专利名称：自发光显示装置和电子设备的制作方法
技术领域：
本发明涉及包括自发光元件的自发光显示装置和包括该自发光显示装 置的电子设备。
背景技术：
近年来，人们积极地开发了将有机EL (电致发光)元件用作自发光元 件的自发光显示装置(有机EL显示装置)。有机EL元件是利用施加电场至 有机薄膜而发光的现象的元件。因为有才几EL元件能够在例如IOV或者更小 的施加电压下被驱动，所以其功耗较低。此外，因为有机EL元件为如上所 述的自发光元件，所以不需要照明构件(诸如液晶元件的照明构件)，因此 易于减轻重量并减少厚度。此外，因为有4几EL元件的响应速度非常高(约 几jas )，所以其具有在显示的视频中不产生残留图像的优点。
对于采用这样的有机EL元件的有机EL显示装置，具体地讲，人们积 极地开发了有源矩阵有机EL显示装置，其中在每个像素中集成形成作为驱 动元件等的薄膜晶体管(TFT)(例如，参考曰本未审查专利申请公开No. 2007-310311 )。
发明内容
在前述的日本未审查专利申请公开No.2007-310311等中，披露了形成在 每个像素中的像素电路。在某些情况下，R(红)、G(绿)和B(蓝)每种 颜色的各像素电路的驱动晶体管和累积电容元件的尺寸根据所需的每个显 示驱动电流的大小而不同。结果，在具体颜色的像素电路中，像素图案密度 变得很高，因此图案的缺陷率将因灰尘等而增加。在图案缺陷率增加的情况 下，制造产率P争低。
前述的缺点不仅存在于自发光元件为有机EL元件的情况，而且也存在 于无机EL元件或者LED (发光二极管)的情况。
考虑到前述的缺点，在本发明中，所希望的是提供能够改善产率的自发光显示装置和电子设备。
根据本发明的实施例，所提供的第一自发光显示装置包括像素层，其 中形成有多个像素，每个像素由每个都具有颜色自发光元件的多个颜色像素 构成；以及像素电路层，其中形成有多个像素电路，每个像素电路由分别驱 动颜色像素的多个颜色像素电路构成。在像素电路内，该颜色像素电路的尺 寸根据使像素中的颜色自发光元件以相同的发光亮度发光的电流的大小比 率而非均等地设定。
根据本发明的实施例，所提供的第一电子设备包括具有显示功能的前述 第一自发光显示装置。
在本发明实施例的第一自发光显示装置和第一电子设备中，在像素电路 内颜色像素电路的尺寸根据使像素中的颜色自发光元件以相同的发光亮度 发光的电流的大小比率而非均等地设定。因此，即使在每个颜色的像素中像 素电路中的元件尺寸根据驱动电流的大小而彼此不同，对应像素电路中的像 素图案密度也彼此均等。因此，避免了图案缺陷率因具体颜色的像素电路中 像素图案密度的增加而增加，并且减少了整个像素电路的图案缺陷率。
根据本发明的实施例，所提供的第二自发光显示装置包括像素层，其 中形成有多个像素，每个像素由每个都具有颜色自发光元件的多个颜色像素 构成；以及像素电路层，其中形成有多个像素电路，每个像素电路由分别驱 动颜色像素的多个颜色像素电路构成。颜色像素电路的每个包括具有有源层 和栅极电极的驱动晶体管。在像素电路内，颜色像素电路的尺寸根据每个都 定义为驱动晶体管中的有源层和栅极电极彼此重叠的区域的重叠区域之间 的面积比而非均等地设定。
根据本发明的实施例，所提供的第二电子设备包括具有显示功能的前述 第二自发光显示装置。
在本发明实施例的第二自发光显示装置和第二电子设备中，在像素电路 内颜色像素电路的尺寸根据每个都定义为驱动晶体管中的有源层和栅极电 极彼此重叠的区域的重叠区域之间的面积比而非均等地设定。因此，即使在 每个颜色的像素中驱动晶体管的元件尺寸根据重叠区域之间的面积而彼此 不同，对应像素电路中的像素图案密度也彼此均等。因此，避免了图案缺陷 率因具体颜色的像素电路中像素图案密度的增加而增加，并且减少了整个像 素电路的图案缺陷率。根据本发明的实施例，所提供的第三自发光显示装置包括像素层，其
中形成有多个像素，每个像素由每个都具有颜色自发光元件的多个颜色像素
构成；以及像素电路层，其中形成有多个像素电路，每个像素电路由分別驱 动颜色像素的多个颜色像素电路构成。颜色像素电路的每个包括电容元件。 此外，在像素电路内颜色像素电路的尺寸根据颜色像素电路中的电容元件之 间的面积比而非均等地设定。
根据本发明的实施例，所提供的第三电子设备包括具有显示功能的前述 第三自发光显示装置。
在本发明实施例的第三自发光显示装置和第三电子设备中，在像素电路 内颜色像素电路的尺寸根据颜色像素电路中的电容元件之间的面积比非均 等地设定。因此，即使在每个颜色的像素中累积电容元件的元件尺寸根据累 积电容元件的面积而彼此不同，对应像素电路中的4象素图案密度也彼此均 等。因此，避免了图案缺陷率因具体颜色的像素电路中像素图案密度的增加 而增加，并且减少了整个像素电路的图案缺陷率。
根据本发明实施例的第一自发光显示装置或者第一电子设备，在像素电 路内颜色像素电路的尺寸根据使像素中的颜色自发光元件以相同的发光亮 度发光的电流大小的比而非均等地设定。因此，对应于每个颜色的像素电路 的像素图案密度变为彼此均等，并且能减少整个像素电路的图案缺陷率。从 而，能改善产率。
根据本发明实施例的第二自发光显示装置或者第二电子设备，在像素电 路内颜色像素电路的尺寸根据每个都定义为驱动晶体管中的有源层和栅极 电极彼此重叠的区域的重叠区域之间的面积比而非均等地设定。因此，对应 于每个颜色的像素电路的像素图案密度变为彼此均等，并且能减少整个像素 电路的图案缺陷率。从而，能改善产率。
根据本发明实施例的第三自发光显示装置或者第三电子设备，在像素电 路内颜色像素电路的尺寸根据颜色像素电路中的电容元件之间的面积比而 非均等地设定。因此，对应于每个颜色的像素电路的像素图案密度变为彼此 均等，并且能减少整个像素电路的图案缺陷率。从而，能改善产率。
通过下面的描述，本发明的其它和进一步的目标、特征和优点将更加明 显易懂。
图1是图解根据本发明第一实施例的自发光显示装置的整体结构的框
图2是图解图1所示的每个像素中的像素电路的结构示例的电路图； 图3是图解图2所示的像素电路结构的平面图； 图4是图解根据第一实施例的各颜色像素的像素电路层的结构示例的平 面图5是图解根据第一实施例的各颜色像素的自发光元件的结构示例的平 面图6是图解图4和图5所示的像素电路层和自发光元件的截面结构示例 的截面图7是图解图2所示的像素电路中的显示驱动运行示例的时间波形流程
图8是图解根据比较示例的各颜色像素的像素电路层的现有结构的平面
图9是图解根据比较示例的各颜色像素的自发光元件的现有结构的平面
图io是图解根据第二实施例的各颜色像素的自发光元件的结构示例的 平面图11是用于解释可以在第一实施例的像素电路层和自发光元件中产生
的寄生电容成分的平面图12A和12B是用于解释图11所示的寄生电容成分的示意性截面图13是用于解释图11所示的寄生电容成分的电路图14是用于解释由图ll所示的寄生电容成分引起的串扰现象的时间波
形流程图15是图解根据第三实施例的各颜色像素的自发光元件的结构示例的 平面图16是图解根据第四实施例的各颜色像素的像素电路层的结构示例的 平面图17是图解根据第四实施例的各颜色像素的^像素电路层的另一个结构 示例的平面图；图18是图解本发明的自发光显示装置的第 一应用示例的外观的透视图； 图19A是图解第二应用示例从前側看的外观的透视图，而图19B是图 解第二应用示例从后侧看的外观的透视图20是图解第三应用示例的外观的透视图； 图21是图解第四应用示例的外观的透视图22A是第五应用示例打开状态的主视图，图22B是其侧视图，图22C 是第五应用示例闭合状态的主视图，图22D是其左i见图，图22E是其右视 图，图22F是其俯视图，而图22G是其仰视图23是图解根据本发明修改示例的像素电路结构的电路图24是图解图23所示的电路图结构的平面图；和
图25是图解对应于图23所示的像素电路的自发光元件结构的平面图。
具体实施例方式
下面，将参考附图详细地描述本发明的实施例。 第一实施例
图1图解了根据本发明第一实施例的自发光显示装置(有机EL显示装 置1)的总体结构。有机EL显示装置1包括具有以矩阵状态二维布置的像 素20的像素阵列部分2，以及布置在像素阵列部分2的周边上的电源扫描电 路31、写入扫描电路32和水平驱动电路33。在像素阵列部分2的mxn的 像素布置中，电源供应线VL-1至VL-m和扫描线WL-1至WL-m连接到每 个像素行的像素，信号线DL-1至DL-n连接到每个像素列的像素。
像素阵列部分2形成在例如由玻璃板等制作的透明绝缘基板(未示出) 上，并且具有平板型的面板结构。在像素阵列部分2中的每个像素20中， 如稍后所述，形成采用非晶硅TFT (薄膜晶体管)或者低温多晶硅TFT的 像素电路。在像素电路中，如稍后所述，包括作为自发光元件的有机EL元 件和由金属层、半导体层和绝缘层等组成的像素电路层。在像素电路中采用 低温多晶硅TFT的情况下，电源扫描电路31、写入扫描电路32和水平驱动 电路33也可以安装在形成有像素阵列部分2的面板(基板)上。
写入扫描电路32是通过给扫描线WL-1至WL-m逐行(line-sequentially ) 提供扫描信号而逐行扫描行单元中的像素20的电路。
电源扫描电路31是与写入扫描电路32的逐行扫描同步地给电源供应线VL-1至VL-m提供电源电压的电路。
水平驱动电路33是给信号线DL-1至DL-n提供适当的基于根据亮度信 息的图片信号的显示驱动电压(具体地讲，信号电位(后面将要描述的信号 电位Vsig))和参考电位(后面将要描述的参考电位Vo)的电路。
图2是图解形成在每个像素20中的像素电路的结构示例的电路图。像 素电路包括写入晶体管21、驱动晶体管22、累积电容元件23和有机EL元 件24。电源供应线VL、扫描线WL和信号线DL连接到像素电路。写入晶 体管21和驱动晶体管22分别由N沟道型TFT构造。写入晶体管21和驱动 晶体管22的导电类型的组合不限于此，而是可以采用其它的组合。
在写入晶体管21中，栅极连接到扫描线WL,源极连接到信号线DL, 并且漏极连接到驱动晶体管22的栅极和累积电容元件23的一端。写入晶体 管21根据从写入扫描电路32经由扫描线WL施加给^I极的扫描信号而变成 导通状态，并且由此对从水平驱动电路33经由信号线DL提供的图片信号 的信号电位Vsig进行才采样，并且将信号电位写入像素20。写入的信号电 位Vsig (显示驱动电流)保持在累积电容元件23中。
在驱动晶体管22中，源极连接到累积电容元件23的另一端和有机EL 元件24的阳极(阳极电极)，并且漏极连接到电源供应线VL。在电源供应 线VL的电位处于"H(高电位)"的情况下，驱动晶体管22经由电源供应 线VL提供有电流。因此，驱动晶体管22根据保持在累积电容元件23中的 信号电位Vsig给有机EL元件24提供显示驱动电流，并且电流驱动有机EL 元件24。
如上所述，累积电容元件23累积显示驱动电流。
在有机EL元件24中，阴极(阴极电极)连接到公共连接到所有像素 20的公共电源供应线25。
下面，将参考图3至图6详细描述图2所示像素电路的平面结构示例和 截面结构示例。
图3图解了一个像素20中的像素电路(像素电路层)的平面结构示例。 该像素电路具有层叠结构，其中第一金属层M1、多晶硅层P1和第二金属层 M2分别以绝缘层(未示出)(例如，由氧化硅(Si02 )等组成)在其间而从 基板侧(未示出)依次层叠。第一金属层Ml和第二金属层M2例如分别由 铝(Al)或铜(Cu)等组成。第一金属层M1和第二金属层M2与其间的连接接触部分CT 12电连接。第二金属层M2和多晶石圭层Pl与其间的接接触 部分CT2P电连接。
具体地讲，信号线DL由第一金属层Ml和第二金属层M2构造。电源 供应线VL和扫描线WL分别由第二金属层M2构造。
写入晶体管21和驱动晶体管22分别由第 一金属层M1 、第二金属层M2 、 多晶硅层Pl和绝缘层(未示出)构造。累积电容元件23由第一金属层Ml、 多晶硅层Pl和绝缘层(未示出)构造。
有机EL元件24经由构造为节点Na的连接接触部分CT 23连接到图3 所示的像素电路层。
图4图解了各颜色像素20 Rl、 20G1和20B1的像素电路(像素电路层) 的平面结构示例。在该图中，红像素20R1、绿像素20G1和蓝像素20B1沿 着电源供应线VL和扫描线WL依次设置。就是说，像素20由R(红)、G (绿)和B (蓝)的像素20R1 、 20G1和20B1构造。分别为R、 G和B的 每个像素20R1、 20G1和20B1连接基于图片信号提供显示驱动电压的信号 线(信号线DLr、 DLg和DLb)。
在红像素20R1中，如图4所示，形成写入晶体管21Rl、驱动晶体管 22R1和累积电容元件23R1等。电源供应线VL、扫描线WL和信号线DLr 连接到红像素20R1。同样，在绿像素20G1中，形成写入晶体管21G1、驱 动晶体管22G1和累积电容元件23G1等。电源供应线VL、扫描线WL和信 号线DLg连接到绿像素20Gl。此外，在蓝像素20B1中，形成写入晶体管 21Bl、驱动晶体管22B1和累积电容元件23B1等。电源供应线VL、扫描线 WL和信号线DLb连接到蓝像素20Bl。
在该实施例的像素电路层中，对应于R、 G和B的像素20R1、 20Gl和 20B1的颜色像素电路的尺寸26R、 26G和26B根据每个有机EL元件24获 得相同发光亮度所需的显示驱动电流的大小比率而分别非均等地设定在像 素电路内。具体地讲，颜色像素电路的尺寸26R、 26G和26B根据像素电路 中驱动晶体管22R1、 22G1和22B1中的有源层(多晶硅层Pl )和栅极电极 (第二金属层M2)的相对区域(重叠区域)在颜色《象素电路间的面积比而 在像素电路内分别非均等地设定。此外，在像素电路内，颜色像素电路的尺 寸26R、 26G和26B^4居累积电容元件23R1、 23G1和23B1在颜色像素电 路间的面积比而非均等地设定。然而，红像素20R、绿像素20G和蓝像素20B的总像素尺寸(总像素尺寸26RGB:例如约为100 jam)设定为与常规 的总像素尺寸相同。
颜色像素电路的尺寸26R、 26G和26B由下面的^^式1表示 (与G的像素20G1对应的像素尺寸26G) < (与R的像素20R1对应 的像素尺寸26R) < (与B的像素20B1对应的像素尺寸26B ) ... 1
在该实施例的像素层中，如图5所示的平面结构示例，在像素内R、 G 和B的像素20R1、20G1和20B1的各尺寸27R1、27G1和27B1均等地设定， 在像素内R、 G和B的像素20R1、 20G1和20B1的形成位置均等地设定。 具体地讲，在像素内阳极电极281R1、 281G1和281B1以及发光层29Rl、 29G1和29B1的布置间距分别均等地设定，并且在^f象素内阳极电极281R1、 281G1和281B1以及发光层29R1、 29G1和29B1的形成位置分别均等地设 定。更具体地讲，在像素内阳极电极281R1、 281G1和281B1的布置间距分 别均等地设定，在像素内阳极电极281R1、 281G1和281B1的形成位置以及 进一步地发光层29R1、 29G1和29B1的布置间3巨分别均等地设定，并且在 像素内发光层29R1、 29G1和29B1的形成位置分别均等地设定。阳极电极 281R1、 281G1和281B1例如由ITO (氧化铟锡合成物)层叠在银(Ag)或 Ag合金上的电极构造。
如图6 (沿着图5中的II-II线剖取的截面结构示例)的截面构造示例所 示，有机EL元件24具有层叠结构并且形成在像素电路层41上，其中层叠 结构包括阳极电极281R1等、发光层29R1等、每个^象素共用的阴极电极282、 电连接到阴极电极282的辅助电极部分280-1、和绝^彖层42。阴极电极282 由诸如铝(Al)、镁(Mg)、 4丐(Ca)和钠(Na)的金属元素的单一物质或 者合金构造。
接下来，将详细描述该实施例的有机EL显示装置1的运行和效果。 首先，将参考图7及图2描述有机EL显示装置1的基本运行(显示驱 动每个像素20的像素电路的运行)。图7是图解图2所示像素电路中的显示 驱动运行示例的时间波形流程图。在图7中，(A)图解扫描线电位V(WL)、 (B)图解电源供应线电位V(VL)、 (C)图解信号线电位V(DL)、 (D)图 解驱动晶体管22的4册;fel电位Vg和(E)图解驱动晶体管22的源极电位Vs。 发光时间段段TO
首先，在时间tl前的发光时间段段TO中，有才几EL元件24处于发光状态(发光时间段段)。在发光时间段TO,电源供应线VL的电位V (VL)处 于高电位("H，，状态)，显示驱动电流(漏极到源极的电流)从电源供应线 VL经由驱动晶体管22提供给有机EL元件24。因此，有机EL元件24以与 显示驱动电流对应的亮度发光。 阈值矫正预备时间段T1
接下来，在时间tl，状态变为逐行扫描的新区^:。此时，电源供应线 VL的电位V (VL)从高电位移动到充分4氐于信号线DL ("L (低)"状态) 的参考电位Vo的电位，驱动晶体管22的源极电位Vs变为几乎等于该低电 4立的电4立。
接下来，在时间t2，扫描信号从写入扫描电路32输出，扫描线DL的 电位移动到高电位侧。因此，写入晶体管21变为导通状态。此时，因为从 水平驱动电路33给信号线DL提供参考电位Vo，所以驱动晶体管22的栅极 电位Vg变为参考电位Vo。此时，驱动晶体管22的源极电位Vs是充分低于 参考电位Vo的电位。
低电位设定为使得驱动晶体管22的栅极到源极的电压Vgs大于驱动晶 体管22的阈值电压Vth。如上所述，执行各初始化使得驱动晶体管22的栅 极电位Vg变为参考电位Vo,源极电位Vs变为低电位，由此完成了阈值电 压矫正运行的准备。
阈值矫正时间段T2
接下来，在时间t3，电源供应线VL的电位V (VL)从低电位移动到高 电位。驱动晶体管22的源极电位Vs开始增加。在适当的时间，驱动晶体管 22的栅极到源极的电压Vgs变为驱动晶体管22的阈^直电压Vth。对应于阈 值电压Vth的电压被写入累积电容元件23。
为了方^f更起见，与阈值电压Vth对应的电压写入累积电容元件23的时 间段称为阈值矫正时间段T2。在阈值矫正时间段T2中，为了使得电流仅流 到累积电容元件23侧，并且防止电流流到有机EL元件24侧，公共电源供
采样时间段/迁移率矫正时间段T3
接下来，在时间t4，停止来自写入扫描电路32的扫描信号的输出，并 且扫描线WL的电位V (WL)移动到低电位侧。因此，写入晶体管21变为 非导通状态。此时，驱动晶体管22的栅才及变为浮置状态。然而，因为栅极到源极的电压Vgs与驱动晶体管22的阈值电压Vth是相等的，所以驱动晶 体管22处于截止状态。因此，漏极到源极的电流不流动。
接下来，在时间t5，信号线DL的电位V (DL)从参考电位Vo移动到 图片信号的信号电位Vsig。在时间t6,扫描信号再一次从写入扫描电路32 输出，并且扫描线WL的电位V (WL)移动到高电位側。因此，写入晶体 管21变为导通状态，并且对图片信号的信号电位Vsig进行采样。
由于通过写入晶体管21对信号电位Vsig进行采样，驱动晶体管22的 栅极电位Vg变为信号电位Vsig。此时，有机EL元件24首先处于截止状态 (高阻抗状态)。因此，驱动晶体管22的漏极到源;〖及的电流流入到与有机 .EL元件24并联连接的寄生电容元件(未示出)，并且开始充电寄生电容元 件。
由于充电寄生电容元件，驱动晶体管22的源极电位Vs开始增加。在适 当的时间，驱动晶体管22的栅极到源极的电压Vgs变为(Vsig+Vth-AV )。 就是说，源极电位Vs的增加部分AV可以从累积电容元件23中保持的电压 (Vsig+Vth)推出，即源极电位Vs的增加部分AV ^f吏得累积电容元件23释 放电荷，导致负反馈的状态。因此，源极电位Vs的增加部分AV变为负反馈 的反馈量。
如上所述，流过驱动晶体管22的漏极到源极的电流负反馈给驱动晶体 管22的栅极输入，也就是负反馈给栅极到源极的电压Vgs,由此完成了迁 移率矫正，其中消除了对驱动晶体管22的漏极到源^l的电流的迁移率p的 依赖性，也就是完成了矫正每个像素的迁移率p变化的迁移率矫正。
更具体地讲，随着图片信号的信号电位Vsig的增加，漏极到源极的电 流增加，并且负反馈(矫正量)AV的反馈量的绝对值也增加。因此，能够 实现根据发光亮度水平的迁移率矫正。此外，在图片信号的信号电位Vsig 不变的情况下，随着驱动晶体管22的迁移率p的增加，负反馈AV的反馈量 的绝对值也增加，并且因此消除了每个像素的迁移率p的变化。
发光时间段T4 (TO)
接下来，在时间t7,停止来自写入扫描电路32的扫描信号的输出，并 且扫描线WL的电位V (WL)移动到低电位侧。因此，写入晶体管21变为 非导通状态。因此，驱动晶体管22的栅极与信号线DL分离。同时，漏极 到源极的电流开始流入有机EL元件24，由此有机EL元件24的阳极电位根据漏极到源极的电流而增加。
有机EL元件24的阳极电位的这种增加正好增加了驱动晶体管22的源 极电位Vs。因此，在驱动晶体管22的源极电位Vs增加的情况下，由于累 积电容元件23的自举运行(boot strap operation),驱动晶体管22的栅极电 位Vg相应地增加。此时，栅极电位Vg的增加量与源4及电位Vs的增加量相 等。因此，在发光时间段T4中，驱动晶体管22的栅极到源极的电压Vgs 恒定地保持为(Vin+Vth-AV)。
在像素阵列部分2中逐行完成上述的显示驱动每个像素20中的像素电 路，由此在图1所示的整个有机EL显示装置1上完成基于图片信号的图像 显示。
接下来，将参考图8和图9以及图4和图5并与比较示例进行对比来详 细描述本发明特征部分的运行和效果。图8和图9图解了根据比较示例的现 有有机EL显示装置中各颜色像素100R、100G和100B的像素电路层和有机 EL元件的平面结构示例。在红像素100R中，形成写入晶体管101R、驱动 晶体管102R和累积电容元件103R等。电源供应线VL、扫描线WL和信号 线DLr连接到红像素100R。同样，在绿像素100G中，形成写入晶体管101G、 驱动晶体管102G和累积电容元件103G等。电源供应线VL、扫描线WL和 信号线DLg连接到绿像素100G。此外，在蓝像素100B中，形成写入晶体 管101B、驱动晶体管102B和累积电容元件103B等。电源供应线VL、扫 描线WL和信号线DLb连接到蓝像素100B。
如图8所示，在根据比较示例的有机EL显示装置中，分别对应于R、 G和B的像素100R、 100G和100B的颜色像素电路的尺寸106R、 106G和 106B在像素电路内分别均等地设定。此外，驱动晶体管102R、 102G和102B 的尺寸以及累积电容元件103R、 103G和103B的尺寸根据各有机EL元件 24获得相同发光亮度所需的显示驱动电流的大小而彼此不同。
因此，在具体颜色(在此情况下，具体地讲，蓝色像素100B)的像素 电路中，增加了像素图案密度，并且因此增加了由灰尘等引起的图案缺陷率。 因此，由于图案缺陷率的增加，产率降低。
R、 G和B的像素IOOR、 100G和100B的像素构造例如具有图9所示 的平面结构。就是说，以与该实施例的图5相同的方式，在像素内R、 G和 B的像素IOOR、 100G和100B的各尺寸27R1、 27G1和27B1分别均等地设定，并且在像素内R、 G和B的像素100R、 100G和100B的形成位置分别 均等地设定。
同时，在该实施例的有机EL显示装置1中，如图4所示，分别对应于 R、 G和B的像素20R1、 20G1和20B1的颜色像素电路的尺寸26R、 26G和 26B根据每个有机EL元件24获得相同发光亮度所需的显示驱动电流的大小 比率而在像素电路内分别非均等地设定。具体地讲，颜色像素电路的尺寸 26R、 26G和26B根据像素电路中的驱动晶体管22R1、 22G1和22B1的有 源层(多晶硅层Pl )和栅极电极(第二金属层M2 )的相对区域(重叠区域) 在颜色像素电路间的面积比而在像素电路内分别非均等地设定。此外，颜色 像素电路的尺寸26R、 26G和26B根据累积电容元件23R1、 23G1和23B1 在颜色像素电路之间的面积比而在像素电路内分别非均等地设定。
因此，即使像素电路中的元件尺寸(具体地讲，驱动晶体管22R1、 22G1 和22B1的尺寸和累积电容元件23R1、 23G1和23B1的尺寸)根据显示驱动 电流的大小、前述相对区域的面积和累积电容元件23Rl、 23G1和23B1的 面积等而彼此不同，分别对应于R、 G和B的像素20R1、 20G1和20B1的 颜色像素电路的图案密度也变为彼此均等。因此，避免了因像素电路中的像 素图案密度的增加而导致的图案缺陷率增加，并且减少了整个像素电路的图 案缺陷率。
如上所述，在该实施例中，分别对应于R、 G和B的像素20R1、 20G1 和20B1的颜色像素电路的尺寸26R、 26G和26B根据每个有机EL元件24 获得相同发光亮度所需的显示驱动电流的大小的比率而在像素电路内分别 非均等地设定。因此，分别对应于R、 G和B的像素20R1、 20G1和20B1 的颜色像素电路的图案密度变为彼此均等，并且减少了整个像素电路的图案 缺陷率。因此，能够改善产率。
具体地讲，颜色像素电路的尺寸26R、 26G和26B根据像素电路中的驱 动晶体管22R1、 22G1和22B1的有源层(多晶硅层Pl )和栅极电极(第二 金属层M2)相对区域(重叠区域)在颜色像素电路间的面积比而在像素电 路内分别非均等地设定。因此，能够获得前述效果。
此外，颜色像素电路的尺寸26R、 26G和26B根据累积电容元件23R1、 23G1和23B1在颜色像素电路间的面积比而在像素电路内分别非均等地设 定。因此，能够获得前述的效果。
1此外，在像素内R、 G和B的像素20R1 、 20G1和20B1的各尺寸27R1 、 27G1和27B1分别均等地设定，并且在像素内R、 G和B的像素20R1、 20G1 和20B1的形成位置均等地设定。因此，可以直接采用阳极电极281R1、281G1 和281B1和发光层29R1、 29G1和29B1的现有图案而不需要任何修改。就 是说，尽管保持了现有图案的面板等的亮度特性，但是能够减少整个像素电 路的图案缺陷率。
下面，将描述本发明的几个其它实施例。对于与前述第一实施例中相同 的元件，采用与其相同的附图标记，并且适当省略描述。 第二实施例
图10图解了在根据本发明第二实施例的自发光显示装置(有机EL显示 装置)中各颜色像素20R2、 20G2和20B2的像素电路层和有机EL元件的平 面结构示例。
在该实施例的像素电路层中，以与第一实施例相同的方式，根据每个有 机EL元件24获得相同发光亮度所需的显示驱动电流的大小在颜色像素电路 间的比率、像素电路中的驱动晶体管22R1、 22G1和22B1的多晶硅层Pl 和第二金属层M2间的相对区域在颜色像素电路之间的面积比或者累积电容 元件23R1、 23G1和23B1在颜色像素电路之间的面积比，分别对应于R、 G 和B的像素20R2、 20G2和20B2的颜色像素电路的尺寸26R、 26G和26B 在像素电路内分别非均等地设定。
此外，在该实施例的有机EL元件中，与第一实施例不同，在像素内R、 G和B的像素20R2、 20G2和20B2的各尺寸27R2、 27G2和27B2根据颜色 像素电路的尺寸26R、 26G和26B的比而非均等地设定。具体地讲，在颜色 像素电路之间，阳极电极281R2、 281G2和281B2的布置间距27R2、 27G2 和27B2根据颜色像素电路的尺寸26R、 26G和26B而分别非均等地设定， 并且在颜色像素电路之间，发光层29R2、 29G2和29B2的布置间距27R2、 27G2和27B2根据颜色像素电路的尺寸26R、 26G和26B而分别非均等地设 定。
颜色像素电路的尺寸26R、26G和26B以及颜色像素的尺寸27R2、27G2 和27B2由下面的公式2和公式3表示
G颜色像素的尺寸27G2 < R颜色像素的尺寸27R2 < B颜色像素的尺寸 27B2 ... 2G颜色像素电路的尺寸26G < R颜色像素电路的尺寸26R < B颜色像素 电路的尺寸26B …3
接下来，与前述第一实施例的有机EL显示装置1进行比较，参考图11 至图14以及图IO描述该实施例的有机EL显示装置的运行和效果。
在前述第一实施例的像素电路层和有机EL元件24中，例如，如图11 所示，在像素内R、 G和B的颜色像素20R1、 20G1和20B1的尺寸27Rl、 27G1和27B1均等地设定，并且在像素内R、 G和B的颜色像素20R1、 20G1 和20B1的形成位置均等地设定。因此，例如，如图所示，在某些情况下， 一个颜色像素的阳极电极(在此情况下，绿像素20G1的阳极电极281R1 ) 和连接到与其相邻的颜色像素的信号线(在此情况下，连接到蓝像素20B1 的信号线DLb)沿着层叠方向彼此相对(重叠)。在此情况下，在其间产生 了寄生电容成分Cp。
就是说，在现有像素IOOR、 100G和100B中，例如，如图12A的示意 性截面图所示，颜色像素电路的尺寸(间距)106R、 106G和106B对应于 颜色像素的尺寸(间距)27Rl、 27G1和27B1。因此，仅存在固有的电容成 分CrlOl、 CglOl和CMOl。同时，在前述第一实施例的像素20R1、 20G1 和20B1中，例如，如图12B的示意性截面图所示，颜色像素电路的尺寸(间 距)26R、 26G和26B不对应于颜色像素的尺寸(间距)27Rl 、 27G1和27B1。 因此，寄生电容成分Cp产生在与相邻像素重叠的区域中。例如，图13示出 了图解这样的寄生电容成分Cp的电路图。
在产生这样寄生电容成分Cp的情况下，例如，如图14的时间波形流程 图(时间tll至tl8)所示，在对应于发光像素(在此情况下，绿像素20G1) 的信号线(在此情况下，信号线DLg)中，受寄生电容成分Cp引起的耦合 的影响，会产生图像质量异常(串扰现象)。具体地讲，根据对应于蓝像素 20B1的信号线DLb的电位V (DLb)的振幅，在绿驱动晶体管22的源极中 产生经由寄生电容成分Cp而来自蓝信号电位Vsig的耦合(diving:跃入)。
绿驱动晶体管22中的源极电位Vs和栅极电位Vg。在驱动晶体管22的栅极 电位Vg增加的状态下写入信号的情况下，例如，如在时间tl8和其后的发 光时间段T4中，与不串扰的情况相比栅极到源极的电压Vgs减小，并且产 生图像质量异常(串扰现象)。因此，在该实施例中，如图IO所示，颜色像素20R2、 20G2和20B2的 尺寸27R2、 27G2和27B2根据颜色像素电路的尺寸26R、 26G和26B的比 而非均等地设定。具体地讲，根据颜色像素电路的尺寸26R、 26G和26B的 比，阳极电极281R2、 281G2和281B2的布置间距27R2、 27G2和27B2分 别非均等地设定，并且发光层29R2、 29G2和29B2的布置间距27R2、 27G2 和27B2分别非均等设定。由此，将不产生一个像素的阳极电极和连接到与 其相邻像素的信号线之间的重叠区域，因此避免了寄生电容成分Cp的产生。
如上所述，在该实施例中，因为颜色像素20R2、 20G2和20B2的尺寸 27R2、 27G2和27B2根据颜色像素电路的尺寸26R、 26G和26B的比而非 均等地设定，所以除了前述第一实施例中的效果外，还可以避免产生寄生电 容成分Cp，并且可以消除图像质量异常(串扰现象)。从而，可以减少整个 像素电路的图案缺陷率而不影响图像质量。
第三实施例
图15图解了在根据本发明第三实施例的自发光显示装置(有机EL显示 装置)中颜色像素20R3、 20G3和20B3以及分别与其对应的颜色像素电路 的平面结构示例。
在该实施例的像素电路层中，以与前述的第一实施例相同的方式，根据 每个有机EL元件24获得相同发光亮度所需的显示驱动电流的大小的比、像 素电路中的驱动晶体管22R1、 22G1和22B1的多晶硅层Pl和第二金属层 M2间的相对区域在颜色像素电路之间的面积比或者累积电容元件23Rl、 23G1和23B1在颜色像素电路之间的面积比，分别对应于R、 G和B的像素 20R3、 20G3和20B3的颜色像素电路的尺寸26R、 26G和26B在像素电路 内分别非均等地设定。
此外，在该实施例中，以与前述第一实施例相同的方式，在像素内颜色 像素20R3、 20G3和20B3的尺寸均等地设定。
然而，在该实施例的有机EL元件中，与前述第一实施例和前述第二实 施例不同，在像素内颜色像素20R3、 20G3和20B3的形成位置根据颜色像 素电路的尺寸26R、 26G和26B的比而非均等地设定。具体地讲，阳极电极 281R1、 281G1和281B1和发光层29R1、 29G1和29B1的形成位置设定为， 使得一个像素的阳极电极和与连接到其相邻像素的信号线沿着层叠方向彼 此不相对(不产生重叠区域)，并且电连接到阴极电极282的辅助配线部分280-3形成在阳极电极281R1、281G1和281B1与发光层29R1、29G1和29B1 的形成区域的间隙(niche)中。
因此，与前述的第一实施例不同，将不产生一个像素的阳极电极和连接 到与其相邻像素的信号线之间的重叠区域。因此，避免了寄生电容成分Cp产生。
此外，与前述的第二实施例不同，因为在像素内颜色像素20R3、 20G3 和20B3的尺寸(具体地讲，发光层29R1 、 29G1和29B1等的尺寸)均等地 设定。因此，避免了对应于每个颜色的视角特性差别和电流密度差别的寿命 时间差别。此外，避免了R、 G和B的白色平衡异常和垂直线尺寸的差别。
从而，在该实施例中，因为在像素内颜色像素20R3、 20G3和20B3的 尺寸(具体地讲，发光层29R1、 29G1和29B1等的尺寸)均等地设定，所 以除了前述第二实施例中的效果外，还可以减少整个像素电路的图案缺陷率 而不影响图像质量，且不因每个颜色的视角特性差别和电流密度差别而改变 寿命特性。
第四实施例
图16图解了在根据本发明第四实施例的自发光显示装置(有机EL显示 装置)中颜色像素20R4、 20G4和20B4以及分别与其对应的颜色像素电路 的平面结构示例。图17图解了在根据该实施例的另一个自发光显示装置(有 机EL显示装置)中颜色像素20R5、 20G5和20B5以及分别与其对应的颜色 像素电路的平面结构示例。
在图16所示的结构示例中，在为R、 G和B的每个像素均等地布置颜 色像素电路的情况下(在假定像素尺寸106R、 106G和106B均等设定的情 况下)，各像素20R4、 20G4和20B4的驱动晶体管22R2、 22G2和22B2分 别布置在它们自己的颜色像素区域中。就是说，每个驱动晶体管22R2、 22G2 和22B2设置在定义为颜色像素电路区域的均等划分的区域内，其中该均等 划分的区域在像素电路被均等地分成颜色像素电路时产生，该均等划分的区 域对应于每个驱动晶体管实际所属的颜色像素电路。
此外，在图17所示的结构示例中，在为R、 G和B的每个像素均等地 布置颜色像素电路的情况下(在假设像素尺寸106R、 106G和106B均等设 定的情况下)，各像素20R5、 20G5和20B5的累积电容元件23R2、 23G2和 23B2分别布置在它们自己的颜色像素区域中。就是说，每个累积电容元件23R2、 23G2和23B2设置在定义为颜色像素电路区域的均等划分的区域内， 其中该均等划分的区域在像素电路均等地分成颜色像素电路时产生，该均等 划分的区域对应于每个累积电容元件实际所属的颜色像素电路。
由于前述结构，与前述第一实施例不同，没有产生一个像素的阳极电极 和连接到与其相邻像素的信号线之间的重叠区域。从而，避免了寄生电容成 分Cp的产生。
如上所述，在该实施例中，驱动晶体管22R2、 22G2和22B2的每一个 或者累积电容元件23R2、 23G2和23B2的每一个都设置在定义为颜色像素 电路区域的均等划分的区域内，其中该均等划分的区域在像素电路均等地分 成颜色像素电路时产生，该均等划分的区域对应于每个驱动晶体管或者每个 累积电容元件实际所属的颜色像素电路。因此，除了前迷第一实施例的效果 外，还可以避免寄生电容成分Cp的产生，并且可以消除图像质量的异常(岸 扰现象)。结果，能够减少整个像素电路的图案缺陷率而不影响图像质量。
同样，对应于每个像素的每条信号线DLr、 DLg和DLb可以设置在定 义为颜色像素电路的均等划分的区域内，其中该均等划分的区域在像素电路 均等地分成颜色像素电路时产生，该均等划分的区域对应于每条信号线实际 所属的颜色像素电路。在此情况下，可以消除图像质量异常(串扰现象)， 并且可以减少整个电路的图案缺陷率而不影响图像质量。
此外，更一般地讲，对于选自驱动晶体管22R2、 22G2和22B2、累积 电容元件23R2、 23G2和23B2以及信号线DLr、 DLg和DLb的三个组中的 至少一组或多组，如果一组中的每个元件设置在定义为颜色像素电路区域的 均等划分的区域内，其中该均等划分的区域在像素电路均等地分成颜色像素 电路时产生，该均等划分区域对应于每个元件实际所属的颜色像素电路，则 就可以获得该实施例的效果。
应用示例
接下来，将参考图18至图22G描述在前述第一至第四实施例中描述的 自发光显示装置的应用示例。前述第一至第四实施例中描述的自发光显示装 置(具体地讲，有机EL显示装置)可以应用于任何领域中的将从外面输入 的图片信号或者在内部产生的图片信号显示为图像或者图片的电子设备，如 电视机、数码相机、笔记本个人电脑、诸如移动电话的便携式终端和摄像机。
第一应用示例图18是应用前述实施例的自发光显示装置的电视机的外观。该电视机
例如具有包括前面板511和滤光器玻璃512的图片显示屏部分510。图片显 示屏部分510由根据前述实施例等的自发光显示装置构造。 第二应用示例
图19A和19B是应用前述实施例的自发光显示装置的数码相机的外观。 该数码相机例如具有用于闪光灯521的发光部分、显示部分522、菜单开关 523和快门按4丑524。显示部分522由才艮据前述实施例的自发光显示装置构造。
第三应用示例
图20是应用前述实施例的自发光显示装置的笔记^^个人电脑的外观。 该笔记本个人电脑例如具有主体531、用于输入字符等的操作的键盘532和 用于显示图像的显示部分533。该显示部分533由根据前述实施例的自发光 显示装置构造。
第四应用示例
图21是应用前述实施例的自发光显示装置的摄像机的外观。该摄像机 例如具有主体541、提供在主体541的前侧面的目标摄取镜头542、摄像开 始/停止开关543和显示部分544。该显示部分544由根据前述实施例的自发 光显示装置构造。
第五应用示例
图22A至22G是应用前述实施例的自发光显示装置的移动电话的外观。 在该移动电话中，例如，上壳体710和下壳体720通过连接部分(铰链部分) 730连接。该移动电话具有显示器740、副显示器750、图片灯760和照相机 770。显示器740或者副显示器750由才艮据前述实施例的自发光显示装置构 造。
尽管本发明已经参考第一至第四实施例以及应用示例进行了描述，但是 本发明不限于前述的实施例等，而是可以进行各种修改。
例如，在前述实施例等中，尽管对颜色像素电路的尺寸26R、 26G和26B 或者颜色像素的尺寸27R2、 27G2和27B2由上述公式1至3表示的情况进 行了描述，但是非均等布置的实施例不限于此。
此外，例如，如图23至图25所示的像素20-1中的像素电路，本发明 可以应用于与有机EL元件24并联地产生寄生电容成分240的情况(每个颜色的电容值不同)，并且每个颜色的电容值的差由累积电容元件23a和23b
等调整。
另外，在前述实施例等中，描述了由R、 G和B像素组成的结构(在三 色像素的情况下)。然而，本发明不限于这样的结构。就是说，例如，本发 明能够应用于具有任意颜色数量的像素的结构，例如，通过给其加入w(白 色)像素获得的四色像素的情况、两色像素的情况以及五色像素的情况。
此外，在前述实施例等中，描述了自发光元件是有机EL元件的情况。 然而，本发明也可应用于采用其它的自发光元件(例如，无机EL元件或者 LED)的自发光显示装置等。
本领域的技术人员应当理解，在所附权利要求或其等同特征的范围内， 可以根据设计要求和其他因素来进行各种修改、组合、部分组合及替换。
本申请包含2008年6月18日提交至日本专利局的日本优先权专利申请 JP 2008-159169所涉及的主题，将其全部内容引用结合于此。
权利要求
1、一种自发光显示装置，包括像素层，在该像素层中形成有多个像素，每个像素由每个都具有颜色自发光元件的多个颜色像素构成；以及像素电路层，在该像素电路层中形成有多个像素电路，每个像素电路由分别驱动颜色像素的多个颜色像素电路构成，其中在该像素电路内，该颜色像素电路的尺寸根据使像素中的该颜色自发光元件以相同的发光亮度发光的驱动电流的大小比率而非均等地设定。
2、 才艮据权利要求1所迷的自发光显示装置，其中 在该像素内该颜色像素的尺寸均等地设定，并且 在该像素内该颜色像素的位置均等地设定。
3、 根据权利要求2所述的自发光显示装置，其中该颜色像素的每个中的该颜色自发光元件具有层叠结构，该层叠结构包 括阳极电极、发光层和阴极电极，在该像素内该阳极电极的尺寸均等地设定， 在该像素内该阳极电极的位置均等地设定， 在该像素内该发光层的尺寸均等地设定，并且 在该像素内该发光层的位置均等地设定。
4、 根据权利要求1所述的自发光显示装置，其中在该像素内，该颜色 像素的尺寸根据该像素电路内的该颜色像素电路之间的尺寸比而非均等地设定。
5、 根据权利要求4所述的自发光显示装置，其中该颜色像素的每个中的该颜色自发光元件具有层叠结构，该层叠结构包 括阳极电极、发光层和阴极电极，并且根据该像素电路内的该颜色像素电路之间的尺寸比，在该像素内该阳极 电极的尺寸非均等地设定，并且在该像素内该发光层的尺寸非均等地设定。
6、 根据权利要求4所述的自发光显示装置，其中该像素由R(红)颜色像素、G (绿)颜色像素和B (蓝)颜色像素构成，该l象素电路由R颜色像素电路、G颜色像素电路和B颜色像素电路构 成，并且满足公式"该G颜色像素的尺寸<该R颜色像素的尺寸<该B颜色像素 的尺寸"和公式"该G颜色像素电路的尺寸〈该R颜色像素电路的尺寸〈该 B颜色像素电路的尺寸"。
7、 根据权利要求1所述的自发光显示装置，其中 在该像素内该颜色像素的尺寸均等地设定，并且.在该像素内，该颜色像素的位置根据该像素电路内的该颜色像素电路之 间的尺寸比而非均等地设定。
8、 根据权利要求7所述的自发光显示装置，其中 该颜色像素的每个中的该颜色自发光元件具有层叠结构，该层叠结构包括阳极电极、发光层和阴极电极，在该像素内该阳极电极的尺寸均等地设定， 在该像素内该发光层的尺寸均等地设定，并且根据该像素电路内的该颜色像素电路之间的该尺寸比，在该像素内该阳 极电极的位置非均等地设定，并且在该像素内该发光层的位置非均等地设定。
9、 根据权利要求7所述的自发光显示装置，其中该颜色像素的每个连接到用于根据图片信号提供驱动电压的信号线，并且该阳极电极和该发光层的位置设定为使得一个颜色像素的阳极电极和 连接到相邻颜色像素的信号线彼此不重叠。
10、 根据权利要求9所述的自发光显示装置，其中电连接到该阴极电极
11、 根据权利要求1所述的自发光显示装置，其中 该颜色像素电路的每个包括驱动晶体管，并且该驱动晶体管设置在定义为颜色像素电路区域的均等划分的区域内，假 定该像素电路均等地分成颜色像素电路而产生该均等划分的区域，该均等划 分的区域对应于该驱动晶体管本来所属的颜色像素电路。
12、 根据权利要求1所述的自发光显示装置，其中该颜色像素电路的每个包括电容元件，并且该电容元件设置在定义为颜色像素电路区域的均等划分的区域内，假定 该像素电路均等地分成颜色像素电路而产生该均等划分的区域，该均等划分 的区域对应于该电容元件本来所属的颜色像素电路。
13、 根据权利要求1所述的自发光显示装置，其中该颜色像素的每个连接到用于根据图片信号提供驱动电压的信号线，并且该信号线设置在定义为颜色像素电路区域的均等划分的区域内，假定该 像素电路均等地分成颜色像素电路而产生该均等划分的区域，该均等划分的 区域对应于该信号线本来所属的颜色像素电路。
14、 根据权利要求1所述的自发光显示装置，其中该像素由R颜色像素、 G颜色像素和B颜色像素构成。
15、 根据权利要求14所述的自发光显示装置，其中满足公式"该G颜 色像素的尺寸<该R颜色像素的尺寸〈该B颜色像素的尺寸"。
16、 根据权利要求1所述的自发光显示装置，其中该颜色自发光元件是 有机EL元件。
17、 一种自发光显示装置，包括像素层，在该像素层中形成有多个像素，每个像素由每个都具有颜色自 发光元件的多个颜色像素构成；以及像素电路层，在该像素电路层中形成有多个像素电路，每个像素电路由 分别驱动颜色像素的多个颜色像素电路构成，其中该颜色像素电路的每个包括具有有源层和栅极电极的驱动晶体管，并且在该像素电路内，该颜色像素电路的尺寸根据每个都定义为该驱动晶体 管中的有源层和栅极电极彼此重叠的区域的重叠区域之间的面积比而非均 等地设定。
18、 一种自发光显示装置，包括像素层，在该像素层中形成有多个像素，每个像素由每个都具有颜色自 发光元件的多个颜色像素构成；以及像素电路层，在该像素电路层中形成有多个像素电路，每个像素电路由分别驱动颜色像素的多个颜色像素电路构成，其中该颜色像素电路的每个包括电容元件，并且在该像素电路内，该颜色像素电路的尺寸根据该颜色像素电路中的电容 元件之间的面积比而非均等地设定。
19、 一种电子设备，包括具有显示功能的自发光显示装置，该自发光显 示装置包括像素层，在该像素层中形成有多个像素，每个像素由每个都具有颜色自 发光元件的多个颜色像素构成；以及像素电路层，在该像素电路层中形成有多个像素电路，每个像素电路由 分别驱动颜色像素的多个颜色像素电路构成，其中在该像素电路内该颜色像素电路的尺寸根据使像素中的该颜色自 发光元件以相同的发光亮度发光的驱动电流的大小比率而非均等地设定。
20、 一种电子设备，包括具有显示功能的自发光显示装置，该自发光显 示装置包括像素层，在该像素层中形成有多个像素，每个像素由每个都具有颜色自 发光元件的多个颜色像素构成；以及像素电路层，在该像素电路层中形成有多个像素电路，每个像素电路由 分别驱动颜色像素的多个颜色像素电路构成，其中该颜色像素电路的每个包括具有有源层和栅极电极的驱动晶体管，并且在该像素电路内，该颜色像素电路的尺寸根据每个都定义为该驱动晶体 管中的有源层和栅极电极彼此重叠的区域的重叠区域之间的面积比而非均 等地设定。
21、 一种电子设备，包括具有显示功能的自发光显示装置，该自发光显 示装置包括像素层，在该像素层中形成有多个像素，每个像素由每个都具有颜色自 发光元件的多个颜色像素构成；以及像素电路层，在该像素电路层中形成有多个像素电路，每个像素电路由 分别驱动颜色像素的多个颜色像素电路构成，其中该颜色像素电路的每个包括电容元件，并且在该像素电路内，该颜色像素电路的尺寸根据该颜色像素电路中的电容 元件之间的面积比而非均等地设定。
全文摘要
本发明提供了自发光显示装置和电子设备，并且可以改善该自发光显示装置的产率。在像素电路内，对应于R、G和B像素的各颜色像素电路的尺寸根据使像素中的颜色自发光元件以相同的发光亮度发光的驱动电流的大小比率而分别非均等地设定。因此，分别对应于R、G和B像素的颜色像素电路的图案密度变得彼此均等，并且减少整个像素电路的图案缺陷。
文档编号G06F1/16GK101609646SQ20091014619
公开日2009年12月23日 申请日期2009年6月18日 优先权日2008年6月18日
发明者富田昌嗣, 浅野慎 申请人:索尼株式会社