专利名称：制造坐标检测器的方法
技术领域：
本方面涉及制造坐标检测器的方法；更具体地，涉及制造一种被 配置为检测输入位置的坐标并输出与输入位置相对应的信号的坐标 检测器的方法。
背景技术：
用于计算机系统的输入装置的例子包括触摸面板。触摸面板安装 于显示器上，并能够检测显示器上的坐标位置并获得与坐标位置相对 应的检测信号。触摸面板允许直接、简单和直观的输入。
提出了用于触摸面板的各种系统，诸如利用电阻膜的系统、利用 光学成像的系统以及利用电容耦合的系统。 一般使用的是结构简单且 易于控制的电阻膜型触摸面板。根据电极在电阻膜上的排列有若干种 类型的低电阻系统触摸面板，例如四线型、五线型和八线型。
其中，与四线或者八线电阻膜触摸面板相比，五线触摸面板没有 四线型和八线型所具有的边缘滑动(edge sliding)缺陷的问题，这是 因为，在五线触摸面板中，设置在操作表面一侧上的上部衬底的导电 膜只被用于读出电势。因此，五线触摸面板被用于苛刻的使用环境或 者要求长使用寿命的情况。
图l给出了五线电阻膜触摸面板的概要图。
参照
图1 ，五线电阻膜触摸面板1包括上部基板11和下部基板12。
下部基板12包括玻璃基板21和形成于玻璃基板21的整个表面 上的透明电阻膜22。在电阻膜22上形成用于检测X轴坐标的X坐标
上部基板11包括膜基板31和形成于膜基板31上的透明电阻膜32。在透明电阻膜32上形成用于检测坐标的坐标检测电极33。
首先，对X坐标检测电极23和24施加电压引起沿下部基板12 上的透明电阻膜22的沿X轴方向的电位分布。此时，可以通过检测 下部基板12的透明电阻膜22中的电位检测出上部基板11接触下部 基板12的位置处的X坐标。
然后，对Y坐标检测电极25和26施加电压引起沿下部基板12 上的透明电阻膜22的沿Y轴方向的电位分布。此时，可以通过检测 下部基板12的透明电阻膜22中的电位检测出上部基板11接触下部 基板12的位置处的Y坐标。
此时，如何使电位在下部基板12的透明电阻膜22中均匀地分布 成为该类型触摸面板中的问题。专利文献1 (以下列出)公开了为了 使电位在下部基板12的透明电阻膜22中均匀分布而设置多级的外围 电位分布校正图案的方法。
专利文献2 (以下列出)公开了设置公共电极以包围输入表面的 方法。专利文献3 (以下列出)公开了在设置于透明电阻膜上的绝缘 膜内形成开口并经此开口施加电位的方法。
图2给出了本实施方式的坐标检测器的系统结构的概要图。在本 实施方式中，对作为坐标输入系统100的所谓的五线模拟电阻膜触摸 面板给出了说明。本实施方式的坐标输入系统100包括面板部分111 和接口板112。
面板部分111包括下部基板121、上部基板122、间隔件123以 及柔性印刷电路(FPC)线缆124。下部基板121和上部基板122通 过间隔件123附着在一起。间隔件123由绝缘双面胶带等形成，并以 下部基板121与上部基板122之间的预定的间隙将下部基板121与上 部基板122连在一起。FPC线缆124具有形成于柔性印刷电路板(图 中未示出)上的第一~五互连，并通过以热压焊在该FPC线缆124 上接合各向异性导电膜而被连接至下部基板121。
接下来，参照图3A至3E说明下部基板121的结构。 图3A为下部基板121的俯视图。图3B为下部基板121沿图3A 的A-A线的截面图。图3C为下部基板121沿图3A的B-B线的截面图。图3D为下部基板121沿图3A的C-C线的截面图。图3E为下部 基板121沿图3A的D-D线的截面图。
下部基板121包括玻璃基板131、透明电阻膜132、电阻膜去除 区域133、公共电极134、第一绝缘膜135,互连136-1、 136-2、 136-3 和136-4、以及第二绝缘膜137。互连136-1至136-4还可集体地以附 图标记136表示。
透明电阻膜132形成于玻璃基板141的整个表面上方。透明电阻 膜132是通过诸如真空蒸镀之类的方法沉积ITO (铟锡氧化物)等形 成的，是一种可透射可见光并具有预定电阻的膜。根据本实施方式，
所有透明电阻膜132可以-但不必须——在电阻膜去除区域133中
被去除。即，透明电阻膜132可以在电阻膜去除区域133中被部分地 去除。可以通过将电阻膜去除区域133的外围中的透明电阻膜132的 一部分去除来为保留在电阻膜去除区域133内的透明电阻膜132与电 阻膜去除区域133外的透明电阻膜132之间提供电绝缘。这样，电阻 膜去除区域133例如可以由不具有透明电阻膜132的线性区域构成， 而透明电阻膜132由该线性区域包围或者处于线性区域内。在图3B 至图3E中，为图示方便之目的，以附图标记133表示该线性区域。
通过这样在保留在电阻膜去除区域133内的透明电阻膜132与电 阻膜去除区域133外的透明电阻膜132之间提供电绝缘，可以产生与 去除电阻膜去除区域133内的所有透明电阻膜132相同的效果。与去 除电阻膜去除区域133内的所有透明电阻膜132的情况相比，由于透 明电阻膜132的去除量的减少，生产能力得到提高。
第一互连136-1例如由诸如银的低电阻材料形成，并沿下部基板 121的第一侧边171-1形成于第一绝缘膜135上。形成第一互连136-1 以填充形成于第一绝缘膜135中的第一通孔151-1。此外第一互连 136-1连接至FPC线缆124 (图2 )的第一互连。
第二互连136-2例如由诸如银的低电阻材料形成，并沿下部基板 121的与第一侧边171-1相对置的第二侧边171-2形成于第一绝缘膜 135上。形成第二互连136-2以填充形成于第一绝缘膜135中的第二 通孔151-2。此外第二互连136-2连接至FPC线缆124 (图2 )的第二 互连。
第三互连136-3例如由诸如银的低电阻材料形成，并沿下部基板 121的与第一侧边171-1和第二侧边171-2垂直的第三侧边171-3的一 半形成于第一绝缘膜135上，该一半位于第二侧边171-2—侧。形成 第三互连136-3以填充形成于第一绝缘膜135中的第三通孔151-3。 此外第三互连136-3连接至FPC线缆124 (图2)的第三互连。
第四互连136-4例如由诸如银的低电阻材料形成，并沿下部基板 121的与第一侧边171-1和第二侧边171-2垂直的第三侧边171-3的一 半形成于第一绝缘膜135上，该一半位于第一侧边171-1—侧。形成 第四互连136-4以填充形成于第一绝缘膜135中的第四通孔15"4。 此外第四互连136-4连接至FPC线缆124 (图2)的第四互连。
接下来，对制造本实施方式的坐标检测器的方法进行说明。尤其 是，参照图8A至8H对制造下部基板121的方法进行说明。
首先，如图8A所示，通过诸如溅射或者真空蒸镀的工艺在玻璃 基板131上形成ITO等的透明电阻膜132。
接下来，如图8B所示，在透明电阻膜132上形成抗蚀剂图案。 例如，利用旋转涂布等的方法在透明电阻膜132上涂敷光致抗蚀剂。 然后，将光致抗蚀剂进行预烘焙，利用曝光装置曝光，并进行显影。 据此，形成抗蚀剂图案138。抗蚀剂图案138在透明电阻膜132的要 被去除以形成电阻膜去除区域133的区域上具有开口 。
接下来，如图8C所示，利用诸如盐酸或者磷酸溶液的酸溶液进 行化学刻蚀。该工艺亦称湿法刻蚀。通过该工艺，去除透明电阻膜132 在抗蚀剂图案138的开口下方的部分。在本实施方式中，透明电阻膜 132也可以通过诸如RIE (反应性离子刻蚀)的干法刻蚀以与湿法刻 蚀相同的方式去除。
接下来，如图8D所示，利用有机溶液等去除抗蚀剂图案138。 其结果，在玻璃基板131上形成在其中形成了电阻膜去除区域133的 透明电阻膜132。
接下来，如图8E所示，在透明电阻膜132上，在形成了电阻膜 去除区域133处形成Ag-C公共电极134。例如，利用丝网印刷法来 印刷含有Ag-C的糊剂的图案并随后对糊剂进行烘焙，从而形成公共 电极134。其结果，在每两个相邻的电阻膜去除区域133之间的透明
14电阻膜132上形成电位施加部分141。
接下来，如图8F所示，形成具有第一通孔至第四通孔151-1至 151-4的第一绝缘膜135。例如，利用丝网印刷法来印刷绝缘糊剂的图 案并随后对绝缘糊剂进行烘焙，从而形成第一绝缘膜135。
接下来，如图8G所示，在第一绝缘膜135上形成第一至第四 Ag互连136-1至136-4。例如，利用丝网印刷法来印刷含Ag的导电 糊剂图案并随后对导电糊剂进行烘焙，从而形成第一至第四Ag互连 136-1至136-4。
接下来，如图8H所示，形成第二绝缘膜137。例如，利用丝网 印刷法来印刷绝缘糊剂图案并随后对绝缘糊剂进行烘焙，从而形成第 二绝缘膜137。
这样，制成了下部基板121。
在本实施方式中，说明了五线电阻膜模拟触摸面板。但是，本实 施方式不限于此，亦可应用于其它类型的触摸面板，例如四线电阻膜 触摸面板或者七线电阻膜触摸面板。 (b)第二实施方式
对本发明的第二实施方式进行说明。本实施方式涉及制造坐标检 测器的方法，尤其是涉及利用刻蚀糊剂制造上述下部基板121的方法。 以下参照图9A至9G对本实施方式进行说明。
首先，如图9A所示，通过诸如溅射或者真空蒸镀的工艺在玻璃 基板231上形成ITO等的透明电阻膜232。
接下来，如图9B所示，在透明电阻膜232上形成刻蚀糊剂238。 例如，利用诸如丝网印刷法的印刷工艺形成该刻蚀糊剂238。刻蚀糊 剂238形成于下述的电阻膜去除区域233上。
接下来，如图9C所示，在热处理之后去除刻蚀糊剂238。例如， 采用热处理去除形成有刻蚀剂238处的透明电阻膜232。然后，通过 清洗去除余下的刻蚀糊剂。其结果，在玻璃基板231上形成了在其中 形成有电阻膜去除区域233的透明电阻膜232 。
接下来，如图9D所示，在透明电阻膜232上，在形成有电阻膜去除区域233处形成Ag-C公共电极234。例如，利用丝网印刷法来 印刷含有Ag-C的糊剂的图案并随后对糊剂进行烘焙，从而形成公共 电极234。其结果，在每两个相邻的电阻膜去除区域233之间的透明 电阻膜232上形成电位施加部分241。
接下来，如图9E所示，形成具有第一通孔至第四通孔251-1、 251-2、 251-3以及251-4的第一绝缘膜235。例如，利用丝网印刷法 印刷绝缘糊剂的图案并随后对绝缘糊剂进行烘焙，从而形成第一绝缘 膜235。
接下来，如图9F所示，在第一绝缘膜235上形成第一至第四Ag 互连236画1、 236-2、 236-3以及236-4。例如，利用丝网印刷法印刷含 Ag的导电糊剂的图案并随后对导电糊剂进行烘焙，从而形成第一至 第四互连236-1至236-4。
接下来，如图9G所示，形成第二绝缘膜237。例如，利用丝网 印刷法印刷绝缘糊剂图案并随后对绝缘糊剂进行烘焙，从而形成第二 绝缘膜237。
据此，可以制成下部基板121。与第一实施方式的情形类似，根 据本实施方式制造的下部基板121也可用作第一实施方式的坐标检测 器的下部基板121。
(c)第三实施方式
对本发明的第三实施方式进行说明。本实施方式涉及制造坐标检 测器的方法，尤其是涉及制造上述的下部基板121的方法。以下参照 图IOA至10D对本实施方式进行说明。图10A至10D为下部基板121 的俯视图，表示了根据本实施方式的制造工艺。
首先，如图10A所示，利用诸如溅射或者真空蒸镀的工艺在形 成于玻璃基板(图中未示出)上的ITO等的透明电阻膜332上形成公 共电极334。例如，利用丝网印刷法印刷含Ag-C的糊剂的图案并随 对糊剂进行烘焙，从而形成公共电极334。
接下来，如图IOB所示，在透明电阻膜332上形成抗蚀剂图案 338。例如，利用诸如旋转涂布机等在透明绝缘膜332上涂敷光致抗
16蚀剂。然后，对光致抗蚀剂进行预烘焙，通过曝光装置曝光，并进行
显影。据此，形成抗蚀剂图案338。抗蚀剂图案338在透明电阻膜332 的要被去除以形成下述的电阻膜去除区域333的区域上具有开口。将 在公共电极334内部形成沿透明电阻膜332 (或者玻璃基板)的外围 边缘延伸设置的电阻膜去除区域333，使得公共电极334与各个电阻 膜去除区域333的相邻的侧边之间、即公共电极334的内侧边与各个 电阻膜去除区域333的面向公共电极334内侧边的侧边之间的距离S (图IOD)大于或者等于Omm并小于或者等于5mm( 0mm5S^5mm )。 接下来，如图10C所示，利用诸如盐酸或者磷酸溶液的酸溶液 进行化学刻蚀。该工艺亦称湿法刻蚀。通过该工艺，去除透明电阻膜 332在抗蚀剂图案338的开口下方的部分，从而形成透明电阻膜去除 区域333。在本实施方式中，透明电阻膜332也可以通过诸如RIE的 干法刻蚀以与湿法刻蚀相同的方式去除。
接下来，如图10D所示，利用有机溶液等去除抗蚀剂图案338。 其结果，在玻璃基板上形成了在其中形成有电阻膜去除区域333的透 明电阻膜332。
随后通过形成第一绝缘膜135、第一至第四互连136-1至136-4、 第二绝缘膜137等，可以以与第一实施方式中相同的方式制造下部基 板121。与第一实施方式的情形类似，根据本实施方式制造的下部基 板121也可用作第一实施方式的坐标检测器的下部基板121。在根据 本实施方式制造的下部基板121中，公共电极334并非形成于电阻膜 去除区域333上方。但是，通过在公共电极334内部形成电阻膜去除 区域333，电位可以如同在第一实施方式中同样地在透明电阻膜332 中均匀分布。公共电极334与电阻膜去除区域333的相邻侧边之间的 距离S大于或者等于Omm并且小于或者等于5mm( 0mm^SS5mm )， 从而产生这种效果。
(d)第四实施方式
对本发明的第四实施方式进行说明。本实施方式涉及制造坐标检 测器的方法，尤其是涉及制造上述下部基板121的方法。以下参照图11A至11C对本实施方式进行说明。图11A至11C为下部基板121 的俯视图，表示了其根据本实施方式的制造过程。
首先，如图11A所示，利用诸如溅射或者真空蒸镀的工艺在形 成于玻璃基板(图中未示出)之上的ITO等的透明电阻膜432上形成 抗蚀剂图案438。例如，利用诸如旋转涂布机等在透明绝缘膜432上 涂敷光致抗蚀剂。然后，对光致抗蚀剂进行预烘焙，通过膝光装置膝 光，并进行显影。据此，形成抗蚀剂图案438。抗蚀剂图案438在透 明电阻膜432的要被去除以形成下述电阻膜去除区域433的区域上具 有开口。将在公共电极434内部形成沿透明电阻膜432 (或者玻璃基 板)的外围边缘延伸设置的电阻膜去除区域333，使得公共电极434 与各个电阻膜去除区域433的相邻的侧边之间、即公共电极434的内 侧边与各个电阻膜去除区域433的面向公共电极434内侧边的侧边之 间的距离S (图11C)大于或者等于0mm并小于或者等于5mm (0mm^SS5mm)。
接下来，如图11B所示，利用诸如盐酸或者磷酸溶液的酸溶液 进行化学刻蚀。该工艺亦称湿法刻蚀。通过该工艺，去除在抗蚀剂图 案438的开口下方的透明电阻膜432，从而形成透明电阻膜去除区域 433。在本实施方式中，透明电阻膜432也可以通过诸如RIE的干法 刻蚀以与湿法刻蚀相同的方式去除。
接下来，如图11C所示，利用有机溶液等去除抗蚀剂图案438， 从而形成公共电极434。例如，利用丝网印刷法印刷含Ag-C的糊剂 的图案并随后对糊剂进行烘焙，从而形成公共电极434。其结果，在 玻璃基板上形成了在其中形成有电阻膜去除区域433的透明电阻膜 432。
随后通过形成第一绝缘膜135、第一至第四互连136-1至136-4、 第二绝缘膜137等，可以以与第一实施方式中相同的方式制造下部基 板121。与第一实施方式的情形类似，根据本实施方式制造的下部基 板121也可用作第一实施方式的坐标检测器的下部基板121。在根据 本实施方式制造的下部基板121中，公共电极434并非形成于电阻膜去除区域433上方。但是，通过在公共电极434内部形成电阻膜去除 区域433，电位可以如同在第一实施方式中同样地在透明电阻膜432 中均匀分布。公共电极434与电阻膜去除区域433的相邻侧边之间的 距离S大于或者等于0mm并且小于或者等于5mm( 0mmSS55mm )， 从而产生这种效果。
(e)第五实施方式
对本发明的第五实施方式进行说明。本实施方式涉及制造坐标检 测器的方法，尤其是涉及制造上述的下部基板121的方法。以下参照 图12A至12C对本实施方式进行i兌明。图12A至12C为下部基;l1121 的俯视图，表示了其根据本实施方式的制造过程。
首先，如图12A所示，利用诸如溅射或者真空蒸镀的工艺在形 成于玻璃基板(图中未示出)上的ITO等的透明电阻膜532上形成公 共电极534。例如，利用丝网印刷法印刷含Ag-C的糊剂的图案并随 后对糊剂进行烘焙，从而形成公共电极534。
接下来，如图12B所示，在透明电阻膜532上形成刻蚀糊剂538。 例如，利用诸如丝网印刷法的印刷工艺形成该刻蚀糊剂538。如下所 述，刻蚀糊剂538形成电阻膜去除区域533上。在沿透明电阻膜532 (或者玻璃基板)的外围边缘延伸设置的公共电极534内部形成刻蚀 糊剂538，使得公共电极534与各个电阻膜去除区域533的相邻侧边 之间、即/>共电极534的内侧边与各个电阻膜去除区域533的面向z^ 共电极534内侧边的侧边之间的距离S (图12C)大于或者等于Omm 并小于或者等于5mm (0mm^S￡5mm)。
接下来，如图12C所示，通过热处理去除形成有刻蚀糊剂538 处的透明电阻膜532。然后，通过清洗去除余下的刻蚀糊剂538。其 结果，在玻璃基板上形成在其上形成有电阻膜去除区域533的透明电 阻膜532。
随后通过形成第一绝缘膜135、第一至第四互连136-1至136-4、 第二绝缘膜137等，可以以与第一实施方式中相同的方式制造下部基 板121。与第一实施方式的情形类似，根据本实施方式制造的下部基板121也可用作第一实施方式的坐标检测器的下部基板121。在根据 本实施方式制造的下部基板121中，公共电极534并非形成于电阻膜 去除区域533上方。但是，通过在公共电极534内部形成电阻膜去除 区域533,电位可以如同在第一实施方式中同样地在透明电阻膜532 中均匀分布。公共电极534与电阻膜去除区域533的相邻侧边之间的 距离S大于或者等于0mm并且小于或者等于5mm( 0mmSS55mm )， 从而产生这种效果。
(f)第六实施方式
对本发明的第六实施方式进行说明。该实施方式涉及制造坐标检 测器的方法，尤其是涉及制造上述下部基板121的方法。以下参照图 13A至13C对该实施方式进行说明。图13A至13C为下部基板121 的俯视图，表示了其根据本实施方式的制造过程。
首先，如图13A所示，利用诸如溅射或者真空蒸镀的工艺在形 成于玻璃基板(图中未示出)之上的ITO等的透明电阻膜632上形成 刻蚀糊剂638。例如，利用诸如丝网印刷法的印制工艺形成该刻蚀糊 剂638。如下所述，刻蚀糊剂238形成于电阻膜去除区域633上。在 沿透明电阻膜632 (或者玻璃基板)的外围边缘延伸设置的公共电极 634内部形成刻蚀糊剂638，使得公共电极634和各个电阻膜去除区 域633的相邻的侧边之间、即>^共电极634的内侧边与各个电阻膜去 除区域633的面向zi^共电极634的内侧边的侧边之间的距离S (图 13C)大于或者等于Omm并小于或者等于5mm ( 0mm^S55mm )
接下来，如图13B所示，通过热处理去除形成有刻蚀糊剂638 处的透明电阻膜632。然后，通过清洗去除余下的刻蚀糊剂638。其 结果，在玻璃基板上形成了在其上形成有电阻膜去除区域633的透明 电阻膜632。
接下来，如图13C所示，在其中形成有电阻膜去除区域633的 透明电阻膜632上形成公共电极634。例如，利用丝网印刷法印刷包 含Ag-C的糊剂的图案并随后对糊剂进行烘焙，从而形成公共电极 634。
20随后通过形成第一绝缘膜135、第一至第四互连136-1至136-4、 第二绝缘膜137等，可以以与第一实施方式中相同的方式制造下部基 板121。与第一实施方式的情形类似，根据本实施方式制造的下部基 板121也可用作第一实施方式的坐标检测器的下部基板121。在根据 本实施方式制造的下部基板121中，公共电极634并非形成于电阻膜 去除区域633上方。但是，通过在公共电极634内部形成电阻膜去除 区域633，电位可以如同在第一实施方式中同样地在透明电阻膜632 中均匀分布。公共电极634与电阻膜去除区域633的相邻侧边之间的 距离S大于或者等于0mm并且小于或者等于5mm( 0mm^Sl5mm )， 从而产生这种效果。
根据本发明的一个实施方式，通过示例，提供了一种制造具有电 阻膜和用于对电阻膜施加电压的公共电极的坐标检测器的方法，其中 从公共电极对电阻膜施加电压以使电压在电阻膜中分布并通过检测 电阻膜的接触位置的电位来检测电阻膜接触位置的坐标。本方法包 括(a)在形成于由绝缘体构成的基板上的电阻膜上涂敷光致抗蚀 剂；(b)经过预定的掩模将所涂敷的光致抗蚀剂曝光并随后对光致 抗蚀剂进行显影从而在电阻膜上形成抗蚀剂图案；(c)通过去除电 阻膜的没有抗蚀剂图案的部分以形成电阻膜去除区域；(d)在工序 (c)之后去除抗蚀剂图案；以及(e)在工序(d)之后在电阻膜去 除区域上形成公共电极。
这样，根据本发明的一个实施方式，通过去除透明电阻膜的一部 分，可以以高成品率制造能够使透明电阻膜电位均匀分布的坐标检测 器。
本方面不限于具体公开的实施方式，在不偏离本发明范围的前提 下可以进行改动和^f奮正。
本申请基于2008年5月15日提出的在先日本专利申请第 2008-128139号，其全部内容通过引用包含于此。
权利要求
1、一种制造具有电阻膜和用于对所述电阻膜施加电压的公共电极的坐标检测器的方法，包括以下工序a、在形成于由绝缘体构成的基板上的所述电阻膜上涂敷光致抗蚀剂；b、经过预定的掩模将所涂敷的光致抗蚀剂曝光并随后将所涂敷的光致抗蚀剂显影，从而在所述电阻膜上形成抗蚀剂图案；c、通过去除没有所述抗蚀剂图案的所述电阻膜的一部分以形成电阻膜去除区域；d、在所述工序c后去除所述抗蚀剂图案；以及e、在所述工序d后在所述电阻膜去除区域上方形成公共电极。
2、 如权利要求l记载的方法，其中，所述工序c通过利用酸的湿法刻蚀和干法刻蚀之一来去除所述 电阻膜的所述一部分。
3、 如权利要求l记载的方法，其中，所迷电阻膜去除区域包括通过去除没有所述抗蚀剂图案的所述 电阻膜的所述一部分而形成在其外围的第一部分，和由残留在所述第 一部分内的所述电阻膜构成的第二部分，并且所述第一部分与所述第 二部分电绝缘。
4、 一种制造具有电阻膜和用于对所迷电阻膜施加电压的公共电 极的坐标检测器的方法，包括以下工序a、 在形成于由绝缘体构成的基板上的所述电阻膜上涂敷光致抗蚀剂；b、 经过预定的掩模将所涂敷的光致抗蚀剂曝光并随后将所涂敷 的光致抗蚀剂膝光从而在所述电阻膜上形成抗蚀剂图案；c、 通过去除没有所述抗蚀剂图案的所述电阻膜的一部分以形成 电阻膜去除区域，其中，在所述电阻膜的外围边缘与所述电阻膜去除区域之间形成所述公共电极，使得所述公共电极与所述电阻膜去除区域的相邻的边之间的距离大于或者等于Omm且小于或者等于5mm。
5、 如权利要求4记载的方法，其中，所述工序c通过利用酸的湿法刻蚀和干法刻蚀之一去除所述电 阻膜的所述一部分。
6、 如权利要求4记载的方法，其中，所述电阻膜去除区域包括通过去除没有所述抗蚀剂图案的所述 电阻膜的所述一部分而形成在其外围的第一部分，和由残留在所述第 一部分内的所述电阻膜构成的第二部分，所述笫一部分与所述第二部 分电绝缘。
7、 一种制造具有电阻膜和用于对所述电阻膜施加电压的公共电 极的坐标检测器的方法，包括以下工序a、 在形成于由绝缘体构成的基板上的所述电阻膜的一部分上印 刷刻蚀糊剂，所述一部分将被去除以形成电阻膜去除区域；b、 通过热处理去除具有所述刻蚀糊剂的所述电阻膜的所述一部分；c、 在所述热处理之后去除残留的所述刻蚀糊剂；以及d、 在所述电阻膜去除区域上形成所述公共电极。
8、 如权利要求7记载的方法，其中，所述电阻膜去除区域包括通过去除所述电阻膜的所述一部分而 形成在其外围的第一部分，和由残留在所述第一部分内的所述电阻膜 构成的第二部分，并且所述第一部分与所述第二部分电绝缘。
9、 一种制造具有电阻膜和用于对所述电阻膜施加电压的公共电 极的坐标检测器的方法，包括以下工序a、 在形成于由绝缘体构成的基板上的所述电阻膜的一部分上印 刷刻蚀糊剂，所述一部分将被去除以形成电阻膜去除区域；b、 通过热处理去除具有所述刻蚀糊剂的所述电阻膜的所述一部分；c、 在所述热处理之后去除残留的所述刻蚀糊剂，其中，在所述电阻膜的外围边缘与所述电阻膜去除区域之间形成 所述公共电极，使得所述公共电极与所述电阻膜去除区域的相邻的边之间的距离大于或者等于Omm且小于或者等于5mm。
10、如权利要求9记载的方法，其中，所述电阻膜去除区域包括通过去除所述电阻膜的所述一部分而 形成在其外围的第一部分，和由残留在所述第一部分内的所述电阻膜 构成的第二部分，并且所述第一部分与所述第二部分电绝缘。
全文摘要
本发明提供一种制造具有电阻膜和用于对电阻膜施加电压的公共电极的坐标检测器的方法，包括以下工序(a)在形成于由绝缘体构成的基板上的电阻膜上涂敷光致抗蚀剂；(b)经过预定的掩模将所涂敷的光致抗蚀剂曝光并随后将所涂敷的光致抗蚀剂显影，从而在电阻膜上形成抗蚀剂图案；(c)通过去除没有抗蚀剂图案的电阻膜的一部分以形成电阻膜去除区域；(d)在工序(c)后去除抗蚀剂图案；以及(e)在工序(d)后在电阻膜去除区域上方形成公共电极。
文档编号G06F3/041GK101582004SQ20091013906
公开日2009年11月18日 申请日期2009年5月15日 优先权日2008年5月15日
发明者近藤幸一 申请人:富士通电子零件有限公司