存储卡以及存储卡的制造方法

专利名称：存储卡以及存储卡的制造方法
技术领域：
本发明涉及一种存储卡及其制造方法。
背景技术：
近年来，作为存储信息的存储介质的一种，使用内置有存储芯片的存 储卡。另外，由于在便携性方面的优势，存储卡作为便携式信息终端、及 移动电话等便携式电子设备的存储介质而被广泛应用。而且，从提高便携 性等观点出发，伴随着对这些便携式电子设备的小型化及薄型化的要求， 希望存储卡也进一步小型化。而且，因为存储卡的形状、大小、厚度等都 由规格确定，所以在满足规格的同时谋求实现其大容量化。
因此，已公开了这样一种技术，即，在搭载于引线框上的存储芯片上 错开层叠另一块存储芯片。而且，将两块存储芯片的电极及搭载于引线框 上的控制芯片的电极通过金属线连接于引线框，从而使存储卡薄型化(例 如，参照专利文献l)。
但是，在专利文献l的存储卡中，由于层叠存储芯片而使其在薄型化 方面受到限制，而且结构也变得复杂。另外，由于存储芯片和控制芯片对 引线框的安装是通过引线接合法进行的，所以，在安装后，有必要将这些 各芯片、金属线、引线框等通过热固化性树脂等密封。此时，由于需要充
分覆盖存储芯片;s^金属线的厚度的密封层，因此，存储卡的小型化和薄型
化受到限制。另外，由于除安装步骤外需另外的密封步骤，因此，在降低 成本方面也受到限制。
另一方面，作为存储芯片、控制芯片等半导体芯片的安装方法，已知
一种夹着突起(bump )而对半导体芯片的电极和电路基板的电极进行^
的倒装芯片安装的方法.倒装芯片安装是通过附着在电路J41的电极上的 树脂将半导体芯片向电路皿按压，并在该状态下通过使树脂固化而将半 导体芯片安装在电路基昧上的方法。由此，可以不需要覆盖被安装的半导
体芯片等的密封层，与专利文献l中的存储卡相比，能够实现小型化、薄 型化。此时，为了实现存储卡的薄型化，要求将存储芯片和控制芯片等不 层叠而是平面地配置在电路I41上，为了实现存储卡的小型化，要求将这 些半导体芯片相互接近地配置。
但是，在倒装芯片安装中，在将半导体芯片向电路1^1上按压时，半 导体芯片下方的树脂在半导体芯片的周围扩散，并在该状态下固化。因此，
若将多个半导体芯片例如以小于等于lmm的距离接近配置，则一侧的半 导体芯片的安装所使用的树脂会被挤出直到在其周围配置的其他的半导体 芯片的安装预定区域并固化。另外，已经附着在其他的半导体芯片的安装 预定区域的树脂层会在一侧的半导体芯片固化时变质。其结果就是，难以 在安装预定区域中安装其他的半导体芯片。另一方面，如果为了避免树脂 层的挤出、变质，而将多个半导体芯片以大于lmm的距离配置，就不能 实现存储卡的小型化。这样，由于很难将半导体芯片接近到某种程度(例 如lmm)以下进行安装，因此，在存储卡的小型化方面受到限制。 专利文献1:日本特开2004-13738号7>才艮

发明内容
本发明的存储卡，具有电路基板；夹着突起而安装在电路基板的主 面上的第一半导体芯片；与第一半导体芯片之间设置有小于等于lmm的 间隙、并夹着突起安装在电路WL的主面上的第二半导体芯片；覆盖与第 一半导体芯片M的突起周围，并介于第一半导体芯片和电路;^1之间的
第一密封树脂层；覆盖与第二半导体芯片接合的突起周围，并介于第二半 导体芯片和电路a之间的第二密封树脂层；在电路a的所述主面一側， 覆盖第一半导体芯片和第二半导体芯片的盖部。
通过该结构，能够使结构简略化，并能够实现小型且薄型的存储卡。
另外，本发明的存储卡的制造方法，具有下述步骤a)在电路I4l的 主面上形成第一密封树脂层的步骤，b)在电路M的主面上形成第二密封 树脂层的步骤，c)将第一半导体芯片经由第一密封树脂层向电路基板的主 面按压，并夹着突起将第一半导体芯片电连接于电路基板，并使第一密封 树脂层固化的步骤，d)与c)并行地将第二半导体芯片隔着第二密封树脂 层向电路基欧的主面按压，并夹着突起而将第二半导体芯片电连接于电路 1，并使第二密封树脂层固化的步骤，e)在电路基板的主面一侧通过盖 部覆盖笫一半导体芯片和第二半导体芯片的步骤。
通过该方法，，能够容易地制造生产效率优良、可靠性高的小型且薄 型的存储卡。


图l是表示本发明的第一实施方式所涉及的存储卡的构造的俯视图。 图2是在图1的2-2线位置剖切的剖视图。
图3是说明本发明的第一实施方式所涉及的存储卡的制造方法的流程图。
图4A是说明本发明的第一实施方式所涉及的存储卡的制造方法的主 要步骤的剖视图。
图4B是说明本发明的第一实施方式所涉及的存储卡的制造方法的主 要步骤的剖视图。
图5是表示本发明的第二实施方式所涉及的存储卡的构造的俯视图。 图6是在图5的6-6线位置剖切的剖视图。
图7是表示本发明的第二实施方式所涉及的存储卡的其他的例子的俯 视图。
图8是表示本发明的第三实施方式所涉及的存储卡的构造的俯视图。 图9是在图8的9-9线位置剖切的剖视图。
图10是说明本发明的第三实施方式所涉及的存储卡的制造方法的流 程图。
图ll是本发明的第四实施方式所涉及的存储卡的剖视图, 符号说明
1、 la、 lc、 ld存储卡 3第一半导体芯片
5第二半导体芯片
7盖部
21上面
23线状凸部
33、 53、 83突起
42第二密封树脂层
71凹部
92加热器
221外部电极
2电路絲 4密封树脂层 6芯片部件 8第三半导体芯片 22下面 24线状凹部 41笫一密封树脂层 43笫三密封树脂层 91按压工具
211、 212、 213、 214电极
具体实施例方式
下面，对于本发明的实施方式，边参照附图边进行^兌明。此外，存在 对同样的元件标注同样的符号，并省略说明的情况。 (第一实施方式)
图1是表示本发明的笫一实施方式所涉及的存储卡1的构造的俯视图。 图2是将存储卡1在图1的2-2线的位置剖切的剖视图。此外，在图1中， 为了容于理解存储卡l的内部构造，关于盖部7，仅通过虛线表示其轮廓， 关于下面的图5、图7及图8也一样。
在本实施方式中，存储卡1是SD存储卡(Secure Digital memory card, 安全数码卡)。通常，存储卡1的长度和宽度(图1中的左右方向和上下 方向的大小)M度(图2中的上下方向的大小)分别大于等于14.9mm 且小于等于15.1mm、大于等于10.9mm且小于等于ll.lmm及大于等于 0.9mm且小于等于l.lmm。另外，为了方便起见，将图2中的上侧及下侧 分別作为存储卡1的上侧及下侧进行说明，下面各实施方式中也是相同的。
如图1和图2所示，存储卡1具有大致矩形的电路基板2;夹着球 形突起33(即"钉头突起"，以下简称为"突起")安装在电路M2的 上侧的主面(以下，记作"上面")21上的第一半导体芯片3;夹着突起 53而安装在电路基板2的上面21上的第二半导体芯片5;介于第一半导体 芯片3、第二半导体芯片5及电路J412之间的密封树脂层4;使用软钎料 安装在电路基板2的上面21上的电阻等的微细的芯片部件6;在电路M 2的上面21 —侧覆盖第一半导体芯片3、第二半导体芯片5、密封树脂层4 和芯片部件6的盖部7。此外，存储卡1在安装有第一半导体芯片3和第2 半导体芯片5的位置的存储卡1的厚度大于等于0.6mm且小于等于 0.8mm。
电路基昧2是相当于FR-4.5的玻璃树脂基敗，厚度大于等于O.lmm 且小于等于0.4mm。如图2所示，电路皿2在上面21上具有接合有第 一半导体芯片3的电极211、 M有第二半导体芯片5的电极212及接合 有芯片部件6的电极213。而且，电路1^2在其下面22上具有用于与外 部的电子设备连接的多个外部电极221。外部电极221经由从电路基板2 的下面22连通到上面21的通孔(未图示)与设在上面21上的布线电连接。
第一半导体芯片3和第二半导体芯片5是棵芯片，其厚度分别大于等 于0.05! 111且小于等于0.3111加。在这里，第一半导体芯片3是存储信息的 存储芯片，第二半导体芯片5是控制第一半导体芯片3的控制芯片。而且， 在电路J^L2上，为了不使第二半导体芯片5和第一半导体芯片3重叠， 将第一半导体芯片3和第二半导体芯片5以在其间设置例如大于Omm且 小于等于lmm的间隙的方式配置。此时，在存储卡1的电路基板2上， 仅安装有第一半导体芯片3和第二半导体芯片5。第一半导体芯片3具有形成于下面的电极上的突起33，突起33通过 密封树脂层4与电路14SL2的电极211连接。同样，笫二半导体芯片5具 有形成于下面的电极上的突起53，突起53通过密封树脂层4与电路基板2 的电极212连接。
在本实施方式中，密封树脂层4是通过将例如膜状的树脂材料等非导
电性树脂膜(NCF (Non-Conductive Film ))贴付在电路基板2的上面21 上而形成的。在下面的说明中，将密封树脂层4中的覆盖接合于第一半导 体芯片3的突起33的周围并且介于第一半导体芯片3和电路ljfel2之间的 部位记作"第一密封树脂层41"。另外，将覆盖接合于第二半导体芯片5 的突起53的周围并且介于第二半导体芯片5和电路基板2之间的部位记作 "第二密封树脂层42"。而且，在存储卡1中，作为第一密封树脂层41 和第二密封树脂层42是由例如NCF等同 一种树脂材料连续设置而形成的。
盖部7具有例如是由通过环氧树脂等形成的成形部件构成的、收纳第 一半导体芯片3、第二半导体芯片5、密封树脂层4和芯片部件6的凹部 71。盖部7通过其凹部71的开口安装在电路M2上。
以下，使用附图3和图4A、图4B说明本发明第一实施方式所涉及的 存储卡1的制造方法。图3是说明存储卡1的制造方法的流程图，图4A 和图4B是说明存储卡1的制造方法的主要步骤的剖视图。此外，图4A和 图4B与图2 —样，表示将存储卡1在图1的2-2线位置剖切的剖视图。
首先，如图4A所示，在第一半导体芯片3的下面的电极上形成突起 33 (步骤Sll)。接下来，在第二半导体芯片5的下面的电极上形成突起 53 (步骤S12 )。
接下来，在电路U12的上面21上，在安装第一半导体芯片3的含有 预定的多个电极211的区域(以下，记作"第一安装区域，，)和安装第二 半导体芯片5的含有预定的多个电极212的区域(以下，记作"笫二安装 区域，，)上贴付NC形成密封树脂层(步骤S13)。在这里，在电路1412 的上面21的第一安装区域上贴付NCF形成第一密封树脂层41，与其并行 地，在第二密封区域上贴付与第一密封树脂层41同一种类的NCF形成第 二密封树脂层42。即，密封树脂层4由第一密封树脂层41和第二密封树 脂层42构成。
接下来，通过安装装置(未图示)的芯片保持部，与电路基板2的上 面21相对地保持第一半导体芯片3的下面。将芯片保持部相对于电路141 2移动从而调整第一半导体芯片3的位置。由此，突起33隔着第一密封树
脂层41 (密封树脂层4)与电极211相对。而且，使芯片保持部下降，从 而将笫一半导体芯片3安装在电路基板2上。另外，通过同样的动作将第 二半导体芯片5隔着第二密封树脂层42 (密封树脂层4 )安装在电路J4！ 2上。
之后，如图4B所示，通过按压工具91将第一半导体芯片3和笫二半 导体芯片5隔着对应的第一密封树脂层41和第二密封树脂层42朝向电路 1412的上面21按压。同时，在将第一半导体芯片3和第二半导体芯片5 向电路基敗2按压的状态下，通过设在按压工具91上的加热器92进行加 热。
由此，笫一半导体芯片3夹着突起33与电路基板2电连接，并且，使 第一密封树脂层41固化从而将笫一半导体芯片3与电路基t!2接合、安装。 同时，与第一半导体芯片3的安装并行进行，第二半导体芯片5夹着突起 53与电路皿2电连接，并且，使第二密封树脂层42固化从而将第二半 导体芯片5与电路 12接合、安装(步骤S14)。
接下来，如图2所示，经由附着在电路基板2的上面21的电极213 上的软钎料搭载芯片部件6并进行回流焊。由此，将芯片部件6的电极和 电路基板2的电极213接合、安装(步骤S15 )。
接下来，将盖部7通过其凹部71的开口安装到电路基&2上。由此， 在电路^2的上面21侧，第一半导体芯片3、第二半导体芯片5、密封 树脂层4和芯片部件6被盖部7覆盖，制成存储卡l (步骤S16)。
如上述说明，根据本实施方式的存储卡1，将笫一半导体芯片3和第 二半导体芯片5夹着突起33、 53隔着密封树脂层4，并行同时倒装芯片安 装在电路^L2上。此时，能够将第一半导体芯片3和第二半导体芯片5 以在其间i殳置例如大于0mm且小于等于lmm的间隙的方式配置。
这样，由于能够4吏第一半导体芯片3和第二半导体芯片5相接近地在 沿电路M2的上面21的方向上并列安装，因此，能够得到结构简化、小 型化且薄型的存储卡l。另外，在厚度等已标准化的存储卡1中，能够避 免以往由于电路基仗2、第一半导体芯片2和第二半导体芯片5的层叠所 必需的过度薄型化。其结果就是，提高了对抗变形等的机械强度，能够得 到具有优良可靠性的存储卡。
另一方面，在以往的存储卡中，在将半导体芯片例如通过引线接合法 安装在电路141上的情况下，在安装后，有必要^L置将半导体芯片和电线 通过例如粘度较低的热固化性树脂等进行密封的步骤。因此，有在电路基 板的上面侧，由于覆盖半导体芯片等所进行的热固化型树脂的成形， 一体 形成存储卡的盖部的情况。
与此相对，在本实施方式中，将第一半导体芯片3和第二半导体芯片 5，夹着突起33、 53倒装芯片安装在电路基板2上。因此，并非必须通过 粘度较低的热固化性树脂等密封第一半导体芯片3和笫二半导体芯片5等， 或形成盖部。其结果就是，提高了对于盖部7的材料、形成方法的选择的 自由度。另外，通过对第一半导体芯片3和第二半导体芯片5进行倒装芯 片安装，与引线接合法安^目比，提高了安装时的连接的可靠性。而且因 为通过由第一密封树脂层41和第二密封树脂层42构成的密封树脂层4将 第一半导体芯片3和第二半导体芯片5安装在电路1^L上，所以，可以省 略另行密封两半导体芯片和电路基板2的电连接部的步骤，并能够简化存 储卡1的制造。
另外，在本实施方式中，因为第一密封树脂层41和第二密封树脂层 42都是密封树脂层4的一部分，所以，能够使用同一种树脂材料相互连续 地形成。由此，能够进一步简化存储卡1的制造方法。另外，因为能够通 过将例如由膜状的树脂材料构成的NCF贴付在电路基fe 2的上面21上而 形成密封树脂层4，所以，能够进一步简化存储卡1的制造。而且，通过 设为由预先形成的成形部件构成的盖部7覆盖第一半导体芯片3和第二半 导体芯片5等的构造，由此，与通过热固化性树脂、热可塑性树脂等密封 而形成盖部的情况相比，能够更加简化存储卡1的制造。
另外，根据本实施方式，因为并行同时安装第一半导体芯片3和笫二 半导体芯片5，所以，能够避免一侧的半导体芯片的安装对另一侧半导体 芯片的安装的影响，能够将两个半导体芯片良好地安装在电路基板2上。
也就是i兌，能够将下述问题防患于未然，即在第一半导体芯片的安装后进 行第二半导体芯片的安装的情况下，因为第一半导体芯片的第一密封树脂
层向第二密封树脂层挤出并固化而导致的不能安装第二半导体芯片的问 题。
此外，在本实施方式中，以第一密封树脂层41和第二密封树脂层42 是通过同一种树脂材料等相互连续形成的例子进行了说明，但是不限定于 此。例如，也可以分别形成第一密封树脂层41和第二密封树脂层42。也 就是说，与对电路M 2的第一安装区域形成第一密封树脂层41连续地、 在电路J412的上面21的第二安装区域贴附NCF，形成第二密封树脂层 42。而且，也可以通过互不相同的树脂材料形成笫一密封树脂层41和第二 密封树脂层42。
另外，在本实施方式中，在通过软，接合对第一半导体芯片3和笫 二半导体芯片5进4亍倒装芯片安装的情况下，也可以通过以下的方法进行 安装。即，在将第一半导体芯片3和第二半导体芯片5通过软4f^M在 电路1412上以后，在电路1412和笫一半导体芯片3及第二半导体芯片 5之间并行同时注入密封树脂，可密封两半导体芯片和电路基板2的电连 接部。由此，因为能够在其间设置小于等于lmra的间隙地对第一半导体 芯片3和第二半导体芯片5进行安装，所以能够简化构造，得到小型且薄 型的存储卡l。
(第二实施方式)
下面使用图5和图6说明本发明的第二实施方式所涉及的存储卡。 图5是表示本发明第二实施方式所涉及的存储卡la的构造的俯视图。
图6是将存储卡la在图5的6-6线的位置剖切后的剖视图。
如图5和图6所示，存储卡la在图1和图2所示的存储卡1的构成的
基础上，还具有夹着突起83而安装在电路J412的上面21上的、例如存
储芯片等的第三半导体芯片8。其他的构造与图1和图2相同，附加相同
的符号进行说明。
如图5和图6所示，在存储卡la中，第一半导体芯片3、第二半导体
芯片5和第三半导体芯片8沿电路1412的上面21排列成直线状。而且， 配置第三半导体芯片8,其与第一半导体芯片3之间设置例如小于等于 lmm的间隙。而且，第三半导体芯片8具有在其下面的电极上所形成的突 起83，该第三半导体芯片8经由突起83并通过密封树脂层4与电路M 2 的电极214掩^ (包括保持接触的状态)。在以下的内容中，将密封树脂 层4中的、覆盖接合于第三半导体芯片8的突起83的周围并且介于第三半 导体芯片8和电路基昧2之间的部分记作"笫三密封树月旨层43"。
以下，与笫一实施方式同样地参照图3说明本发明第二实施方式所涉 及的存储卡la的制造方法。
首先，在笫一半导体芯片3和第二半导体芯片5的下面的电极上形成 突起33、 53 (步骤Sll)。另外，在第三半导体芯片8的下面的电极上形 成突起83 (步骤S12 )。
接下来，在电路基板2的上面21上，将NCF贴附在第一安装区域、 第二安装区域和安装有第三半导体芯片8且包含有预定的多个电极214的 区域(以下记作"第三安装区域")从而形成密封树脂层4 (步骤S13)。
接下来，通过安装装置(未图示)的芯片保持部对第一半导体芯片3 进行保持并将其安装在电路基板2上。而且，通过芯片保持部将第二半导 体芯片5和第三半导体芯片8也同样地顺次安装在电路W12上。 ， 通过按压工具将笫一半导体芯片3、第二半导体芯片5和笫三半导体芯片8 经由密封树脂层4向电路1412的上面21按压、加热。由此，将笫一半导 体芯片3和第二半导体芯片5同时安装在电路^2上(步骤S14)。而 且，与此同时，将第三半导体芯片8也安装在电路基板2上。通过上述各 步骤，完成了三个半导体芯片的安装。
然后，在将芯片部件6通过软M接合在电路基板2上后，将盖部7 安装在电路I412上。由此，在电路M2的上面21侧，第一半导体芯片 3、第二半导体芯片5、第三半导体芯片8、密封树脂层4和芯片部件6被 盖部7覆盖，制成存储卡la (步骤S15、 S16)。
如上述说明，本实施方式的存储卡la，为了不使第一半导体芯片3和
笫二半导体芯片5重叠而在两者之间设置例如大于Omm且小于等于lmm 的间隙地配置。而且，为了不使第一半导体芯片3和第三半导体芯片8重 叠而两者之间i炎置例如大于0mm且小于等于lmm的间隙地配置。由此， 与第一实施方式相同地，在简化构造的同时，能够得到小型且薄型的存储 卡la。
另夕卜，在本实施方式中，因为第一密封树脂层41、第二密封树脂层42 和第三密封树脂层43分别是密封树脂层4的一部分，所以，能够通过同一 种类的树脂材料相互连续地形成。由此，能够筒化存储卡la的制造方法。 另夕卜，因为能够通过将例如膜状的树月旨材料即NCF贴附在电路基板2的上 面21上而形成密封树脂层4，所以，能够进一步简化存储卡la的制造。 而且，与第一实施方式同样地，作为盖部7^f吏用成形部件，由此，能够进 一步简化存储卡la的制造。
另夕卜，根据本实施方式，因为将第一半导体芯片3、第二半导体芯片5 和第三半导体芯片8并行地同时安装在电路a2上，所以，能够避免一 侧的半导体芯片的安装对另一侧的半导体芯片的安装施加的影响，并能够 良好地将三个半导体芯片安装在电路1412上。
此外，在本实施方式中，以将第一半导体芯片3、第二半导体芯片5 和第三半导体芯片8配置成直线状的例子进行说明，但是并不限定于此。 例如，如图7其他的例子所示的存储卡lb,也可以将第三半导体芯片8与 第一半导体芯片3并排配置，并将第二半导体芯片5相对于第三半导体芯 片8和第一半导体芯片3以例如大于0mm且小于等于lmm的间隙接近配 置。
另外，在本实施方式中，以将三个半导体芯片安装在电路基板上的例 子进行说明，但是不限定于此。例如，也可以将四个以上的半导体芯片安 装在电路J412的上面21上。即便在这种情况下，从存储卡la的小型化 的观点出发，优选，在相互接近的半导体芯片之间设置例如大于O mm且 小于等于lmm的间隙进行配置。 (第三实施方式)
下面使用图8和图9说明本发明的笫三实施方式所涉及的存储卡。
图8是表示本发明第三实施方式所涉及的存储卡lc的构造的俯视图。 图9是表示将存储卡lc在图8的9-9线的位置剖切的剖一见图。
如图8和图9所示，存储卡lc，在图1和图2所示的存储卡1的构造 _^5出上，还具有设在第一半导体芯片3和第二半导体芯片5之间的、沿着 电路1412的上面21的线状的凸部(以下记作"线状凸部，，)23。其他的 构造与图l和图2相同，在下面的说明中附加相同的符号进行说明。此夕卜， 在存储卡lc中，第一密封树脂层41和第二密封树脂层42被线状凸部23 分隔而不相互连续。
下面，使用图10说明本发明的第三实施方式所涉及的存储卡lc的制 造方法。图10是说明本发明的第三实施方式所涉及的存储卡lc的制造方 法的流程图。
首先，在第一半导体芯片3和第二半导体芯片5的下面的电极上形成 突起33、 53 (步骤S21、 S22)。
接下来，在电路M2的上面21的第一安装区域上贴附例如NCF以 形成第一密封树脂层41 (步骤S23)。
接下来，通过安装装置(未图示)的芯片保持部对第一半导体芯片3 进行保持并经由第一密封树脂层41将其安装在电路M2上。然后，通过 用按压工具将第一半导体芯片3向电路J412的上面21按压、加热，由此， 将第一半导体芯片3安装在电路基板2上(步骤S24)。此时，向第一半 导体芯片3的周围挤出的第一安装区域上的第一密封树脂层4，被笫一半 导体芯片3和第二半导体芯片5之间的线状凸部23拦住，防止其向第二安 装区域扩散。通过上迷的步骤，完成了第一半导体芯片3的安装。
接下来，独立于第一密封树脂层41的形成，在第二安装区域上贴附例 如NCF而形成第二密封树脂层42 (步骤S25)。然后，通过芯片保持部 对第二半导体芯片5进行保持并将其经由第二密封树脂层42安装在电路基 板2上。进而，通过用按压工具将笫二半导体芯片5向电路基板2的上面 21按压、加热，由此，独立于第一半导体芯片3的安装，进行第二半导体
芯片5的对电路M2的安装(步骤S26)。通过上述的步骤，完成笫二 半导体芯片5的安装。
然后，将芯片部件6接合在电路皿2上后，在电路基t!2的上面21 侧，第一半导体芯片3、第二半导体芯片5、第一密封树脂层41、第二密 封树脂层42和芯片部件6被盖部7覆盖。由此，制成存储卡lc(步骤S27、 S28)。
如上述说明，本实施方式的存储卡lc，通过设置在第一半导体芯片3 和第二半导体芯片5之间的线状凸部23，能够防止在安装第一半导体芯片 3时第一密封树脂层41向第二安装区域扩散。另外，同样地，也能够防止 在安装笫二半导体芯片5时笫二密封树脂层42向第一安装区域扩散。因此， 与第一实施方式同样地，能够避免一侧的半导体芯片的安装对另一侧的半 导体芯片的安装施加的影响，能够将两个半导体芯片良好地安装在电路基 板2上。
此外，在本实施方式中，以在第一半导体芯片3安装后形成第二密封 树脂层42的例子进行说明，但是，并不限定于此，例如，也可以在形成第 一密封树脂层41之后形成第二密封树脂层42。这种情况下，因为第一密 封树脂层41和第二密封树脂层42不是连续的，所以，能够防止在第一半 导体芯片3的安装时将施加给第一密封树脂层41的热量传递到第二密封树 脂层42。由此，能够防止笫二密封树脂层42在第一半导体芯片3安装时、 也就是说在第二半导体芯片5安装前，固化。
另外，在本实施方式中，以将第一半导体芯片3和笫二半导体芯片5 分别安装到电路基敗2上的例子进行说明，但是并不限定于此。例如，在 线状凸部23的从电路基板2的上面21起的高度比安装后的第一半导体芯 片3和第二半导体芯片5从电路^L2的上面21起的高度低的情况下，也 可以用一个按压工具将第一半导体芯片3和第二半导体芯片5同时按压、 安装到电路J412上。由此，能够提高存储卡的生产效率。 (第四实施方式)
以下使用附图ll说明本发明第四实施方式所涉及的存储卡。
图11是表示本发明的第四实施方式所涉及的存储卡Id的构造的剖视图。
本实施方式中的存储卡ld，具有设在第一半导体芯片3和第二半导体 芯片5之间的、沿电路M2的上面21的线状的凹部(以下记作"线状凹 部")24，在这一点上与第三实施方式不同。而且，第一密封树脂层41 和第二密封树脂层42被线状凹部分隔而互不连续。另外，其他的构造与图 8和图9相同，附加相同的符号进行说明。另夕卜，存储卡ld的制造方法与 第三实施方式相同，故省略说明。
如上述说明，根据本实施方式的存储卡ld，在笫一半导体芯片3的安 装时被挤出的笫一密封树脂层41流入到线装凹部24中，由此，与第三实 施方式同样地，能够防止第一密封树脂层41向第二安装区域扩散。同样地， 也能够防止第二半导体芯片5的安装时第二密封树脂层42向第 一安装区域 扩散。因此，与第三实施方式同样，能够避免一侧的半导体芯片的安^J" 另 一侧半导体芯片的安装施加的影响，能够良好地将两个半导体芯片安装 在电路基板2上。
以上，说明了本发明的各个实施方式，但是本发明并不限定于上述各 实施方式，能够如下所示，进行各种变更。
也就是说，在上述各实施方式中，以将第一半导体芯片3和笫二半导 体芯片5作为存储芯片和控制芯片为例进行了说明，但是不限定于此。例 如，也可将ASIC等其他的棵芯片作为第一半导体芯片3和第二半导体芯 片5使用。而且，也可以构成为将作为第一半导体芯片3和第二半导体芯 片5的两个存储芯片层叠，通过安装在第二电路^4的其他区域的控制 芯片对该两个存储芯片进行控制的构造。另外，作为第二半导体芯片5， 也可以在第二电路M 4上安装存储信息和控制其他的存储芯片的存^^/ 控制两用芯片。此时，半导体芯片可以是部分地利用了半导体功能的芯片， 不必是整体都具有半导体功能的芯片。
另外，在上述各实施方式中，以将突起33、 53、 83形成在第一半导体 芯片3的电极上、第二半导体芯片的电极上以及第三半导体芯片的电极上
的例子进行说明，但是，也可以将它们形成在电路基板2的电极211、 212、 214上。而且，作为突起33、 53，也可以使用除球形突起以外的镀敷突起 或软钎料突起等。
另夕卜，在上述各实施方式中，作为密封树脂层，以NCF等的贴附为例 进行了说明，但是不限定于此。例如，也可以使用非导电性树脂糊剂的涂 敷、各向异性导电性树脂膜或各向异性导电性树脂糊剂形成密封树脂层。
此时，在第一实施方式和笫二实施方式中，在通过树脂糊剂形成密封 树脂层的情况下，在通过涂敷机在第一安装区域涂敷树脂材料后，也可以 连续地在第二安装区域涂敷树脂材料。而且，也可以通过使涂敷机在笫一 安装区域和第二安装区域上的往复移动，在第一安装区域和第二安装区域 上同时呈线状地涂敷树脂材料。
另夕卜，在第一实施方式中，在通过树脂糊剂形成密封树脂层的情况下， 也可以通过下面的方法安装第一半导体芯片3和第二半导体芯片5。即， 首先将第一半导体芯片3载置于第一密封树脂层41上，使第一密封树脂层 41暂时固化到一定程度。然后，将第二半导体芯片5载置在第二密封树脂 层42上，并使第二密封树脂层42暂时固化到一定程度，随后，将第一半 导体芯片3和第二半导体芯片5同时向电路皿2按压并进行加热。由此， 因为能够同时安装第一半导体芯片3和第二半导体芯片5，所以，能够避 免一侧的半导体芯片的安装对另 一侧的半导体芯片的安装施加的影响，能 够良好地将两个半导体芯片安装在电路g 2上。
另外，在上述各实施方式中，作为盖部，以通过由树脂制成的成形部 件所构成的盖部为例进行了说明，但是不限定于此。例如，也可以将热可 塑性树脂或热固化性树脂等通过镶嵌成形形成盖部，使得其在电路基板2 的上面21上覆盖第一半导体芯片3、第二半导体芯片5等。
此外，本发明的存储卡，除SD卡以外，也可以作为例如IC卡等其他 的卡片型存储介质加以利用。
工业上的利用可能性
本发明在存储信息、尤其是希望小型化、薄型化的存储卡等技术领域
具有实用价值。
权利要求
1.一种存储卡，其特征在于，具有电路基板；第一半导体芯片，其夹着突起安装在所述电路基板的主面上；第二半导体芯片，在其与所述第一半导体芯片之间设置有小于等于1mm的间隙、并夹着突起安装在所述电路基板的所述主面上；第一密封树脂层，其覆盖与所述第一半导体芯片接合的所述突起周围，并介于所述第一半导体芯片和所述电路基板之间；第二密封树脂层，其覆盖与所述第二半导体芯片接合的所述突起周围，并介于所述第二半导体芯片和所述电路基板之间；和盖部，其在所述电路基板的所述主面侧，覆盖所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片。
2. 如权利要求l所述的存储卡，其特征在于所述第 一密封树脂层和所述第二密封树脂层由同 一种树脂材料构成， 并互相连续地设置。
3. 如权利要求l所述的存储卡，其特征在于所述电路員在所述第 一半导体芯片和所述第二半导体芯片之间具有 沿所述主面的线状的凸部或线状的凹部。
4. 如权利要求1所述的存储卡，其特征在于所述盖部，由具有收纳所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片的 凹部并且通过所述凹部的开口安装在所述电路基K上的成型部件构成。
5. 如权利要求1所述的存储卡，其特征在于所述第一密封树脂层和所述第二密封树脂层由贴附在所述电路基板的 所述主面上的膜状的树脂材料构成。
6. 如权利要求1所述的存储卡，其特征在于 所述第一半导体芯片是存储信息的存储芯片， 所述第二半导体芯片是控制所述笫一半导体芯片的控制芯片。
7. 如权利要求1所述的存储卡，其特征在于，还具有第三半导体芯片，在其与所述第一半导体芯片之间i殳置有小 于等于lmm的间隙、并夹着突起安装在所述电路基&的所述主面上；和第三密封树脂层，其覆盖与所述第三半导体芯片接合的所述突起周围， 并介于所述第三半导体芯片和所述电路Ul之间。
8. —种存储卡的制造方法，其特征在于， 包括a) 在电路M的主面上形成第一密封树脂层的步骤，b) 在所述电路基板的所述主面上形成第二密封树脂层的步骤，c )将第一半导体芯片隔着所述笫一密封树脂层朝向所述电路M的所 述主面按压，并夹着突起将所述第一半导体芯片电连接在所述电路1^L上， 并且使所述第一密封树脂层固化的步骤，d) 与所述步骤c)并行地将第二半导体芯片经由所述第二密封树脂层 朝向所述电路141的所迷主面按压，并夹着突起将所述笫二半导体芯片电 连接在所述电路基板上，并且使所述第二密封树脂层固化的步骤，e) 在所述电路^L的所述主面侧通过盖部覆盖所述笫一半导体芯片和 所述第二半导体芯片的步骤。
9. 如权利要求8所述的存储卡的制造方法，其特征在于 设置间隙地配置所述笫一半导体芯片和所述第二半导体芯片。
10. 如权利要求8所述的存储卡的制造方法，其特征在于 所述第一密封树脂层和所述第二密封树脂层由同一种树脂材料构成，连续或相互并行地进行所述步骤a)和所述步骤b)。
11. 如权利要求8所述的存储卡的制造方法，其特征在于 所述盖部是具有凹部的成型部件，在所述步骤e)中，在所述盖部的所述凹部的开口中收纳所述第一半 导体芯片和所述第二半导体芯片，并且通过所述凹部的开口将所述盖部安 装在所述电路基板上。
12. 如权利要求8所述的存储卡的制造方法，其特征在于 在所述步骤a)中，通过将膜状的树脂材料贴附在所述电路U1的所述主面上来形成所述第 一 密封树脂层，在所述步骤b)中，通过将膜状的树脂材料贴附在所述电路基板的所 述主面上来形成所述第二密封树脂层。
13. 如权利要求8所述的存储卡的制造方法，其特征在于 所述第一半导体芯片是存储信息的存储芯片， 所述第二半导体芯片是控制所述第一半导体芯片的控制芯片。
全文摘要
存储卡(1)具有电路基板(2)；夹着突起(33)而安装在电路基板(2)上的第一半导体芯片(3)；与第一半导体芯片(3)之间设置小于等于1mm的间隙并夹着突起(53)而安装在电路基板上的第二半导体芯片(5)；覆盖突起(33)的周围，并介于第一半导体芯片(3)和电路基板(2)之间的第一密封树脂层(41)；覆盖突起(53)的周围，并介于第二半导体芯片(5)和电路基板(2)之间的第二密封树脂层(42)；在电路基板(2)的主面侧，覆盖第一半导体芯片(3)和第二半导体芯片(5)的盖部(7)。
文档编号G06K19/077GK101371268SQ200780003059
公开日2009年2月18日 申请日期2007年1月31日 优先权日2006年2月2日
发明者山田博之, 岩本笃信, 武田修一, 西川英信 申请人:松下电器产业株式会社