的电路示意图。主要元件符号说明
10转换单元
101第一晶体管
102第二晶体管
12单向控制单元
2系统误操作的防止装置
20侦测单元
21保护单元
22转换单元
221第一开关元件
222第二开关元件
24控制单元
PGD一PVTT一DLY指示信号
FSB1_AS2_IERR—N侦测单元所产生的内部错误信号
CPU1_IERR_N经处理后的内部错误信号
FSB1—AS1—HOT-N侦测单元所产生的温度报警信号
FSB1_AS1—HOT—TTL一N经处理后的温度报警信号
PVTT CPU供电电源
P3V3 供电电源
具体实施例方式
以下是通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术 人员可由本说明书所揭示的内容轻易地了解本发明的其他优点与功 效。本发明也可通过其他不同的具体实例加以施行或应用，本说明书 中的各项细节也可基于不同观点与应用，在不背离本发明的精神下进 行各种修饰与变更。
请参阅图2A，其显示了本发明的系统误操作的防止装置的基本架 构示意图，本发明的系统误操作的防止装置2应用于电子设备中，在 本实施例中，该电子设备为个人电脑、笔记型电脑，或为伺服器等其 他电子设备。其中，该电子设备具有用以在自身工作异常时提供保护 措施的保护单元21，在本实施例中，该保护单元21是例如用以响应中 央处理单元的内部错误信号的系统关闭电路，或者是用以响应中央处 理单元的温度报警信号的温度控制电路(Thermal Control Circuit,TCC)。
如图2A所示，本发明的系统误操作的防止装置2包括侦测单元 20、转换单元22、以及控制单元24。
该侦测单元20用以侦测该电子设备的运行状态，且当侦测到该电 子设备的运行为异常时产生一触发信号。具体而言，该侦测单元20是 例如一中央处理单元(CPU)内部错误侦测单元，用以侦测该电子设备的 中央处理单元是否发生内部错误的异常情形，即当侦测到该中央处理 单元是正常状态时发出高电位信号以及当侦测到该中央处理单元正产 生内部错误时发出低电位信号。但并不以此为限，该侦测单元20也可 例如一温度感测单元，用以侦测该电子设备的中央处理单元的工作温 度是否超出制造商所设定警戒点的工作异常情形，即当侦测到该中央 处理单元的运行温度是正常状态时发出高电位信号以及当侦测到该中 央处理单元的运行温度过高时发出低电位信号。
该转换单元22用以执行触发信号转换处理，具有第一开关元件 221及与该第一开关元件221电性连接的第二开关元件222，其中该第 一开关元件221与该侦测单元20及控制单元24电性连接，该第二开 关元件222与该第一开关元件221、控制单元24及保护单元21电性连
接，由此将该侦测单元20所产生的触发信号经电位转换处理后传输至 该保护单元21。
该控制单元24与该转换单元22电性连接，用以依据该电子设备 的中央处理单元的上电过程而对应产生第一状态值转换控制信号或第 二状态值转换控制信号，令该转换单元22在接收到该第一状态值转换 控制信号时，将该侦测单元20所产生的触发信号经电位转换后传输至 该电子设备的保护单元21。具体而言，该控制单元24所产生的第一状 态值转换控制信号、第二状态值转换控制信号是指该电子设备的中央 处理单元(CPU)的电压稳定与否的指示信号，该指示信号高电位有 效。在本实施例中，该第一状态值为高电位，该第二状态值为低电位。 即在该电子设备的中央处理单元的电压稳定之前，控制单元24产生第 二状态值(低电位)转换控制信号，该转换单元22不执行触发信号电位 转换处理；而在该电子设备的中央处理单元的电压稳定之后，控制单 元24产生第一状态值(高电位)转换控制信号，该转换单元22可执行触 发信号电位转换处理，以使该侦测单元20所产生的触发信号经电位转 换处理成可触发保护单元21的信号，并将处理后的信号传输至保护单 元21以执行后续保护措施。
另请参阅图2B，其显示了本发明的系统误操作的防止装置2的第 一具体实施例的电路示意图，通过图2B以详细说明本发明的系统误操 作的防止装置2的一个较佳电路结构中各组成元件的连接关系及其工 作原理。
如图2B所示，在本实施例中，该侦测单元20为一内部错误侦测 单元，用以侦测该电子设备的中央处理单元是否发生内部错误的异常 情形，且当侦测到该中央处理单元存在内部错误时，即产生一低电位 的触发信号FSB1_AS2_IERR_N，此信号为中央处理单元发出的IERR# 信号，其低电位有效。
该转换单元22具有第一开关元件221及与该第一开关元件221电 性连接的第二开关元件222。如图2B所示，该第一、第二开关元件221、 222为共射极NPN型晶体管，且该射极接地；另外，该第一开关元件 221的基极与该侦测单元20以及供电电源中央处理单元的参考电压(例 如CPU VTT)电性连接，该第二开关元件222的基极串接一电阻并与该
第一NPN型晶体管221电性连接，而集电极则与用以供电的供电电源 主机板的供电电压(例如P3V3)电性连接。
此处需特别说明的是，在实际使用上或依据设计者的需求，该转 换单元22所囊括的开关元件(NPN型晶体管)的数量以及类型不以上述 实施例所述为限，只要是具有转换特性且可由控制单元24控制其开启 或关闭的电子元件，例如CMOS晶体管，结型场效应晶体管(Junction Field Effect Transister; JFET)等电子元件或电子电路，均属本发明可实 施的范围。
该控制单元24直接与该转换单元22电性连接，用以产生第一状 态值转换控制信号或第二状态值禁止转换控制信号。具体而言，该控 制单元24所产生的转换控制信号或禁止转换控制信号即为该电子设备 的中央处理单元的电压稳定与否的指示信号PGD_PVTT—DLY，其高电 位有效。
本实施例电路结构的工作原理如下所述在该电子设备的中央处 理单元的电压稳定之前，该提示信号PGD—PVTT一DLY为低电位，即 控制单元24产生第二状态值禁止转换控制信号，第二 NPN型晶体管 222的基极与发射极(该发射极接地)之间的电位差近乎为零，致使该第 二NPN型晶体管222截止，切断该触发信号的传输路径，使该侦测单 元20所产生的触发信号FSB1_AS2_IERR_N无法执行电平转换处理并 传输至保护单元21，此时NPN型晶体管222集电极被拉高至P3V3， CPU1JERR一N信号为高电位信号而无法触发保护单元21，由此可避 免于参考电压达稳定前因误触动而导致该电子设备的电路损坏、产生 误操作或发生死机的情况；而在该电子设备的中央处理单元的电压稳 定之后，该提示电压信号PGD-PVTT一DLY为高电位，即控制单元24 产生第一状态值转换控制信号，致使该NPN型晶体管222的基极与发 射极之间的电位差满足导通该NPN型晶体管222导通所需的电压值， 由此令该NPN型晶体管222导通，以开启该触发信号的传输路径，从 而确保触发信号FSB1_AS2_IERR_N可经电平转换为CPU1_IERR_N 并传输至该保护单元21，此时NPN型晶体管222集电极被拉低为0， CPU1—IERR一N信号为低电位信号而触发保护单元21，从而令该保护 单元21据以实施例如将该电子设备的作业系统予以关闭等保护措施。 由于该保护单元21的工作原理为本领域技术人员所熟悉者，在此将不
再为文赘述。
请参阅图2C，其显示了本发明的系统误操作的防止装置2的第二 具体实施例的电路示意图，其中，与第一实施例相同或近似的元件以 相同或近似的元件符号表示，并省略叙述有关于该元件的运作原理， 以避免重复说明。
第二实施例与第一实施例最大不同之处在于应用情形的不同。在 第一实施例中，该侦测单元20为一内部错误侦测单元，且在侦测到该 中央处理单元存在内部错误时即产生一低电位的触发信号 FSB2—AS2—IERR—N，以供该保护单元21执行例如系统死机等后续处 理。而在本实施例中，该侦测单元20是一温度感测单元，且在侦测到 该中央处理单元的运行温度过高时即产生一低电位的温度报警信号 FSB1_AS1—HOT—N，并经电位转换处理为FSB1—AS1—HOT—TTL—N， 以供该保护单元21接收该触发信号后执行例如启动温度控制电路 (Thermal Control Circuit,TCC)，以使中央处理单元的有效频率下降，从 而降低功耗。与第一实施例相类似，该控制单元24也直接与该转换单 元22电性连接，从而可防止当电子设备的中央处理单元电压稳定之前 发生系统误操作的情况。
综上所述，本发明的系统误操作的防止装置仅通过将例如为基准 电压的控制单元直接与转换单元电性连接，以供该控制单元产生第一 状态值转换控制信号或第二状态值禁止转换控制信号，该转换单元在 接收到该第一状态值转换控制信号时，将该侦测单元所产生的触发信 号进行电位转换处理，并将处理后所得到的信号传输至该电子设备的 保护单元，从而令该保护单元据以实施保护措施，由此避免该电子设 备的中央处理单元的电压稳定前受到误触动而使该电子设备发生电路 损坏、产生误操作或发生死机的情况，相比于现有技术中通过一供电 单元以及利用一单向控制单元的基准电压得以实现相同的功能，电路 结构得以简化，节省电子零件以及制造成本，并可相应节省设计空间。
上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制 本发明。任何本领域技术人员均可在不违背本发明的精神及范畴下， 对上述实施例进行修饰与改变。因此，本发明的权利保护范围，应如 后述的权利要求所列。
权利要求
1. 一种系统误操作的防止装置，其应用于电子设备中，且该电子设备具有在本端工作异常时提供保护措施的保护单元，该系统误操作的防止装置包括侦测单元，用以侦测该电子设备的工作状态，且在侦测到该电子设备的工作状态为异常时产生一触发信号；控制单元，用以依据该电子设备的中央处理单元的上电过程而对应产生第一状态值转换控制信号或第二状态值禁止转换控制信号；以及转换单元，具有第一开关元件及与该第一开关元件电性连接的第二开关元件，其中该第一开关元件与该侦测单元及控制单元电性连接，该第二开关元件与该第一开关元件、控制单元及保护单元电性连接，从而令该第二开关元件在接收到该控制单元所产生的第一状态值转换控制信号时，将该侦测单元所产生的触发信号经由该第一开关元件并进行电位转换处理以产生可触发该保护单元的信号，并将处理后的信号传输至该电子设备的保护单元，从而令该保护单元据以实施保护措施；该第二开关元件在接收到该控制单元所产生的第二状态值禁止转换控制信号时，不执行触发信号转换处理，从而不触发该保护单元而禁止该保护单元实施保护措施。
2. 根据权利要求1所述的系统误操作的防止装置，其中，该侦测 单元为该电子设备的中央处理单元内部错误侦测单元，并且在侦测到 该中央处理单元为正常状态时发出高电位信号以及在侦测到该中央处 理单元正产生内部错误时发出低电位信号。
3. 根据权利要求1所述的系统误操作的防止装置，其中，该侦测 单元为温度感测单元，并且在侦测到该中央处理单元的运行温度为正 常状态时发出高电位信号以及在侦测到该中央处理单元的运行温度过 高时发出低电位信号。
4. 根据权利要求1所述的系统误操作的防止装置，其中，该第一 状态值为高电位，该第二状态值为低电位。
5. 根据权利要求1所述的系统误操作的防止装置，其中，该第一、 第二开关元件为共射极晶体管，且该射极接地。
6. 根据权利要求5所述的系统误操作的防止装置，其中，该第一 开关元件的基极与中央处理单元的参考电压电性连接，该第二开关元 件的集电极与主机板的供电电压电性连接。
7. 根据权利要求5所述的系统误操作的防止装置，其中，该晶体 管为NPN型晶体管。
全文摘要
一种系统误操作的防止装置，应用于具有保护单元的电子设备中，其包括侦测单元，用以侦测该电子设备的运行状态，且当侦测到该电子设备的运行状态为异常时产生触发信号；控制单元，用以产生第一状态值转换控制信号或第二状态值禁止转换控制信号；以及转换单元，具有第一开关元件及与该第一开关元件电性连接的第二开关元件，从而当该第二开关元件接收到该控制单元所产生的第一状态值转换控制信号时，将该侦测单元所产生的触发信号进行电位转换处理以产生可触发该保护单元的信号，并将处理后的信号传输至该电子设备的保护单元，从而令该保护单元据以实施保护措施。由此避免该电子设备的保护单元受到无故触动而致使该电子设备的电路损坏。
文档编号G06F11/00GK101387973SQ20071015405
公开日2009年3月18日 申请日期2007年9月13日 优先权日2007年9月13日
发明者刘士豪, 岚 黄 申请人:英业达股份有限公司