专利名称：一种单层ito的布线结构的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种ITO的布线结构，尤其是指一种单层ITO的布线结构。
背景技术：
所谓ITO (铟锡氧化物)是一种用于生产液晶显示器的关键材料，目前，其在仪器仪表、计算机、电子表、游戏机和家用电器等领域都有了极为广泛的应用。近年来市场上大热的电容式触摸屏也是利用ITO来完成侦测触摸的动作，而电容触摸屏上ITO的布线一般是双层，其主要原理是利用人体电场，当使用者触摸时，表面行或列的交叉处感应单元的互电容(也称耦合电容)会有变化，根据上述变化最终可检测出触摸点的具体位置。常见的双层ITO的结构是菱形结构，其双层ITO分别布设在玻璃基板的同侧面上， 为了避免电极之间的相互导通，所以需要在玻璃基板上设置桥接点，这样就可将双层ITO 布设在玻璃基板的同一侧面上。虽然上述方法实现了侦测触摸的动作，但是这种采用双层 ITO的触摸屏结构，不但工艺复杂，而且桥接处容易损坏，产品良率低，导致成本升高。为了克服上述缺点，部分厂商将ITO的结构设置成矩形，然后双面设置在玻璃基板的两层，如此以来，工艺的确的简单了很多，而且提高了产品良率，但是仍旧采用的是双层ITO的布线结构，ITO本身成本就较高，再加上双层的结构，使由此形成触摸屏的厚度也就增加了。如果能够克服双层ITO布图结构带来的局限性，所以无论是从成本上还是触摸屏的结构上考虑， 单层ITO均具有更多优势。因此需要为广大用户提供一种更加简便的ITO的布线结构来解决以上问题。
发明内容
本发明实际所要解决的技术问题是如何提供一种工艺简单，成本低廉的单层ITO 的布线结构。为了实现本发明的上述目的，本发明提供了一种单层ITO的布线结构，由多个正、 负触控电极组成，所述正负触控电极相互交错排列，所述单层ITO中间部分的触控电极与边缘部分的触控电极结构分布不均勻。本发明所述的单层ITO的布线结构，相对双层ITO的布线而言，制造工艺更加简单，所以成本低廉，再者，由单层ITO组成的触摸屏厚度较薄，对于形成的触摸屏有较好的线性度。
图1是根据本发明所述单层ITO布线的第一种实施例； 图2是根据本发明所述单层ITO布线的第二种实施例。
具体实施例方式下面结合附图和实施例对本发明作进一步的说明。
请参考图1所示，本发明涉及单层ITO的布线结构，所述ITO层1由多个触控电极 10组成，所述触控电极10具有两个触控电极11和12，其中，所述两个触控电极11和12 — 个是正极，一个是负极。所述触控电极11与所述触控电极12相向排列，且一个方向上的电极分别布设于另一个方向电极之间的空隙区域。所述正、负触控电极11和12的面积呈递变趋势，若一个触控电极呈递增趋势，那么另一个触控电极则呈递减趋势。所述单层ITO 1 被分为三部分，即上、下边缘部分和中间部分，且所述单层ITO 1中间部分的触控电极与边缘部分的触控电极结构分布不均勻，即所述边缘部分的触控电极比中间部分的触控电极结构稀疏。所述多个触控电极11和12被分为两组，第一组包括多个正触控电极11，第二组包括多个负触控电极12，上述两组电极经导线分别连接到触控芯片2的相应引脚上。所述图1中单层ITO 1中的边缘部分的正触控电极111和负触控电极121均由一个三角形组成，而中间部分的正触控电极112和负触控电极122均由两个三角形组成。其中，边缘部分的正触控电极111和负触控电极121面积相等，中间部分的正触控电极112和负触控电极122面积也相等。所述正触控电极11和负触控电极12交错排列，且各个触控电极最终通过导线连接到触控芯片2的相应引脚上。所述图2中单层ITO 1中的边缘部分的正、负触控电极11和12均由两个三角形组成，而中间部分的正触控电极11和负触控电极12均由三个三角形组成，整个单层ITO布局结构呈锯齿状。其中，边缘部分的正触控电极11和负触控电极12面积相等，中间部分的正触控电极11和负触控电极12面积也相等。所述正触控电极11与所述负触控电极12交错排列，此时第一组的触控电极由具有双三角形的正电极111和具有三个三角形的正电极 112组成，第二组的触控电极由具有双三角形的负电极121和具有三个三角形的负电极122 组成。由于本发明所述的单层ITO 1的布局结构中，中间部分的结构布局较紧，而上、下两边缘部分的结构布局较松，所以有利用解决边缘处理的问题，而且功能上相互匹配性能好； 再者，采用上述结构的单层ΙΤ0，由于每个电极均由若干个三角形组成，所以得出的数据较多，易于处理，对于形成的触摸屏有较好的线性度。上述详细论述了混合组成的三角形对于单层ITO 1的布图结构，不限于上述混合的形式，而且不单是三角形形成的触控电极具有上述布局结构，其它形状如梯形、弧形一样可以设计成上述布局结构，由于原理相同，不一一论述，但均应列入本发明的保护范围之中。
权利要求
1.一种单层ITO的布线结构，由多个正、负触控电极组成，所述正负触控电极相互交错排列，其特征在于所述单层ITO中间部分的触控电极与边缘部分的触控电极结构分布不均勻。
2.如权利要求1所述的布线结构，其特征在于所述边缘部分的触控电极比中间部分的触控电极结构稀疏。
3.如权利要求1或2所述的布线结构，其特征在于所述单层ITO中间部分的触控电极由两个三角形组成，边缘部分的触控电极由一个三角形组成。
4.如权利要求1或2所述的布线结构，其特征在于所述单层ITO中间部分的触控电极由三个三角形组成，边缘部分的触控电极由二个三角形组成。
5.如权利要求1所述的布线结构，其特征在于所述正负触控电极的面积均呈递变趋势。
6.如权利要求1所述的布线结构，其特征在于所述正负电极的面积一个呈递增趋势， 另一个则呈递减趋势。
7.如权利要求1所述的布线结构，其特征在于所述单层ITO中间部分及边缘部分的正、负触控电极面积分别相等。
8.如权利要求1所述的布线结构，其特征在于所述单层ITO整体呈锯齿状。
9.如权利要求1所述的布线结构，其特征在于所述正触控电极与负触控电极均通过导线连接到触控芯片的相应引脚上。
10.如权利要求1所述的布线结构，其特征在于所述正负触控电极也可由梯形或弧形组成。
全文摘要
本发明涉及一种单层ITO的布线结构，由多个正、负触控电极组成，所述正负触控电极相互交错排列，所述单层ITO中间部分的触控电极与边缘部分的触控电极结构分布不均匀。本发明所述的单层ITO的布线结构，相对双层ITO的布线而言，制造工艺更加简单，所以成本低廉，再者，由单层ITO组成的触摸屏厚度较薄，对于形成的触摸屏有较好的线性度。
文档编号G06F3/041GK102331875SQ201110171420
公开日2012年1月25日 申请日期2011年6月24日 优先权日2011年6月24日
发明者李海, 蔡立达, 金莉, 陈奇 申请人:苏州瀚瑞微电子有限公司