一种数据存储以及读取的方法及装置制造方法
【专利摘要】本发明涉及通信电子【技术领域】，尤其涉及一种数据存储以及读取的方法及装置。该方法包括：在接收到随机写命令后，向NandFlash中写入当前数据；在写入所述当前数据后，写入与所述当前数据相对应的校验值；在完成当前数据的写操作后，将下一待写入的数据作为当前数据直到完成所有数据的写入操作。当接收到随机读取命令后，从NandFlash中读取当前数据；读取与所述当前数据对应的校验值；在完成当前数据的读取操作后，将下一待读取的数据作为当前数据直到完成所有数据的读取操作。可见该方法可解决现有技术中存储和读取数据效率低下的问题。
【专利说明】—种数据存储以及读取的方法及装置
【技术领域】
[0001]本发明涉及通信电子【技术领域】，尤其涉及一种数据存储以及读取的方法及装置。
【背景技术】
[0002]近年来，智能手机，平板电脑等触控设备被越来越多的人使用，为了满足用户的需求这些设备都需要配用较大的内存。目前市场上常用的内存有Nand-flash，Nand-flash以其容量大价格低廉的优势深受开发商的喜爱。如图1所示，在使用Nand-flash中的页Page存储或者读取数据的过程如下:
对Page进行写操作，即数据存储操作:
系统在接收到随机写命令WCMD后，使用PNE命令将控制器O和I均衡功能开启，按序在Page中的数据DATA区的空白处写入数据D0，然后使用PND命令将控制器O和I均衡功能关闭；在接到WCMD令后，使用PNE命令开启0，I均衡功能，按序在Page中的OOB区写入数据校验值PO，PO与DO相对应，然后关闭0，I均衡功能，此时一次写操作完成。重复上述写操作过程分别在DATA区和OOB区中分别按序写入D1、D2等数据，以及P0、P1等数据校验值，直到完成所有写操作。
[0003]对Page进行读操作，即数据读取操作:
系统在接收到随机读命令RCMD后，通过PNE命令将控制器O和I均衡功能开启，从Page中的数据DATA区中读出数据D0，通过PND命令将控制器O和I均衡功能关闭；在接到WCMD令后，通过PNE命令将控制器O和I均衡功能开启，读取Page中的OOB区中的数据的校验值PO，PO与DO相对应，然后关闭0，I均衡功能，此时一次读操作完成。重复上述读操作过程分别在DATA区和OOB区中分别按序读取D1、D2等数据，以及PO、Pl等数据校验值，直到完成所有读操作。
[0004]但本发明人发现,使用现有技术对Nand-flash中的页Page进行存储或者读取数据时，每一次数据读操作或者写操作都必须发送R/WCMD命令并需要操作PNE/D，因此使得存储和读取数据的效率十分低下。
【发明内容】
[0005]本发明实施例提供一种数据存储以及读取的方法及装置，用于解决现有技术中存储和读取数据效率低下的问题。
[0006]一种数据存储的方法，所述方法包括:
在接收到随机写命令后，向NandFlash中写入当前数据；
在写入所述当前数据后，写入与所述当前数据相对应的校验值；
在完成当前数据的写操作后，将下一待写入的数据作为当前数据直到完成所有数据的写入操作。
[0007]—种数据读取的方法，所述方法包括:
当接收到随机读取命令后，从NandFlash中读取当前数据； 读取与所述当前数据对应的校验值；
在完成当前数据的读取操作后，将下一待读取的数据作为当前数据直到完成所有数据的读取操作。
[0008]可见，使用该方法可在接收到数据的读取或者写命令后直接读取或者写入数据以及与该数据对应的校验值，避免了现有技术中每次读或写的操作都必须发送R/WCMD命令并需要进行PNE/D操作，而导致的读写效率低下的问题。
【专利附图】
【附图说明】
[0009]为了更清楚地说明本发明或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍。
[0010]图1为现有技术中存储数据的页结构；
图2为本发明实施例提供的存储数据的页结构；
图3为本发明实施例一提供的一种存储数据的方法流程图；
图4为本发明实施例二提供的一种读取数据的方法流程图；
图5为本发明实施例提供的一种存储数据的装置结构图；
图6为本发明实施例提供的一种读取数据的装置结构图。
【具体实施方式】
[0011]为了使本【技术领域】的人员更好地理解本发明实施例中的技术方案，并使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明中技术方案作进一步详细的说明。
[0012]使用本发明实施例提供的方法可在接收到数据的读取或者写命令后直接读取或者写入数据以及与该数据对应的校验值，避免了现有技术中每次读或写的操作都必须发送R/WCMD命令并需要进行PNE/D操作，而导致的写效率低下的问题。如图2所示，本发明实施例提供的写入数据的方法如下:
步骤21，在接收到随机写命令后，向NandFlash中写入当前数据；
步骤22，在写入所述当前数据后，写入与所述当前数据相对应的校验值；
步骤23，在完成当前数据的写操作后，将下一待写入的数据作为当前数据直到完成所有数据的写入操作。
[0013]其中所述向NandFlash中写入当前数据包括:
按序向NandFlash中的空白页的空白位置写入所述当前数据。此时所述写入与所述当前数据相对应的校验值包括:
在紧邻写入所述当前数据之后的空白位置写入与所述当前数据相对应的校验值。
[0014]具体的，在接到所述随机写命令后、且在向NandFlash中写入当前数据之前，进一步包括:
使用PNE命令将控制器O和I均衡功能开启。此时在写入与所述当前数据相对应的校验值之后、且在写入下一数据之前，进一步包括:使用PND命令将控制器O和I均衡功能关闭。
[0015]使用本发明实施例提供的方法可在接收到读取命令后直接读取数据以及与该数据对应的校验值，避免了现有技术中每次读操作都必须发送RCMD命令并需要进行PNE/D操作，而导致的读效率低下的问题。如图3所示，本发明实施例提供的读取数据的方法如下:步骤31,当接收到随机读取命令后,从NandFlash中读取当前数据；
步骤32，读取与所述当前数据对应的校验值；
步骤33，在完成当前数据的读取操作后，将下一待读取的数据作为当前数据直到完成所有数据的读取操作。
[0016]具体的,在所述当接收到随机读取命令后、且在所述从NandFlash中读取当前数据之前，进一步包括:
使用PNE命令将控制器O和I均衡功能开启；此时在所述读取与所述当前数据对应的校验值后、且在所述读取下一数据之前进一步包括:
使用PND命令将控制器O和I均衡功能关闭。
[0017]以下以具体实施例说明:
实施例一:
本发明实施例提供一种数据存储的方法，该方法可在接收到数据的随机写命令后直接写入数据以及与该数据对应的校验值，避免了现有技术中每次写操作都必须发送RCMD命令并需要进行PNE/D操作，而导致的写效率低下，参考图4所示，具体过程如下:
步骤一，在接收到随机写命令WCMD后，使用PNE命令将控制器O和I均衡功能开启； 步骤二，向NandFlash中写入当前数据DO ；
具体的本步骤中包括按序向NandFlash中的空白页的空白位置写入所述当前数据DO ； 步骤三，在写入所述当前数据后，写入与所述当前数据相对应的校验值；
具体的本步骤包括:在紧邻写入所述当前数据DO之后的空白位置写入与所述当前数据相对应的校验值PO ；
步骤四，使用PND命令将控制器O和I均衡功能关闭；
步骤五，在完成当前数据DO的写操作后，将下一待写入的数据Dl作为当前数据直到完成所有数据的写入操作。
[0018]可见，使用本发明实施例提供的方法可在接收到数据的读取或者写命令后直接读取或者写入数据以及与该数据对应的校验值，避免了现有技术中每次读或写的操作都必须发送R/WCMD命令并需要进行PNE/D操作，而导致的写效率低下的问题。
[0019]实施例二:
本发明实施例二在实施例一的基础之上可将数据顺利读出，并降低读取数据时所需的时间，一条高数据读取的效率，具体过程如下:
步骤A，当接收到随机读取命令RCMD后，使用PNE命令将控制器O和I均衡功能开启； 步骤B,从NandFlash中读取当前数据DO ；
步骤C，读取与所述当前数据DO对应的校验值PO ；
步骤D，使用PND命令将控制器O和I均衡功能关闭；
步骤E，在完成当前数据DO的读取操作后，将下一待读取的数据Dl作为当前数据直到完成所有数据的读取操作。
[0020]使用本发明实施例提供的方法可在接收到读取命令后直接读取数据以及与该数据对应的校验值，避免了现有技术中每次读操作都必须发送RCMD命令并需要进行PNE/D操作，而导致的读效率低下的问题。
[0021]如图5所示，本发明实施例提供一种数据存储的装置，所述装置包括:
写入单元51，用于在接收到随机写命令后，向NandFlash中写入当前数据；在写入所述当前数据后，写入与所述当前数据相对应的校验值；
写操作单元53，用于在完成当前数据的写操作后，将下一待写入的数据作为当前数据直到完成所有数据的写入操作。
[0022]所述写入单元51具体用于:
按序向NandFlash中的空白页的空白位置写入所述当前数据；在紧邻写入所述当前数据之后的空白位置写入与所述当前数据相对应的校验值。
[0023]所述装置还包括:
第一开启关闭单元52，用于使用PNE命令将控制器O和I均衡功能的开启或者关闭。
[0024]如图6所示，一种数据读取的装置，所述装置还包括:
读取单元，用于当接收到随机读取命令后，从NandFlash中读取当前数据；
读取与所述当前数据对应的校验值；
读操作单元，用于在完成当前数据的读取操作后，将下一待读取的数据作为当前数据直到完成所有数据的读取操作。
[0025]所述装置还包括:
第二开启关闭单元，用于使用PNE命令将控制器O和I均衡功能开启或者关闭。
[0026]综上所述，有￡fL效果:
使用该方法可在接收到数据的读取或者写命令后直接读取或者写入数据以及与该数据对应的校验值，避免了现有技术中每次读或写的操作都必须发送R/WCMD命令并需要进行PNE/D操作，而导致的读写效率低下的问题。
[0027]以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
【权利要求】
1.一种数据存储的方法，其特征在于，所述方法包括: 在接收到随机写命令后，向NandFlash中写入当前数据； 在写入所述当前数据后，写入与所述当前数据相对应的校验值； 在完成当前数据的写操作后，将下一待写入的数据作为当前数据直到完成所有数据的写入操作。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述向NandFlash中写入当前数据包括: 按序向NandFlash中的空白页的空白位置写入所述当前数据； 所述写入与所述当前数据相对应的校验值包括: 在紧邻写入所述当前数据之后的空白位置写入与所述当前数据相对应的校验值。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在接到所述随机写命令后、且在向NandFlash中写入当前数据之前,进一步包括: 使用PNE命令将控制器O和I均衡功能开启； 在写入与所述当前数据相对应的校验值之后、且在写入下一数据之前，进一步包括: 使用PND命令将控制器O和I均衡功能关闭。
4.一种数据读取的方法，其特征在于，所述方法包括: 当接收到随机读取命令后，从NandFlash中读取当前数据； 读取与所述当前数据对应的校验值； 在完成当前数据的读取操作后，将下一待读取的数据作为当前数据直到完成所有数据的读取操作。
5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，在所述当接收到随机读取命令后、且在所述从NandFlash中读取当前数据之前,进一步包括: 使用PNE命令将控制器O和I均衡功能开启； 在所述读取与所述当前数据对应的校验值后、且在所述读取下一数据之前进一步包括: 使用PND命令将控制器O和I均衡功能关闭。
6.一种数据存储的装置，其特征在于，所述装置包括: 写入单元，用于在接收到随机写命令后，向NandFlash中写入当前数据；在写入所述当前数据后，写入与所述当前数据相对应的校验值； 写操作单元，用于在完成当前数据的写操作后，将下一待写入的数据作为当前数据直到完成所有数据的写入操作。
7.如权利要求6所述的装置，其特征在于，所述写入单元具体用于: 按序向NandFlash中的空白页的空白位置写入所述当前数据；在紧邻写入所述当前数据之后的空白位置写入与所述当前数据相对应的校验值。
8.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述装置还包括: 第一开启关闭单元，用于使用PNE命令将控制器O和I均衡功能的开启或者关闭。
9.一种数据读取的装置，其特征在于，所述装置还包括: 读取单元，用于当接收到随机读取命令后，从NandFlash中读取当前数据； 读取与所述当前数据对应的校验值； 读操作单元，用于在完成当前数据的读取操作后，将下一待读取的数据作为当前数据直到完成所有数据的读取操作。
10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，所述装置还包括: 第二开启关闭单元，用于使用PNE命令将控制器O和I均衡功能开启或者关闭。
【文档编号】G06F3/06GK104267908SQ201410333907
【公开日】2015年1月7日 申请日期:2014年7月14日 优先权日:2014年7月14日
【发明者】邱东升 申请人:北京君正集成电路股份有限公司