基于SIFT特征点的双标签相对位置信息构建方法与流程

文档序号:12178065阅读:509来源:国知局
基于SIFT特征点的双标签相对位置信息构建方法与流程

本发明涉及图像防伪领域,尤其涉及一种基于SIFT特征点的双标签相对位置信息构建方法。



背景技术:

目前,图片防伪技术被广泛应用于商品的流通、销售等领域。一部分方法采用信息安全领域中的水印技术。另外一部分方法集中在提取图片的几何纹理特征。但上述这些方法往往集中在像素水平,缺点是需要区域的大部分像素都要参与,计算量大。



技术实现要素:

本发明要解决的技术问题在于针对现有技术中的缺陷,提供一种基于SIFT特征点的双标签相对位置信息构建方法。

本发明解决其技术问题所采用的技术方案是:一种基于SIFT特征点的双标签相对位置信息构建方法,所述双标签包括上层标签和下层标签;所述上层标签整体边界处在下层标签的边界范围内;所述下层标签的纹理信息为包括丰富的灰度梯度特征信息的用于SIFT特征提取的纹理信息;

包括以下步骤:

1)选择一个带有双层标签的真实商品,对其双标签拍摄n副不同角度的图片记为Pi,i=1,…,n;选择其中一副作为模板图片,记为P1,其中的上下层标签的相对位移作为参照物;选择另一副作为待测图片,记为P2;对图片P1,P2中上下层标签进行SIFT特征点检测,得到P1,P2上层标签的SIFT特征点集F1,F2;P1,P2下层标签的SIFT特征点集f1,f2;分别获取上下层标签SIFT特征点的物理坐标,存储至少70%的SIFT特征点的坐标信息;

2)对P1,P2下层标签进行SIFT特征配准,得到P1和P2中相对应的SIFT配准点集f1’和集f2’,存储f1’和f2’中所有SIFT特征点的位置坐标信息;

3)利用f1’和f2’中所有SIFT特征点的位置坐标构造P2到P1的仿射变换矩阵M,将P1和P2的下层标签归一化到同一个物理位置,以削弱不同拍摄角度和商品不同摆放位置带来的影响;

4)对P1、P2上层标签进行SIFT特征配准,得到P1和P2中相对应的SIFT配准点集F1’和F2’,存储F1’和F2’中所有SIFT特征点的位置坐标信息;对F2’中SIFT特征点利用仿射矩阵计算仿射变换后的SIFT特征点集F2”;

5)计算F2”与F1’中对应SIFT特征点之间的距离d,此距离即反映了P2中上层标签相对下层标签的相对位置信息。

按上述方案,所述下层标签的面积大于等于上层标签面积的3倍。

按上述方案,所述下层标签底纹至少能保证检测出300个SIFT特征点。

本发明产生的有益效果是:本发明方法通过引入SIFT特征点丰富了图片的描述信息,计算量小,鲁棒性好。

附图说明

下面将结合附图及实施例对本发明作进一步说明,附图中:

图1是本发明实施例的双标签示意图;

图2是本发明实施例的双标签特征点检测示意图。

具体实施方式

为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合实施例,对本发明进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅用以解释本发明,并不用于限定本发明。

如图1所示,一种基于SIFT特征点的双标签相对位置信息构建方法,所述双标签包括上层标签和下层标签;所述上层标签整体边界处在下层标签的边界范围内;所述下层标签的纹理信息包括丰富的灰度梯度特征信息,用于SIFT特征提取;

包括以下步骤:

1)选择一个带有双层标签的真实商品,对其双标签拍摄n副不同角度的图片记为Pi,i=1,…,n;选择其中一副作为模板图片,记为P1,其中的上下层标签的相对位移作为参照物;选择另一副作为待测图片,记为P2;如图2,对图片P1,P2中上下层标签进行SIFT特征点检测,得到P1,P2上层标签的SIFT特征点集F1,F2;P1,P2下层标签的SIFT特征点集f1,f2,图片经过SIFT特征检测后如图2;分别获取上下层标签SIFT特征点的物理坐标,存储70%的SIFT特征点的坐标信息;

2)对P1,P2下层标签进行SIFT特征配准,得到P1和P2中相对应的SIFT配准点集f1’和集f2’,存储f1’和f2’中所有SIFT特征点的位置坐标信息;

3)利用f1’和f2’中所有SIFT特征点的位置坐标构造P2到P1的仿射变换矩阵M,将P1和P2的下层标签归一化到同一个物理位置,以削弱不同拍摄角度和商品不同摆放位置带来的影响;

4)对P1,P2上层标签进行SIFT特征配准,得到P1和P2中相对应的SIFT配准点集F1’和F2’,存储F1’和F2’中所有SIFT特征点的位置坐标信息;对F2’中SIFT特征点利用仿射矩阵计算仿射变换后的SIFT特征点集F2”。

5)计算F2”与F1’中对应SIFT特征点之间的距离d,此距离即反映了P2中上层标签相对下层标签的相对位置信息。

应当理解的是,对本领域普通技术人员来说,可以根据上述说明加以改进或变换,而所有这些改进和变换都应属于本发明所附权利要求的保护范围。

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