投射式电容触控面板结构的制作方法
【专利摘要】本实用新型公开一种投射式电容触控面板结构，包含有：一三角波产生器、多个模拟开关以及多个取样保存电路。此外，还包含有一单独导电层以及一软性印刷电路板；该单独导电层由多条高电阻感应线联合组成。该三角波产生器产生一三角波，并经由多个模拟开关传送至该等感应线，在三角波的升波段中，该等取样保存电路处于保存状态；于降波段中，该等取样保存电路处于取样状态。该取样保存电路依据感应线上的电阻偏差来收集电压偏差。一条感应线上的电阻偏差愈高可以导引出愈高的电压偏差。
【专利说明】投射式电容触控面板结构
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及电容触控技术，特别是指具有高电阻导电层的接触传感器的触控电路结构设计，而特别适用于大尺寸触控应用的一种投射式电容触控面板结构。
【背景技术】
[0002]触控面板技术已被广泛使用于多种不同领域及应用，例如移动电话、平板计算机、游戏控制面板以及多种其他装置的屏幕。触控屏幕是一种电子的视觉显示器可供用户借由一或多根手指接触屏幕来形成单点或多点手势的控制动作。有些触控屏幕还可以检测对象，例如触控笔、或一般或特别涂层的手套。触控面板科技由于其可以让用户得以直接与显示的内容互动，不像使用鼠标、触摸板或其他多媒体装置，因此广受欢迎。
[0003]目前的触控面板技术均可达到相同的结果，然而，还有多种不同的触控面板技术可以达到触控的感应需求。这些技术包含了电阻式触控面板、表面声波触控面板、电容式触控面板、红外线网格触控面板、光学触控面板等等。近来，由于新的智能型手机与平板计算机的推出，电容式触控面板已愈来愈受到欢迎。
[0004]电容式触控面板可以分为表面电容式触控面板(单点触控)以及投射式电容触控面板(多点触控)。投射式电容触控面板可检测多个接触点，以及同时于该面板上进行放大、窄化、旋转或拖曳一个图样的动作，这对使用者而言是非常有用且方便的。此外，投射式电容触控面板克服了电阻式触控面板会被磨损的缺点。
[0005]所有的投射式电容触控面板都是由一个直、横阵列的导电材质分层设于玻璃上所制成，这可借由蚀刻一个导电层来形成网格图样的电极，或是蚀刻两个分离且相垂直的导电材料层，使其有多个并行线借以形成网格状。在施加电压到这个网格后即可产生一个均匀的静电场而可被量测。当一个导电物(例如手指)接触一个投射式电容触控面板时，它会在接触位置扭曲局部的静电场，而这是可以像电容中的电荷般的被量测。如果一根手指桥接了两条并行线之间的空隙，则电荷场可以更进一步的被一微控制单元准确的中断及检测。
[0006]在该网格上的每个独立点(交叉点)的电容都可以被改变及量测，因此，这个系统可以准确的追踪接触动作。由于投射式电容触控面板的顶层为玻璃，因此这是比低成本的电阻式触控科技更为坚固的方案。此外，不同于传统的电容式触控科技，用投射式电容触控面板系统来感测被动式触控笔或是戴了手套的手指是可能的。
[0007]如上所述，在投射式电容触控面板中最受欢迎的技术乃是轴交叉技术(AxisIntersect (Al) technology)。这个方法需要两个轴,其中一轴是垂直线用以传送信号，另一轴则是水平线用来感应电荷的变化，借以分辨出交叉点是否被接触。
[0008]在这个技术中，在正常状况下两个导电层的传感器需要表现出正常的功能，其一是用于垂直线而另一是用于水平线。此二层是借由黏性物质贴在一起借以形成一个完整的投射式电容触控感应面板。显然的，在这个技术中，准确的校准对于投射式电容触控面板的质量及应有的功能而言是一个相当关键的因素。在这个已知的技术中，通常会使用低电阻传感器的图样(pattern)。另一方面，在电路中会使用到方波。
实用新型内容
[0009]本实用新型的主要目的在于提供一种投射式电容触控面板结构，简化投射式电容触控面板技术，减少因为较差的校准所产生的负面效应。
[0010]为实现上述目的，本实用新型提供一种投射式电容触控面板结构，包含有:一投射式电容触控电路；一触控面板；以及一连接结构，连接于该投射式电容触控电路以及该触控面板之间。
[0011]其中，该投射式电容触控电路包含有:一三角波产生器、多个模拟开关以及多个取样保存电路。
[0012]其中，该触控面板包含有:一单独导电层，该单独导电层包含有多个具有高电阻的感应线，该等感应线为以电阻为判断基础，相较于现有触控面板的感应线的电阻值更高。
[0013]其中，该连接结构包含有:一或多个软性印刷电路板，该感应线借由铜线或银线来连接于该一或多个软性印刷电路板。
[0014]其中，该模拟开关借由电线连接于该取样保存电路；各该取样保存电路连接于一该模拟开关；且各该感应线连接于一该模拟开关。
[0015]其中，该感应线的材质为氧化铟锡，即该感应线为氧化铟锡感应线。
[0016]其中，该感应线的 材质为纳米碳管，即该感应线为纳米碳管感应线。
[0017]其中，该三角波产生器产生一三角波；该三角波由该三角波产生器传送至该模拟开关；且该三角波借由该模拟开关传送至该触控面板的该感应线。
[0018]其中，该三角波为一单一三角波，或该三角波为一三角波与其他任一种波形波的组合。
[0019]其中，该模拟开关的数量为N，该取样保存电路的数量为M，且I≤M≤N。
[0020]其中，更包含有一控制该三角波产生器的输入信号；该输入信号为一恒定频率信号；该输入信号为由一微控制单元(MCU)所发出的一周期频率信号；该输入信号为方波；且该输入信号由一韧体设计所产生。
[0021]其中，该三角波包含有一升波段以及一降波段；于该升波段中，一个升波段三角波借由该模拟开关传送至该感应线；该升波段三角波对位于该触控面板上的一手指接触位置的一电容进行充电；于该降波段中，一个降波段三角波借由该模拟开关传送至该取样保存电路；该降波段三角波对该取样保存电路充电，直到该取样保存电路饱和。
[0022]其中，于该升波段中，该取样保存电路处于保存状态；于该降波段中，该取样保存电路处于取样状态。
[0023]本实用新型还提供一种投射式电容触控面板结构，包含有:一投射式电容触控电路；一触控面板；以及一连接结构，连接于该投射式电容触控电路以及该触控面板之间；该投射式电容触控电路包含有一三角波产生器、多个模拟开关以及多个取样保存电路；该模拟开关的数量为N，该取样保存电路的数量为M，且I < M < N。
[0024]其中，该触控面板包含有:一单独导电层，该单独导电层包含有多个具有高电阻的感应线，该等感应线为以电阻为判断基础，相较于现有触控面板的感应线的电阻值更高。
[0025]其中，该连接结构包含有:一或多个软性印刷电路板，该感应线借由铜线或银线来连接于该一或多个软性印刷电路板；该模拟开关借由电线连接于该取样保存电路；各该取样保存电路连接于一该模拟开关；且各该感应线连接于一该模拟开关。
[0026]其中，该感应线的材质为氧化铟锡，即该感应线为氧化铟锡感应线。
[0027]其中，该感应线的材质为纳米碳管，即该感应线为纳米碳管感应线。
[0028]其中，该三角波产生器产生一三角波；该三角波由该三角波产生器传送至该模拟开关；该三角波借由该模拟开关传送至该触控面板的该感应线；该三角波为一单一三角波，或该三角波为一三角波与其他任一种波形波的组合；更包含一控制该三角波产生器的输入信号；该输入信号为一恒定频率信号；该输入信号为由一微控制单元(MCU)所发出的一周期频率信号；该输入信号为方波；且该输入信号由一韧体设计所产生。
[0029]其中，该三角波包含有一升波段以及一降波段；于该升波段中，一个升波段三角波借由该模拟开关传送至该感应线；该升波段三角波对位于该触控面板上的一手指接触位置的一电容进行充电；于该降波段中，一个降波段三角波借由该模拟开关传送至该取样保存电路；该降波段三角波对该取样保存电路充电，直到该取样保存电路饱和；于该升波段中，该取样保存电路处于保存状态；于该降波段中，该取样保存电路处于取样状态。
[0030]本实用新型的投射式电容触控面板结构，可改善前述的先前技术，以及简化投射式电容触控面板技术，减少因为较差的校准所产生的负面效应，同时再使投射式电容触控面板的技术适用于目前相当数量的应用区块，例如超大尺寸触控面板，以及超威纳米碳管。
[0031]为了达成本案的主要目的，投射式电容触控面板技术中需有两个关键部分被改善。其中之一乃是使传送至感应线旳信号为三角波。于本实用新型中，传送的信号可以是单一三角波，或可以是三角波与其他任一种波形波的组合。于此的波形乃是与现有投射式电容触控面板技术有着很大的同，在现有的投射式电容触控面板技术中，一般所使用的波形为方波。此外，上述两个关键部份的另外其中之一乃是，本实用新型中在触控面板上的感应线改为高电阻感应线。使用本实用新型的技术的感应图样设计，若是每条感应线的电阻愈高，则感应的效果愈好。此外，关于触控面板结构而言，本实用新型仅具有一层ITO(氧化铟锡)导电层。
[0032]本实用新型的设计具有几个优点。本实用新型所揭露的投射式电容触控面板适用于大尺寸的触控面板装置。于本实用新型中，触控面板结构具有单独一层的ITO导电层，因此，不需要分别对两层ITO导电层来校正其垂直线及水平线。我们可以很容易理解，触控面板的尺寸愈大，则校正两层ITO导电层的复杂度即愈高。此外，对这样的大屏幕的分层工作也会更加复杂。反观本实用新型，由于仅有一层ITO层，因此校正以及分层的工作即都不需要了。
[0033]此外，感应线或感应条是特别设计为高电阻的。通常来说，大尺寸的触控面板即意味着ITO层的感应线会相当长，因此，其电阻即会相当高。而且，本实用新型的触控面板非常适用于某些新材料，例如纳米碳管，因为纳米碳管是一种高电阻材料(纳米碳管的电阻远高于一般ITO导电层)。
[0034]在一般的投射式电容触控面板的操作模式中，其触控感应乃是由垂直导电层、水平导电层以及设置于这两个导电层之间以避免短路的一介电层所组成。这样的结构事实上即是一个电容。因此，如果一个信号由水平线传送出来，则对应的垂直线即同时会产生一耦合电压，此乃是归因于介电层的耦合效应。当一根手指接触于交叉点时，电容即被改变(介电电容加上手指电容)，垂直线上的耦合电压会比未接触时更小。而这是一般投射式电容触控面板的操作模式。
[0035]前述提到的一般投射式电容触控面板，必须使用到低电阻感应线，在一条感应线中，方波乃是由一个节点(node)所传送的，而由于ITO导电层的电阻问题，因此节点B的波形与节点A的波形会有一点不同。若是感应线的电阻愈高，则波形的差异也会愈大。在传统投射式电容触控面板的上述状况来看，如果使用了高电阻感应线，则每条垂直感应线上的耦合电压将会非常不同，这对于要找出感应线上的感应节点而言将会成为一个大问题。因此，传统投射式电容触控面板的触控传感器的设计，必须使用低电阻导电层才能减少耦合电压偏移的问题。然而，在本实用新型中，由于不同的工作机制(本实用新型的投射式电容触控面板技术乃是基于一般投射式电容触控面板技术以及表面电容触控(surfacecapacitive touch, SCT)技术所发展出来)，因此导电层的电阻愈高则感应线即愈好。于此须注意的是，本实用新型的感应线乃是触控面板上的ITO图样，有些时候，也称之为感应条，此不同于用来链接触控面板组件至其对应的控制器或电路的连接线。
[0036]一般而言，投射式电容触控面板使用X，Y扫瞄逻辑来定位接触位置。于本实用新型中，只有X方向可以被轻易的取得信息，Y方向则需要使用取样保留电路来依据感应线上的电阻偏差来收集电压偏差。一条感应线上的高电阻偏差可以导引出高电压偏差，此即是本实用新型用来找出接触点的方式。
[0037]以下结合附图和具体实施例对本实用新型进行详细描述，但不作为对本实用新型的限定。
【专利附图】
【附图说明】
[0038]图1为本实用新型的电路结构示意图。
[0039]图2为本实用新型的触控系统示意图，包含了本实用新型所揭露的电路。
[0040]图3a为本实用新型的操作状态示意图。
[0041]图3b为本实用新型在操作时的波形示意图。
[0042]图4为本实用新型的电荷变化示意图。
[0043]其中，附图标记:
[0044]100投射式电容触控电路
[0045]101三角波产生器
[0046]102取样保存电路
[0047]103模拟开关
[0048]200触控面板
[0049]201感应线
[0050]300输入信号
[0051]301三角波或半三角波
[0052]302接触点
【具体实施方式】
[0053]本实用新型的所有图式以及实施例的叙述乃是为了说明本实用新型的几种方式，并非用以限制本实用新型的专利范围。
[0054]如图1至图4所示，关于本实用新型的触控电路，信号源以三角波取代方波并传送至感应线。这不同于方波用于一般投射式电容触控面板的控制信号。这个使用于触控面板上的感应线的控制信号乃是由本实用新型的投射式电容触控电路100所产生。该电路包含了一个三角波产生器101、多个取样保存电路102以及多个模拟开关103。该取样保存电路为一个模拟装置，而可对一个连续变化的模拟信号的电压进行取样，并且在一段特定的最小时间区间内保存其电压值于一个常数位阶(constant level)。一该模拟开关，也称为双向开关，是一个电子元件而可产生像继电器一般的动作，但没有移动的部分。而开关元件为一对MOSFET (金氧半场效晶体管)，其一为N通道装置，另一为P通道装置。在开启时，这个开关元件可以在两个方向上传导模拟或数字信号；在关闭时则绝缘。在本实用新型中，该等取样保存电路的数量设定为M，而模拟开关的数量则设定为N。此外，于本实用新型中，各该模拟开关连接于一触控面板上的一感应线，且该等感应线为高电阻感应线。一个触控面板可以具有N条或多于N条的感应线。这个用来控制信号的电路借由其N个模拟开关分别经由一电线连接于该触控面板200上的一条感应线201以及该等取样保存电路。本实用新型的模拟开关为触控面板的输出入(IO)脚位，该等模拟开关借由软性印刷电路板(FPC)连接于触控面板。该触控面板的该等感应线借由铜或银线连接于该软性印刷电路板，而构成连接结构。该等感应线的材质为氧化铟锡或纳米碳管。此外，该触控面板200上的该等感应线201系联合构成一单独导通层，而不同于现有技术使用双层导电层。
[0055]在操作时，首先，一个输入信号300，其为一恒定频率信号，被传送至该三角波产生器101用以控制该三角波产生器，该输入信号为由一微控制单元(MCU)所发出的一周期频率信号；该输入信号为方波；且该输入信号的频率由一韧体设计所产生。接着，该三角波产生器将输出一个三角波或一个半三角波301至前述的模拟开关103，该三角波为一单一三角波，或该三角波为一三角波与其他任一种波形波的组合，在该三角波的升波段(A区)时，连接于该模拟开关且被选到的感应线将被这个三角波信号所充电，且该三角波信号被传送至该接触点302 (连接于手指)用以对该接触点302的电容充电。之后，在信号传送的过程中的三角波的降波段(B区)时，电荷会借由该模拟开关而反方向传送至各该对应的取样保存电路，例如，该三角波信号传送手指302的电容电荷至该取样保存电路，且同时该三角波产生器101将被快速放电用以对下个升波段做准备。另一方面，被选择的感应线上的电荷将被传送至一个对应的取样保存电路102而对其充电。而在一段时间内，该取样保存电路的电荷将饱和。
[0056]须特别说明的是，在触控面板没有被接触时，该取样保存电路输出一个保存电压(holding voltage)。定义 Cpar 为模拟开关的寄生电容(parasiticcapacitance)。而在该触控面板被接触时，在近端(即感应线的终点，且靠近模拟开关)，Ctot=Cpar+Cfin,其中Cfin为手指电容，而位于远程(即感应线的终点，且远离模拟开关)。Ctot为总和电容，也就是Cpar与Cf in的总和。本实用新型的关键在于，借由使用高电阻感应线，可以在对Ctot充电时产生更高的延迟时间，延迟时间T=l/(Rsen x Ctot)。假设Ctot为常数,则Rsen(接触位置的电阻)将会不同。而假设手指接触位置302具有的电容为Cfin，且取样保存电路具有一保存电容Cpar。请参考图3a与图3b，在A区中，三角波制造出电荷至该手指接触位置302，则在位置302的总电荷即为Cfin x V(tri)。在B区中，电荷将被传送至Cpar，如果电荷在所有动作中都没有耗损，那么保存电压将会是Cfin X V(tri)/(Cfin+Cpar)，在数百个频率周期后，保存电压会达到饱和，而VH即定义为饱和保存电压，依据被选择的感应线的接触位置，VH将会是可变的。因此，较高电阻的感应线对于找出接触位置而言，是更好的。
[0057]此外，在A区(即升波段)中，取样保存电路工作在保存功能。而在B区(即降波段)中，取样保存电路即工作在取样功能，借以收集手指接触位置302的电荷。
[0058]借此，如同上述，本实用新型的感应线乃是高电阻的感应线。因此，如图3a与图3b所示，对于高电阻感应线而言，由不同的信号节点至该接触位置302的阻抗是不同的。在一个恒定频率下，饱和电荷将会不同，而其乃是依赖接触点的变化。关于电荷的变化，可以基于对应的模拟开关103的充电信息来找出接触位置，同样的，被选择的感应线将会被找到。因此，被接触的位置可以借由本实用新型的触控面板技术来被找到。
[0059]在传统的投射式电容触控面板技术中，使用了 X，Y扫瞄逻辑来定位接触位置。于本实用新型中，只有X方向可以被轻易的取得信息，Y方向则需要使用取样保留电路来依据感应线上的电阻偏差来收集电压偏差。一条感应线上的高电阻偏差可以导引出高电压偏差。
[0060]对于一个依据本实用新型所揭露的技术来设计的触控面板装置，其将会以下述方式来操作。一触控面板包含了 N条(或接近N条)感应线在面板上，以及M个取样保存电路在控制信号电路中。感应线的数量M可以同时被充电且KMSN。可注意的是，一般而言会有一个三角波产生器设置在一个芯片中，M个取样保存电路设于一个芯片中，而模拟开关则是依据一个芯片中的译码器而为取样保存电路的(2，4，8及16)倍的数量。通常，取样保存电路(M个)会先被定义，模拟开关(N个)则是芯片的输出入(IO)端子(pin)，为了容易译码而将N设计为2χ Μ, 4χ Μ,或8χ Μ，此是取决于封装中的输出入端子数量以及取样保存电路的充电时间等因素。通常该取样保存电路(Μ个)会决定芯片的大小，且模拟开关的数量N会被设计成为M的倍数。感应线的数量X则与N相关，例如，Χ=60而Ν=40，则两个芯片需要符合所有需要被感应的感应线，因此最佳的做法即是使X=N或是X略少于但很接近N0若一个芯片具有M个取样保存电路以及N个模拟开关连接于触控面板200，则仅有数量M的感应线会被同时选择到，其他感应线则会是浮动或接地。
[0061]如果一条感应线具有IOR的阻抗，人体电容是Ch，感应线的寄生电容是Cp。当该条感应线未被接触时，充电时间为1/(R X Cp)。而当靠近信号源的地方被接触时，充电时间会是1/(R x(Cp+Ch)。而当远离信号源的地方被接触时，充电时间将会是l/(10x Rx(Cp+Ch))。因此，当三角波信号的输入控制信号的频率高于1/(R X Cp)时，取样保存电路的饱和电荷将会不同。取样保存电路的电压值变化显示于图4。
[0062]当然，本实用新型还可有其它多种实施例，在不背离本实用新型精神及其实质的情况下，熟悉本领域的技术人员可根据本实用新型作出各种相应的改变和变形，但这些相应的改变和变形都应属于本实用新型权利要求的保护范围。
【权利要求】
1.一种投射式电容触控面板结构，其特征在于，包含有: 一投射式电容触控电路； 一触控面板；以及 一连接结构，连接于该投射式电容触控电路以及该触控面板之间。
2.根据权利要求1所述的投射式电容触控面板结构，其特征在于，该投射式电容触控电路包含有:一三角波产生器、多个模拟开关以及多个取样保存电路。
3.根据权利要求2所述的投射式电容触控面板结构，其特征在于，该触控面板包含有:一单独导电层，该单独导电层包含有多个具有高电阻的感应线。
4.根据权利要求3所述的投射式电容触控面板结构，其特征在于，该连接结构包含有:一或多个软性印刷电路板，该感应线借由铜线或银线来连接于该一或多个软性印刷电路板。
5.根据权利要求4所述的投射式电容触控面板结构，其特征在于，该模拟开关借由电线连接于该取样保存电路；各该取样保存电路连接于一该模拟开关；且各该感应线连接于一该模拟开关。
6.根据权利要求3所述的投射式电容触控面板结构，其特征在于，该感应线为氧化铟锡感应线。
7.根据权利要求3 所述的投射式电容触控面板结构，其特征在于，该感应线为纳米碳管感应线。
8.根据权利要求3所述的投射式电容触控面板结构，其特征在于，该三角波产生器产生一三角波；该三角波由该三角波产生器传送至该模拟开关；且该三角波借由该模拟开关传送至该触控面板的该感应线。
9.根据权利要求8所述的投射式电容触控面板结构，其特征在于，该三角波为一单一三角波，或该三角波为一三角波与其他任一种波形波的组合。
10.根据权利要求2所述的投射式电容触控面板结构，其特征在于，该模拟开关的数量为N，该取样保存电路的数量为M，且I < M < N。
11.根据权利要求8所述的投射式电容触控面板结构，其特征在于，更包含有一控制该三角波产生器的输入信号；该输入信号为一恒定频率信号；该输入信号为由一微控制单元所发出的一周期频率信号；该输入信号为方波；且该输入信号由一韧体设计所产生。
12.根据权利要求8所述的投射式电容触控面板结构，其特征在于，该三角波包含有一升波段以及一降波段；于该升波段中，一个升波段三角波借由该模拟开关传送至该感应线；该升波段三角波对位于该触控面板上的一手指接触位置的一电容进行充电；于该降波段中，一个降波段三角波借由该模拟开关传送至该取样保存电路；该降波段三角波对该取样保存电路充电，直到该取样保存电路饱和。
13.根据权利要求12所述的投射式电容触控面板结构，其特征在于，于该升波段中，该取样保存电路处于保存状态；于该降波段中，该取样保存电路处于取样状态。
14.一种投射式电容触控面板结构，其特征在于，包含有: 一投射式电容触控电路； 一触控面板；以及 一连接结构，连接于该投射式电容触控电路以及该触控面板之间；该投射式电容触控电路包含有一三角波产生器、多个模拟开关以及多个取样保存电路； 该模拟开关的数量为N，该取样保存电路的数量为M，且I < M < N。
15.根据权利要求14所述的投射式电容触控面板结构，其特征在于，该触控面板包含有:一单独导电层，该单独导电层包含有多个具有高电阻的感应线。
16.根据权利要求15所述的投射式电容触控面板结构，其特征在于，该连接结构包含有:一或多个软性印刷电路板，该感应线借由铜线或银线来连接于该一或多个软性印刷电路板；该模拟开关借由电线连接于该取样保存电路；各该取样保存电路连接于一该模拟开关；且各该感应线连接于一该模拟开关。
17.根据权利要求15所述的投射式电容触控面板结构，其特征在于，该感应线为氧化铟锡感应线。
18.根据权利要求15所述的投射式电容触控面板结构，其特征在于，该感应线为纳米碳管感应线。
19.根据权利要求15所述的投射式电容触控面板结构，其特征在于，该三角波产生器产生一三角波；该三角波由该三角波产生器传送至该模拟开关；该三角波借由该模拟开关传送至该触控面板的该感应线；该三角波为一单一三角波，或该三角波为一三角波与其他任一种波形波的组合；更包含一控制该三角波产生器的输入信号；该输入信号为一恒定频率信号；该输入信号为 由一微控制单元所发出的一周期频率信号；该输入信号为方波；且该输入信号由一韧体设计所产生。
20.根据权利要求19所述的投射式电容触控面板结构，其特征在于，该三角波包含有一升波段以及一降波段；于该升波段中，一个升波段三角波借由该模拟开关传送至该感应线；该升波段三角波对位于该触控面板上的一手指接触位置的一电容进行充电；于该降波段中，一个降波段三角波借由该模拟开关传送至该取样保存电路；该降波段三角波对该取样保存电路充电，直到该取样保存电路饱和；于该升波段中，该取样保存电路处于保存状态；于该降波段中，该取样保存电路处于取样状态。
【文档编号】G06F3/044GK203733093SQ201420074881
【公开日】2014年7月23日 申请日期:2014年2月21日 优先权日:2013年9月19日
【发明者】钟昶光, 郭胜昌 申请人:宇昶半导体股份有限公司