使用触点映射对非法装置的识别的制作方法【专利摘要】本发明涉及一种使用触点映射对非法装置的识别，其中，揭露一种方法，包含接收计算设备中的装置布局文件，该装置布局文件定义半导体装置中的多个装置结构。接收铸造厂真值表，该铸造厂真值表指定用于计算设备中的制造程序的有效装置结构。通过使用该计算设备来比较该装置布局文件中的装置结构与该铸造厂真值表中的有效装置结构，以指定该装置布局文件中的装置结构为已支持的装置结构。使用该计算设备来指定未对应至用于该制造程序的有效装置结构的该装置布局文件中的装置结构为未支持的装置。使用该计算设备来产生该未支持装置结构的列表。【专利说明】使用触点映射对非法装置的识别【
技术领域：
】[0001]本发明大致涉及使用触点映射(contactmapping)对非法装置的制造,且尤涉及使用触点映射对非法装置的识别。【
背景技术：
】[0002]在半导体工业中，许多装置设计者将实际装置制造程序委外(outsource)。这些设计者被称为无加工(fab-less)公司。在一些例子中，设计者可将制造程序吩咐给多个制造铸造厂(foundry)。制造半导体装置的铸造厂所面临到的常见问题是确保客户所传送的布局数据库(layoutdatabase)中所包含的装置结构实际上被铸造厂所使用的现今程序所支持。由于不久前程序的改变，对于某些装置结构的支持可能已经结束，然而客户的布局并未根据此事实来更新。此外，在客户处理多于一的铸造厂的情况中，由不同铸造厂的程序所支持的装置结构可能不同。[0003]如果此种布局将要制造，则无功能装置可能起因于不支持装置结构。侦测非法装置结构的标准方法论是使用布局对简图(Layout-vs_Schematic,LVS)软件来比较逻辑设计与布局资料。该LVS检查比较简图网表(schematicnetlist)与布局文件以判定集成电路布局是否对应至设计的原始简图。一般来说，LVS利用等效检查，其在不需要精确等效的情况下检查二电路是否执行精确相同功能。该LVS验证程序识别布局中的绘制图案，其表示该电路的电性组件以及其间的连接。比较已导出的(derived)电性组件与简图网表以识别错误。[0004]然而，因为客户并不揭示简图给铸造厂，所以铸造厂无法对客户的设计执行LVS。此外，如果该客户使用铸造厂做为第二来源供货商，该客户通常不愿意再于第二来源铸造厂执行物理验证，虽然预期第二来源铸造厂的程序与第一来源铸造厂匹配(match)。[0005]本文件的本节是要介绍可能与所揭露的主题及/或权利要求书的各种态样相关的各种技术态样。本节提供背景信息以促进所揭露主题的各种态样的较佳了解。应了解，本文件的本节的描述是要引导阅读，而非现有技术的承认。所揭露的主题是要克服或至少减低上述问题的一或多者的效应。【
发明内容】[0006]为了提供本揭露主题的一些态样的基本了解，以下仅提出本揭露主题的实施例的一些态样的简化概要。该概要不是本揭露主题的详尽概观。并非要识别本揭露主题的重要或关键组件或要描述本揭露主题的范畴。其唯一目的是要以简单形式提出一些概念，以做为稍后讨论的【具体实施方式】的序幕。[0007]本揭露主题的一态样是在用以识别未支持装置结构的方法中看到。该方法包含接收计算设备中的装置布局文件(devicelayoutfile)，该装置布局文件定义半导体装置中的多个装置结构。接收铸造厂真值表(foundrytruthtable),该铸造厂真值表指定用于计算设备中的制造程序的有效装置结构。通过使用该计算设备来比较该装置布局文件中的装置结构与该铸造厂真值表中的有效装置结构，以指定该装置布局文件中的装置结构为已支持的装置结构。使用该计算设备来指定未对应至用于该制造程序的有效装置结构的该装置布局文件中的装置结构为未支持的装置。使用该计算设备来产生该未支持装置结构的列表。[0008]本揭露主题的另一态样是在以指令程序化的非暂时(non-transitory)程序储存装置中看到，其在由计算设备执行时履行一方法。该方法包含:接收计算设备中的装置布局文件，该装置布局文件定义半导体装置中的多个装置结构；接收铸造厂真值表，该铸造厂真值表指定用于计算设备中的制造程序的有效装置结构；通过使用该计算设备来比较该装置布局文件中的装置结构与该铸造厂真值表中的有效装置结构，以指定该装置布局文件中的装置结构为已支持的装置结构；使用该计算设备来指定未对应至用于该制造程序的有效装置结构的该装置布局文件中的装置结构为未支持的装置；以及使用该计算设备来产生该未支持装置结构的列表。【专利附图】【附图说明】[0009]本揭露主题将在下文中参照所附图式来描述，其中，相似的组件符号代表相似的组件，以及:[0010]图1是根据本主题的一态样的用以在半导体装置布局中识别未支持装置结构的说明的计算设备的简易方块图；[0011]图2是由图1的触点映射应用程序所使用的程序的流程图；以及[0012]图3至图7是根据图2的流程图的使用来说明图1的触点映射应用程序的操作的装置布局图。[0013]虽然本揭露主题容许各种修改与替代形式，但是其具体实施例已经以图式中的例子方式来显示且在此详细描述。然而，应了解的是，在此具体实施例的描述并非要限制本揭露主题为揭露的特定形式，反之，本发明涵盖落入由所附权利要求书所定义的已揭露主题的精神与范畴内的所有修改、等效与替代物。[0014]符号说明[0015]【权利要求】1.一种方法，包括:接收计算设备中的装置布局文件，该装置布局文件定义半导体装置中的多个装置结构；接收铸造厂真值表，该铸造厂真值表指定用于该计算设备中的制造程序的有效装置结构；通过使用该计算设备来比较该装置布局文件中的装置结构与该铸造厂真值表中的有效装置结构，以指定该装置布局文件中的装置结构为已支持的装置结构；使用该计算设备来指定未对应至用于该制造程序的有效装置结构的该装置布局文件中的装置结构为未支持的装置；以及使用该计算设备来产生该未支持装置结构的列表。2.根据权利要求1所述的方法，其中，指定该装置布局文件中的装置结构为已支持装置结构包括在该铸造厂真值表中的有效装置结构与该装置布局文件之间执行几何图案匹配。3.根据权利要求1所述的方法，进一步包括:识别与该已支持装置结构相关联的触点为已映射触点；识别与已支持装置结构不相关联的触点为未映射触点；以及指定与该未映射触点相关联的装置结构为未支持装置结构。4.根据权利要求3所·述的方法，其中，该装置布局文件中的装置结构包括半导体层中的扩散区与介接于该扩散区的导电线，且识别与该已支持装置结构相关联的触点包括识别介接于该扩散区或该已支持装置结构的导电线的触点。5.根据权利要求1所述的方法，其中，在该装置布局文件中的装置结构包括半导体层中的扩散区。6.根据权利要求5所述的方法，其中，该装置布局文件中的装置结构包括介接于该扩散区的导电线。7.一种以指令程序化的非暂时程序储存装置，其在由计算设备执行时履行一方法，该方法包括:接收该计算设备中的装置布局文件，该装置布局文件定义半导体装置中的多个装置结构；接收铸造厂真值表，该铸造厂真值表指定用于该计算设备中的制造程序的有效装置结构；通过使用该计算设备来比较该装置布局文件中的装置结构与该铸造厂真值表中的有效装置结构，以指定该装置布局文件中的装置结构为已支持的装置结构；使用该计算设备来指定未对应至用于该制造程序的有效装置结构的该装置布局文件中的装置结构为未支持的装置；以及使用该计算设备来产生该未支持装置结构的列表。8.根据权利要求7所述的程序储存装置，其中，指定该装置布局文件中的装置结构为该方法中的已支持装置结构包括在该铸造厂真值表中的有效装置结构与该装置布局文件之间执行几何图案匹配。9.根据权利要求7所述的程序储存装置，其中，该方法进一步包括:识别与该已支持装置结构相关联的触点为已映射触点；识别与已支持装置结构不相关联的触点为未映射触点；以及指定与该未映射触点相关联的装置结构为未支持装置结构。10.根据权利要求9所述的程序储存装置，其中，该装置布局文件中的装置结构包括半导体层中的扩散区与介接于该扩散区的导电线，且该方法中的识别与该已支持装置结构相关联的触点包括识别介接于该扩散区或该已支持装置结构的导电线的触点。11.一种计算系统，包括计算设备，该计算设备能操作来执行触点映射软件应用程序，该触点映射软件应用程序能操作来:接收计算设备中的装置布局文件，该装置布局文件定义半导体装置中的多个装置结构；接收铸造厂真值表，该铸造厂真值表指定用于该计算设备中的制造程序的有效装置结构；通过使用该计算设备来比较该装置布局文件中的装置结构与该铸造厂真值表中的有效装置结构，以指定该装置布局文件中的装置结构为已支持的装置结构；使用该计算设备来指定未对应至用于该制造程序的有效装置结构的该装置布局文件中的装置结构为未支持的装置；以及使用该计算设备来产生该未支持装置结构的列表。12.根据权利要求11所述的系统，其中，该触点映射软件应用程序能操作来通过在该铸造厂真值表中的有效装置结构与该装置布局文件之间执行几何图案匹配以指定该装置布局文件中的装置结构为已支持装置结构。13.根据权利要求11所述的系统，其中，该触点映射软件应用程序能进一步操作来:识别与该已支持装置结构相关联的触点为已映射触点；识别与已支持装置结构不相关联的触点为未映射触点；以及指定与该未映射触点相关联的装置结构为未支持装置结构。14.根据权利要求13所述的系统，其中，该装置布局文件中的装置结构包括半导体层中的扩散区与介接于该扩散区的导电线，且该触点映射软件应用程序能操作来识别介接于该扩散区或该已支持装置结构的导电线的触点。15.根据权利要求11所述的系统，其中，在该装置布局文件中的装置结构包括半导体层中的扩散区。16.根据权利要求15所述的系统，其中，该装置布局文件中的装置结构包括介接于该扩散区的导电线。【文档编号】G06F9/44GK103593177SQ201310352816【公开日】2014年2月19日申请日期:2013年8月14日优先权日:2012年8月14日【发明者】R·西格蒙德申请人:格罗方德半导体公司