专利名称：一种天线隐藏型非接触智能卡的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及非接触智能卡领域，具体涉及一种天线隐藏型非接触智能卡，可制作成透明的非接触智能卡，以掩饰射频天线的存在，使产品更美观。
背景技术：
射频通信技术日趋成熟，已经成为我们生活中不可或缺的一部分。无线射频通信技术的应用在当今的社会已经普遍使用，以射频通信技术为基础的非接触智能卡的大量应用，使人们的生活更为便利，让社会发展前进了一大步。高频频段近场支付方式，已经在交通、门禁、物流、身份管理等诸多领域大范围应用，超高频段的物流非接触智能卡也已大量应用于各种物流的管理流程中。交通一卡通、门禁卡、物品和商品标签，中国二代身份怔等，大量应用的事实证明新技术的便利性及可行性已经确立。同时，超高频(UHF)的无源非接触智能卡也在远距离读卡应用中得到了突破，特别是基于GEN2标准(IS018000-6C的标准)的无源非接触智能卡，实现了 10米左右的读写距离，使廉价的无源远距离读写和物流方面的应用成为可能。虽然近距离射频通信技术已经非常成熟，但是不管是低频、高频或者超高频的非接触智能卡产品中不可或缺的部件射频天线却由于其物理特性的原因，受到尺寸和通信模式的限制，射频天线在整个电路中占据绝大部分的空间尺寸，而目前用于制作天线所采用的材料为铜、铝、银浆、碳浆等材料。采用这些材料所制作的天线具有可视的形状，在某些需要保证外观效果的非接触智能卡应用上，无法达到完美的程度。为了掩盖非接触智能卡的天线图形对产品应用的影响，经常会采用以天线图形匹配产品的设计理念，但这种做法对设计者提出了很高的要求，结果往往也很难达到理想的程度，对使用产生影响。在需要对非接触智能卡的产品设计进行保密的情况下，采用普通天线方式很容易被竞争对手察觉并进行仿制，从而威胁到自己的业务。本实用新型为了解决非接触智能卡的美观性和保密性应用的缺陷，提出了全新的解决方案，使非接触智能卡的射频天线做到透明或半透明的形式。从而在一些需要保持卡体外观效果的情况下，隐藏型射频天线以其透明或半透明的特点，不影响到卡体本身的外观，不影响用户的使用。对于需要保密的非接触智能卡设计技术，采用本实用新型的天线隐藏型非接触智能卡技术，让竞争对手不易察觉，从而保护到自身的技术。
实用新型内容本实用新型针对上述问题，在非接触智能卡的设计和生产中提出了隐型天线技术 的概念。这种应用方式需要采用特殊的氧化物导电膜(IT0)，如氧化铟锡(In2O3和Sn2O3的化合物)。在氧化物导电膜中，以掺Sn的In203 (ITO)膜的透过率最高和导电性能最好，而且容易在酸液中蚀刻出细微的图形，其中透光率达90%以上。ITO中其透光率和阻值分别由In2O3与Sn2O3之比例来控制，通常In2O3: Sn203=9: I。这种导电材料具有较小的阻抗，最重要的是具有透明的独特优点，根据混合比率的不同，可制作成全透明或半透明的氧化物导电膜，将导电膜涂布于绝缘基材上，再涂布一层感光膜，通过曝光工艺将需要制作的天线图形显影出来，再通过蚀刻工艺将不需要的导电材料去除，经清洗后形成隐藏型天线。通过安装芯片并制成标准卡后，即成为本实用新型的天线隐藏型非接触智能卡。为了达到上述目的，本实用新型采用如下的技术方案
一种天线隐藏型非接触智能卡，其特征在于，包括由透明或半透明的导电材料组成的射频天线、绝缘基材和非接触智能卡芯片；所述的射频天线设置在绝缘基材的表面，所述的非接触智能卡芯片的焊盘通过导电剂和射频天线的输入端连接。一种天线隐藏型非接触智能卡，其特征在于，包括由透明或半透明的导电材料组成的射频天线、绝缘基材、非接触智能卡芯片和卡基；所述的射频天线设置在绝缘基材的表面，所述的非接触智能卡芯片的焊盘通过导电剂和射频天线的输入端连接。进一步的,所述的一种天线隐藏型非接触智能卡,其特征在于,导电材料是透明或半透明的。再进一步,所述的一种天线隐藏型非接触智能卡,其特征在于,导电材料的主要成分是氧化铟和氧化锡，氧化铟和氧化锡的混合物设置在绝缘基材表面。再进一步,所述的一种天线隐藏型非接触智能卡，其特征在于，导电薄膜层是单层、双层或者多层的结构，导电薄膜的单位面积直流阻抗为0. 1-300欧姆。再进一步，所述的一种天线隐藏型非接触智能卡，其特征在于，射频天线的图形通过涂布感光材料、曝光、蚀刻、清洗等的过程来实现，芯片通过倒封装焊接或者导电胶焊接和射频天线连接。再进一步，所述的一种天线隐藏型非接触智能卡，其特征在于，绝缘基材为透明或者非透明的柔性的聚酰亚胺(PI)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)或纸质基材。再进一步，所述的一种天线隐藏型非接触智能卡，其特征在于，卡基为透明的丙烯腈、丁二烯和苯乙烯的三元共聚物(ABS)或聚乙烯化合物(PVC)材质，通过层压工艺将天线、绝缘基材和芯片包封起来。根据上述技术方案形成的一种天线隐藏形非接触智能卡，使射频天线做到透明或半透明的形式。从而在一些需要保持物体外观效果的情况下，天线隐藏型非接触智能卡以其透明或半透明的特点，不影响到物体本身的外观。对于需要保密的非接触智能卡设计技术，采用本实用新型的天线隐藏型非接触智能卡，让竞争对手不易察觉，从而保护到自身的技术。
以下结合附图和具体实施方式
来进一步说明本实用新型。
图1为本实用新型天线隐藏型非接触智能卡的超高频非接触智能卡示意图。图2为本实用新型天线隐藏型非接触智能卡的高频非接触智能卡示意图。图3为本实用新型天线隐藏型非接触智能卡的剖面示意图。
具体实施方式
为了使本实用新型实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体图示，进一步阐述本实用新型。[0022]本实用新型的目的是通过特殊的导电材料，如氧化铟锡，这种导电材料具有较小的阻抗，最重要的是具有透明的独特优点，根据混合比率的不同，可制作成全透明或半透明的导电膜，将导电膜涂布于绝缘基材上，再涂布一层感光膜，通过曝光工艺将需要制作的天线图形显影出来，再通过蚀刻工艺将不需要的导电材料去除，经清洗后的天线为隐型天线。将芯片采用倒封装形式或者导电剂连接，将芯片的焊盘和天线信号输入点连接起来，再将卡基通过层压工艺将天线、绝缘基材和芯片包封起来，即形成本实用新型的天线隐藏型非接触智能卡。超高频频段的非接触智能卡，其通信频率在900MHz左右，射频天线为极化型天线，如图I所示，通过蚀刻工艺在绝缘基材I的表面形成射频天线图形2，在图形的中心具有连接输入信号的天线信号输入点5和6。芯片8采用倒封装形式，以导电剂将芯片的焊盘和天线信号输入点5和6连接起来，组成超高频射频天线图形的材料是透明导电材料；绝缘基材I也是透明的薄膜材料，因此，完成的产品除了微型裸芯片8之外是完全透明的。如图3所示，由透明的透明导电材料组成的射频天线2附着在透明的绝缘基材I的表面；再将卡基9通过层压工艺将天线2、绝缘基材I和芯片8包封起来，即完成本实用新型的天线隐藏·型非接触智能卡。高频频段的非接触智能卡，其通信频率在13. 56MHz，射频天线为多圈电感型天线，如图2所示，通过蚀刻工艺在绝缘基材I的表面形成多圈射频天线图形2，在图形的中心末端线路通过跳线4将引线延伸到线圈外面，以天线信号输入点5为端点结束；图形的外部线路以天线信号输入点6为端点结束。芯片8采用倒封装形式，以导电剂将芯片的焊盘和天线信号输入点5和6连接起来。跳线4是透明导电材料经印刷方式跨过线圈，中间以透明绝缘材料隔绝，组成高频射频天线图形的材料是透明导电材料；绝缘基材I也是透明的薄膜材料，因此，除了微型裸芯片8，完成的产品是完全透明的。如图3所示，由透明的透明导电材料组成的射频天线2附着在透明的绝缘基材I的表面；再将卡基9通过层压工艺将天线2、绝缘基材I和芯片8包封起来，即完成本实用新型的天线隐藏型非接触智能卡。上述一种天线隐藏型非接触智能卡也适合设计成何频段的非接触智能卡产品中。综上所述，仅为本实用新型的具体实施方式
，但本实用新型的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。
权利要求1.一种天线隐藏型非接触智能卡，其特征在于，包括由透明或半透明的导电材料组成的射频天线、绝缘基材、非接触智能卡芯片和卡基；所述的射频天线设置在绝缘基材的表面，所述的电子标签芯片的焊盘通过导电剂和射频天线的输入端连接。
2.根据权利要求I所述的一种天线隐藏型非接触智能卡，其特征在于，导电材料是透明或半透明的。
3.根据权利要求I所述的一种天线隐藏型非接触智能卡，其特征在于，导电薄膜层是单层、双层或者多层的结构，导电薄膜的直流方欧阻抗为0. 1-300欧姆。
4.根据权利要求I所述的一种天线隐藏型非接触智能卡，其特征在于，射频天线的图形通过涂布感光材料、曝光、蚀刻、清洗等的过程来实现，芯片通过倒封装焊接或者导电胶焊接和射频天线连接。
5.根据权利要求I所述的一种天线隐藏型非接触智能卡，其特征在于，绝缘基材为透明或者非透明的柔性的聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯或纸质基材。
6.根据权利要求I所述的一种天线隐藏型非接触智能卡，其特征在于，卡基为透明的ABS或PET材质，通过层压工艺将天线、绝缘基材和芯片包封起来。
专利摘要本实用新型公开了一种天线隐藏型非接触智能卡，由透明或半透明的导电材料组成的射频天线、绝缘基材、非接触智能卡芯片和卡基；射频天线设置在绝缘基材的表面，电子标签芯片的焊盘通过导电剂和射频天线的输入端连接，卡基为透明的ABS或PVC材质，通过层压工艺将天线、绝缘基材和芯片包封起来，形成本实用新型的天线隐藏型非接触智能卡。通过目视不容易甚至无法观察到透明或半透明的天线的存在，具有隐藏性的特点，在某些应用场合更具有美观性的特点。本实用新型的产品可用于各非接触智能卡产品领域应用，使产品更美观。
文档编号G06K19/077GK202422177SQ20112029783
公开日2012年9月5日 申请日期2011年8月17日 优先权日2011年8月17日
发明者杨阳, 陆红梅 申请人:上海祯显电子科技有限公司