专利名称：：导电片、导电片的使用方法以及电容型触控面板的制作方法
技术领域：
：本发明涉及导电片、使用导电片的方法以及电容触控面板，并且例如涉及适合用在投影式电容触控面板中的导电片、使用导电片的方法以及电容触控面板。
背景技术：
：常见的电容触控面板是能够基于人手指与导电膜之间的静电电容的变化来检测人手指触摸位置的位置输入装置。该电容触控面板包括表面电容触控面板和投影式电容触控面板。表面电容触控面板的结构简单，但是不能同时检测两个或更多个触摸点(多点触摸检测)。另ー方面，投影式电容触控面板的结构包含以矩阵排列的大量电极，类似于液晶显示器装置等的像素结构。更具体地，该结构是这样的多个电极在竖直方向上排列并且串联连接以形成第一电极阵列，多个第一电极阵列在水平方向上排列，多个电极在水平方向上排列并且串联连接以形成第二电极阵列，多个第二电极阵列在竖直方向上排列，并且通过第一和第二电极阵列顺序检测电容变化以实现多点触摸检测。该常规投影式电容触控面板包括日本特开专利No.2008-310551号中所描述的电容输入装置。
发明内容然而，由于必须在排列在基底的ー个主表面上的第一和第二电极阵列之间形成间隙以防止第一和第二电极阵列的短路，所以日本特开专利No.2008-310551中所描述的电容输入装置的不利之处在于手指位置检测精度差。而且，电容输入装置的不利之处在于由于第二电极阵列的电极连接部形成在第一电极阵列的电极连接部上，且其间具有绝缘层以防止第一和第二电极阵列的交叉部(交点)的短路，因此交叉部的厚度大并且在触控面板表面呈现为局部黒点，从而使可见性明显劣化了。另外，由于需要掩模图案来形成绝缘层及其上的电极连接部，由此导致制造过程复杂并且制造成本高。可以通过使用包含形成在透明基底的ー个主表面上的第一电极阵列以及形成在其另ー个主表面上的第二电极阵列的结构来解决该问题。然而，这种结构将来可能会引发以下问题。尽管投影式电容触控面板目前主要用于诸如PDA(个人数字助理)和移动电话等小装置中，但是触控面板预计将会用于诸如个人计算机显示器等大装置中。这是因为最近已经使得用于个人计算机的标准操作系统(OS)与多点触控技术兼容。用于常规投影式电容触控面板的电极由ITO(氧化铟锡)构成，并且因此具有数百ohm/sq的高电阻。因此，如果将触控面板用于上述的未来趋势中的大装置中，大尺寸的触控面板表现出低的电极间电流传输率，并且由此表现出低响应速度(手指接触与触摸位置检测之间的时间长)。鉴于上述问题，本发明的目的是提供导电片以及导电片使用方法，其中，导电片能够在基底上具有低电阻导电图案，能够表现出改善的可见性，并且能够适用于投影式电容触控面板等。本发明的另一目的是提供能够在基底上具有低电阻导电图案、能够表现出改善的可见性并且能够适当地用作大尺寸的投影式电容触控面板等的投影式电容触控面板。[I]根据本发明的第一方面的导电片，包括两个或更多个形成在基底上的导电大格子，其中所述大格子均包含两个或更多个小格子的组合；所述大格子均具有互相面对的边，且所述边的形状是交替的。[2]在本发明的第一方面中，每ー个所述大格子的所述边都具有矩形波形状，在所述矩形波形状中排列有两个或更多个矩形形状；并且每ー个所述大格子的所述边中的一条边面对另一条边，并且所述另一条边具有面对所述一条边的矩形突出部分的非突出部分以及面对所述一条边的非突出部分的矩形突出部分。[3]在本发明的第一方面中，每ー个所述大格子的所述边的所述矩形形状包括所述小格子。[4]在本发明的第一方面中，连接部形成在所述基底上，并且电连接相邻的所述大格子；两个或更多个所述大格子排列在ー个方向上，且其间设置有所述连接部。[5]在本发明的第一方面中，两个或更多个所述大格子排列在第一方向上，其间设置有所述连接部以形成导电图案；两个或更多个所述导电图案排列在垂直于所述第一方向的第二方向上；并且电隔离的绝缘部设置在相邻的所述导电图案之间。[6]根据本发明的第二方面的导电片，包括基底，其中两个或更多个导电的第一大格子形成在所述基底的ー个主表面上；两个或更多个导电的第二大格子形成在所述基底的另ー主表面上；所述第一大格子和所述第二大格子均包含两个或更多个小格子的组合；并且所述第一大格子和所述第二大格子均具有互相面对的边，且所述边的形状是交替的。[7]在本发明的第二方面中，所述第一大格子和所述第二大格子中的每ー个的所述边具有矩形波形状，在所述矩形波形状中排列有两个或更多个矩形形状；并且所述第一大格子和所述第二大格子中的每ー个的所述边中的一条边面对另一条边，并且所述另一条边具有面对所述一条边的矩形突出部分的非突出部分以及面对所述一条边的非突出部分的矩形突出部分。[8]根据本发明的第三方面的导电片，包括基底，其中两个或更多个导电的第一大格子形成在所述基底的ー个主表面上；两个或更多个导电的第二大格子形成在所述基底的另ー主表面上；所述第一大格子和所述第二大格子均包含两个或更多个小格子的组合；并且所述第一大格子的一条边和所述第二大格子的一条边互相面对，且所述边的形状是交替的。[9]在本发明的第三方面中，所述第一大格子和所述第二大格子中的每ー个的所述边具有矩形波形状，在所述矩形波形状中排列有两个或更多个矩形形状；并且每ー个所述第一大格子的所述边中的一条边面对每ー个所述第二大格子的所述边中的一条边，并且每ー个所述第二大格子的所述边中的所述一条边具有面对每ー个所述第一大格子的所述边中的所述一条边的矩形的突出部分的非突出部分以及面对每ー个所述第一大格子的所述边中的所述一条边的非突出部分的矩形突出部分。[10]在本发明的第二或第三方面中，所述第一大格子和所述第二大格子中的每ー个的所述边的所述矩形形状包括所述小格子。[11]在本发明的第二或第三方面中，第一连接部形成在所述基底的所述ー个主表、面上，并且电连接相邻的所述第一大格子；第二连接部形成在所述基底的所述另ー主表面上，并且电连接相邻的所述第二大格子；两个或更多个所述第一大格子排列在第一方向上，其间设置有所述第一连接部以形成第一导电图案；两个或更多个所述第二大格子排列在垂直于所述第一方向的第二方向上，其间设置有所述第二连接部以形成第二导电图案；两个或更多个所述第一导电图案排列在所述第二方向上；两个或更多个所述第二导电图案排列在所述第一方向上；电隔离的第一绝缘部设置在相邻的所述第一导电图案之间；电隔离的第二绝缘部设置在相邻的所述第二导电图案之间；所述第一连接部和所述第二连接部排列为互相面对，其间具有所述基底；并且所述第一绝缘部和所述第二绝缘部排列为互相面对，且其间具有所述基底。[12]在本发明的第一、第二或第三方面中，所述小格子具有多边形形状。[13]在本发明的第一、第二或第三方面中，其中所述小格子具有正方形形状。[14]根据本发明的第四方面，提供了ー种使用导电片的方法，包括使用第一导电片和第二导电片，其中所述第一导电片包括两个或更多个导电的第一大格子，所述第一大格子均包含两个或更多个小格子的组合；所述第二导电片包括两个或更多个导电的第二大格子，所述第二导电片均包含两个或更多个小格子的组合；所述第一大格子和所述第二大格子均具有相互面对的边，所述边的形状是交替的；并且组合所述第一导电片和所述第二导电片，使得邻近所述第一大格子设置所述第二大格子，并且所述第一大格子的一条边和所述第二大格子的一条边组合形成所述小格子的排列。[15]根据本发明的第五方面的电容触控面板，包括根据本发明的第二或第三方面的导电片。如上所述，在本发明的导电片和导电片使用方法中，能够降低形成在基底上的导电图案的电阻，能够改善可见性，并且导电片能够适用于投影式电容触控面板等。此外，在本发明的电容触控面板中，能够降低形成在基底上的导电图案的电阻，能够改善可见性，并且触控面板能够用作大尺寸投影式电容触控面板等。图I是示出形成在第一导电片上的第一导电图案的范例的平面图；图2是部分地示出第一导电片的截面图；图3是部分地示出触控面板导电片的分解透视图；图4A是部分地示出触控面板导电片的范例的截面图；图4B是部分地示出触控面板导电片的另ー范例的截面图；图5是示出形成在第二导电片上的第二导电图案的范例的平面图；图6是部分地示出通过组合第一和第二导电片得到的触控面板导电片的范例的平面图；图7是根据本实施例的用于制造透明导电膜的方法的流程图；图8A是部分示出制造的光敏材料的截面图；图8B是示出光敏材料的同时双侧曝光的说明图；图9是说明图，示出了第一和第二曝光处理，执行第一和第二曝光处理的同时阻止第一光敏层上入射的光透射至第二光敏层和第二光敏层上入射的光透射至第一光敏层。具体实施例方式以下将參照图I至9描述本发明的导电片、导电片使用方法以及触控面板的若干实施例。应当注意，在此描述中，数值范围“A至B”包括作为下限值和上限值的数值A和B。如图I中所示，根据第一实施例的导电片(以下称为“第一导电片10A”)具有两个或更多个形成在第一透明基底12A的ー个主表面上的、由细金属线构成的导电第一大格子14A(參见图2)。每个第一大格子14A均包含两个或更多个小格子18的组合。第一大格子14A均具有互相面对的边，并且边的形状是交替的。由细金属线构成的第一连接部16A形成在相邻的第一大格子14A之间，并且将这些相邻的第一大格子14A互相电连接。第一连接部16A均包含ー个或多个中等格子20(20a至20d)，并且中等格子20的间距是小格子18的间距的η倍(其中，η是大于I的实数)。小格子18具有最小的正方形形状。例如，细金属线包含金(Au)、银(Ag)或铜(Cu)。两个或更多个第一大格子14Α排列在X方向(第一方向)上，其间设置有第一连接部16Α，以形成由细金属线构成的第一导电图案22Α。两个或更多个第一导电图案22Α排列在垂直于X方向的I方向上(第二方向)。电隔离的第一绝缘部24Α设置在相邻的第一导电图案22Α之间。更具体地，在每个第一大格子14Α的四条边上，即在邻近未连接至相邻的第一大格子14Α的顶点部分26a的第一边28a和第二边28b以及邻近未连接至相邻的第一大格子14A的另ー顶点部分26b的第三边28c和第四边28d上，排列两个或更多个矩形形状，以形成矩形波形状。特别地，在第一大格子14A中，第一边28a上的矩形形状与第一边28a对面的第四边28d上的矩形形状相交替，并且第二边28b上的矩形形状与第二边28b对面的第三边28c上的矩形形状相交替。排列两个或更多个小格子18以形成每个第一大格子14A的每条边的矩形波形状。在第一连接部16A中，四个中等格子20(第一中等格子20a至第四中等格子20d)以锯齿形方式排列，并且每个中等格子20的尺寸等于四个小格子18的总尺寸。第一中等格子20a设置在第二边28b与第四边28d之间的边界处，并且与ー个小格子18组合形成L形空间。第二中等格子20b设置在第一中等格子20a的一条边上(沿第二边28b的直线30)，并且形成正方形空间。从而，第二中等格子20b的形状是使四个小格子18以矩阵排列并且去除中心的十字(cross)。第三中等格子20c与第一中等格子20a和第二中等格子20b相邻，并且具有与第二中等格子20b相同的形状。第四中等格子20d设置在第三边28c与第ー边28a之间的边界处，并与第二中等格子20b和第四中等格子20d相邻，并且如第一中等格子20a那样，与ー个小格子18组合形成L形空间。在小格子18的排列间距为Ps的情况下，中等格子20的排列间距Pm为2XPs。如上所述，在第一导电片IOA中，两个或更多个第一大格子14A排列在X方向上，其间设置有第一连接部16A，以形成ー个第一导电图案22A，组合两个或更多个小格子18以形成每个第一大格子14A。在每个第一大格子14A中，其互相面对的边的形状是交替的。因此，与一个电极使用ー个ITO膜的结构相比，第一导电片IOA能够表现出明显降低的电阻。从而，当第一导电片IOA用于投影式电容触控面板等中时，能够容易地増大触控面板的响应速度和尺寸。以下将參照图3至6描述使用上述第一导电片IOA(即根据本实施例的触控面板导电片5)的触控面板导电片对。如图3和4A中所不，以下将会描述通过叠置第一导电片IOA和第二导电片IOB来获得触控面板导电片50。上文中已经描述了第一导电片10A，因此将不再重复详细描述。然而，如图3中所不，在姆个第一导电图案22A的一端中，第一连接部16A未形成在第一大格子14A的开ロ端上。在第一导电图案22A的另一端中,第一大格子14A的末端电连接至第一外部布线40A。如图3和4A中所示，第二导电片IOB具有两个或更多个形成在第二透明基底12B的ー个主表面上的由细金属线构成的导电的第二大格子14B。如图5中所示，每个第二大格子14B均包括两个或更多个小格子18的组合。第二大格子14B均具有互相面对的边，并且边的形状是交替的。由细金属线构成的第二连接部16B设置在相邻的第二大格子14B之间，并且将这些相邻的第二大格子14B互相电连接。第二连接部16B均包含ー个或多个中等格子20，并且中等格子20的间距是小格子18的间距的η倍(其中，η是大于I的实数)。两个或更多个第二大格子14Β排列在y方向(第二方向)上，其间设置有第二连接部16B，以形成一个第二导电图案22B。两个或更多个第二导电图案22B排列在垂直于y方向的X方向上(第一方向)。电隔离的第二绝缘部24B设置在相邻的第二导电图案22B之间。更具体地，在每个第二大格子14B的四条边上，即在邻近未连接至相邻的第二大格子14B的顶点部分26a的第五边28e和第六边28f以及邻近未连接至相邻的第二大格子14B的另ー顶点部分26b的第七边28g和第八边28h上，排列两个或更多个矩形形状，以形成矩形波形状。特别地，在第二大格子14B中，第五边28e上的矩形形状与第五边28e对面的第八边28h上的矩形形状相交替，并且第六边28f上的矩形形状与第六边28f对面的第七边28g上的矩形形状相交替。在第二连接部16B中，四个中等格子20(第五中等格子20e至第八中等格子20h)以锯齿形方式排列，并且每个中等格子20的尺寸等于四个小格子18的总尺寸。第五中等格子20e设置在第六边28f与第八边28h之间的边界处，并且与ー个小格子18组合形成L形空间。第六中等格子20f设置在第五中等格子20e的一条边上(沿第六边28f的第二直线30)，并且形成正方形空间。从而，第六中等格子20f的形状是使四个小格子18以矩阵排列并且去除中心的十字。第七中等格子20g与第五中等格子20e和第六中等格子20f相邻，并且具有与第六中等格子20f相同的形状。第八中等格子20h设置在第七边28g与第五边28e之间的边界处，并与第六中等格子20f和第七中等格子20g相邻，并且如第五中等格子20e那样,与ー个小格子18组合形成L形空间。同样地，在第二导电片IOB中，在小格子18的排列间距为Ps的情况下，中等格子20的排列间距Pm为2XPs。如图3中所示，在每个第二导电图案22B的一端中，第二连接部16B未形成在第二大格子14B的开ロ端上。在第二导电图案22B的另一端中，第二大格子14B的末端电连接至第二外部布线40B。例如，如图6中所示，在第一导电片IOA叠置在第二导电片IOB上以形成触控面板导电片50的情况下，第一导电图案22A的第一连接部16A与第二导电图案22B的第二连接部16B相互面对地排列,其间具有第一透明基底12A(见图4A)。同样地,第一导电图案22A之间的第一绝缘部24A和第二导电图案22B之间的第二绝缘部24B也相互面对地排列，其间具有第一透明基底12A。尽管在图6中分别采用粗线和细线夸大地示出了第一导电图案22A和第二导电图案22B，以清楚地表示其在图6中的位置，但是它们具有相同的线宽。在从上方观察叠置的第一导电片IOA与第二导电片IOB的情况下，第一导电片IOA的第一大格子14A之间的空间填充有第二导电片IOB的第二大格子14B。在此观察中，第一大格子14A中的第一边28a和第二边28b上的矩形波形状的凹槽42a的开ロ连接至第二大格子14B中的第六边28f和第八边28h上的矩形波形状的突出部42b的末端部分，使得小格子18连续地排列在叠置体上。类似地，第一大格子14A中的第三边28c和第四边28d上的矩形波形状的凹槽42a的开ロ连接至第二大格子14B中的第五边28e和第七边28g上的矩形波形状的突出部42b的末端部分，使得小格子18连续地排列在叠置体上。结果，不能容易地发现第一大格子14A与第二大格子14B之间的边界。如上所述，在矩形波形状中，凹槽42a的开ロ与突出部42b的末端部分交叠，由此使得第一大格子14A与第二大格子14B之间的边界更不可见，从而改善了可见性。虽然具有交叉形状的开ロ形成在第一绝缘部24A和第二绝缘部24B的每个交叠部中，但是与上述加粗的线不同，该开ロ不阻挡光且更不可见。在从上方观察第一连接部16A和第二连接部16B的交叠部的情况下，第二连接部16B中的第五中等格子20e和第七中等格子20g的连接点大致位于第一连接部16A中的第ニ中等格子20b的中心，第二连接部16B中的第六中等格子20f和第八中等格子20h的连接点大致位于第一连接部16A中的第三中等格子20c的中心，并且第一中等格子20a至第八中等格子20h组合形成多个小格子18。因此，通过交叠部中第一连接部16A和第二连接部16B的组合，形成多个小格子18。不能将如此形成的小格子18与第一大格子14A和第二大格子14B中的周围的小格子18区别开，从而改善了可见性。在触控面板导电片50用在触控面板中的情况下，保护层形成在第一导电片IOA上。此外，从第一导电片IOA中的大量第一导电图案22k延伸的第一外部布线40A以及从第二导电片IOB中的大量第二导电图案22B延伸的第二外部布线40B连接至用于位置计算等的IC电路。在手指接触到保护层的情况下，信号从面对手指触摸位置的第一导电图案22A和第二导电图案22B发送至IC电路。基于所发送的信号，在IC电路中计算手指触摸位置。因此，即使两根手指同时接触到保护层，也能够检测到每根手指的触摸位置。如上所述，在使用触控面板导电片50的情况下，例如在投影式电容触控面板等中，能够容易地増大触控面板的响应速度和尺寸。此外，第一导电片IOA的第一大格子14A和第二导电片IOB的第二大格子14B间的边界更不可见，并且第一连接部16A和第二连接部16B组合形成多个小格子18，使得能够防止诸如局部线加粗等缺陷，并且能够改善整体可见性。在触控面板导电片50中，第一大格子14A的四条边(第一边28a至第四边28d)和第二大格子14B的四条边(第五边28e至第八边28h)具有相等的矩形波形状，由此能够减少在第一大格子14A和第二大格子14B的末端中的电荷局部化，以防止错误的手指位置检測。尽管在第一连接部16A和第二连接部16B中的中等格子20的排列间距Pm是上述实施例的第一导电片IOA和第二导电片IOB中的小格子18的排列间距Ps的两倍，但是可以根据中等格子20的数量适当地选择间距Pm。例如，间距Pm可以是间距Ps的I.5或3倍。当中等格子20的间距Pm过小或过大时，可能难以排列大格子14，导致外表难看。从而，间距Pm优选地是小格子18的间距Ps的I至10倍，更优选地是其I至5倍。同样地，也可以根据触控面板的尺寸和分辨率(行数)，适当地选择小格子18的尺寸(包括边长和对角线长)、第一大格子14A中的小格子18的数量以及第二大格子14B中的小格子18的数量。如图3和4A中所示，在上述的触控面板导电片50中，第一导电图案22A形成在第一透明基底12A的ー个主表面上，且第二导电图案22B形成在第二透明基底12B的ー个主表面上。替代地，如图4B所示，触控面板导电片50的结构可以是使得第一导电图案22A形成在第一透明基底12A的ー个主表面上且第二导电图案22B形成在第一透明基底12A的另ー主表面上。另外，另ー层可以形成在第一导电片IOA和第二导电片IOB之间。只要第一导电图案22A和第二导电图案22B间是绝缘的,它们就可以相互面对地排列。可以如下制造第一导电片IOA和第二导电片10B。例如，可以对具有第一透明基底12A或第二透明基底12B以及其上的包含光敏卤化银的乳剂层的感光材料进行曝光并显影，由此金属银部分和光透射部分可以分别形成在曝光区域和未曝光区域，以得到第一导电图案22A或第二导电图案22B。可以使金属银部分经受物理显影处理和/或电镀处理，以在其上沉积导电金属。如图4B中所不，第一导电图案22A可以形成在第一透明基底12A的ー个主表面上，并且第二导电图案22B可以形成在其另ー主表面上。在此情况下，如果以通常的方法对该ー个主表面进行曝光并且随后对该另一主表面进行曝光，则有时不能获得期望的第一导电图案22A和第二导电图案22B。特别地，难以均匀地形成图案，其中矩形波形状从第一大格子14A和第二大格子14B的所述边突出出来。因此，能够优选地使用以下制造方法。如此，通过使第一透明基底12A的两侧上的光敏卤化银乳剂层经受一次曝光来形成第一透明基底12A的ー个主表面上的第一导电图案22A以及第一透明基底12A的另ー主表面上的第二导电图案22B。以下将会參照图7至9描述制造方法的ー个特定范例。首先，在图7的步骤SI中，制备长光敏材料140。如图8A中所示，光敏材料140具有第一透明基底12A、形成在第一透明基底12A的ー个主表面上的光敏卤化银乳剂层(以下称为第一光敏层142a)以及形成在第一透明基底12A的另ー主表面上的光敏齒化银乳剂层(以下称为第二光敏层142b)。在图7的步骤S2中，对光敏材料140进行曝光。在此步骤中，进行了同时双侧曝光，其包括以第一曝光图案利用光照射第一透明基底12A上的第一光敏层142a的第一曝光处理以及以第二曝光图案利用光照射第一透明基底12A上的第二光敏层142b的第二曝光处理。在图8B的范例中，利用第一光144a(平行光)穿过第一光掩膜146a照射第一光敏层142a，并且利用第二光144b(平行光)穿过第二光掩膜146b照射第二光敏层142b，同时在ー个方向上传送长光敏材料140。第一光144a是这样ー种光,其来自第一光源148a并通过中间第一准直器透镜150a转换为平行光；而第二光144b则是这样ー种光，其来自第二光源148b并通过中间第二准直器透镜150b转换为平行光。虽然在图SB的范例中使用了两个光源(第一光源148a和第二光源148b)，但是可以仅使用ー个光源。在此情况下，可以由光学系统将来自该ー个光源的光分为用于对第一光敏层142a和第二光敏层142b进行曝光的第一光144a和第二光144b。在图7的步骤S3中，对曝光的光敏材料140进行显影，以制备图4B中所示的触控面板导电片50。触控面板导电片50具有第一透明基底12A、第一透明基底12A的该ー个主表面上的以该第一曝光图案形成的第一导电图案22A以及第一透明基底12A的该另ー个主表面上的以该第二曝光图案形成的第二导电图案22B。用于第一光敏层142a和第二光敏层142b的优选曝光时间和显影时间取决于第一光源148a、第二光源148b以及显影剂等的类型，从而不能明确地确定。可以考虑到实现100%的显影率来选择曝光时间和显影时间。如图9中所示，在此实施例的制造方法中的第一曝光处理中，例如，第一光掩膜146a放置为与第一光敏层142a紧密接触，第一光源148a布置为面向第一光掩膜146a，并且第一光144a从第一光源148a朝向第一光掩膜146a发射,从而对第一光敏层142a进行曝光。第一光掩膜146a具有由透明钠玻璃构成的玻璃基底和在其上形成的掩膜图案(第一曝光图案152a)。因此，在第一曝光处理中，对第一光敏层142a中的对应于第一光掩膜146a中的第一曝光图案152a的区域进行曝光。可以在第一光敏层142a与第一光掩膜146a之间形成约2至10μm的空间。类似地，在第二曝光处理中，例如，第二光掩膜146b放置为与第二光敏层142b紧密接触，第二光源148b布置为面向第二光掩膜146b，并且第二光144b从第二光源148b朝向第二光掩膜146b发射,从而对第二光敏层142b进行曝光。第二光掩膜146b以及第一光掩膜146a都具有由透明钠玻璃构成的玻璃基底和在其上形成的掩膜图案(第二曝光图案152b)。因此，在第二曝光处理中，对第二光敏层142b中的对应于第二光掩膜146b中的第二曝光图案152b的区域进行曝光。在此情况下，可以在第二光敏层142b与第二光掩膜146b之间形成约2至10μm的空间。在第一和第二曝光处理中，可以同时或单独进行来自第一光源148a的第一光144a的发射和来自第二光源148b的第二光144b的发射。在同时进行该发射的情况下，能够在ー个曝光步骤中对第一光敏层142a和第二光敏层142b同时进行曝光，由此缩短该处理时间。在第一感光层142a和第二感光层142b都没有被光谱增感的情况下，在光敏材料140的双侧曝光中，在ー侧入射的光可以影响在另ー侧(背面)上的图像形成。因此，来自第一光源148a的第一光144a到达第一光敏层142a并且被第一光敏层142a中的卤化银颗粒散射，并且部分散射光透射穿过第一透明基底12A而到达第二光敏层142b。于是，曝光了第二光敏层142b和第一透明基底12A之间的边界处的大区域，以形成潜像(latentimage)。结果,第二光敏层142b被来自第二光源148b的第二光144b以及来自第一光源148a的第一光144a曝光。当对第二光敏层142b进行显影以制备触控面板导电片50时，形成了对应于第二曝光图案152b的导电图案(第二导电图案22B)，并且归因于来自第一光源148a的第一光144a，在导电图案之间附加地形成了薄导电层，从而不能获得期望的图案(对应于第二曝光图案152b)。对于第一光敏层142a来说也是这种情况。作为针对解决此问题所进行的大力研究的结果，已经发现了如果在特定范围内选择第一光敏层142a和第二光敏层142b的厚度和施加的银量，则能够用银卤化物吸收入射光来抑制光透射至背面。在此实施例中，第一光敏层142a和第二光敏层142b的厚度可以是I至4μηι。上限优选地为2.5μηι。第一光敏层142a和第二光敏层142b的施加的银量可以是5至20g/m2。在上述的双侧接触曝光技术中，附着至膜表面的灰尘等可以抑制曝光，从而产生图像缺陷。已知能够通过向膜施加诸如金属氧化物或导电聚合物等导电物质来防止灰尘附着。然而，金属氧化物等残留在处理后的产品中，使最终产品的透明度劣化，而且导电聚合物在存储稳定性等方面是不利的。作为大力研究的結果，已经发现具有减小的粘合剂含量的银齒化物层表现出满意的电导率以防止静电荷。因此在第一光敏层142a和第二光敏层142b中限制了银/粘合剂的体积比。第一光敏层142a和第二光敏层142b的银/粘合剂体积比为1/1或更大，优选地为2/1或更大。如果如上面所述那样选择第一光敏层142a和第二光敏层142b的厚度、施加的银量以及银/粘合剂体积比，则如图9中所示，从第一光源148a发射至第一光敏层142a的第一光144a不到达第二光敏层142b。类似地，从第二光源148b发射至第二光敏层142b的第ニ光144b不到达第一光敏层142a。结果，如图4B中所示，在接下来的用于制造触控面板导电片50的显影中，仅对应于第一曝光图案152a的导电图案(第一导电图案22k等)形成在·第一透明基底12A的该ー个主表面上,并且仅对应于第二曝光图案152b的导电图案(第二导电图案22B等)形成在第一透明基底12A的该另ー主表面上，从而能够获得期望的图案。在使用上述的一次双侧曝光的制造方法中，第一光敏层142a和第二光敏层142b能够都具有满意的电导率和双侧曝光适应性，并且通过一次曝光处理能够在第一透明基底12A的两侧上形成相同或不同的图案，由此能够容易地形成触控面板的电极，并且触控面板能够制作得更薄(更小)。在上述的制造方法中，使用光敏银卤化物乳剂层来形成第一导电图案22A和第二导电图案22B。其它的制造方法包括以下方法。也就是说，可以对形成在第一透明基底12A或第二透明基底12B上的铜箔上的光刻胶膜进行曝光和显影以形成抗蚀图案，并且可以蚀刻从抗蚀图案暴露出来的铜箔以得到第一导电图案22k和第二导电图案22B。或者，可以在第一透明基底12A或第二透明基底12B上印刷包含细金属颗粒的浆料，并且可以用金属镀覆所印刷的浆料，以得到第一导电图案22A和第二导电图案22B。通过使用丝网或凹版印刷镀覆，可以在第一透明基底12A和第二透明基底12B上印刷第一导电图案22A和第二导电图案22B。以下将主要描述ー种特别优选的方法，其包含使用摄影光敏卤化银材料来制造根据本发明的实施例的第一导电片IOA和第二导电片10B。取决于光敏材料和显影处理，用于制造此实施例的第一导电片IOA和第二导电片IOB的方法包括以下三种エ艺。(I)一种エ艺包括使无物理显影晶核(freeofphysicaldevelopmentnuclei)的光敏黑-白卤化银材料经受化学或热显影，以在光敏材料上形成金属银部分。(2)一种エ艺包括使具有包含物理显影晶核的卤化银乳剂层的光敏黑-白卤化银材料经受溶液物理显影，以在光敏材料上形成金属银部分。(3)一种エ艺包括使无物理显影晶核的光敏黑-白卤化银材料和具有包含物理显影核的非光敏层的图像接收片的叠层经受扩散转移显影，以在非光敏图像接收片上形成金属银部分。在(I)的エ艺中，使用了完整的(integral)黒-白显影过程来在光敏材料上形成诸如透光导电膜的可透射(transmittable)导电膜。得到的银是包含高比表面积细丝(filament)的化学或热显影的银，并且由此在接下来的镀覆和物理显影处理中显示高活性。在(2)的エ艺中，卤化银颗粒在物理显影晶核周围熔化并在曝光区中的晶核上沉积，以在光敏材料上形成诸如透光导电膜的可透射导电膜。在此エ艺中，也使用了完整的黒-白显影过程。虽然由于在显影过程中卤化银沉积在物理显影晶核上所以能够实现高活性，但是显影的银的形状为具有小比表面积的球形。在(3)的エ艺中，卤化银颗粒在未曝光的区域熔化，并且在图像接收片的显影晶核上扩散并沉积，以在该片上形成诸如透光导电膜等可透射导电膜。在此エ艺中，使用了所谓的分离型过程，从光敏材料剥离图像接收片。上述エ艺中能够使用负或反显影处理。在扩散转移显影中，能够使用自动正光敏材料来进行负显影处理。化学显影、热显影、溶液物理显影以及扩散转移显影具有本领域公知的含义，并且在诸如Shin-ichiKikuchi的“ShashinKagaku(PhotographicChemistry)，，，KyoritsuShuppanCo.,Ltd.,1955和C.Ε·K.Mees的“TheTheoryofPhotographicProcesses,4thed.”，Mcmillan，1977等通常的摄影化学教科书中有解释。在本发明中通常使用液体处理，也能够利用热显影处理。例如，本发明中能够使用在日本特开专利No.2004-184693、2004-334077和2005-010752以及日本专利申请No.2004-244080和2004-085655中描述的技术。以下将详细描述此实施例的第一导电片10A和第二导电片10B中的每层的结构。[第一透明基底12A和第二透明基底12B]第一透明基底12A和第二透明基底12B可以是塑料膜、塑料板、玻璃板等。用于塑料膜和塑料板的材料的范例包括聚酯，诸如聚对苯ニ甲酸こニ醇酯(PET)和聚萘ニ甲酸こニ醇酯(PEN);聚烯烃，诸如聚こ烯(PE)、聚丙烯(PP)、聚苯こ烯及EVA;こ烯树脂；聚碳酸酯(PC);聚酰胺；聚酰亚胺；丙烯酸树脂；和三こ酰基纤维素(TAC)。第一透明基底12A和第二透明基底12B优选为熔点为约290°C或更低的塑料膜或塑料板，诸如PET(熔点258°C)、PEN(熔点269°C)、PE(熔点135°C)、PP(熔点163°C)、聚苯こ烯(熔点230°C)、聚氯こ烯(熔点180°C)、聚偏ニ氯こ烯(熔点212°C)、或TAC(熔点290°C)ο从透光率、可加工性等观点来看，PET是特别优选的。诸如用于触控面板导电片50中的第一导电片10A和第二导电片10B的透明导电膜要求是透明的，因此，第一透明基底12A和第二透明基底12B优选具有高透明度。[银盐乳剂层]待转化为第一导电片10A和第二导电片10B中的导电层(包括第一大格子14A、第一连接部16A、第二大格子14B、第二连接部16B以及小格子18的导电部分)的银盐乳剂层包含银盐和粘合剂，并且除此以外还可以包含溶剂和诸如染料等添加剤。用于此实施例中的银盐可以是诸如卤化银的无机银盐或诸如こ酸银的有机银盐。在此实施例中，由于其优秀的光感测性质，所以优选为卤化银。银盐乳剂层的施加的银量(银密度中施加的银盐的量)优选地为I至30g/m2，更优选地为I至25g/m2，进ー步优选地为5至20g/m2。当施加的银量在以上范围内时，得到的第一触控面板导电片50A或第二触控面板导电片50B能够表现出理想的表面电阻。此实施例中使用的粘合剂的范例包括明胶、聚こ烯醇(PVA)、聚こ烯基吡咯烷酮(PVP)、诸如淀粉等多糖、纤维素及其衍生物、聚环氧こ烷、聚こ烯胺、壳聚糖、多熔素、聚丙烯酸、聚藻酸、聚透明质酸和羧基纤维素。取决于官能团的离子性，该粘合剂显示中性、阴离子性或阳离子性。在此实施例中，不特别地限制银盐乳剂层中的粘合剂的量，而可以适当地选择以获得足够的分散和粘合性质。银盐乳剂层中的银/粘合剂的体积比优选为1/4或更大，更优选为1/2或更大。此外，银/粘合剂体积比优选为100/1或更小，更优选为50/1或更小。特别地，银/粘合剂体积比进ー步优选为1/1至4/1，最优选为1/1至3/1。如果银盐乳剂层的银/粘合剂体积比在此范围内，则即使在各种施加的银量的情况下，也能够减小电阻变化。从而，能够制造具有均匀的表面电阻的第一触控面板导电片50A或第二触控面板导电片50B。通过将材料的卤化银/粘合剂重量比转换为银/粘合剂重量比，并且通过进一歩将银/粘合剂重量比转换为银/粘合剂体积比，能够获得银/粘合剂体积比。〈溶剤〉不特别地限制用于形成银盐乳剂层的溶剤，其范例包括水、有机溶剂(例如，诸如甲醇的醇类，诸如丙酮的酮类，诸如甲酰胺的酰胺，诸如ニ甲基亚砜的亚砜，诸如こ酸こ酯的酷，醚)、离子液体及其混合物。在此实施例中，溶剂与银盐乳剂层中的银盐、粘合剂等的总和的质量比是30%至90%，优选的质量比是50%至80%。〈其它添加剤〉不特别地限制用于此实施例中的添加剂，并且可以优选地选自己知的添加剂。[其它层]保护层(未示出)可以形成在银盐乳剂层上。此实施例中使用的保护层包含诸如明胶或高分子聚合物等粘合剤，并且设置在光敏银盐乳剂层上，以改善刮擦防护或机械性质。保护层的厚度优选地为O.5μπι或更小。不特别地限制施加或形成保护层的方法，并且可以从已知的施加或形成方法中适当地选择施加或形成保护层的方法。另外，底涂层(undercoatlayer)等可以形成在银盐乳剂层下。以下将描述用于制造第一导电片IOA或第二导电片IOB的步骤。[曝光]在此实施例中，可以在印刷工艺中形成第一导电图案22A和第二导电图案22B，并且它们可以由其它エ艺中的曝光和显影处理等形成。从而，使具有第一透明基底12A和第ニ透明基底12B以及其上的包含银盐的层的光敏材料或涂覆有用于光刻的光敏聚合物的光敏材料经受曝光处理。电磁波可以用于曝光中。例如，电磁波可以是诸如可见光或紫外光等的光，或诸如X射线等的辐射光线。可以使用具有波长分布或特定波长的光源来进行曝光。[显影处理]在此实施例中，在曝光后使乳剂层经受显影处理。本发明中可以使用用于摄影银盐膜、摄影纸、印刷雕版膜、用于光掩膜的乳剂掩膜等的通常显影处理技木。不特别地限制显影处理中使用的显影剂，其可以是PQ显影剂、MQ显影剂、MAA显影剂等。本发明中可使用的市场上可获得的显影剂的范例包括可从富士胶片公司获得的CN-16、CR-56、CP45X、FD-3和PAPITOL;可从伊士曼柯达公司获得的C-41、E_6、RA_4、D-19和D-72;及其套件中所包含的显影剂。显影剂可以是高反差(Iith)显影剂。在本发明中，显影エ艺可以包括用于去除未曝光区中的银盐以稳定材料的定影处理。本发明中可以使用用于摄影银盐膜、摄影纸、印刷雕刻膜、用于光掩膜的乳剂掩膜等的定影处理技木。在定影处理中，定影温度优选地为约20°C至50°C，更优选地为25°C至45°C。定影时间优选地为5秒至I分钟，更优选地为7至50秒。每Im2的处理的光敏材料所用的定影剂的量优选地为600ml/m2或更少，更优选地为500ml/m2或更少，特别优选地为300ml/m2或更少。优选地对经显影和定影的光敏材料进行水洗处理或稳定化处理。在水洗或稳定化处理中，每Im2的光敏材料所使用的水量通常为20L或更少，并且可以是3L或更少。水量可以是0，并且从而可以利用存储的水冲洗光敏材料。显影后曝光区中所包含的金属银与曝光前该区中所包含的银的质量比优选地为50%或更大，更优选地为80%或更大。在质量比为50%或更大的情况下，能够实现高电导率。在此实施例中，通过显影获得的色调(灰度)优选地大于4.0，但是不对此进行特别限制。在显影后的色调大于4.O的情况下，能够提高导电金属部分的电导率，同时保持光透射部分的高透射性。例如，通过掺杂铑或铱离子，能够获得4.O或更高的色调。通过以上步骤获得了导电片。得到的导电片的表面电阻的范围优选地为O.I至100ohm/sq。下限优选地为lohm/sq,或更优选地为10ohm/sq。上限优选地为70ohm/sq,或更优选地为50ohm/Sq。显影处理后，可以使导电片经受压延(calender)处理，以获得期望的表面电阻。[物理显影处理和镀覆处理]在此实施例中，为了提高通过以上曝光和显影处理形成的金属银部分的电导率，可以通过物理显影处理和/或镀覆处理将导电金属颗粒沉积于其上。在本发明中，通过仅进行物理显影和镀覆处理之ー或通过上述处理的组合而将导电金属颗粒沉积于金属银部分上。以此方式经受了物理显影处理和/或镀覆处理的金属银部分也称作导电金属部分。在此实施例中，物理显影是诸如银离子的金属离子被还原剂还原，金属颗粒由此沉积于金属或金属化合物核上的エ艺。这种物理显影已经用于即显黑白胶片(B&Wfilm)、即显幻灯片、印刷板产品等的领域中，并且该技术能够用于本发明中。可以在曝光后与以上显影处理同时进行物理显影，还可以在显影处理后分开进行该物理显影。在此实施例中，镀覆处理可以包括无电镀覆(诸如化学还原镀覆或置换镀覆)、电解镀覆或其组合。此实施例中可以使用用于印刷电路板等的已知的无电镀覆技木。无电镀覆优选地为无电铜镀覆。[氧化处理]在此实施例中，优选地使通过显影处理形成的金属银部分以及通过物理显影处理和/或镀覆处理形成的导电金属部分经受氧化处理。例如，通过氧化处理，能够去除沉积于光透射部分上的少量金属，使得能够将光透射部分的透光率増加至大约100%。[导电金属部分]在此实施例中，导电金属部分的线宽(细金属线的线宽)的下限优选地为Iym或更大、3μm或更大、4μm或更大、或者5μm或更大,且其上限优选地为15μm、10μm或更小、9μm或更小、或者8μm或更小。线距优选地为30至500μm,更优选地为50至400μm，最优选地为100至350μm。为了接地连接等目的，导电金属部分可以具有线宽大于200μm的部分。在此实施例中，考虑到可见光透射率，导电金属部分的开ロ率优选地为85%或更大，更优选地为90%或更大，最优选地为95%或更大。开ロ率为除包括第一大格子14A、第一连接部16A、第二大格子14B、第二连接部16B以及小格子18的导电部分以外的光透射部分与整体的比率。例如，线宽15μm且间距300μm的正方形格子的开ロ率为90%。[光透射部分]在此实施例中，光透射部分是第一导电片IOA和第二导电片IOB中具有光透射率的部分，而不是导电金属的部分。如上所述，光透射部分的透射率为90%或更大，优选地为95%或更大，更优选地为97%或更大，进ー步优选地为98%或更大，最优选地为99%或更大，在这里，光透射部分的透射率为忽略第一透明基底12A和第二透明基底12B的光吸收和反射而获得的380至780nm的波长范围内的最小透射率值。优选地使用玻璃掩膜方法或激光光刻曝光方法来进行曝光。[第一导电片IOA和第二导电片10B]在此实施例的第一导电片IOA和第二导电片IOB中，第一透明基底12A和第二透明基底12B的厚度优选地为5至350μm,更优选地为30至150μm。在厚度为5至350μm的情况下，能够获得期望的可见光透射率，并且能够容易地处理基底。通过控制施加至基底的包含银盐的层的涂层液体的厚度，可以适当地选择形成于第一透明基底12A和第二透明基底12B上的金属银部分的厚度。金属银部分的厚度可以在O.001至O.2mm的范围内选择,并且优选地为30μm或更小,更优选地为20μm或更小,进ー步优选地为O.01至9μm，最优选地为O.05至5μm。金属银部分优选地形成为图案化的形状。金属银部分可以具有单层结构或包含两层或更多层的多层结构。在金属银部分具有包含两层或更多层的图案化的多层结构的情况下，该层可以具有不同的波长颜色敏感度。在此情况下，通过使用具有不同波长的曝光光，能够在所述层中形成不同图案。为了在触控面板中使用，导电金属部分优选地具有较小的厚度。随着厚度减薄，改善了显示面板的视角和可见性。从而，导电金属部分上的导电金属层的厚度优选地小于9μm，更优选地大于或等于O.Iμm且小于5μm,进ー步优选地大于或等于O.Iμm且小于3μm0在此实施例中，通过改变包含银盐的层的涂覆厚度，能够控制金属银部分的厚度，并且能够在物理显影处理和/或镀覆处理中控制导电金属颗粒层的厚度，由此能够容易地制造厚度小于5μηι(优选地小于3μηι)的第一导电片IOA和第二导电片10Β。在用于制造此实施例的第一导电片IOA和第二导电片IOB的方法中不必要进行镀覆等。这是因为在此方法中能够通过控制所施加的银量和银盐乳剂层的银/粘合剂体积比来获得期望的表面电阻。如果必要的话，可以进行压延处理等。(显影处理后的坚膜处理)优选地，在对银盐乳剂层进行显影后，将产物浸于硬化剂中，并且从而使其经受坚膜处理。硬化剂的范例包括在日本特开专利No.02-141279中描述的硼酸、2，3-ニ羟基-1，4-ニ氧六环以及诸如戊ニ醛、己ニ醛等的ニ醛。可以适当地将本发明与表I和2中所示的以下专利公开和国际专利単行本(pamphlet)中所描述的技术结合。省略了“日本特开专利”、“公开No.”、“単行本No.”等。表I2004-2215642004-2215652007-200922.2006-3520732007-1292052007-2351152007-2079872006-0129352006-0107952006-2284692006-3324592009-211532007-2262152006-2613152007-0721712007-1022002006-2284732006-2697952006-2697952006-3242032006-2284782006-2288362007-0093262006-3360902006-3360992006-3483512007-2703212007-2703222007-2013782007-3357292007-1344392007-1497602007-2081332007-1789152007-3343252007-3100912007-1161372007-0882192007-2078832007-0131302005-3025082008-2187842008-2273502008-2273512008-2440672008-2678142008-2704052008-2776752008-2776762008-2828402008-2830292008-2883052008-2884192008-3007202008-3007212009-42132009-100012009-165262009-213342009-269332008-1475072008-1597702008-1597712008-1715682008-1983882008-2180962008-2182642008-2249162008-2352242008-2354672008-241987I2008-251274J2008-251275[_2008-252046I2008-277428表22006/0014612006/0880592006/0983332006/0983362006/0983382006/098335I2006/098334^_2007/001008__范例以下将參照范例更具体地描述本发明。在不脱离本发明的范围的情况下，可以适当地改变范例中使用的材料、数量、比率、处理内容、处理过程等。因此以下具体范例在其所有方面应视为示例性的而非限制性的。(光敏卤化银材料)制备了包含水介质、明胶、以及氯溴碘化银(silveriodobromochloride)颗粒的乳剤。明胶的量为每150g的Ag10.(^，并且氯溴碘化银颗粒具有0.211101%的1含量、40mol%的Br含量以及O.Iμm的平均球等效直径。将K3Rh2Br9和K2IrCl6添加至浓度为10_7mOl/mOl银的乳剤，以在溴化银颗粒中掺杂Rh和Ir离子。进ー步将Na2PdCl4添加至乳剂中，并且使用氯金酸和硫代硫酸钠来使所得到的乳剂经受金硫增感(gold-sulfursensitization)。将乳剂和明胶坚膜剂施加至第一透明基底12A和第二透明基底12B(两者都由聚对苯ニ甲酸こニ醇酯(PET)构成)中的每ー个上，使得所施加的银的量为10g/m2。Ag/明胶体积比为2/1。PET支撑体的宽度为30cm，并且乳剂施加到其中的25cm的宽度和20m的长度上。切掉PET支撑体的宽度为3cm的两个末端部分，以获得宽度为24cm的滚轧(roll)光敏卤化银材料。(曝光)对第一透明基底12A的A4(210mmX297mm)尺寸的区域以图I和3中所示的第一导电片10A的图案进行曝光，并且对第二透明基底12B的A4尺寸区域以图3和5中所示的第二导电片10B的图案进行曝光。小格子18的排列间距为Ps为200μm,且中等格子20的排列间距Pm为2XPs。小格子18的导电部分的厚度为2μπι且宽度为10μm。使用来自高压汞灯光源的平行光以及如上所述的图案化的光掩模来进行曝光。(显影处理)IL显影剂的配制氢醌20g亚硫酸钠50g碳酸钾40g乙ニ胺四こ酸2g溴化钾3g聚乙醇2000Ig氢氧化钾4gpH控制在10.3IL定影剂的配制硫代硫酸铵溶液(75%)300ml亚硫酸铵一水合物25g1,3-ニ氨基丙烷四乙酸8g乙酸5g氨水(27%)IgpH控制在6.2在以下条件下使用富士胶片公司制造的自动处理器FG-710PTS，利用以上处理剂处理经曝光的光敏材料。在35°C进行显影处理30秒，在34°C进行定影处理23秒，然后以5L/min的水流速率进行水洗处理20秒。[评估](表面电阻测量)在第一导电片IOA和第二导电片IOB的每ー个中，利用直列式(in-line)四探针方法(ASP)，通过DiaInstrumentsCo.,Ltd.制造的LORESTAGP(型号No.MCP-T610)来测量任选的10个区域的表面电阻率值，并且获得测量值的均值以评估表面电阻率的均匀性。(可见性评估)将第一导电片IOA和第二导电片IOB附着在一起构成触控面板导电片50。用裸眼观察是否形成了加粗线或黑点。(评估結果)第一导电片IOA和第二导电片IOB的表面电阻均为5ohm/sq。发现第一导电片IOA和第二导电片IOB完全可适用于具有A4尺寸的投影式电容触控面板。触控面板导电片50没有确认的加粗线和黑点，且具有良好的可见性。应当理解，本发明的导电片、导电片使用方法以及触控面板不限于以上实施例，并且可以在不脱离本发明的范围的情况下，在其中做出各种改变和修改。权利要求1.一种导电片，包括两个或更多个形成在基底(12A)上的导电的大格子(14A)，其中所述大格子(14A)均包含两个或更多个小格子(18)的组合，所述大格子(14A)均具有互相面对的边，且所述边的形状是交替的。2.根据权利要求I所述的导电片，其中每一个所述大格子(14A)的所述边具有矩形波形状，在所述矩形波形状中排列有两个或更多个矩形形状，并且每一个所述大格子(14A)的所述边中的一条边面对另一条边，并且所述另一条边具有面对所述一条边的矩形突出部分的非突出部分以及面对所述一条边的非突出部分的矩形突出部分。3.根据权利要求2所述的导电片，其中，每一个所述大格子(14A)的所述边的所述矩形形状包括所述小格子(18)。4.根据权利要求I所述的导电片，其中连接部(16A)形成在所述基底(12A)上，并且电连接相邻的所述大格子(14A)，两个或更多个所述大格子(14A)排列在一个方向上，其间设置有所述连接部(16A)。5.根据权利要求4所述的导电片，其中两个或更多个所述大格子(14A)排列在第一方向上，其间设置有所述连接部(16A)，以形成导电图案(22A)，两个或更多个所述导电图案(22A)排列在垂直于所述第一方向的第二方向上，并且电隔离的绝缘部(24A)设置在相邻的所述导电图案(22A)之间。6.一种导电片，包括基底(12A)，其中两个或更多个导电的第一大格子(14A)形成在所述基底(12A)的一个主表面上，两个或更多个导电的第二大格子(14B)形成在所述基底(12A)的另一主表面上，所述第一大格子(14A)和所述第二大格子(14B)均包含两个或更多个小格子(18)的组合，并且所述第一大格子(14A)和所述第二大格子(14B)均具有互相面对的边，且所述边的形状是交替的。7.根据权利要求6所述的导电片，其中所述第一大格子(14A)和所述第二大格子(14B)中的每一个大格子的所述边具有矩形波形状，在所述矩形波形状中排列有两个或更多个矩形形状，并且所述第一大格子(14A)和所述第二大格子(14B)中的每一个大格子的所述边中的一条边面对另一条边，并且所述另一条边具有面对所述一条边的矩形突出部分的非突出部分以及面对所述一条边的非突出部分的矩形突出部分。8.根据权利要求6所述的导电片，其中，所述第一大格子(14A)和所述第二大格子(14B)中的每一个大格子的所述边的所述矩形形状包括所述小格子(18)。9.根据权利要求6所述的导电片，其中第一连接部(16A)形成在所述基底(12A)的所述一个主表面上，并且电连接相邻的所述第一大格子(14A),第二连接部(16B)形成在所述基底(12A)的所述另一主表面上，并且电连接相邻的所述第二大格子(14B)，两个或更多个所述第一大格子(14A)排列在第一方向上，其间设置有所述第一连接部(16A)，以形成第一导电图案(22A)，两个或更多个所述第二大格子(14B)排列在垂直于所述第一方向的第二方向上，且其间设置有所述第二连接部(16B)以形成第二导电图案(22B)，两个或更多个所述第一导电图案(22A)排列在所述第二方向上，两个或更多个所述第二导电图案(22B)排列在所述第一方向上，电隔离的第一绝缘部(24A)设置在相邻的所述第一导电图案(22A)之间，电隔离的第二绝缘部(24B)设置在相邻的所述第二导电图案(22B)之间，所述第一连接部(16A)和所述第二连接部(16B)排列为互相面对，其间具有所述基底(12A)，并且所述第一绝缘部(24A)和所述第二绝缘部(24B)排列为互相面对，其间具有所述基底(12A)。10.一种导电片，包括基底(12A)，其中两个或更多个导电的第一大格子(14A)形成在所述基底(12A)的一个主表面上，两个或更多个导电的第二大格子(14B)形成在所述基底(12A)的另一主表面上，所述第一大格子(14A)和所述第二大格子(14B)均包含两个或更多个小格子(18)的组合，并且所述第一大格子(14A)的一条边和所述第二大格子(14B)的一条边互相面对，且所述边的形状是交替的。11.根据权利要求10所述的导电片，其中所述第一大格子(14A)和所述第二大格子(14B)中的每一个大格子的所述边具有矩形波形状，在所述矩形波形状中排列有两个或更多个矩形形状，并且每一个所述第一大格子(14A)的所述边中的一条边面对每一个所述第二大格子(14B)的所述边中的一条边，并且每一个所述第二大格子(14B)的所述边中的所述一条边具有面对每一个所述第一大格子(14A)的所述边中的所述一条边的矩形突出部分的非突出部分以及面对每一个所述第一大格子(14A)的所述边中的所述一条边的非突出部分的矩形突出部分。12.根据权利要求11所述的导电片，其中，所述第一大格子(14A)和所述第二大格子(14B)中的每一个大格子的所述边的所述矩形形状包括所述小格子(18)。13.根据权利要求10所述的导电片，其中第一连接部(16A)形成在所述基底(12A)的所述一个主表面上，并且电连接相邻的所述第一大格子(14A),第二连接部(16B)形成在所述基底(12A)的所述另一主表面上，并且电连接相邻的所述第二大格子(14B)，两个或更多个所述第一大格子(14A)排列在第一方向上，其间设置有所述第一连接部(16A)，以形成第一导电图案(22A)，两个或更多个所述第二大格子(14B)排列在垂直于所述第一方向的第二方向上，其间设置有所述第二连接部(16B)，以形成第二导电图案(22B)，两个或更多个所述第一导电图案(22A)排列在所述第二方向上，两个或更多个所述第二导电图案(22B)排列在所述第一方向上，电隔离的第一绝缘部(24A)设置在相邻的所述第一导电图案(22A)之间，电隔离的第二绝缘部(24B)设置在相邻的所述第二导电图案(22B)之间，所述第一连接部(16A)和所述第二连接部(16B)排列为互相面对，其间具有所述基底(12A)，并且所述第一绝缘部(24A)和所述第二绝缘部(24B)排列为互相面对，其间具有所述基底(12A)。14.根据权利要求I所述的导电片，其中，所述小格子(18)具有多边形形状。15.根据权利要求14所述的导电片，其中，所述小格子(18)具有正方形形状。16.一种使用导电片的方法，包括使用第一导电片(IOA)和第二导电片(10B)，其中所述第一导电片(10A)包括两个或更多个导电的第一大格子(14A)，所述第一大格子(14A)均包含两个或更多个小格子(18)的组合，所述第二导电片(10B)包括两个或更多个导电的第二大格子(14B)，所述第二导电片(IOB)均包含两个或更多个小格子(18)的组合，所述第一大格子(14A)和所述第二大格子(14B)均具有相互面对的边，所述边的形状是交替的，并且组合所述第一导电片(10A)和所述第二导电片(10B)，从而邻近所述第一大格子(14A)设置所述第二大格子(14B)，并且所述第一大格子(14A)的一条边和所述第二大格子(14B)的一条边组合形成所述小格子(18)的排列。17.—种电容触控面板,包括根据权利要求6所述的导电片。全文摘要本发明公开了一种导电片、一种导电片的使用方法以及一种电容型触控面板。对于第一导电片(10A)，两个或更多个导电的第一大格子(14A)形成在第一透明基底(12A)上，其中每个第一大格子(14A)均通过组合两个或更多个小格子(18)构成，并且交替地形成每个第一大格子(14A)的相对的边的形状。例如，交替地产生第一大格子(14A)的第一边部分(28a)的矩形波形状和面对第一边部分(28a)的第四边部分(28d)的矩形波形状，并且交替地产生第一大格子(14A)的第二边部分(28b)的矩形波形状和面对第二边部分(28b)的第三边部分(28c)的矩形波形状。文档编号G06F3/044GK102667680SQ201080053150公开日2012年9月12日申请日期2010年11月24日优先权日2009年11月24日发明者栗城匡志申请人:富士胶片株式会社